JP6494605B2 - 支持エレメントを有するサセプタ - Google Patents
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Description
−チャンバに恒久的にサセプタを残し、
−成長前に、処理される基板を有する基板支持エレメント(又は基板支持エレメントとフレームとの結合体)をチャンバ内に搬送し、
−成長時に、基板を有する支持エレメント(又は結合体)をチャンバ内に残し、
−成長後に、処理後の基板を有する支持エレメント(又は結合体)をチャンバから搬出する、ことを含んでもよい。
A)例えば、上昇したエッジ(又はフレーム)の隅で、上からの機械的なけん引及び作用による、
B)例えば、上昇したエッジ(又はフレーム)平坦面で、上からの空気圧式の吸引及び作用による、
C)上昇したエッジ(又はフレーム)の突出部で、底部からの機械的な突き出し及び作用による、
必然的に、搬送は反対方向に行われる。
Claims (18)
- エピタキシャル成長用のリアクタのためのサセプタであって、
第1の面及び第2の面を有する円板形状のボディであって、前記第1の面は、エピタキシャル成長される基板を受け入れるように構成される少なくとも1つのゾーンを備える、円板形状のボディと、
前記ゾーンに配置される前記基板のための少なくとも1つの支持エレメントと、を備え、
前記支持エレメントは、円板に対して上昇されたエッジを有する前記円板を備え、
前記ゾーンは、前記ボディの凸部の上部であり、
前記ボディは、少なくとも前記凸部で中空ではない、
サセプタ。 - 前記エッジは、前記支持エレメントをハンドリングするために、前記サセプタの側面からアクセス可能である請求項1に記載のサセプタ。
- 前記円板は、平坦である請求項1又は2に記載のサセプタ。
- 前記エッジは、下部及び上部を備え、前記下部及び上部は、互いに隣接しており、前記下部は、前記円板に隣接し、前記上部は、前記下部に対して径方向外側に突出し、環状である、
請求項1から3のいずれか一項に記載のサセプタ。 - 環状突出部は、複数の径方向の切れ込みを有する請求項4に記載のサセプタ。
- 前記エッジは、前記円板の形状に対して後退され、前記支持エレメントは、円板及びリングを備え、前記リングは、その上面で前記円板と結合され、前記リングは、前記基板を取り囲むように構成される、請求項1から3のいずれか一項に記載のサセプタ。
- 前記支持エレメントは、前記円板が凹むように初期逆湾曲を有する請求項1から6のいずれか一項に記載のサセプタ。
- 前記支持エレメントは、全体的にグラファイト又は炭化タンタル又は炭化タンタルで被覆されたグラファイトからなる請求項1から7のいずれか一項に記載のサセプタ。
- 前記支持エレメントは、炭化ケイ素で一部が被覆される請求項8に記載のサセプタ。
- 前記支持エレメントは、前記基板の残りの表面を露出し、前記残りの表面は、起伏がある、又は刻みがある請求項1から9のいずれか一項に記載のサセプタ。
- 少なくとも1つの前記支持エレメントのための少なくとも1つのフレームを備え、前記少なくとも1つのフレームは、穴を備え、前記少なくとも1つのフレームは、前記ゾーンに配置され、前記少なくとも1つの支持エレメントは、前記穴に挿入される、請求項1から10のいずれか一項に記載のサセプタ。
- 前記上昇されるエッジは、前記フレームに属する請求項11に記載のサセプタ。
- 前記支持エレメントは、部分的に円筒状かつ部分的に平坦な表面を有する内側面を備える請求項1から12のいずれか一項に記載のサセプタ。
- 請求項1から13のいずれか一項に記載の基板を支持及び加熱するための少なくとも1つのサセプタを備えるエピタキシャル成長用のリアクタ。
- ホットウォール型の反応チャンバを備え、前記反応チャンバの壁は、固定している及び回転している両方のときに、前記少なくとも1つのサセプタを含むように構成される凹部を有する請求項14に記載のエピタキシャル成長用のリアクタ。
- 前記壁は、少なくとも前記凹部で中空ではない請求項15に記載のエピタキシャル成長用のリアクタ。
- 誘導加熱で、前記基板上に炭化ケイ素の層を堆積するタイプの、請求項14から16のいずれか一項に記載のエピタキシャル成長用のリアクタ。
- 前駆体ガスから前記ボディの前記凸部を保護する保護エレメントを備える、請求項14から17のいずれか一項に記載のエピタキシャル成長用のリアクタ。
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