CN105755449B - 采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法 - Google Patents

采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105755449B
CN105755449B CN201610328633.4A CN201610328633A CN105755449B CN 105755449 B CN105755449 B CN 105755449B CN 201610328633 A CN201610328633 A CN 201610328633A CN 105755449 B CN105755449 B CN 105755449B
Authority
CN
China
Prior art keywords
gas
diamond film
wave plasma
nanocrystalline diamond
helicon wave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610328633.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105755449A (zh
Inventor
吴雪梅
於俊
金成刚
黄天源
季佩宇
杨佳奇
诸葛兰剑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou University
Original Assignee
Suzhou University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou University filed Critical Suzhou University
Priority to CN201610328633.4A priority Critical patent/CN105755449B/zh
Publication of CN105755449A publication Critical patent/CN105755449A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105755449B publication Critical patent/CN105755449B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C23C16/27—Diamond only
    • C23C16/272—Diamond only using DC, AC or RF discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C23C16/27—Diamond only
    • C23C16/279—Diamond only control of diamond crystallography
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges

Abstract

本发明涉及一种采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法，包括如下步骤：（1）将Ar气和H2气通入到放电腔室内，在轴向磁场的环境下，通过射频调制的螺旋波等离子体实现Ar和H2混合气体放电，清洗基片台和Si衬底；（2）关闭H2气，通入Ar气和CH4气体，在轴向磁场的环境下，通过射频调制的螺旋波等离子体在Si衬底上形成纳米晶金刚石薄膜；（3）清洗纳米晶金刚石薄膜表面吸附的CH4气体。本发明通过螺旋波等离子体技术成功地制备了纳米晶金刚石薄膜，所用设备更加简单，工业生产上更容易实现，沉积速率更快，不存在灯丝性能衰减的问题，而且工艺步骤更简单，工艺参数更易控制。

Description

采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法
技术领域
本发明涉及一种纳米晶金刚石薄膜的制备方法，具体涉及一种采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法。
背景技术
金刚石是原子排列最紧密的物质，它的晶体结构决定了它具有许多优异的物理化学性质，例如：极高的硬度和弹性模量、非常低的热膨胀系数、很高的断裂强度、很大的禁带宽度、极低的介电常数等等。纳米晶金刚石(NCD)膜泛指平均晶粒尺寸在100nm以下的金刚石膜。由于尺寸效应的影响，纳米晶金刚石也呈现出许多独特的物理和化学特性。例如：除了具备上述金刚石许多优异的物理和化学性质之外，纳米晶金刚石还具有更高的光学透过率、更低的摩擦系数和损耗系数、良好的韧性和延展性以及更好的黏附性能等优异特性。同时，由于这种纳米晶金刚石包含了大量纳米尺度的晶粒，其在特殊的条件下还会呈现出库仑堵塞效应、量子尺寸效应等量子相关特性。这些优异的特性让纳米晶金刚石在微、纳电子学领域得到了非常广泛的应用。因此，纳米晶金刚石的制备方法和特性研究已成为国际研究的热点。
传统的纳米晶金刚石薄膜的制备方法有很多，如：微波等离子体CVD(MPCVD)、热丝CVD(HFCVD)、直流电弧等离子体喷射CVD(DC arc plasma jet CVD)等。但是它们均存在一些缺点，包括：微波等离子体CVD的设备价格昂贵，沉积腔设计需要模拟；热丝CVD的沉积速率较低，灯丝在沉积过程中性能衰减；直流电弧等离子体喷射CVD的工艺参数控制比较困难，电极易污染。
发明内容
本发明克服了现有技术的不足，提供一种采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法，在螺旋波等离子体装置内，以螺旋波等离子体技术实现快速沉积纳米晶金刚石薄膜。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案为：一种采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法，包括如下步骤：
（1）将Ar气和H2气通入到放电腔室内，在轴向磁场的环境下，通过射频调制的螺旋波等离子体实现Ar和H2混合气体放电，清洗基片台和Si衬底；
（2）关闭H2气，通入Ar气和CH4气体，在轴向磁场的环境下，通过射频调制的螺旋波等离子体在Si衬底上形成纳米晶金刚石薄膜；
（3）当步骤（2）中的放电过程结束时，关闭所有气源，待放电腔室重新抽至本底真空后，继续通入Ar气和H2气，在轴向磁场的环境下，通过射频调制的螺旋波等离子体实现Ar和H2混合气体放电，清洗纳米晶金刚石薄膜表面吸附的CH4气体，最后关闭真空，通入Ar气作为保护气。
本发明一个较佳实施例中，采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法进一步包括所述步骤（1）中螺旋波等离子体清洗的工艺参数为：衬底温度为600℃、本底真空为1×10-4pa、工作气体是纯度为99.999%的Ar气和纯度为99.999%的H2气、Ar气和H2气的流量比为60sccm:5sccm、清洗时间为20min、工作气压为0.21pa。
本发明一个较佳实施例中，采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法进一步包括所述步骤（1）中射频频率为13.56MHz、射频功率为800W。
本发明一个较佳实施例中，采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法进一步包括所述步骤（1）中轴向磁场强度为1480Gs。
本发明一个较佳实施例中，采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法进一步包括所述步骤（1）中用丙酮、无水乙醇和去离子水依次对Si衬底进行超声波清洗。
本发明一个较佳实施例中，采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法进一步包括所述步骤（2）中螺旋波等离子体制备纳米晶金刚石薄膜的工艺参数为：衬底温度为900℃～1100℃,本底真空为1×10-4pa，工作气体是纯度为99.999%的Ar气和纯度为99.999%的CH4气体，Ar气和CH4气体的流量比为50sccm:35sccm，时间为15min，工作气压为0.35pa。
本发明一个较佳实施例中，采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法进一步包括所述步骤（2）中射频频率为13.56MHz、射频功率为1500W。
本发明一个较佳实施例中，采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法进一步包括所述步骤（2）中轴向磁场的强度为1480Gs。
本发明一个较佳实施例中，采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法进一步包括所述步骤（3）中清洗纳米晶金刚石薄膜表面吸附的CH4气体的时间为2min。
本发明解决了背景技术中存在的缺陷，本发明在1500W的射频功率和1480Gs的轴向磁场强度条件下，通过螺旋波等离子体技术成功地制备了纳米晶金刚石薄膜，本发明采用螺旋波等离子体技术所用设备更加简单，工业生产上更容易实现，沉积速率更快，不存在灯丝性能衰减的问题，而且工艺步骤更简单，工艺参数更易控制。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明的优选实施例中所采用的螺旋波等离子体制备纳米晶金刚石薄膜拍摄的射流照片；
图2 是本发明的优选实施例中所采用的螺旋波等离子体沉积技术制备的样品的激光拉曼光谱图；
图3 是本发明的优选实施例中所采用的螺旋波等离子体沉积技术制备的样品的X射线光电子能谱(XPS)C1s分峰图；
图4是本发明的优选实施例中所采用的螺旋波等离子体沉积技术制备的样品的原子力显微镜(AFM)图；
图5是本发明的优选实施例中所采用的螺旋波等离子体沉积技术制备的样品的扫描电子显微镜(SEM)表面图；
图6是本发明的优选实施例中所采用的螺旋波等离子体沉积技术制备的样品的扫描电子显微镜(SEM)截面图。
具体实施方式
现在结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明，这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。
本发明所采用的螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法，包括如下步骤：
（1）采用晶向为<100>的单晶Si为衬底，以工业标准湿法清洗，去除Si表面的自然氧化层和各种粘污物。将已清洗干净的Si衬底放到基片台上，并固定好，然后将放电腔室抽至本底真空。待抽至本底真空后，将Ar气和H2气通入到放电腔室内，在轴向磁场的环境下，通过射频调制的螺旋波等离子体实现Ar和H2混合气体放电，清洗放电腔室、基片台和Si衬底，其中Si衬底分别用丙酮、无水乙醇和去离子水进行超声波清洗。
具体工艺参数为：衬底温度为600℃、本底真空为1×10-4pa、工作气体是纯度为99.999%的Ar气和纯度为99.999%的H2气、清洗时间为20min、Ar气和H2气的流量比为60sccm:5sccm、工作气压为0.21pa、射频频率为13.56MHz、射频功率为800W、所加轴向磁场强度为1480Gs。
（2）待真空腔室、基片台和Si衬底清洗完后，关闭H2气，通入Ar气和CH4气体，在轴向磁场的环境下，通过射频调制的螺旋波等离子体在Si衬底上形成纳米晶金刚石薄膜。
具体工艺参数为：衬底温度为900℃～1100℃、本底真空为1×10-4pa、工作气体是纯度为99.999%的Ar气和纯度为99.999%的CH4气体、时间为15min、Ar气和CH4气体的流量比为50sccm:35sccm、工作气压为0.35pa、射频频率为13.56MHz、射频功率为1500W、所加轴向磁场强度为1480Gs。
（3）当步骤（2）的放电过程结束后，关闭所有气源，待放电腔室重新抽至本底真空后，继续通入Ar气和H2气，在轴向磁场的环境下，通过射频调制的螺旋波等离子体实现Ar和H2混合气体放电，清洗纳米晶金刚石薄膜表面吸附的CH4气体,最后关闭真空，通入Ar气作为保护气。
具体工艺参数为：衬底温度为600℃、本底真空为1×10-4pa、工作气体是纯度为99.999%的Ar气和纯度为99.999%的H2气、清洗时间为2min、Ar气和H2气的流量比为60sccm:5sccm、工作气压为0.21pa、射频频率为13.56MHz、射频功率为800W、所加轴向磁场强度为1480Gs。
图1是本发明所采用的螺旋波等离子体制备纳米晶金刚石薄膜拍摄的射流照片。射流区域亮度强，螺旋波等离子体密度高。
图2是本发明所采用的螺旋波等离子体沉积技术制备的样品的激光拉曼光谱图。D峰峰位位于1333cm-1处，sp2态碳拉曼宽带(G峰)位于1520～1580cm-1处，由图中算得金刚石特征拉曼峰和非金刚石组分拉曼峰面积比：ID/IG约为2.51，表明我们制备的纳米晶金刚石薄膜的纯度是很高的，说明纳米晶金刚石薄膜的质量很好。
图3是本发明所采用的螺旋波等离子体沉积技术制备的样品的X射线光电子能谱(XPS)C1s分峰图。从图中可看出，C1s主要由C的sp3峰构成，结合能位于284.8eV处，即薄膜主要由金刚石成分组成，佐证图4所描述的纳米晶金刚石薄膜的纯度很高。
图4是本发明所采用的螺旋波等离子体沉积技术制备的样品的原子力显微镜(AFM)图，方均根粗糙度为6.73nm，这说明所沉积的薄膜的表面较平整、均匀。
图5是本发明所采用的螺旋波等离子体沉积技术制备的样品的扫描电子显微镜(SEM)表面图。
图6是本发明所采用的螺旋波等离子体沉积技术制备的样品的扫描电子显微镜(SEM)截面图。由图可知，15min沉积薄膜厚度为12.5um，沉积速率为833nm/min，薄膜沉积的速度是非常快的。
以上依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定技术性范围。

Claims (8)

1.一种采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)将Ar气和H2气通入到放电腔室内，在轴向磁场的环境下，通过射频调制的螺旋波等离子体实现Ar和H2混合气体放电，清洗基片台和Si衬底；
(2)关闭H2气，通入Ar气和CH4气体，在轴向磁场的环境下，通过射频调制的螺旋波等离子体在Si衬底上形成纳米晶金刚石薄膜；
(3)当步骤(2)中的放电过程结束时，关闭所有气源，待放电腔室重新抽至本底真空后，继续通入Ar气和H2气，在轴向磁场的环境下，通过射频调制的螺旋波等离子体实现Ar和H2混合气体放电，清洗纳米晶金刚石薄膜表面吸附的CH4气体，最后关闭真空，通入Ar气作为保护气；
所述步骤(2)中螺旋波等离子体制备纳米晶金刚石薄膜的工艺参数为：衬底温度为900℃～1100℃,本底真空为1×10-4pa，工作气体是纯度为99.999％的Ar气和纯度为99.999％的CH4气体，Ar气和CH4气体的流量比为50sccm:35sccm，时间为15min，工作气压为0.35pa。
2.根据权利要求1所述的采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法，其特征在于，所述步骤(1)中螺旋波等离子体清洗的工艺参数为：衬底温度为600℃、本底真空为1×10-4pa、工作气体是纯度为99.999％的Ar气和纯度为99.999％的H2气、Ar气和H2气的流量比为60sccm:5sccm、清洗时间为20min、工作气压为0.21pa。
3.根据权利要求1所述的采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法，其特征在于，所述步骤(1)中射频频率为13.56MHz、射频功率为800W。
4.根据权利要求1所述的采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法，其特征在于，所述步骤(1)中轴向磁场强度为1480Gs。
5.根据权利要求1所述的采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法，其特征在于，所述步骤(1)中用丙酮、无水乙醇和去离子水依次对Si衬底进行超声波清洗。
6.根据权利要求1所述的采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法，其特征在于，所述步骤(2)中射频频率为13.56MHz、射频功率为1500W。
7.根据权利要求1所述的采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法，其特征在于，所述步骤(2)中轴向磁场的强度为1480Gs。
8.根据权利要求1所述的采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法，其特征在于，所述步骤(3)中清洗纳米晶金刚石薄膜表面吸附的CH4气体的时间为2min。
CN201610328633.4A 2016-05-18 2016-05-18 采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法 Active CN105755449B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610328633.4A CN105755449B (zh) 2016-05-18 2016-05-18 采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610328633.4A CN105755449B (zh) 2016-05-18 2016-05-18 采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105755449A CN105755449A (zh) 2016-07-13
CN105755449B true CN105755449B (zh) 2018-09-25

Family

ID=56323147

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610328633.4A Active CN105755449B (zh) 2016-05-18 2016-05-18 采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105755449B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108085657B (zh) * 2017-12-29 2020-03-17 苏州大学 基于螺旋波等离子体技术制备氮掺杂类金刚石薄膜的方法
CN109576706A (zh) * 2018-12-21 2019-04-05 云南北方驰宏光电有限公司 一种硅基底类金刚石保护膜及其制备方法
CN111996510B (zh) * 2020-08-04 2022-12-02 西安电子科技大学芜湖研究院 一种用于金刚石生长的plc真空压力控制方法及装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1121303A (zh) * 1994-05-23 1996-04-24 松下电器产业株式会社 螺旋波等离子处理方法及装置
CN1272557A (zh) * 1999-12-30 2000-11-08 吉林大学 硅衬底上适于键合技术的金刚石膜制备工艺
CN1309407A (zh) * 1999-12-21 2001-08-22 索尼公司 电子发射器件、冷阴极场发射器件和显示器及其制造方法
CN1957116A (zh) * 2004-05-27 2007-05-02 凸版印刷株式会社 纳米晶体金刚石薄膜、其制造方法及使用纳米晶体金刚石薄膜的装置
CN101805894A (zh) * 2010-04-01 2010-08-18 河北大学 一种低温下制备氢化纳米晶态碳化硅薄膜的方法
CN103898458A (zh) * 2014-03-31 2014-07-02 苏州大学 一种采用螺旋波等离子体溅射技术制备硅纳米晶薄膜的方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003016954A (ja) * 2001-04-25 2003-01-17 Sony Corp 電子放出装置及びその製造方法、冷陰極電界電子放出素子及びその製造方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置及びその製造方法
JP2003234293A (ja) * 2002-02-06 2003-08-22 Canon Inc ヘリコン波プラズマ装置及びヘリコン波プラズマ処理方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1121303A (zh) * 1994-05-23 1996-04-24 松下电器产业株式会社 螺旋波等离子处理方法及装置
CN1309407A (zh) * 1999-12-21 2001-08-22 索尼公司 电子发射器件、冷阴极场发射器件和显示器及其制造方法
CN1272557A (zh) * 1999-12-30 2000-11-08 吉林大学 硅衬底上适于键合技术的金刚石膜制备工艺
CN1957116A (zh) * 2004-05-27 2007-05-02 凸版印刷株式会社 纳米晶体金刚石薄膜、其制造方法及使用纳米晶体金刚石薄膜的装置
CN101805894A (zh) * 2010-04-01 2010-08-18 河北大学 一种低温下制备氢化纳米晶态碳化硅薄膜的方法
CN103898458A (zh) * 2014-03-31 2014-07-02 苏州大学 一种采用螺旋波等离子体溅射技术制备硅纳米晶薄膜的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105755449A (zh) 2016-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105755449B (zh) 采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法
US5863605A (en) Diamond film deposition
Aoi et al. Preparation of amorphous CN x thin films by pulsed laser deposition using a radio frequency radical beam source
RU2205894C2 (ru) Способ создания пленки алмазоподобного углерода на подложке и изделие с такой пленкой на подложке
CN100526008C (zh) 金刚石膜的抛光方法
EP0617741A1 (en) NUCLEATION MAGNIFICATION FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF DIAMONDS.
WO2006085635A1 (ja) 炭化タンタル被覆炭素材料およびその製造方法
JP2006248883A (ja) 積層基板、積層基板の製造方法及びデバイス
CN111334794B (zh) 一种在基体表面沉积含Ti过渡层及钛掺杂类金刚石的改性薄膜及方法
CN104451580A (zh) RB-SiC基底反射镜表面改性层的制备方法
Lee et al. Effects of starting powder on the growth of Al2O3 films on Cu substrates using the aerosol deposition method
JP4006535B2 (ja) 半導体または液晶製造装置部材およびその製造方法
CN108118308A (zh) 一种类金刚石薄膜的制备方法
CN113293331A (zh) 一种高熵合金表面碳化物/金刚石涂层及其制备方法
US20120171474A1 (en) Coated article and method for making same
US8614012B2 (en) Coated article and method for making same
CN110106492A (zh) 快速制备垂直石墨烯的方法
CN113621926A (zh) 一种低应力类金刚石耐磨涂层及其制备方法
JP2011020179A (ja) 耐欠損性と耐摩耗性にすぐれたダイヤモンド被覆工具
CN110923650B (zh) 一种dlc涂层及其制备方法
Huang et al. Characterization and analysis of DLC films with different thickness deposited by RF magnetron PECVD
KR100991770B1 (ko) 입방정계 질화붕소 박막의 증착 방법
Felmetsger et al. Effect of pre-deposition RF plasma etching on wafer surface morphology and crystal orientation of piezoelectric AlN thin films
TWI382451B (zh) 製造半導體鍍層基板之方法
CN103811240B (zh) 碳纳米管阴极的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB03 Change of inventor or designer information

Inventor after: Wu Xuemei

Inventor after: Wu Jun

Inventor after: Jin Chenggang

Inventor after: Huang Tianyuan

Inventor after: Ji Peiyu

Inventor after: Yang Jiaqi

Inventor after: Wu Xuemei Yu Jun, Jin Chenggang, Huang Tianyuan, Ji Peiyu, Yang Jiaqi, Zhuge, LAN Jian.

Inventor before: Wu Jun

Inventor before: Huang Tianyuan

Inventor before: Ji Peiyu

Inventor before: Yang Jiaqi

Inventor before: Jin Chenggang

Inventor before: Wu Xuemei

Inventor before: Yu Jun Huang Tianyuan, Ji Peiyu, Yang Jiaqi, Jin Chenggang, Wu Xuemei, Zhuge, LAN Jian.

CB03 Change of inventor or designer information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant