CN111996510B - 一种用于金刚石生长的plc真空压力控制方法及装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种用于金刚石生长的PLC真空压力控制方法及装置，该方法包括：获取第一工艺气体参数和第一目标压力、第二工艺气体参数和第二目标压力、第三工艺气体参数和第三目标压力；根据第一工艺气体参数控制对应的隔膜阀和质量流量计运行，获取第一实时压力，根据第一实时压力与第一目标压力的比较结果对比例阀进行控制；根据第二工艺气体参数控制对应的隔膜阀和质量流量计运行，获取第二实时压力，根据第二实时压力与第二目标压力的比较结果对比例阀进行控制；根据第三工艺气体参数控制对应的隔膜阀和质量流量计运行，获取第三实时压力，根据第三实时压力与第三目标压力的比较结果对比例阀进行控制。该方法实现了各个阶段对真空压力的精确控制。

Description

一种用于金刚石生长的PLC真空压力控制方法及装置

技术领域

本发明属于自动控制技术领域，具体涉及一种用于金刚石生长的PLC真空压力控制方法及装置。

背景技术

金刚石作为一种宽带隙半导体材料，具有许多与众不同的性能，如大的禁带宽度、低的介电常数、高的击穿电压、高的电子空穴迁移率、高的热导率及优越的抗辐射性能，且化学稳定性好。所有这些物理、化学和电学特性使得金刚石在工业和民用的许多领域有着广阔的应用前景。

目前人工合成金刚石的方法有高温高压法(HTHP)、直流电弧等离子体喷射法(DCAPJ)、热丝化学气相沉积法(HFCVD)、微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)等。其中，由于微波激发的等离子可控性好、等离子密度高且无电极污染，MPCVD是制备高品质金刚石的首选方法。

在利用MPCVD进行金刚石生长过程中，需要对真空环境进行调节控制。然而，现有真空压力的控制采用人工进行统筹控制，其控制精度较低且真空腔体内压力不稳定，无法在每个阶段实现对真空压力的精确控制。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种用于金刚石生长的PLC真空压力控制方法及装置。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

本发明实施例提供了一种用于金刚石生长的PLC真空压力控制方法，包括步骤：

S1、获取金刚石生长的准备阶段第一工艺气体参数和第一目标压力、生长阶段的第二工艺气体参数和第二目标压力、结束阶段的第三工艺气体参数和第三目标压力；

S2、根据所述第一工艺气体参数控制与所述准备阶段对应的隔膜阀和质量流量计运行，并获取真空腔体内的第一实时压力，根据所述第一实时压力与所述第一目标压力的比较结果对所述真空腔体上设置的比例阀进行控制，使所述第一实时压力逐渐增大且与所述第一目标压力始终保持相等；

S3、根据所述第二工艺气体参数控制与所述生长阶段对应的隔膜阀和质量流量计运行，并获取真空腔体内的第二实时压力，根据所述第二实时压力与所述第二目标压力的比较结果对所述比例阀进行控制，使所述第二实时压力保持不变且与所述第二目标压力保持相等；

S4、根据所述第三工艺气体参数控制与所述结束阶段对应的隔膜阀和质量流量计运行，并获取真空腔体内的第三实时压力，根据所述第三实时压力与所述第三目标压力的比较结果对所述比例阀进行控制，使所述第三实时压力逐渐减小且与所述第三目标压力保持相等。

在本发明的一个实施例中，所述第一工艺气体参数包括第一工艺气体种类和第一工艺气体流量，所述第二工艺气体参数包括第二工艺气体种类和第二工艺气体流量，所述第三工艺气体参数包括第三工艺气体种类和第三工艺气体流量。

在本发明的一个实施例中，步骤S2包括：

S21、根据所述第一工艺气体种类控制与所述准备阶段对应的隔膜阀运行，然后根据所述第一工艺气体流量控制与所述准备阶段对应的质量流量计打开；

S22、获取所述第一实时压力，并将所述第一实时压力与所述第一目标压力进行比较；

S23、当所述第一实时压力小于所述第一目标压力时，控制所述比例阀的开度减小直至所述第一实时压力与所述第一目标压力相等；当所述第一实时压力等于所述第一目标压力时，控制所述比例阀的开度不变；当所述第一实时压力大于所述第一目标压力时，控制所述比例阀的开度增大直至所述第一实时压力与所述第一目标压力相等。

在本发明的一个实施例中，步骤S3包括：

S31、根据所述第二工艺气体种类控制与所述生长阶段对应的隔膜阀运行，同时根据所述第二工艺气体流量控制与所述生长阶段对应的质量流量计打开；

S32、获取所述第二实时压力，并将所述第二实时压力与所述第二目标压力进行比较；

S33、当所述第二实时压力小于所述第二目标压力时，控制所述比例阀的开度减小直至所述第二实时压力与所述第二目标压力相等；当所述第二实时压力等于所述第二目标压力时，控制所述比例阀的开度不变；当所述第二实时压力大于所述第二目标压力时，控制所述比例阀的开度增大直至所述第二实时压力与所述第二目标压力相等。

在本发明的一个实施例中，步骤S4包括：

S41、根据所述第三工艺气体种类控制与所述结束阶段对应的隔膜阀运行，同时根据所述第三工艺气体流量控制与所述结束阶段对应的质量流量计关闭；

S42、获取所述第三实时压力，并将所述第三实时压力与所述第三目标压力进行比较；

S43、当所述第三实时压力小于所述第三目标压力时，控制所述比例阀的开度减小直至所述第三实时压力与所述第三目标压力相等；当所述第三实时压力等于所述第三目标压力时，控制所述比例阀的开度不变；当所述第三实时压力大于所述第三目标压力时，控制所述比例阀的开度增大直至所述第三实时压力与所述第三目标压力相等。

在本发明的一个实施例中，所述第一工艺气体种类包括H₂，H₂流量为100～1000L/min；

所述第二工艺气体种类包括H₂、CH₄、O₂和N₂，其中，H₂流量为100～1000L/min，CH₄流量为2～125L/min，O₂流量为2～125L/min，N₂流量为0.002～0.125L/min；

所述第三工艺气体种类包括H₂，H₂流量为100～1000L/min。

在本发明的一个实施例中，所述第一目标压力为0～400mbar，所述第二目标压力为400mbar，所述第三目标压力为0～400mbar。

本发明的另一个实施例提供了一种用于金刚石生长的PLC真空压力控制装置，包括：

参数获取模块，用于获取金刚石生长的准备阶段第一工艺气体参数和第一目标压力、生长阶段的第二工艺气体参数和第二目标压力、结束阶段的第三工艺气体参数和第三目标压力；

准备阶段控制模块，用于根据所述第一工艺气体参数控制与所述准备阶段对应的隔膜阀和质量流量计运行，并获取真空腔体内的第一实时压力，根据所述第一实时压力与所述第一目标压力的比较结果对所述真空腔体上设置的比例阀进行控制，使所述第一实时压力逐渐增大且与所述第一目标压力始终保持相等；

生长阶段控制模块，用于根据所述第二工艺气体参数控制与所述生长阶段对应的隔膜阀和质量流量计运行，并获取真空腔体内的第二实时压力，根据所述第二实时压力与所述第二目标压力的比较结果对所述比例阀进行控制，使所述第二实时压力保持不变与所述第二目标压力保持相等；

结束阶段控制模块，用于根据所述第三工艺气体参数控制与所述结束阶段对应的隔膜阀和质量流量计运行，并获取真空腔体内的第三实时压力，根据所述第三实时压力与所述第三目标压力的比较结果对所述比例阀进行控制，使所述第三实时压力逐渐减小与所述第三目标压力保持相等。

在本发明的一个实施例中，所述第一工艺气体参数包括第一工艺气体种类和第一工艺气体流量，所述第二工艺气体参数包括第二工艺气体种类和第二工艺气体流量，所述第三工艺气体参数包括第三工艺气体种类和第三工艺气体流量。

在本发明的一个实施例中，所述第一工艺气体种类包括H₂，H₂流量为100～1000L/min；

所述第二工艺气体种类包括H₂、CH₄、O₂和N₂，其中，H₂流量为100～1000L/min，CH₄流量为2～125L/min，O₂流量为2～125L/min，N₂流量为0.002～0.125L/min；

所述第三工艺气体种类包括H₂，H₂流量为100～1000L/min；

所述第一目标压力为0～400mbar，所述第二目标压力为400mbar，所述第三目标压力为0～400mbar。

与现有技术相比，本发明的有益效果：

本发明的PLC真空压力控制方法根据金刚石生长的准备阶段、生长阶段、结束阶段中每个阶段的实时压力和每个阶段的目标压力对真空腔体内的压力进行调节，使得实时压力和目标压力始终保持相等，控制精度较高，且真空腔体内的压力稳定性较高，实现了在各个阶段对真空压力的精确控制。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种用于金刚石生长的PLC真空压力控制方法的流程示意图；

图2为本发明实施例提供的一种准备阶段第一目标压力的变化趋势图；

图3为本发明实施例提供的一种结束阶段第三目标压力的变化趋势图；

图4为本发明实施例提供的一种用于金刚石生长的PLC真空压力控制装置的模块示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明做进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。

实施例一

在金刚石生长过程中，真空压力控制是金刚石生长的基本条件。按照金刚石的生长过程，本实施例将真空压力控制分为三个阶段：准备阶段、保持阶段和结束阶段，结合各个阶段对PLC真空压力控制方法进行说明。

请参见图1，图1为本发明实施例提供的一种用于金刚石生长的PLC真空压力控制方法的流程示意图。该控制方法包括步骤：

S1、获取金刚石生长的准备阶段第一工艺气体参数和第一目标压力、生长阶段的第二工艺气体参数和第二目标压力、结束阶段的第三工艺气体参数和第三目标压力。

在一个具体实施例中，操作人员在工控机上设定金刚石生长的三个阶段所需的工艺气体参数和目标压力，PLC控制器接收这三个阶段的工艺气体参数和目标压力。即，在进行金刚石生长之前，PLC控制器接收准备阶段、生长阶段和结束阶段所需的工艺参数，包括：第一工艺气体参数、第一目标压力、第二工艺气体参数、第二目标压力、第三工艺气体参数、第三目标压力。

具体地，第一工艺气体参数包括第一工艺气体种类和第一工艺气体流量，第二工艺气体参数包括第二工艺气体种类和第二工艺气体流量，第三工艺气体参数包括第三工艺气体种类和第三工艺气体流量。

其中，第一工艺气体流量是指在第一工艺气体种类中每种工艺气体的气体流量，第二工艺气体流量是指在是指在第二工艺气体种类中每种工艺气体的气体流量，第三工艺气体流量是指在是指在第三工艺气体种类中每种工艺气体的气体流量。本实施例中，第一工艺气体种类包括H₂，H₂流量为100～1000L/min；第二工艺气体种类包括H₂、CH₄、O₂和N₂，其中，H₂流量为100～1000L/min，CH₄流量为2～125L/min(占气体总量的2％～10％)，O₂流量为2～125L/min(占气体总量的2％～10％)，N₂流量为0.002～0.125L/min(占气体总量的10～100ppm)；第三工艺气体种类包括H₂，H₂流量为100～1000L/min。

请参见图2和图3，图2为本发明实施例提供的一种准备阶段第一目标压力的变化趋势图，图3为本发明实施例提供的一种结束阶段第三目标压力的变化趋势图。从图2、图3中可知，第一目标压力范围为0～400mbar，第二目标压力为400mbar，第三目标压力范围为0～400mbar。可以理解的是，在准备阶段，第一目标压力从0mbar逐渐上升至400mbar，如图2所示；在保持阶段，第二目标压力保持在400mbar不变；在结束阶段，第三目标压力从400mbar逐渐降低至0mbar，如图3所示。

S2、根据第一工艺气体参数控制与准备阶段对应的隔膜阀和质量流量计运行，并获取真空腔体内的第一实时压力，根据第一实时压力与第一目标压力的比较结果对真空腔体上设置的比例阀进行控制，使第一实时压力逐渐增大且与第一目标压力始终保持相等。具体包括步骤：

S21、根据第一工艺气体种类控制与准备阶段对应的隔膜阀运行，然后根据第一工艺气体流量控制与准备阶段对应的质量流量计打开。

具体地，在准备阶段，往真空腔体内通入的第一工艺气体种类包括H₂，因此，PLC控制器控制与H₂对应的隔膜阀运行，使得H₂可以进入真空腔体内；然后，PLC控制器控制与H₂对应的质量流量计打开，使H₂的流量保持在100～1000L/min。

S22、获取所述第一实时压力，并将第一实时压力与第一目标压力进行比较。

具体地，电容规对真空腔体中气体压力进行检测，获取第一实时压力。第一实时压力的变化趋势与第一目标压力的变化趋势应相同，也就是说，在准备阶段，第一实时压力应由0mbar逐渐上升至400mbar。进一步地，第一实时压力通过模拟量输入输出模块传输到PLC控制器中，PLC控制器将从工控机获得的第一目标压力与第一实时压力进行比较。

S23、当第一实时压力小于第一目标压力时，控制比例阀的开度减小直至第一实时压力与第一目标压力相等；当第一实时压力等于第一目标压力时，控制比例阀的开度不变；当第一实时压力大于第一目标压力时，控制比例阀的开度增大直至第一实时压力与第一目标压力相等。

具体地，在准备阶段的任一时刻，当PLC控制器判断第一实时压力小于第一目标压力时，说明真空腔体内的压力偏低，此时，PLC控制器通过模拟量输入输出模块发送控制信号，控制比例阀的当前开度减小以增大真空腔体内的压力，使得第一实时压力与第一目标压力相等，并且稳定维持在第一目标压力处。当PLC控制器判断第一实时压力等于第一目标压力时，说明真空腔体内的压力与第一目标压力相等，此时，控制比例阀的当前开度不变以保持真空腔体内的压力，从而使第一实时压力稳定维持在第一目标压力处。当PLC控制器判断第一实时压力大于第一目标压力时，说明真空腔体内的压力偏高，此时，PLC控制器通过模拟量输入输出模块发送控制信号，控制比例阀的当前开度增大以减小真空腔体内的压力，使得第一实时压力与第一目标压力相等，并且稳定维持在第一目标压力处。

S3、根据第二工艺气体参数控制与生长阶段对应的隔膜阀和质量流量计运行，并获取真空腔体内的第二实时压力，根据第二实时压力与第二目标压力的比较结果对比例阀进行控制，使第二实时压力保持不变且与第二目标压力保持相等。

S31、根据第二工艺气体种类控制与生长阶段对应的隔膜阀运行，同时根据第二工艺气体流量控制与生长阶段对应的质量流量计打开。

具体地，在生长阶段，往真空腔体内通入的第二工艺气体种类包括H₂、CH₄、O₂和N₂，由于在准备阶段，与H₂对应的隔膜阀和质量流量计已打开，因此，PLC控制器分别控制与CH₄、O₂和N₂对应的隔膜阀运行，使得CH₄、O₂和N₂可以通入真空腔体内；然后，PLC控制器分别控制与CH₄、O₂和N₂对应的质量流量计打开，使CH₄以2～125L/min的流量、O₂以2～125L/min的流量、N₂以0.002～0.125L/min的流量通入真空腔体内。

S32、获取第二实时压力，并将第二实时压力与第二目标压力进行比较。

具体地，电容规对真空腔体中气体压力进行检测，获取第二实时压力；第一实时压力的变化趋势与第二目标压力的变化趋势应相同，也就是说，在生长阶段，第二实时压力也应保持在400mbar不变。进一步地，第二实时压力通过模拟量输入输出模块传输到PLC控制器中，PLC控制器将从工控机获得的第二目标压力与第二实时压力进行比较。

S33、当第二实时压力小于第二目标压力时，控制比例阀的开度减小直至第二实时压力与第二目标压力相等；当第二实时压力等于第二目标压力时，控制比例阀的开度不变；当第二实时压力大于第二目标压力时，控制比例阀的开度增大直至第二实时压力与第二目标压力相等。

具体地，在生长阶段的任一时刻，当PLC控制器判断第二实时压力小于第二目标压力时，说明真空腔体内的压力偏低，此时，PLC控制器通过模拟量输入输出模块发送控制信号，控制比例阀的当前开度减小以增大真空腔体内的压力，使得第二实时压力与第二目标压力相等，并且稳定维持在第二目标压力处。当PLC控制器判断第二实时压力等于第二目标压力时，说明真空腔体内的压力与第二目标压力相等，此时，控制比例阀的当前开度不变以保持真空腔体内的压力，从而使第二实时压力稳定维持在第二目标压力处。当PLC控制器判断第二实时压力大于第二目标压力时，说明真空腔体内的压力偏高，此时，PLC控制器通过模拟量输入输出模块发送控制信号，控制比例阀的当前开度增大以减小真空腔体内的压力，使得第二实时压力与第二目标压力相等，并且稳定维持在第二目标压力处。

S4、根据第三工艺气体参数控制与结束阶段对应的隔膜阀和质量流量计运行，并获取真空腔体内的第三实时压力，根据第三实时压力与第三目标压力的比较结果对比例阀进行控制，使第三实时压力逐渐减小且与第三目标压力保持相等。

S41、根据第三工艺气体种类控制与结束阶段对应的隔膜阀运行，同时根据第三工艺气体流量控制与结束阶段对应的质量流量计关闭。

具体地，在结束阶段，往真空腔体内通入的第三工艺气体种类包括H₂，由于在生长阶段，与H₂、CH₄、O₂和N₂对应的隔膜阀均运行，因此，在结束阶段，PLC控制器控制与H₂、CH₄、O₂对应的隔膜阀和质量流量计关闭，控制与H₂对应的隔膜阀继续运行，然后控制与H₂对应的质量流量计关闭，使H₂的流量从100～1000L/min下降至0。

S42、获取第三实时压力，并将第三实时压力与第三目标压力进行比较。

具体地，电容规对真空腔体中气体压力进行检测，获取第三实时压力。第三实时压力的变化趋势与第三目标压力的变化趋势应相同，也就是说，在结束阶段，第三实时压力也应由400mbar逐渐下降至0mbar。进一步地，第三实时压力通过模拟量输入输出模块传输到PLC控制器中，PLC控制器将从工控机获得的第三目标压力与第三实时压力进行比较。

S43、当第三实时压力小于第三目标压力时，控制比例阀的开度减小直至第三实时压力与第三目标压力相等；当第三实时压力等于第三目标压力时，控制比例阀的开度不变；当第三实时压力大于第三目标压力时，控制比例阀的开度增大直至第三实时压力与第三目标压力相等。

具体地，在结束阶段的任一时刻，当PLC控制器判断第三实时压力小于第三目标压力时，说明真空腔体内的压力偏低，此时，PLC控制器通过模拟量输入输出模块发送控制信号，控制比例阀的当前开度减小以增大真空腔体内的压力，使得第三实时压力与第三目标压力相等，并且稳定维持在第三目标压力处。当PLC控制器判断第三实时压力等于第三目标压力时，说明真空腔体内的压力与第三目标压力相等，此时，控制比例阀的当前开度不变以保持真空腔体内的压力，从而使第三实时压力稳定维持在第三目标压力处。当PLC控制器判断第三实时压力大于第三目标压力时，说明真空腔体内的压力偏高，此时，PLC控制器通过模拟量输入输出模块发送控制信号，控制比例阀的当前开度增大以减小真空腔体内的压力，使得第三实时压力与第三目标压力相等，并且稳定维持在第三目标压力处，直至第三实时压力降为0。

本实施例的PLC真空压力控制方法根据金刚石生长的准备阶段、生长阶段、结束阶段中每个阶段的实时压力和每个阶段的目标压力对真空腔体内的压力进行调节，使得实时压力和目标压力始终保持相等，控制精度较高，且真空腔体内的压力稳定性较高，实现了在各个阶段对真空压力的精确控制。

实施例二

在实施例一的基础上，请参见图4，图4为本发明实施例提供的一种用于金刚石生长的PLC真空压力控制装置的模块示意图。该PLC真空压力控制装置包括参数获取模块401、准备阶段控制模块402、生长阶段控制模块403和结束阶段控制模块404。

具体地，参数获取模块401用于获取金刚石生长的准备阶段第一工艺气体参数和第一目标压力、生长阶段的第二工艺气体参数和第二目标压力、结束阶段的第三工艺气体参数和第三目标压力。准备阶段控制模块402用于根据第一工艺气体参数控制与准备阶段对应的隔膜阀和质量流量计运行，并获取真空腔体内的第一实时压力，根据第一实时压力与第一目标压力的比较结果对真空腔体上设置的比例阀进行控制，使第一实时压力逐渐增大且与第一目标压力始终保持相等。生长阶段控制模块403用于根据第二工艺气体参数控制与生长阶段对应的隔膜阀和质量流量计运行，并获取真空腔体内的第二实时压力，根据第二实时压力与第二目标压力的比较结果对比例阀进行控制，使第二实时压力保持不变与第二目标压力保持相等。结束阶段控制模块404用于根据第三工艺气体参数控制与结束阶段对应的隔膜阀和质量流量计运行，并获取真空腔体内的第三实时压力，根据第三实时压力与第三目标压力的比较结果对比例阀进行控制，使第三实时压力逐渐减小与第三目标压力保持相等。

在一个具体实施例中，第一工艺气体参数包括第一工艺气体种类和第一工艺气体流量，第二工艺气体参数包括第二工艺气体种类和第二工艺气体流量，第三工艺气体参数包括第三工艺气体种类和第三工艺气体流量。

具体地，第一工艺气体种类包括H₂，H₂流量为100～1000L/min；第二工艺气体种类包括H₂、CH₄、O₂和N₂，其中，H₂流量为100～1000L/min，CH₄流量为2～125L/min，O₂流量为2～125L/min，N₂流量为0.002～0.125L/min；第三工艺气体种类包括H₂，H₂流量为100～1000L/min；第一目标压力为0～400mbar，所述第二目标压力为400mbar，所述第三目标压力为0～400mbar。

上述PLC真空压力控制装置中各模块的具体实施方式请参见实施例一，本实施例不再赘述。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (4)

1.一种用于金刚石生长的PLC真空压力控制方法，其特征在于，包括步骤：

S1、获取金刚石生长的准备阶段第一工艺气体参数和第一目标压力、生长阶段的第二工艺气体参数和第二目标压力、结束阶段的第三工艺气体参数和第三目标压力；

S2、根据所述第一工艺气体参数控制与所述准备阶段对应的隔膜阀和质量流量计运行，并获取真空腔体内的第一实时压力，根据所述第一实时压力与所述第一目标压力的比较结果对所述真空腔体上设置的比例阀进行控制，使所述第一实时压力从0逐渐增大至400mbar且所述第一实时压力与所述第一目标压力始终保持相等；所述第一工艺气体参数包括第一工艺气体种类和第一工艺气体流量，所述第一工艺气体种类包括H₂，H₂流量为100~1000L/min，所述第一目标压力为0~400mbar；

S3、根据所述第二工艺气体参数控制与所述生长阶段对应的隔膜阀和质量流量计运行，并获取真空腔体内的第二实时压力，根据所述第二实时压力与所述第二目标压力的比较结果对所述比例阀进行控制，使所述第二实时压力保持400mbar不变且与所述第二目标压力保持相等；所述第二工艺气体参数包括第二工艺气体种类和第二工艺气体流量，所述第二工艺气体种类包括H₂、CH₄、O₂和N₂，H₂流量为100~1000L/min，CH₄流量为2~125L/min，O₂流量为2~125L/min，N₂流量为0.002~0.125L/min，所述第二目标压力为400mbar；

S4、根据所述第三工艺气体参数控制与所述结束阶段对应的隔膜阀和质量流量计运行，并获取真空腔体内的第三实时压力，根据所述第三实时压力与所述第三目标压力的比较结果对所述比例阀进行控制，使所述第三实时压力从400mbar逐渐减小至0且所述第三实时压力与所述第三目标压力保持相等；所述第三工艺气体参数包括第三工艺气体种类和第三工艺气体流量，所述第三工艺气体种类包括H₂，H₂流量为100~1000L/min，所述第三目标压力为0~400mbar。

2.如权利要求1所述的用于金刚石生长的PLC真空压力控制方法，其特征在于，步骤S2包括：

S21、根据所述第一工艺气体种类控制与所述准备阶段对应的隔膜阀运行，然后根据所述第一工艺气体流量控制与所述准备阶段对应的质量流量计打开；

S22、获取所述第一实时压力，并将所述第一实时压力与所述第一目标压力进行比较；

S23、当所述第一实时压力小于所述第一目标压力时，控制所述比例阀的开度减小直至所述第一实时压力与所述第一目标压力相等；当所述第一实时压力等于所述第一目标压力时，控制所述比例阀的开度不变；当所述第一实时压力大于所述第一目标压力时，控制所述比例阀的开度增大直至所述第一实时压力与所述第一目标压力相等。

3.如权利要求1所述的用于金刚石生长的PLC真空压力控制方法，其特征在于，步骤S3包括：

S31、根据所述第二工艺气体种类控制与所述生长阶段对应的隔膜阀运行，同时根据所述第二工艺气体流量控制与所述生长阶段对应的质量流量计打开；

S32、获取所述第二实时压力，并将所述第二实时压力与所述第二目标压力进行比较；

S33、当所述第二实时压力小于所述第二目标压力时，控制所述比例阀的开度减小直至所述第二实时压力与所述第二目标压力相等；当所述第二实时压力等于所述第二目标压力时，控制所述比例阀的开度不变；当所述第二实时压力大于所述第二目标压力时，控制所述比例阀的开度增大直至所述第二实时压力与所述第二目标压力相等。

4.如权利要求1所述的用于金刚石生长的PLC真空压力控制方法，其特征在于，步骤S4包括：

S41、根据所述第三工艺气体种类控制与所述结束阶段对应的隔膜阀运行，同时根据所述第三工艺气体流量控制与所述结束阶段对应的质量流量计关闭；

S42、获取所述第三实时压力，并将所述第三实时压力与所述第三目标压力进行比较；

S43、当所述第三实时压力小于所述第三目标压力时，控制所述比例阀的开度减小直至所述第三实时压力与所述第三目标压力相等；当所述第三实时压力等于所述第三目标压力时，控制所述比例阀的开度不变；当所述第三实时压力大于所述第三目标压力时，控制所述比例阀的开度增大直至所述第三实时压力与所述第三目标压力相等。

Images