CN105810435A - 一种耐高压高储能薄膜电容器及其制备方法 - Google Patents
一种耐高压高储能薄膜电容器及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105810435A CN105810435A CN201610230760.0A CN201610230760A CN105810435A CN 105810435 A CN105810435 A CN 105810435A CN 201610230760 A CN201610230760 A CN 201610230760A CN 105810435 A CN105810435 A CN 105810435A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- thin film
- film capacitor
- energy storage
- layer
- doping
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 78
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims abstract description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 43
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 42
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 31
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 25
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 23
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 22
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M potassium acetate Chemical compound [K+].CC([O-])=O SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 18
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 16
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 16
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 16
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 16
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 15
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 14
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 claims description 14
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 14
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 14
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 13
- VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M Sodium acetate Chemical compound [Na+].CC([O-])=O VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N hydron;methyl 4-methoxypyridine-2-carboxylate;chloride Chemical compound Cl.COC(=O)C1=CC(OC)=CC=N1 RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 235000011056 potassium acetate Nutrition 0.000 claims description 9
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 claims description 9
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 claims description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- FPCJKVGGYOAWIZ-UHFFFAOYSA-N butan-1-ol;titanium Chemical compound [Ti].CCCCO.CCCCO.CCCCO.CCCCO FPCJKVGGYOAWIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 claims description 7
- OQRMRSDZEJMEHR-UHFFFAOYSA-N acetic acid;scandium Chemical compound [Sc].CC(O)=O OQRMRSDZEJMEHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 7
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 7
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- FSAJRXGMUISOIW-UHFFFAOYSA-N bismuth sodium Chemical compound [Na].[Bi] FSAJRXGMUISOIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 description 2
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 description 2
- 229910010252 TiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000004899 motility Effects 0.000 description 1
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005616 pyroelectricity Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000012536 storage buffer Substances 0.000 description 1
- 239000011232 storage material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/33—Thin- or thick-film capacitors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G13/00—Apparatus specially adapted for manufacturing capacitors; Processes specially adapted for manufacturing capacitors not provided for in groups H01G4/00 - H01G11/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本发明公开了一种耐高压高储能薄膜电容器，该薄膜电容器以Si为衬底，由顺序叠接在衬底上的金属下电极层、下耐击穿子层、钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜层、上耐击穿子层以及金属上电极层，其中，所述的钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜层的组成通式为(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1‑x)ScxO3，0<x≤0.4。本发明还公开了该薄膜电容器的制备方法。本发明日工的薄膜电容器，其介电常数高，储能量大，温度稳定性好。
Description
技术领域：
本发明涉及陶瓷电容器，具体的涉及一种耐高压高储能薄膜电容器。
背景技术：
随着高能量密度技术及应用的发展，对高效存储和提供电能设备的研究重要性愈发凸显，与其他电能存储器件(化学电池、燃料电池、超级电容器、电解电容器和高分子薄膜电容器)相比，陶瓷电容器具有高介电常数、高功率密度及良好的温度稳定性，击穿强度低。
高储能密度电容器在高电压等级电容储能系统中可用于改善电能质量，如有源滤波；可用于储能缓冲、平滑电源负载波动，可用于常规储能或回收应用，如轨道交通制动能量回收等。电容器技术以它的灵活性及可适应性能够很好满足在微秒至毫秒范围内电能存储、放电、滤波和功率调谐器件的使用要求。近年来，随着高新技术的发展，国民经济和国防军工领域对电能储备材料产生的大量新的应用需求以及器件小型化的发展趋势，具有高储能、易集成、轻质量、低成本、高可靠性等全方位突出指标的新型储能材料已经成为研究的热点，薄膜在电容器中的研究及应用受到广泛关注。
钙钛矿结构的(Na0.5Bi0.5)TiO3-(K0.5Bi0.5)TiO3(NKBT)二元体系是一种具有优异电学性能的无铅陶瓷材料，包括强介电性、良好的铁电压电性以及优异的热释电和电热性能，是制备陶瓷电容器的理想材料，但是其制备方法工艺较复杂，条件不易控制。
发明内容：
本发明的目的是提供一种耐高压高储能薄膜电容器，其介电常数高，储能量大，温度稳定性好。
本发明还公开了该薄膜电容器的制备方法。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种耐高压高储能薄膜电容器，该薄膜电容器以Si为衬底，由顺序叠接在衬底上的金属下电极层、下耐击穿子层、钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜层、上耐击穿子层以及金属上电极层，其中，所述的钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜层的组成通式为(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3，0<x≤0.4。
作为上述技术方案的优选，所述金属下电极层的材料为Pt，金属上电极层的材料为Au。
作为上述技术方案的优选，所述下耐击穿子层和上耐击穿子层为二氧化硅、氧化铝或氮化硅。
一种耐高压高储能薄膜电容器的制备方法，包括以下步骤：
(1)制备具有Pt电极的Si衬底：用磁控溅射方法在硅基底上沉积一层厚度为100-200nm的金属下电极层Pt；
(2)在金属下电极层上采用磁控溅射法或脉冲激光沉积法沉积一层厚度为20-50nm的下耐击穿子层二氧化硅、氧化铝或氮化硅，然后将硅衬底干燥，之后用快速热处理炉在500-600℃下处理30-60s并随炉冷却；
(3)制备Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3，0<x≤0.4前驱体溶液，然后制备Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3压电薄膜；
(4)在钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜层上采用磁控溅射法或脉冲激光沉积法沉积一层厚度为20-50nm的上耐击穿子层二氧化硅、氧化铝或氮化硅；
(5)用磁控溅射方法在上耐击穿子层上沉积一层厚度为100-200nm的金属上电极层Au，得到耐高压高储能薄膜电容器。
作为上述技术方案的优选，步骤(3)中，所述Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3前驱体溶液的制备方法，具体包括以下步骤：
1)以去离子水为溶剂，加入异丙醇、乙酰丙酮和冰醋酸，室温下混合搅拌1-1.5h，得到混合溶液；
2)将钛酸四丁酯、硝酸铋、乙酸钾、乙酸钠和乙酸钪依次加入步骤1)所得的混合溶液中，室温下搅拌1-2h，搅拌完毕后过滤，并加入螯合剂甲酰胺，得到Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3前驱体溶液。
作为上述技术方案的优选，步骤2)中，所述硝酸铋、乙酸钠、乙酸钾和钛酸四丁酯的摩尔比为(0.8-2)：(1.42-2.8)：(0.25-0.5)：(1-3)。
作为上述技术方案的优选，步骤1)中，所述异丙醇、乙酰丙酮、冰醋酸的摩尔比为(1-2)：(1-2)：(4-6)
作为上述技术方案的优选，步骤(3)中所述Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3压电薄膜的制备方法具体包括以下步骤：
a)将Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3前驱体溶液滴加到步骤(2)所得衬底上，启动匀胶机进行匀胶，首先以300-500转/分的转速匀胶6-10s，然后在4000-6000转/分的转速下甩胶30-60s，得到薄膜；
b)将步骤a)得到的薄膜放入烘箱中，80-120℃下干燥处理，时间为10-20min，然后放入快速热处理炉中进行热解，热解温度为300-400℃，时间为2-5min，然后在空气气氛下进行快速退火，退火温度为600-800℃，退火时间为2-5min；
c)重复a)-b)的步骤，直至得到300-500nm厚的压电薄膜；
d)将厚度为300-500nm的压电薄膜放入快速热处理炉中，在空气气氛下进行快速退火，退火温度为600-800℃，退火时间为6-12min，得到不同比例的Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3压电薄膜。
本发明具有以下有益效果：
本发明采用硅为衬底，并采用Pt作为金属下电极层，钪掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3压电薄膜作为储能层，且储能层与金属下电极层之间有下耐击穿子层，制备的薄膜电容器具有较高的介电常数，击穿强度高，从而其储能密度得以大大提高；
且本发明提供的薄膜电容器制备方法简单，储能层结晶性好，表面致密均匀，界面清晰，压电特性好。
具体实施方式：
为了更好的理解本发明，下面通过实施例对本发明进一步说明，实施例只用于解释本发明，不会对本发明构成任何的限定。
实施例1
一种耐高压高储能薄膜电容器，该薄膜电容器以Si为衬底，由顺序叠接在衬底上的100nm厚的金属下电极层、20nm厚的下耐击穿子层、300nm厚的钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜层、20nm厚的上耐击穿子层以及100nm厚的金属上电极层，其中，所述的钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜层的组成通式为(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3，0<x≤0.4。
其制备方法包括以下步骤：
1)制备具有Pt电极的Si衬底：用磁控溅射方法在硅基底上沉积一层厚度为100nm的金属下电极层Pt；
(2)在金属下电极层上采用磁控溅射法或脉冲激光沉积法沉积一层厚度为20nm的下耐击穿子层二氧化硅、氧化铝或氮化硅，然后将硅衬底干燥，之后用快速热处理炉在500℃下处理30s并随炉冷却；
(3)制备Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3，0<x≤0.4前驱体溶液：
1)以去离子水为溶剂，加入0.1mol异丙醇、0.1mol乙酰丙酮和0.4mol冰醋酸，室温下混合搅拌1h，得到混合溶液；
2)将0.1mol钛酸四丁酯、0.08mol硝酸铋、0.025mol乙酸钾、0.142mol乙酸钠和0.01mol乙酸钪依次加入步骤1)所得的混合溶液中，室温下搅拌1h，搅拌完毕后过滤，并加入螯合剂甲酰胺，得到Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3前驱体溶液；
(4)然后制备Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3压电薄膜：
a)将Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3前驱体溶液滴加到步骤(2)所得衬底上，启动匀胶机进行匀胶，首先以300转/分的转速匀胶6s，然后在4000转/分的转速下甩胶30s，得到薄膜；
b)将步骤a)得到的薄膜放入烘箱中，80℃下干燥处理，时间为10min，然后放入快速热处理炉中进行热解，热解温度为300℃，时间为2min，然后在空气气氛下进行快速退火，退火温度为600℃，退火时间为2min；
c)重复a)-b)的步骤，直至得到300nm厚的压电薄膜；
d)将厚度为300nm的压电薄膜放入快速热处理炉中，在空气气氛下进行快速退火，退火温度为600℃，退火时间为6min，得到不同比例的Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3压电薄膜；
(5)在钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜层上采用磁控溅射法或脉冲激光沉积法沉积一层厚度为20nm的上耐击穿子层二氧化硅、氧化铝或氮化硅；
(6)用磁控溅射方法在上耐击穿子层上沉积一层厚度为100nm的金属上电极层Au，得到耐高压高储能薄膜电容器。
实施例2
一种耐高压高储能薄膜电容器，该薄膜电容器以Si为衬底，由顺序叠接在衬底上的200nm厚的金属下电极层、50nm厚的下耐击穿子层、500nm厚的钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜层、50nm厚的上耐击穿子层以及200nm厚的金属上电极层，其中，所述的钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜层的组成通式为(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3，0<x≤0.4。
其制备方法包括以下步骤：
1)制备具有Pt电极的Si衬底：用磁控溅射方法在硅基底上沉积一层厚度为200nm的金属下电极层Pt；
(2)在金属下电极层上采用磁控溅射法或脉冲激光沉积法沉积一层厚度为50nm的下耐击穿子层二氧化硅、氧化铝或氮化硅，然后将硅衬底干燥，之后用快速热处理炉在600℃下处理60s并随炉冷却；
(3)制备Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3，0<x≤0.4前驱体溶液：
1)以去离子水为溶剂，加入0.2mol异丙醇、0.2mol乙酰丙酮和0.6mol冰醋酸，室温下混合搅拌1-1.5h，得到混合溶液；
2)将0.3mol钛酸四丁酯、0.2mol硝酸铋、0.05mol乙酸钾、0.28mol乙酸钠和0.04mol乙酸钪依次加入步骤1)所得的混合溶液中，室温下搅拌2h，搅拌完毕后过滤，并加入螯合剂甲酰胺，得到Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3前驱体溶液；
(4)然后制备Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3压电薄膜：
a)将Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3前驱体溶液滴加到步骤(2)所得衬底上，启动匀胶机进行匀胶，首先以500转/分的转速匀胶10s，然后在6000转/分的转速下甩胶60s，得到薄膜；
b)将步骤a)得到的薄膜放入烘箱中，120℃下干燥处理，时间为20min，然后放入快速热处理炉中进行热解，热解温度为400℃，时间为5min，然后在空气气氛下进行快速退火，退火温度为800℃，退火时间为5min；
c)重复a)-b)的步骤，直至得到500nm厚的压电薄膜；
d)将厚度为500nm的压电薄膜放入快速热处理炉中，在空气气氛下进行快速退火，退火温度为800℃，退火时间为12min，得到不同比例的Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3压电薄膜；
(5)在钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜层上采用磁控溅射法或脉冲激光沉积法沉积一层厚度为50nm的上耐击穿子层二氧化硅、氧化铝或氮化硅；
(6)用磁控溅射方法在上耐击穿子层上沉积一层厚度为200nm的金属上电极层Au，得到耐高压高储能薄膜电容器。
实施例3
一种耐高压高储能薄膜电容器，该薄膜电容器以Si为衬底，由顺序叠接在衬底上的150nm厚的金属下电极层、30nm厚的下耐击穿子层、350nm厚的钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜层、30nm厚的上耐击穿子层以及150nm厚的金属上电极层，其中，所述的钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜层的组成通式为(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3，0<x≤0.4。
其制备方法包括以下步骤：
1)制备具有Pt电极的Si衬底：用磁控溅射方法在硅基底上沉积一层厚度为150nm的金属下电极层Pt；
(2)在金属下电极层上采用磁控溅射法或脉冲激光沉积法沉积一层厚度为30nm的下耐击穿子层二氧化硅、氧化铝或氮化硅，然后将硅衬底干燥，之后用快速热处理炉在550℃下处理40s并随炉冷却；
(3)制备Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3，0<x≤0.4前驱体溶液：
1)以去离子水为溶剂，加入0.12mol异丙醇、0.12mol乙酰丙酮和0.45mol冰醋酸，室温下混合搅拌1.1h，得到混合溶液；
2)将0.15mol钛酸四丁酯、0.1mol硝酸铋、0.035mol乙酸钾、0.162mol乙酸钠和0.01mol乙酸钪依次加入步骤1)所得的混合溶液中，室温下搅拌1.2h，搅拌完毕后过滤，并加入螯合剂甲酰胺，得到Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3前驱体溶液；
(4)然后制备Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3压电薄膜：
a)将Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3前驱体溶液滴加到步骤(2)所得衬底上，启动匀胶机进行匀胶，首先以350转/分的转速匀胶7s，然后在4500转/分的转速下甩胶40s，得到薄膜；
b)将步骤a)得到的薄膜放入烘箱中，90℃下干燥处理，时间为12min，然后放入快速热处理炉中进行热解，热解温度为350℃，时间为3min，然后在空气气氛下进行快速退火，退火温度为650℃，退火时间为3min；
c)重复a)-b)的步骤，直至得到350nm厚的压电薄膜；
d)将厚度为350nm的压电薄膜放入快速热处理炉中，在空气气氛下进行快速退火，退火温度为650℃，退火时间为7min，得到不同比例的Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3压电薄膜；
(5)在钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜层上采用磁控溅射法或脉冲激光沉积法沉积一层厚度为30nm的上耐击穿子层二氧化硅、氧化铝或氮化硅；
(6)用磁控溅射方法在上耐击穿子层上沉积一层厚度为150nm的金属上电极层Au，得到耐高压高储能薄膜电容器。
实施例4
一种耐高压高储能薄膜电容器，该薄膜电容器以Si为衬底，由顺序叠接在衬底上的180nm厚的金属下电极层、40nm厚的下耐击穿子层、400nm厚的钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜层、40nm厚的上耐击穿子层以及180nm厚的金属上电极层，其中，所述的钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜层的组成通式为(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3，0<x≤0.4。
其制备方法包括以下步骤：
1)制备具有Pt电极的Si衬底：用磁控溅射方法在硅基底上沉积一层厚度为180nm的金属下电极层Pt；
(2)在金属下电极层上采用磁控溅射法或脉冲激光沉积法沉积一层厚度为40nm的下耐击穿子层二氧化硅、氧化铝或氮化硅，然后将硅衬底干燥，之后用快速热处理炉在550℃下处理50s并随炉冷却；
(3)制备Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3，0<x≤0.4前驱体溶液：
1)以去离子水为溶剂，加入0.14mol异丙醇、0.14mol乙酰丙酮和0.5mol冰醋酸，室温下混合搅拌1.2h，得到混合溶液；
2)将0.2mol钛酸四丁酯、0.15mol硝酸铋、0.04mol乙酸钾、0.2mol乙酸钠和0.02mol乙酸钪依次加入步骤1)所得的混合溶液中，室温下搅拌1.6h，搅拌完毕后过滤，并加入螯合剂甲酰胺，得到Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3前驱体溶液；
(4)然后制备Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3压电薄膜：
a)将Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3前驱体溶液滴加到步骤(2)所得衬底上，启动匀胶机进行匀胶，首先以400转/分的转速匀胶8s，然后在5000转/分的转速下甩胶50s，得到薄膜；
b)将步骤a)得到的薄膜放入烘箱中，100℃下干燥处理，时间为14min，然后放入快速热处理炉中进行热解，热解温度为380℃，时间为4min，然后在空气气氛下进行快速退火，退火温度为700℃，退火时间为4min；
c)重复a)-b)的步骤，直至得到400nm厚的压电薄膜；
d)将厚度为400nm的压电薄膜放入快速热处理炉中，在空气气氛下进行快速退火，退火温度为700℃，退火时间为8min，得到不同比例的Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3压电薄膜；
(5)在钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜层上采用磁控溅射法或脉冲激光沉积法沉积一层厚度为40nm的上耐击穿子层二氧化硅、氧化铝或氮化硅；
(6)用磁控溅射方法在上耐击穿子层上沉积一层厚度为180nm的金属上电极层Au，得到耐高压高储能薄膜电容器。
实施例5
一种耐高压高储能薄膜电容器，该薄膜电容器以Si为衬底，由顺序叠接在衬底上的200nm厚的金属下电极层、45nm厚的下耐击穿子层、450nm厚的钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜层、45nm厚的上耐击穿子层以及200nm厚的金属上电极层，其中，所述的钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜层的组成通式为(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3，0<x≤0.4。
其制备方法包括以下步骤：
1)制备具有Pt电极的Si衬底：用磁控溅射方法在硅基底上沉积一层厚度为200nm的金属下电极层Pt；
(2)在金属下电极层上采用磁控溅射法或脉冲激光沉积法沉积一层厚度为45nm的下耐击穿子层二氧化硅、氧化铝或氮化硅，然后将硅衬底干燥，之后用快速热处理炉在600℃下处理55s并随炉冷却；
(3)制备Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3，0<x≤0.4前驱体溶液：
1)以去离子水为溶剂，加入0.16mol异丙醇、0.18mol乙酰丙酮和0.55mol冰醋酸，室温下混合搅拌1.4h，得到混合溶液；
2)将0.25mol钛酸四丁酯、0.15mol硝酸铋、0.045mol乙酸钾、0.25mol乙酸钠和0.03mol乙酸钪依次加入步骤1)所得的混合溶液中，室温下搅拌1.8h，搅拌完毕后过滤，并加入螯合剂甲酰胺，得到Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3前驱体溶液；
(4)然后制备Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3压电薄膜：
a)将Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3前驱体溶液滴加到步骤(2)所得衬底上，启动匀胶机进行匀胶，首先以500转/分的转速匀胶9s，然后在5500转/分的转速下甩胶50s，得到薄膜；
b)将步骤a)得到的薄膜放入烘箱中，110℃下干燥处理，时间为16min，然后放入快速热处理炉中进行热解，热解温度为400℃，时间为4min，然后在空气气氛下进行快速退火，退火温度为750℃，退火时间为5min；
c)重复a)-b)的步骤，直至得到450nm厚的压电薄膜；
d)将厚度为450nm的压电薄膜放入快速热处理炉中，在空气气氛下进行快速退火，退火温度为750℃，退火时间为10min，得到不同比例的Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3压电薄膜；
(5)在钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜层上采用磁控溅射法或脉冲激光沉积法沉积一层厚度为45nm的上耐击穿子层二氧化硅、氧化铝或氮化硅；
(6)用磁控溅射方法在上耐击穿子层上沉积一层厚度为200nm的金属上电极层Au，得到耐高压高储能薄膜电容器。
Claims (8)
1.一种耐高压高储能薄膜电容器，其特征在于，该薄膜电容器以Si为衬底，由顺序叠接在衬底上的金属下电极层、下耐击穿子层、钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜层、上耐击穿子层以及金属上电极层，其中，所述的钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜层的组成通式为(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3，0<x≤0.4。
2.如权利要求1所述的一种耐高压高储能薄膜电容器，其特征在于，所述金属下电极层的材料为Pt，金属上电极层的材料为Au。
3.如权利要求1所述的一种耐高压高储能薄膜电容器，其特征在于，所述下耐击穿子层和上耐击穿子层为二氧化硅、氧化铝或氮化硅。
4.如权利要求1至3任一所述的一种耐高压高储能薄膜电容器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)制备具有Pt电极的Si衬底：用磁控溅射方法在硅基底上沉积一层厚度为100-200nm的金属下电极层Pt；
(2)在金属下电极层上采用磁控溅射法或脉冲激光沉积法沉积一层厚度为20-50nm的下耐击穿子层二氧化硅、氧化铝或氮化硅，然后将硅衬底干燥，之后用快速热处理炉在500-600℃下处理30-60s并随炉冷却；
(3)制备Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3，0<x≤0.4前驱体溶液，然后制备Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3压电薄膜；
(4)在钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜层上采用磁控溅射法或脉冲激光沉积法沉积一层厚度为20-50nm的上耐击穿子层二氧化硅、氧化铝或氮化硅；
(5)用磁控溅射方法在上耐击穿子层上沉积一层厚度为100-200nm的金属上电极层Au，得到耐高压高储能薄膜电容器。
5.如权利要求4所述的一种耐高压高储能薄膜电容器的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3前驱体溶液的制备方法，具体包括以下步骤：
1)以去离子水为溶剂，加入异丙醇、乙酰丙酮和冰醋酸，室温下混合搅拌1-1.5h，得到混合溶液；
2)将钛酸四丁酯、硝酸铋、乙酸钾、乙酸钠和乙酸钪依次加入步骤1)所得的混合溶液中，室温下搅拌1-2h，搅拌完毕后过滤，并加入螯合剂甲酰胺，得到Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3前驱体溶液。
6.如权利要求5所述的一种耐高压高储能薄膜电容器的制备方法，其特征在于，步骤2)中，所述硝酸铋、乙酸钠、乙酸钾和钛酸四丁酯的摩尔比为(0.8-2)：(1.42-2.8)：(0.25-0.5)：(1-3)。
7.如权利要求5所述的一种耐高压高储能薄膜电容器的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述异丙醇、乙酰丙酮、冰醋酸的摩尔比为(1-2)：(1-2)：(4-6)。
8.如权利要求4所述的一种耐高压高储能薄膜电容器的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3压电薄膜的制备方法具体包括以下步骤：
a)将Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3前驱体溶液滴加到步骤(2)所得衬底上，启动匀胶机进行匀胶，首先以300-500转/分的转速匀胶6-10s，然后在4000-6000转/分的转速下甩胶30-60s，得到薄膜；
b)将步骤a)得到的薄膜放入烘箱中，80-120℃下干燥处理，时间为10-20min，然后放入快速热处理炉中进行热解，热解温度为300-400℃，时间为2-5min，然后在空气气氛下进行快速退火，退火温度为600-800℃，退火时间为2-5min；
c)重复a)-b)的步骤，直至得到300-500nm厚的压电薄膜；
d)将厚度为300-500nm的压电薄膜放入快速热处理炉中，在空气气氛下进行快速退火，退火温度为600-800℃，退火时间为6-12min，得到不同比例的Sc掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)ScxO3压电薄膜。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810075058.0A CN108155009A (zh) | 2016-04-13 | 2016-04-13 | 一种压电薄膜的制备方法 |
| CN201610230760.0A CN105810435B (zh) | 2016-04-13 | 2016-04-13 | 一种耐高压高储能薄膜电容器及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610230760.0A CN105810435B (zh) | 2016-04-13 | 2016-04-13 | 一种耐高压高储能薄膜电容器及其制备方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810075058.0A Division CN108155009A (zh) | 2016-04-13 | 2016-04-13 | 一种压电薄膜的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105810435A true CN105810435A (zh) | 2016-07-27 |
| CN105810435B CN105810435B (zh) | 2018-05-11 |
Family
ID=56460376
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810075058.0A Pending CN108155009A (zh) | 2016-04-13 | 2016-04-13 | 一种压电薄膜的制备方法 |
| CN201610230760.0A Active CN105810435B (zh) | 2016-04-13 | 2016-04-13 | 一种耐高压高储能薄膜电容器及其制备方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810075058.0A Pending CN108155009A (zh) | 2016-04-13 | 2016-04-13 | 一种压电薄膜的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (2) | CN108155009A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107464693A (zh) * | 2017-09-04 | 2017-12-12 | 铜陵百墩实业有限公司 | 一种高储能密度陶瓷电容器 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115895656B (zh) * | 2021-08-24 | 2024-05-03 | 浙江理工大学 | 光致发光铽掺杂氧化锡薄膜及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1541977A (zh) * | 2003-11-07 | 2004-11-03 | 四川大学 | 一种钛酸铋钠基无铅压电陶瓷 |
| CN101728089A (zh) * | 2009-12-22 | 2010-06-09 | 西安交通大学 | 一种具有高储能密度的薄膜电容器及其制备方法 |
| CN102234195A (zh) * | 2010-04-23 | 2011-11-09 | 四川师范大学 | 铌酸钠钾钛酸铋钠锂系无铅压电陶瓷组合物 |
| CN103956266A (zh) * | 2014-04-14 | 2014-07-30 | 桂林电子科技大学 | 一种无铅Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜电容器及其制备方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100355697C (zh) * | 2006-03-03 | 2007-12-19 | 清华大学 | 利用水基溶胶凝胶方法制备高居里点压电薄膜的方法 |
| CN103910380A (zh) * | 2012-12-28 | 2014-07-09 | 北京有色金属研究总院 | Nkbt水基溶胶、由其制备的二元铁电压电薄膜及制造方法 |
| CN104072129A (zh) * | 2014-04-18 | 2014-10-01 | 济南大学 | 一种b位等价锆离子掺杂的钛酸铋钠薄膜 |
| CN105601270B (zh) * | 2015-12-28 | 2018-06-15 | 北京有色金属研究总院 | 一种钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜的水基制备方法 |
-
2016
- 2016-04-13 CN CN201810075058.0A patent/CN108155009A/zh active Pending
- 2016-04-13 CN CN201610230760.0A patent/CN105810435B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1541977A (zh) * | 2003-11-07 | 2004-11-03 | 四川大学 | 一种钛酸铋钠基无铅压电陶瓷 |
| CN101728089A (zh) * | 2009-12-22 | 2010-06-09 | 西安交通大学 | 一种具有高储能密度的薄膜电容器及其制备方法 |
| CN102234195A (zh) * | 2010-04-23 | 2011-11-09 | 四川师范大学 | 铌酸钠钾钛酸铋钠锂系无铅压电陶瓷组合物 |
| CN103956266A (zh) * | 2014-04-14 | 2014-07-30 | 桂林电子科技大学 | 一种无铅Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜电容器及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| YUNYI WU, XIAOHUI WANG, AND LONGTU LI: "Effect of Sc Doping on the Structure and Electrical Properties of (Na0.85K0.15)0.5Bi0.5TiO3 Thin Films Prepared by Sol–Gel Processing", 《JOURNAL OF AMERICAN CERAMIC SOCIETY》 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107464693A (zh) * | 2017-09-04 | 2017-12-12 | 铜陵百墩实业有限公司 | 一种高储能密度陶瓷电容器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108155009A (zh) | 2018-06-12 |
| CN105810435B (zh) | 2018-05-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100559595C (zh) | 用于铁电存储器的BiFeO3-基三明治结构薄膜及其制备方法 | |
| US8637209B2 (en) | Cathode and electrolyte materials for solid oxide fuel cells and ion transport membranes | |
| RU2241281C2 (ru) | Способ получения тонких пленок кобальтата лития | |
| CN102173795A (zh) | 强电介质薄膜形成用组合物、强电介质薄膜的形成方法及通过该方法形成的强电介质薄膜 | |
| CN106803601B (zh) | 一种固态电解质锂镧钛氧化合物薄膜的制备方法 | |
| CN103183513A (zh) | 一种质子导电陶瓷电解质薄膜的制备方法 | |
| CN101811889B (zh) | 一种镧系元素掺杂的钛酸铋薄膜及其制备方法 | |
| CN105810435A (zh) | 一种耐高压高储能薄膜电容器及其制备方法 | |
| CN104072129A (zh) | 一种b位等价锆离子掺杂的钛酸铋钠薄膜 | |
| CN102683577B (zh) | BiFe1-yMnyO3外延复合薄膜及其制备方法 | |
| CN103273704A (zh) | 一种具有高储能密度的复合薄膜及其制备方法 | |
| CN103693959A (zh) | 一种同时具有高压电常数和高储能密度的(Pb,Bi)(Ni,Zr,Ti)O3固溶体铁电薄膜及其制备方法 | |
| CN109103505A (zh) | 层状全固态锂离子电池及其制备方法 | |
| CN101070617A (zh) | 一种取向生长的介电常数可调钛酸锶铅薄膜的制备方法 | |
| CN104478228B (zh) | 一种Bi0.85‑xPr0.15AExFe0.97Mn0.03O3 铁电薄膜及其制备方法 | |
| CN104891821B (zh) | 应用不同浓度的前驱液制备多层BiFeO3薄膜的方法 | |
| CN108390070B (zh) | 锡锑氧化物阳极材料涂层及其制备方法、液流电池钛基锡锑氧化物电极 | |
| CN105932088B (zh) | 一种具有钙钛矿结构的异质结薄膜光电器件及其制备方法 | |
| CN114914087A (zh) | 一种高储能特性的钛酸铋钠-锆钛酸钡电介质薄膜及其制备方法与应用 | |
| CN106887331B (zh) | 高储能密度电容器用氧化铝基电介质薄膜及其制备方法 | |
| CN102992757B (zh) | 一种高储能密度的铁电膜材料及其制备方法 | |
| CN105914243B (zh) | 一种具有铁电性能的薄膜光电器件及其制备方法 | |
| CN102426922B (zh) | 一种预复合高介电常数介质膜铝电极箔的制备方法 | |
| RU2570509C1 (ru) | Способ получения тонкоплёночного твердого электролита для электрохимических устройств | |
| CN114883480A (zh) | 一种钛酸铋系列铁电薄膜的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20171208 Address after: 518000 Guangdong Province, Shenzhen New District of Longhua City, Dalang street, Longsheng Gold Dragon Road community e-commerce incubator exhibition Tao Commercial Plaza E block 706 Applicant after: Shenzhen step Technology Transfer Center Co., Ltd. Address before: 523000 Guangdong province Dongguan City Songshan Lake high tech Industrial Zone Building 406 industrial development productivity Applicant before: Dongguan Lianzhou Intellectual Property Operation Management Co.,Ltd. |
|
| CB03 | Change of inventor or designer information | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Liu Dan Inventor after: Chen Lewu Inventor before: Wang Wenqing |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20180319 Address after: Bantian street Longgang Yabao Road District of Shenzhen City, Guangdong province 518129 No. 1 building 27 layer WORLDA Galaxy Applicant after: SHENZHEN ADVANCED TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE CO., LTD. Address before: 518000 Guangdong Province, Shenzhen New District of Longhua City, Dalang street, Longsheng Gold Dragon Road community e-commerce incubator exhibition Tao Commercial Plaza E block 706 Applicant before: Shenzhen step Technology Transfer Center Co., Ltd. |
|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |