CN105706229A - 密封构件、用该密封构件密封的密封基板及其制造方法 - Google Patents

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CN105706229A CN201480061306.6A CN201480061306A CN105706229A CN 105706229 A CN105706229 A CN 105706229A CN 201480061306 A CN201480061306 A CN 201480061306A CN 105706229 A CN105706229 A CN 105706229A
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Abstract

本发明在被密封区域内侧以密封构件11与装置1的安装部件3a～3c游离的状态，将密封构件11的周缘部13和装置1的基板2热粘接，而制造用密封构件11覆盖装置1的被密封区域的密封装置，其中，密封构件11具有膜状或盘状的形态，且至少周缘部13包含热塑性树脂(共聚聚酰胺类树脂等)。共聚聚酰胺类树脂任选含有源自具有C8-16亚烷基的长链成分(C9-17内酰胺及氨基C9-17烷羧酸等)的单元。该密封构件可以选择性且有效地密封并保护装置的给定部。

Description

密封构件、用该密封构件密封的密封基板及其制造方法
技术领域
本发明涉及对安装有部件(电子部件等)的基板进行覆盖并密封的有用的密封构件、用该密封构件覆盖并密封的密封基板以及其制造方法。
背景技术
为了保护不受水分、灰尘等的影响，已经将印刷基板、半导体元件、太阳能电池单元等精密部件(或电子装置)配置于模具腔内并注入流动性树脂，用树脂密封精密部件。
在代表性的方法中使用了低粘度且流动性高的热固性树脂(例如：环氧树脂)。但是，由于热固性树脂中添加了用于固化的交联剂或固化剂等添加物，因此不仅因和能够使用的时间的关系而难以进行热固性树脂的品质管理，通常还由于固化反应而需要数小时以上的长时间。
还已知将热塑性树脂注塑成型而对精密部件进行密封(或保护)的方法。但是，密封面积越大，要求树脂流动性越高。因此，有时不得不使成型条件为更高温、更高压，而热、压力导致安装的精密部件发生损伤。在日本特开2000-133665号公报(专利文献1)中，公开了如下进行密封的方法：在模具腔内配置安装有电子部件的印刷基板，将于160～230℃加热熔融的聚酰胺树脂以2.5～25kg/cm2的压力注入上述模具腔内，而对安装有电子部件的印刷基板进行密封。在该文献的实施例中，记载了将聚酰胺树脂以熔融温度190℃、压力20kg/cm2注入模具内而密封印刷基板。但是，由于该方法也以较高温高压对电子部件进行作用，因此有时会损伤电子部件。特别是在密封面积变大时，变得需要更高温、更高压的成型条件，因此电子部件损伤的可能性变高。
另外，如果不能将树脂完全填充到精密部件的各个角落而产生小的空隙，则还会存在由于树脂的添加物、低分子量成分等的影响而导致电子电路腐蚀以及短路。
以及，也存在在使用条件下树脂的膨胀及收缩应力导致在相对于基板固定电子部件的焊锡部产生微小的裂缝而损伤的情况。如果这样焊锡部损伤，则会产生电子装置的工作不良。这样的树脂和电子部件、电子部件的端子的接触或者不完全密封，也可能成为近年来已经成为问题的从电子部件的端子产生金属晶须的一个原因。
为了避免由于注塑成型中的热、压力导致的不良影响，还提出了将树脂粉末化，利用粉末进行密封的方案。但是，与注塑成型的情况相比较，即使使用粉末也容易产生上述空隙，无法解决由于树脂的膨胀及收缩应力导致的焊锡部的损伤。而且，粉末容易飞散，也难以有效率地密封期望的部位。
另一方面，还提出了用膜进行密封的方法。在膜的情况下，可以避免注塑成型中热及压力的不良影响，由于形状较薄，也可以解决焊锡部损伤的问题。日本特开2001-284779号公报(专利文献2)中，公开了通过下述方法制造电子电路形成品：将具备电子部件的电路基板插入筒状膜内，其中，将上述筒状膜的两个开口部闭塞而包装上述电路基板的方法，利用片状膜对具备上述电子部件的区域进行覆盖的方法，利用两片片状膜覆盖上述电路基板的里外两面并利用上述片状膜对上述电路基板进行包装的方法，还记载了通过覆盖预先加热而软化的膜，使上述膜和上述基板之间减压而使上述膜追随上述部件或上述基板。日本特开平11-259021号公报(专利文献3)中，公开了用膜包入由多个液晶显示面板构件构成的液晶显示面板构件类而层压而成的液晶显示面板构件，也例示了聚酰胺作为塑料膜。但是，在这些方法中，不能仅保护或者不保护电子装置的特定部分。例如，在电子装置具有需要装卸的连接器类的情况下，连该连接器部位也会被包装。因此，不能使连接器类作为电极/电子产品的一部分发挥作用，不能达到电子装置的意义，并不实用。另外，由于和安装的电子部件等的密合不均匀引起的电子电路的腐蚀、短路等问题仍然残存。以及，在利用膜的密封中，怎样使膜追随电子装置表面的凹凸部已成为一个技术焦点。为此，虽然提出了真空成型等，但技术上难以用真空成型仅保护基板的特定部位。另外，在和基板复合化完毕后，需要切除不需要的膜的外缘部。
另外，在日本特开2008-282906号公报(专利文献4)中，就在基板和膜之间利用树脂对太阳能电池单元进行密封的太阳能电池组件的制造方法而言，公开了在所述基板和所述太阳能电池单元之间配置实质上整个覆盖所述基板的第一密封树脂片，在所述膜和所述太阳能电池单元之间配置实质上整个覆盖所述基板的第二密封树脂片而制作叠层体，多段堆叠该叠层体，并且在最上段的叠层体的所述膜的外侧配置板，排出所述基板和所述膜之间的空气，加热使树脂熔融然后冷却进行密封，其中，也记载了所述密封树脂为选自乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯醇缩丁醛及聚氨酯中的一种树脂。
以及，在日本特开2009-99417号公报(专利文献5)中，公开了包括对形成于基板上的有机电子装置进行密封的阻隔膜，并在所述有机电子装置和所述阻隔膜之间配置有热熔融型构件的有机电子装置密封面板，其中记载了所述热熔融型构件包含除湿剂及蜡，且所述热熔融型构件的厚度为100μm以下的薄膜状。另外，日本特开2009-99805号公报(专利文献6)中，公开了包含除湿剂及蜡的有机薄膜太阳能电池用热熔融型构件(薄膜状、板状、不定形状等热熔融型构件)。
但是，使用这些膜状的密封剂的技术均为以密封剂针对电子装置的被密封部位、被保护对象区域进行密合为前提的技术。因此，这样的方法潜在地或明显地具有如前所述的由于电子装置和密封剂为密合所以发生的各种问题，例如由于密封剂的膨胀/收缩应力而对被密封部位、被保护区域产生不良影响、不期望的空隙、不完全的密合所引起的问题。
在日本特开2012-87292号公报(专利文献7)中，记载了以包含共聚聚酰胺类树脂的膜状密封剂覆盖装置的至少一部分，加热熔融该密封剂然后冷却，对装置进行包覆而密封。该膜状密封剂对装置的凹凸部的追随性高，可以防止产生空隙，同时可以扩展到装置的细微部分进行紧密的密封。但是，该专利文献7的技术，也是以电子装置和密封剂密合的形态进行密封并保护的技术，以密封剂密合为前提。因此和上述同样，专利文献7记载的方法也潜在地或明显地具有由于电子装置和密封剂为密合所以发生的各种问题，例如由于密封剂的膨胀/收缩应力而对被密封部位、被保护区域产生不良影响、不期望的空隙、不完全的密合所引起的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2000-133665号公报(权利要求书、实施例)
专利文献2：日本特开2001-284779号公报(权利要求书)
专利文献3：日本特开平11-259021号公报(权利要求书、第[0022]段)
专利文献4：日本特开2008-282906号公报(权利要求书)
专利文献5：日本特开2009-99417号公报(权利要求书、第[0024]段)
专利文献6：日本特开2009-99805号公报(权利要求书)
专利文献7：日本特开2012-87292号公报(权利要求书)
发明内容
发明要解决的问题
本发明的目的在于提供：可以选择性且有效地密封并保护具备部件(电子部件等安装部件)的基板(安装基板、装置)的给定部的密封构件、利用该密封构件进行覆盖且密封的安装基板(保护基板)及其制造方法。
本发明的其它目的在于提供：可以用高密合力密封具备部件(电子部件等安装部件)的基板(安装基板、装置)，并且即使经过在使用条件下的温度变化也能有效地保护安装部件及焊锡部的密封构件、利用该密封构件密封的安装基板(保护基板)及其制造方法。
本发明的进一步其他的目的在于提供：生产性优异，即使密封及保护区域面积大也不损伤安装的电子部件，而且可以防止电子电路的腐蚀、短路的密封构件，利用该密封构件密封的安装基板(保护基板)及其制造方法。
本发明的另外的目的在于，提供即使具有膜状等状态，也不需要切除膜的外缘部等操作的密封构件，利用该密封构件覆盖且密封的安装基板及其制造方法。
解决问题的方法
如前所述，以往的方法均为在如果基板和/或部件和密封树脂之间存在空隙，则水分、气体等会侵入而使密封性降低的认识的基础上，以使密封树脂紧密密合于部件和/或基板，不形成空隙地进行密封为前提。但是，这样的方法由于部件、基板及焊锡部和密封树脂紧密地粘接，因此密封树脂的膨胀/收缩应力直接作用于部件及焊锡部，存在使焊锡部产生裂缝或龟裂的可能性。进一步，还存在不可避免地产生空隙的危险性。
本发明人等为了完成上述课题进行了深入的研究，结果以与使密封树脂追随部件及基板的形状，使其扩展到安装基板的被密封区域整体并紧密地密合而密封的构思完全不同的构思，进一步发展了专利文献7涉及的发明，从而完成了本发明。即，发现了如果仅以膜状等给定的形态的密封构件的周缘部和装置的给定部(被密封区域的周缘部)热粘接，以密封构件的内部区域和安装部件游离的形态覆盖装置，则不仅能防止空隙的发生，而且可以有效地防止热膨胀/收缩应力作用于安装部件及焊锡部，从而可以用高密封力紧密地密封，并有效地保护安装基板。
对本发明的密封装置而言，以密封构件对装置的被密封区域进行密封。该密封装置具有膜状或盘状的形态，且所述密封构件的至少周缘部包含热塑性树脂；以所述密封构件和装置的安装部件游离的形态，所述密封构件的周缘部和装置粘接。即，在装置的被密封区域的内侧，形成所述密封构件和装置(包括电路、安装部件等)游离的游离空间；所述密封构件的周缘部和装置的基板粘接，形成装置的被密封区域的周缘部对被密封区域进行密封的密封部。
上述密封构件的至少周缘部可以包含热粘接性热塑性树脂(例如：共聚聚酰胺类树脂)，并具有膜状或盘状的形态。另外，可以仅密封构件的周缘部和装置的基板热粘接。
以及，膜状或盘状的密封构件任选具有能够和装置的基板线或面接触的周缘部，且可以包含具有以下的至少一个特性的共聚聚酰胺类树脂。
(1)熔点或软化点为75～160℃(例如，融点为90～160℃)左右
(2)具有结晶性
(3)具有结晶性，并且熔点为90～160℃左右
以及，密封构件可以为多元共聚物，例如：二元共聚物～四元共聚物(例如：二元或三元共聚物)的共聚聚酰胺类树脂，该共聚聚酰胺类树脂任选具有以下的至少一个单元。
(a)源自具有C8-16亚烷基(例如：C10-14亚烷基)的长链成分的单元
(b)源自选自C9-17内酰胺及氨基C9-17烷羧酸中的至少一种成分的单元
(c)源自选自十二内酰胺、氨基十一烷酸及氨基十二烷酸中的至少一种的成分的单元。
以及，密封构件可以具有不限于单层结构的叠层结构，例如可以包括：包含共聚聚酰胺类树脂的密封层，和叠层于该密封层一侧的面且由耐热性树脂形成的保护层。耐热性树脂可以具有例如：170℃以上的熔点或软化点，耐热性树脂可以是选自聚酯类树脂、聚酰胺类树脂及氟树脂中的至少一种。密封构件的厚度(整体的厚度)可以为例如：10～1000μm左右。本发明的密封构件可以适用于装置的双面，但用于适用于装置一侧的面也有效。
本发明也包括以密封构件对装置的被密封区域进行密封的密封装置的制造方法。该方法中，使用具有膜状或盘状的形态，且至少周缘部包含热塑性树脂的密封构件。然后，制造以在被密封区域的内侧密封构件和装置的安装部件游离的形态，使密封构件的周缘部和装置的基板(被密封区域的周缘部)粘接，而用密封构件对装置的被密封区域进行覆盖及密封的装置。
在上述制造方法中，也可以是以密封构件的至少周缘部包含共聚聚酰胺类树脂的密封构件(膜状或盘状形态的密封构件)对装置的被密封区域进行覆盖，使上述密封构件的周缘部和装置的基板进行热粘接并冷却。
以及，本发明也包含用于对装置的被密封区域进行密封的密封构件。该密封构件被成型为膜状或盘状，且周缘部包含热塑性树脂。然后，密封构件具备：内部区域，其用于形成和装置不粘接而游离的游离空间；周缘部(和上述内部区域相邻的周缘部)，其能够和装置的基板粘接。该密封构件可以具备能够和装置的基板热粘接(或热融接)的周缘部(粘接部)，也可以是至少所述周缘部包含共聚聚酰胺类树脂。
需要说明的是，在本说明书中，“共聚聚酰胺类树脂”是指不限于就形成均聚酰胺的酰胺形成成分而言种类或碳原子数不同的多个酰胺形成成分的共聚物(共聚酰胺)，也包含由多个酰胺形成成分形成且种类不同的多个共聚物(共聚酰胺)的混合物。
“装置”广义上是指要求通过密封进行保护的功能性构件(电气或电子构件)，包括形成有功能元件等电子部件、电气电路(包括半导体电路)的基板，安装有部件(功能元件等电子部件等)的基板，例如：安装或搭载有电子部件的印刷电路板等。“装置”通常大多情况具有平坦部。
“游离”是指和装置没有实质上地粘接，游离空间的密封构件可以和装置的部件、根据需要和基板进行物理的接触。
发明效果
在本发明中，以在装置的被密封区域的内侧，密封构件从装置(电路、部件等)游离(形成游离空间)，且密封构件的周缘部和被密封区域的基底基板(ベース基板)粘接的状态对装置进行密封，而不利用密封树脂对安装部件及焊锡部进行模制而密封。因此可以选择性且有效地密封并保护装置的给定部。特别是，由于密封构件相对基板的粘接面积小，因此可以抑制空隙的发生，即使在使用条件下温度变化，应力也不会作用于安装部件及焊锡部。因此，可以防止电路的腐蚀、短路并且保护安装部件及焊锡部免受损伤。而且，由于密封构件的至少周缘部包含热塑性树脂(特别是共聚聚酰胺类树脂等热粘接性热塑性树脂等)，可以用高密合力对被密封区域的周缘部进行密封。以及，即使被密封区域(密封及保护区域)面积大也不损伤安装的电子部件，而且可以防止电子电路的腐蚀、短路。另外，不需要将膜状、粉末状的树脂整体熔融并进行真空成型，可以实际降低密封构件对于基板的粘接面积，因此密封装置的生产能力也可以提高。以及由于可以使用适合被密封区域的尺寸的密封构件，因此不需要进行切除膜的外缘部的操作。需要说明的是，即使以上述形态进行密封，也可以利用热塑性树脂的密封构件有效地保护安装部件、焊锡部免受水分的影响。如上所述，本发明可以简便且确实地以高可靠性有效地保护装置。
附图说明
图1为显示本发明的密封装置的一例的概略侧面图。
图2为显示本发明的密封装置的其它例子的概略侧面图。
图3为显示实施例使用的试验用基板的概略平面图。
符号说明
1…装置
2…基板
3a～3c…电子部件
11、21…密封构件
12、22a、22b…收容凹部
13、23…周缘部
15、25a、25b…游离空间
具体实施方式
[密封构件]
对用于对装置的被密封区域进行密封的密封构件而言，至少周缘部包含热塑性树脂，在本发明中，密封构件的周缘部(或外缘部)和装置的被密封区域的基板粘接。因此，即使利用热粘接，由于热给予装置的破坏也小，可以不限于使用低熔点或低软化点的密封构件，使用比较高的熔点或高软化点的热塑性树脂。因此对热塑性树脂的种类没有特别限制，可以使用各种热塑性树脂，例如可以使用：烯烃类树脂[低密度、中密度或高密度聚乙烯，线性低密度聚乙烯等聚乙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等乙烯与共聚性单体的乙烯类共聚物等聚乙烯类树脂；聚丙烯、丙烯-乙烯共聚物等聚丙烯类树脂；乙烯-降冰片烯共聚物等环状烯烃类树脂等]、丙烯酸类树脂、苯乙烯类树脂、聚酯类树脂(包含对苯二甲酸乙二醇酯、对苯二甲酸丁二醇酯等烷二醇芳酯(アルキレンアリレート)单元的共聚聚酯等)、聚酰胺类树脂(共聚聚酰胺类树脂等)等。这些热塑性树脂可以单独使用或组合二种以上使用。
优选的热塑性树脂为在密封构件和基板热粘接的情况下，能够在比较低温下牢固地粘接的热粘接性热塑性树脂，例如：烯烃类树脂、包含烷二醇芳酯单元的共聚聚酯，特别是从膜强度、耐药品性、成膜性、和基板的密合性(融接性)等方面考虑为共聚聚酰胺类树脂。另外，包含共聚聚酰胺类树脂的密封构件可以提高和装置的密合性，可以赋予装置高抗冲击性及耐摩耗性，提高对装置的保护效果。共聚聚酰胺类树脂中，包含共聚聚酰胺(热塑性共聚聚酰胺)和聚酰胺弹性体。
热塑性共聚聚酰胺可以为脂环族共聚聚酰胺，但通常大多情况为脂肪族共聚聚酰胺。共聚聚酰胺可以组合二胺成分、二羧酸成分、内酰胺成分、氨基羧酸成分而形成。需要说明的是，二胺成分及二羧酸成分两者的成分能够形成共聚聚酰胺的酰胺键，内酰胺成分及氨基羧酸成分能够各自单独形成共聚聚酰胺的酰胺键。因此，共聚聚酰胺可以通过选自一对成分(二胺成分和二羧酸成分组合而成的两种成分)、内酰胺成分及氨基羧酸成分中的多个酰胺形成成分进行共聚而得到。另外，共聚聚酰胺可以通过将选自上述一对成分、内酰胺成分及氨基羧酸成分中的至少一种酰胺形成成分，与和该酰胺形成成分不同种类的(或同种类但碳原子数不同的)酰胺形成成分进行共聚而得到。另外，对内酰胺成分和氨基羧酸成分而言，只要碳原子数及支链结构共通，则可以作为等效成分使用。
因此，将二胺成分和二羧酸成分组合而成的一对成分设为第1酰胺形成成分，将内酰胺成分及氨基羧酸成分设为第2酰胺形成成分，则例如共聚聚酰胺可以为：由第1酰胺形成成分形成的共聚聚酰胺，其中，由二胺成分及二羧酸成分之中至少一个成分为碳原子数不同的多个成分构成的共聚聚酰胺；第1酰胺形成成分与第2酰胺形成成分(选自内酰胺成分及氨基羧酸成分中的至少一种成分)的共聚聚酰胺；由第2酰胺形成成分(选自内酰胺成分及氨基羧酸成分中的至少一种成分)形成的共聚聚酰胺，其中，由内酰胺成分及氨基羧酸成分之中的一个成分为碳原子数不同的多个成分构成的共聚聚酰胺；碳原子数相同或不同的内酰胺成分与氨基羧酸成分的共聚聚酰胺等。
作为二胺成分，可以例示脂肪族二胺或亚烷基二胺成分(例如：四亚甲基二胺、六亚甲基二胺、三甲基六亚甲基二胺、辛二胺、十二烷基二胺等C4-16亚烷基二胺等)等。这些二胺成分可以单独或二种以上组合使用。优选二胺成分至少包含亚烷基二胺(优选为C6-14亚烷基二胺，更优选为C6-12亚烷基二胺)。
需要说明的是，如果需要，作为二胺成分可以组合使用：脂环族二胺成分(二氨基环己烷等二氨基环烷烃(二氨基C5-10环烷烃等)；双(4-氨基环己基)甲烷、双(4-氨基-3-甲基环己基)甲烷、2,2-双(4’-氨基环己基)丙烷等双(氨基环烷基)烷[双(氨基C5-8环烷基)C1-3烷等]；氢化苯二甲胺等)、芳族二胺成分(甲基苯二甲胺等)。二胺成分(例如：脂环族二胺成分)任选具有烷基(甲基、乙基等C1-4烷基)等取代基。
相对于二胺成分整体，亚烷基二胺成分的比例可以为50～100摩尔％，优选为60～100摩尔％(例如：70～97摩尔％)，更优选为75～100摩尔％(例如：80～95摩尔％)左右。
作为二羧酸成分，可列举脂肪族二羧酸或烷二羧酸成分(例如：己二酸、庚二酸、壬二酸、癸二酸、十二烷基二酸、二聚酸或其加氢产物等碳原子数4～36左右的二羧酸或C4-36烷二羧酸等)等。这些二羧酸成分可以单独或二种以上组合使用。优选二羧酸成分包含C6-36烷二羧酸(例如：C6-16烷二羧酸、优选为C8-14烷二羧酸等)。以及，如果需要，可以组合使用脂环族二羧酸成分(环己烷-1,4-二羧酸、环己烷-1,3-二羧酸等C5-10环烷-二羧酸等)、芳族二羧酸(对苯二甲酸、间苯二甲酸等)。需要说明的是，作为二胺成分及二羧酸成分，已知将脂环族二胺成分和/或脂环族二羧酸成分共同和上述例示的脂肪族二胺成分和/或脂肪族二羧酸成分组合使用而得到的脂环族聚酰胺树脂，即所谓透明聚酰胺，透明性高。
烷二羧酸成分的比例可以相对于二羧酸成分为50～100摩尔％，优选为60～100摩尔％(例如：70～97摩尔％)，更优选为75～100摩尔％(例如：80～95摩尔％)左右。
在第1酰胺形成成分中，二胺成分可以在相对于二羧酸成分1摩尔为0.8～1.2摩尔，优选为0.9～1.1摩尔左右的范围使用。
作为内酰胺成分，可以例示例如：δ-戊内酰胺、ε-己内酰胺、ω-庚内酰胺、ω-辛内酰胺、ω-癸内酰胺、ω-十一内酰胺、ω-十二内酰胺(或ω-月桂内酰胺)等C4-20内酰胺等，作为氨基羧酸成分，可以例示例如：ω-氨基癸烷酸、ω-氨基十一烷酸、ω-氨基十二烷酸等C6-20氨基羧酸等。这些内酰胺成分及氨基羧酸成分可以单独或二种以上组合使用。
优选内酰胺成分包含C6-19内酰胺，优选为C8-17内酰胺，更优选为C10-15内酰胺(十二内酰胺等)。另外，优选氨基羧酸包含氨基C6-19烷羧酸，优选为氨基C8-17烷羧酸，更优选为氨基C10-15烷羧酸(氨基十一烷酸、氨基十二烷酸等)。
需要说明的是，共聚聚酰胺也可以是使用少量的多羧酸成分和/或多胺成分，导入支链结构而成的聚酰胺等改性聚酰胺。
对第1酰胺形成成分(二胺成分和二羧酸成分组合而成的两种成分)与第2酰胺形成成分(选自内酰胺成分及氨基羧酸成分中的至少一种酰胺形成成分)的比例(摩尔比)而言，可以从前者/后者＝100/0～0/100的范围选择，可以为例如：90/10～0/100(例如：80/20～5/95)，优选为75/25～10/90(例如：70/30～15/85)，更优选为60/40～20/80左右。
以及，优选共聚聚酰胺包含具有长链脂肪链(长链亚烷基或亚烯基)的长链成分作为构成单元(或包含源自长链成分的单元)。作为这样的长链成分，包含具有碳原子数8～36左右的长链脂肪链或亚烷基(优选为C8-16亚烷基，更优选为C10-14亚烷基)的成分。作为长链成分，可以例示例如：选自C8-18烷二羧酸(优选为C10-16烷二羧酸，更优选为C10-14烷二羧酸等)、C9-17内酰胺(优选为十二内酰胺等C11-15内酰胺)及氨基C9-17烷羧酸(优选为氨基十一烷酸、氨基十二烷酸等氨基C11-15烷羧酸)中的至少一种成分。这些长链成分可以单独或二种以上组合使用。这些长链成分之中，大多情况使用选自内酰胺成分和/或氨基烷羧酸成分，例如：十二内酰胺、氨基十一烷酸及氨基十二烷酸中的至少一种成分。对包含源自这样的成分的单元的共聚聚酰胺而言，耐水性高并且和电子装置的密合性、耐磨性及抗冲击性优异，可以有效地保护电子装置。
长链成分的比例相对于形成共聚聚酰胺的单体成分全部，可以为10～100摩尔％(例如：25～95摩尔％)，优选为30～90摩尔％(例如：40～85摩尔％)，更优选为50～80摩尔％(例如：55～75摩尔％)左右。
以及，共聚聚酰胺可以为上述酰胺形成成分的多元共聚物，例如是二元共聚物～五元共聚物等，通常大多情况为二元共聚物～四元共聚物，特别是二元共聚物或三元共聚物。
共聚聚酰胺大多情况作为构成单位包含选自例如：聚酰胺11、聚酰胺12、聚酰胺610、聚酰胺612及聚酰胺1010中的酰胺形成成分(或包含源自上述酰胺形成成分的单位)。共聚聚酰胺可以为这些多个酰胺形成成分的共聚物，也可以为上述一个或多个酰胺形成成分与其它酰胺形成成分(选自聚酰胺6及聚酰胺66中的至少1个酰胺形成成分等)的共聚物。
具体而言，作为共聚聚酰胺，可列举例如：共聚酰胺6/11、共聚酰胺6/12、共聚酰胺66/11、共聚酰胺66/12、共聚酰胺610/11、共聚酰胺612/11、共聚酰胺610/12、共聚酰胺612/12、共聚酰胺1010/12、共聚酰胺6/11/610、共聚酰胺6/11/612、共聚酰胺6/12/610、共聚酰胺6/12/612等。这些共聚聚酰胺可以单独或二种以上组合使用。需要说明的是，这些共聚聚酰胺中，以斜线“/”分开的成分显示酰胺形成成分。
如前所述，密封构件任选具有以下的至少一个单元。
(a)源自具有C8-16亚烷基的长链成分的单元
(b)源自选自C9-17内酰胺及氨基C9-17烷羧酸的至少一种成分的单元
(c)源自选自十二内酰胺、氨基十一烷酸及氨基十二烷酸中的至少一种的成分的单元
作为聚酰胺弹性体(聚酰胺嵌段共聚物)，可列举包括作为硬链段(或硬嵌段)的聚酰胺段(选自源自例如聚酰胺11、聚酰胺12、聚酰胺610、聚酰胺612及聚酰胺1010中的酰胺形成成分的聚酰胺段)和软链段(或软嵌段)构成的聚酰胺嵌段共聚物，例如：聚酰胺-聚醚嵌段共聚物、聚酰胺-聚酯嵌段共聚物、聚酰胺-聚碳酸酯嵌段共聚物等。代表的聚酰胺弹性体为聚酰胺-聚醚嵌段共聚物，可列举例如：聚醚酰胺[例如：具有二胺末端的聚酰胺嵌段与具有二羧基末端的聚亚烷基二醇嵌段(或聚氧亚烷基嵌段)的嵌段共聚物、具有二羧基末端的聚酰胺嵌段与具有二胺末端的聚亚烷基二醇嵌段(或聚氧亚烷基嵌段)的嵌段共聚物等]、聚醚酯酰胺[具有二羧基末端的聚酰胺嵌段与具有二羟基末端的聚亚烷基二醇嵌段(或聚氧亚烷基嵌段)的嵌段共聚物等]等。作为聚醚(聚醚嵌段)，可列举例如：聚亚烷基二醇(例如：聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇等聚C2-6亚烷基二醇，优选为聚C2-4亚烷基二醇)等。需要说明的是，聚酰胺弹性体任选具有酯键。
在聚酰胺弹性体中，软链段(聚醚嵌段等)的数均分子量可以从例如100～10000左右的范围选择，可以优选为300～6000(例如：300～5000)，更优选为500～4000(例如：500～3000)，特别是1000～2000左右。
另外，聚酰胺弹性体中，聚酰胺嵌段(聚酰胺段)与软链段(或嵌段)的比例(重量比)可以是例如：前者/后者＝75/25～10/90，优选为70/30～15/85，更优选为60/40～20/80(例如：50/50～25/75)左右。
这些共聚聚酰胺系树脂可以单独或二种以上组合使用。从电子装置的密封性的方面考虑，这些共聚聚酰胺类树脂之中，优选共聚聚酰胺(非聚酰胺弹性体或聚酰胺无规共聚物)，特别优选作为构成单位包含源自聚酰胺12的酰胺形成成分的共聚聚酰胺。
对于共聚聚酰胺类树脂的氨基浓度没有特别的限制，可以为例如：10～300mmol/kg，优选为15～280mmol/kg，更优选为20～250mmol/kg左右。如果共聚聚酰胺类树脂的氨基浓度高，则将其它层(后述的保护层等)叠层于密封构件时可以提高粘接性，故有效。
对于共聚聚酰胺类树脂的羧基浓度没有特别的限制，可以为例如：10～300mmol/kg，优选为15～280mmol/kg，更优选为20～250mmol/kg左右。如果共聚聚酰胺类树脂的末端羧基浓度高，则热稳定性高，从长期稳定性(连续加工性)的方面有效。
作为共聚聚酰胺类树脂的数均分子量，可以从例如：5000～200000左右的范围选择，可以为例如：6000～100000，优选为7000～70000(例如：7000～15000)，更优选为8000～40000(例如：8000～12000)左右，通常为8000～30000左右。共聚聚酰胺类树脂的分子量可以将HFIP(六氟异丙醇)作为溶剂，通过凝胶渗透色谱进行聚甲基丙烯酸甲酯换算而测定。
共聚聚酰胺类树脂的酰胺键含量，可以从例如每个共聚聚酰胺类树脂100单元以下的范围选择，从装置的密封性的方面考虑可以为30～90单元，优选为40～80单元，更优选为50～70单元(例如：55～60单元)左右。需要说明的是，酰胺键含量可以通过例如：数均分子量除以重复单元(1个单元)的分子量而算出。
共聚聚酰胺类树脂任选具有非晶性或结晶性。共聚聚酰胺类树脂的结晶度可以例如是20％以下(例如：1～18％)，优选为15％以下(例如：2～13％)，更优选为10％以下(例如：2～8％)。需要说明的是，结晶度可以通过常用的方法，例如：密度、基于熔融热的测定方法、X射线衍射法、红外吸收法等进行测定。
需要说明的是，非晶性共聚聚酰胺类树脂的热熔融性可以利用差示扫描量热计测定软化温度，对结晶性的共聚聚酰胺类树脂的熔点而言，可以利用差示扫描量热计(DSC)测定。
共聚聚酰胺类树脂(或共聚聚酰胺或聚酰胺弹性体)的熔点或软化点可以为75～160℃(例如：80～150℃)，优选为90～140℃(例如：95～135℃)，更优选为100～130℃左右，通常为90～160℃(例如：100～150℃)左右。由于共聚聚酰胺类树脂具有低熔点或软化点，且具有高粘接性，因此可以在比较低温下熔融并和装置表面(基板)牢固地粘接。需要说明的是，对共聚聚酰胺类树脂的熔点而言，在各成分相溶，DSC产生单一峰的情况下，指对应单一峰的温度，在各成分不相溶，DSC产生多个峰的情况下，指对应多个峰之中的高温侧的峰的温度。
需要说明的是，如前所述，共聚聚酰胺类树脂任选具有以下的至少1个特性。
(1)熔点或软化点为75～160℃
(2)具有结晶性
(3)具有结晶性，并且熔点为90～160℃
由于在本发明中密封构件的周缘部和装置粘接，因此和目前的密封方法不同，热塑性树脂不需要一定具有高的熔化流动特性。热塑性树脂(例如：共聚聚酰胺类树脂)的熔体流动速率(MFR)可以为在温度160℃及负荷2.16kg条件下为1～350g/10分钟，优选为3～300g/10分钟，更优选为5～250g/10分钟左右。
在热塑性树脂(例如：共聚聚酰胺类树脂)中，也可以在不损伤密合性等特性的范围添加其它树脂例如：均聚酰胺(例如：由形成所述共聚聚酰胺的成分形成的均聚酰胺等)。均聚酰胺的比例相对于共聚聚酰胺类树脂100重量份可以为30重量份以下(例如：1～25重量份)，优选为2～20重量份，更优选为3～15重量份左右。需要说明的是，在混合物形态的共聚聚酰胺类树脂中，各聚酰胺任选互相具有相溶性。
如果需要，密封构件可以包含上述其它热塑性树脂，例如：乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等。其它树脂的比例可以为例如：相对于共聚聚酰胺类树脂100重量份为100重量份以下(例如：1～80重量份左右)，优选为2～70重量份，更优选为2～50重量份，特别是30重量份以下(例如：3～20重量份左右)。
热塑性树脂(例如：共聚聚酰胺类树脂)可以根据需要包含各种添加剂，例如：填料、稳定剂(热稳定剂、耐候稳定剂等)、着色剂、增塑剂、润滑剂、阻燃剂、抗静电剂，热传导剂等。添加剂可以单独或组合两种以上。在这些添加剂中，广泛应用稳定剂、热传导剂等。
如上所述，本发明的密封构件可以由共聚聚酰胺类树脂、多个共聚聚酰胺类树脂的混合物、或包含共聚聚酰胺类树脂和其它成分(均聚酰胺、添加剂等)的混合物(共聚聚酰胺类树脂组合物)形成。
本发明的密封构件成型为膜状(或片状)或盘状(或壳体状)。对膜状或盘状的密封构件而言，由于和基板的粘接加工性提高，所以具有包含上述热塑性树脂(共聚聚酰胺类树脂等热粘接性树脂等)的周缘部即可，该周缘部任选能够和装置的基板进行线或面接触。需要说明的是，虽然只要是密封构件的至少周缘部(特别是和基板的接触部)由上述热塑性树脂形成即可，也可以在密封构件的周缘部(和基板的接触部)形成上述热塑性树脂的被膜，但通常大多情况为包括周缘部的密封构件整体包含上述热塑性树脂。
这样形态的密封构件具备：内部区域，其用于形成和装置(基板的电路、安装部件等)不粘接而游离的游离空间；周缘部(和上述内部区域相邻的周缘部)，其能够和装置的基板粘接。在游离空间中，密封构件和装置不粘接，可以防止源自密封构件的应力作用于装置(游离空间内的安装部件等)。另外，由于仅密封构件的周缘部能够和装置的基板粘接，因此可以大幅降低空隙的发生，可以有效地防止电路的腐蚀及短路。即，可以对装置的期望的密封区域(装置的特定的部位或全部)的周缘部利用密封构件的热塑性树脂以高密合力进行密封。
膜状(或片状)的密封构件可以为未拉伸膜或拉伸膜(单轴或双轴拉伸膜)。膜的拉伸倍率可以为例如：针对1个方向为1.2～10倍(优选为1.5～7倍，更优选为2～5倍)左右。膜状密封构件可以利用常用的膜成膜法，例如：流延法、挤出成型法、吹塑成型法等制造。另外，如果需要也可以使用单螺杆或双螺杆拉伸机以给定的倍率进行拉伸。
单层的膜状密封构件的厚度可以从例如1～1000μm左右的范围选择，通常可以为5～500μm(例如：5～300μm)，优选为10～250μm(例如：25～200μm)，更优选为50～200μm(例如：75～150μm)左右。如果厚度过小，则可能在被密封区域不能有效地保护安装部件，如果厚度过大，则密封构件和基板的密合性可能降低。
单层的膜状密封构件的水蒸气渗透性(40℃，90％RH)以厚度1mm换算，可以例如为：100g/m2/天以下，优选为50g/m2/天以下(例如：0.01～30g/m2/天左右)。特别是包含共聚聚酰胺的密封构件为水蒸气阻隔性优异，上述水蒸气渗透性以厚度1mm换算，例如为0.01～2g/m2/天，优选为0.05～1.5g/m2/天，更优选为0.1～1g/m2/天左右。需要说明的是，水蒸气渗透性可以通过常用的方法，例如JISZ0208的杯法进行测定。
另外，膜状密封构件任选为单层膜或叠层膜(或叠层片)。叠层膜只要至少具备由上述热塑性树脂形成的密封层(例如：由共聚聚酰胺类树脂形成的密封层等)即可，没有特别的限制，例如可以具备：包含上述热塑性树脂(共聚聚酰胺类树脂等热粘接性热塑性树脂等)的密封层，叠层于该密封层一侧的面且由耐热性树脂(或疏水性树脂)形成的保护层(耐热性树脂层或疏水性树脂层)。需要说明的是，保护层可以叠层并扩展到密封层的整个面，也可以在除密封层的周缘部(密封构件的周缘部对应的部位)以外(即，密封层的内部区域)叠层保护层。在前者的叠层形态中，可以将密封构件的周缘部和装置粘接使得保护层朝向与装置相反的一侧，在后者的叠层形态中，可以将密封构件的周缘部和装置粘接使得保护层朝向装置一侧。
需要说明的是，在密封层一侧的面可以叠层多个保护层。保护层是为了保护装置免受热、湿气等外部的恶劣因素而利用的，例如：耐热性树脂层可以防止伴随和周缘部的粘接的膜的破坏，疏水性树脂层可以防止湿气导致装置的腐蚀，可以提高装置的耐久性。
作为耐热性树脂，只要具有能经受密封构件的粘接温度(或热粘接温度)程度的耐热性即可，没有特别的限制，可以例示例如：氟树脂、烯烃类树脂(包含环状烯烃类树脂)、苯乙烯类树脂、芳族聚酯类树脂、聚碳酸酯类树脂，聚氨酯类树脂、聚酰胺类树脂、聚酰亚胺类树脂(聚酰胺酰亚胺、聚醚酰亚胺等)、聚缩醛类树脂、聚苯醚类树脂、聚醚酮类树脂(例如：聚醚酮(PEK)、聚醚醚酮(PEEK)等)、聚苯硫醚类树脂、聚醚砜类树脂、纤维素衍生物、芳族环氧树脂等。
这些耐热性树脂可以单独或组合二种以上。这些耐热性树脂中，优选芳族聚酯类树脂、聚碳酸酯类树脂、聚酰胺类树脂(芳族聚酰胺等)、聚苯醚类树脂、聚苯硫醚类树脂、聚酰亚胺类树脂、氟树脂等。特别是作为代表的耐热性树脂，可列举：聚酯类树脂(芳族聚酯等)、聚酰胺类树脂、氟树脂等。作为聚酯类树脂，可以例示例如：聚烷二醇芳酯类树脂[均聚酯(例如：聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚C2-4烷二醇芳酯)、共聚酯(例如：包含C2-4烷二醇芳酯单元作为主要成分的共聚酯等)等]、聚芳酯类树脂、液晶聚酯等。聚酯类树脂也包含聚酯弹性体。
作为聚酯弹性体(聚酯嵌段共聚物)，可列举由作为硬链段(或硬嵌段)的芳族聚酯和软链段(或软嵌段)构成的聚酯嵌段共聚物，例如：芳族聚酯-聚醚嵌段共聚物，芳族聚酯-脂肪族聚酯嵌段共聚物等。芳族聚酯段(或嵌段)可以由上述聚烷二醇芳酯类树脂(例如：聚对苯二甲酸丁二醇酯等聚C2-4烷二醇对苯二甲酸酯)构成，软链段可以由上述聚酰胺弹性体中例示的聚醚(例如：聚丁二醇等聚C2-6亚烷基二醇)等聚醚构成。聚酯弹性体中，相对于全部嵌段，芳族聚酯嵌段(硬链段)的比例可以是例如：25～95重量％，优选为30～90重量％(例如：50～85重量％)左右。
作为聚酰胺类树脂，可以例示上述均聚酰胺(例如：聚酰胺11、聚酰胺12、聚酰胺610、聚酰胺612、聚酰胺1010、聚酰胺1012等)、与密封构件含有的共聚聚酰胺类树脂种类不同的共聚聚酰胺类树脂(及聚酰胺弹性体等)等。聚酰胺类树脂通常为除共聚聚酰胺以外的聚酰胺类树脂。
作为氟树脂，可以例示例如：聚氟乙烯(PVF)、聚偏氟乙烯(PVDF)、聚三氟乙烯(PTrFE)、聚三氟氯乙烯、聚四氟乙烯(PTFE)等均聚物、乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)、乙烯-三氟氯乙烯共聚物、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、四氟乙烯-全氟丙基乙烯基醚共聚物等。
需要说明的是，耐热性树脂可以为疏水性高的树脂，例如：烯烃类树脂、苯乙烯类树脂、氟树脂等。
耐热性树脂的熔点或软化点可以是例如：160℃以上(例如：165～250℃左右)，优选为170℃以上(例如：175～220℃左右)。需要说明的是，熔点或软化点可以利用常用的方法，例如差示扫描量热计(DSC)进行测定。
对耐热性树脂的热变型温度而言，可以根据ISO75-1，在高负荷(1.82MPa)的条件下，从例如160℃以下的范围选择，可以为40～155℃，优选为50～150℃左右。
对保护层的厚度(在形成多个保护层的情况下，为各保护层的厚度的总和)而言，只要叠层膜的周缘部能够和装置表面接触即可，没有特别限定，可以为例如1～800μm(例如：5～700μm)，优选为10～600μm(例如：20～500μm)，更优选为30～400μm(例如：50～300μm)左右。如果保护层的厚度过小，则容易断裂而作为保护层的功能降低。需要说明的是，形成有多个保护层时，各保护层的厚度可以为例如1～100μm，优选为5～50μm左右。
叠层膜例如可以为在密封层一侧的面形成直接保护层的叠层膜，也可以是在密封层一侧的面隔着粘接层(中间层)形成保护层的叠层膜。另外，根据需要可以在多个保护层之间分别隔着中间层(粘接层)。粘接层可以由常用的粘接剂或粘合剂，例如：氯乙烯类粘接剂、乙酸乙烯酯类粘接剂、烯烃类粘接剂、丙烯酸类粘接剂、聚酯类粘接剂、聚氨酯类粘接剂、环氧类粘接剂、橡胶类粘接剂等形成。粘接层的厚度没有特别的限制，可以为例如：1～50μm(例如：3～30μm)，优选为2～10μm左右。
也包括叠层膜的密封构件的厚度(整体的厚度)可以为例如：10～1000μm，优选为30～800μm，更优选为50～500μm左右。
密封层和保护层(在具有多个保护层和/或粘接层的情况下，为各层的厚度的总和)的厚度比可以从前者/后者＝5/95～95/5(例如：10/90～90/10)左右的范围选择，可以为例如：10/90～90/10(例如：10/90～80/20)，优选为15/85～70/30(例如：15/85～60/40)，更优选为20/80～50/50(例如：20/80～40/60)左右。
叠层膜与单层膜相比，可以提高耐热性、耐药品性、耐水性等特性。例如：叠层膜的热变型温度(最高使用温度)例如为160～300℃，优选为170～280℃，更优选为180～250℃左右。另外，将单层膜的热变型温度设为100时，叠层膜的热变型温度例如为120～200，优选为125～180，更优选为130～160左右。需要说明的是，热变型温度是指用15秒的热处理使膜变型的最小的温度。
另外，叠层膜针对有机成分(例如：脂肪族烃、芳族烃、醇类、酮类等)及无机成分(例如：盐酸等无机酸)均可以提高耐药品性，特别是可以提高对于甲醇等醇类的耐药品性。
叠层膜可以通过常用的方法例如：层压(热层压、干层压等)，使用广泛应用的带送料块(FeedBlock)的模头、多歧管模头等的共挤出的方法，涂层(包含丝网印刷等印刷)等，通过将密封层和保护层叠层进行制备。
在表面的凹凸或起伏较大的装置的密封中，优选的密封构件的形态为盘状。该盘状的密封构件通常具有根据装置的安装部件的高度而能够覆盖安装部件并收容的收容部(收容凹部)，和从该收容部延伸出的外周缘部(凸缘部)。上述收容部(收容凹部)可以根据部件的安装形态具有例如弯曲而鼓出的形态(截面为反U字状、峰形状等形态)、具有壁面和天花板的截面コ字状、梯形形态等各种形态，密封构件可以具有单一的收容部(收容凹部)，也可以具有邻接的或隔开给定间隔的多个收容部(收容凹部)。另外，密封构件的周缘部(凸缘部)优选为能够和装置的基板进行面接触。膜状或盘状的密封构件的周缘部可以根据需要利用粘接剂和基板粘接，但优选为以热粘接进行粘接。特别是盘状密封构件的周缘部(凸缘部)可以为能够和装置的基板进行热粘接或热融接。需要说明的是，可以是密封构件的至少周缘部和装置的基板粘接，在具有多个收容凹部的密封构件中，也可以根据需要使多个收容凹部之间的部位也和装置的基板粘接。
对于将密封构件成型为盘状的方法，没有特别的限制，盘状密封构件可以通过以下制备：将上述单层或叠层膜状(或片状)的密封构件利用常用的容器成型法，例如压制成型、真空成型等成型法而成型为给定形状。需要说明的是，盘状的密封构件不需要一定为按照安装于电子装置的电子部件的形状。
密封构件可以根据需要适用于装置的双面，通常适用于装置一侧的面。
[密封装置]
对本发明的密封装置而言，虽然装置的被密封区域已被上述密封构件密封，但以上述密封构件和装置的安装部件游离的形态，上述密封构件的周缘部和装置粘接。即，在装置的被密封区域的内侧(内部区域)中，形成上述密封构件和装置(基板的电路、安装部件等)游离的游离空间；在装置的被密封区域的周缘部，上述密封部件的周缘部和装置的基板粘接而形成密封部。这样的密封形态中，在游离空间中密封构件为和安装部件等物理性接触，密封构件和安装部件的粘接强度实质为“0”，源自密封构件的应力实质不作用于游离空间内的装置。以及，由于密封构件的周缘部和基板密接，游离空间形成了充满空气等气体等的缓冲空间，可以利用气体的缓冲性有效地保护游离空间内的安装部件。特别是如果以有柔软性的热塑性树脂(特别是共聚聚酰胺类树脂等热粘接性热塑性树脂)形成密封构件，则可以用气球状形态的密封构件对基板的被密封区域进行密封，即使外力作用也可以用气球状的密封构件和缓冲空间保护游离空间内的安装部件。另外，由于密封构件的周缘部和装置的基板粘接，因此可以大幅降低空隙的发生。因此，可以有效防止电路的腐蚀及短路。特别是，如果使用热粘接性热塑性树脂(上述共聚聚酰胺类树脂等)作为密封构件的热塑性树脂，则可以利用密封构件以高密合力对装置的期望的密封区域的周缘部进行粘接而密封。而且，可以根据安装部件和部件的安装形态对装置的给定的部位(密封区域)进行选择性密封。
图1为显示本发明的密封装置的一例的概略侧面图。
在该例中，形成了在基板2上安装或搭载多个电子部件3a～3c的电子装置1。另一方面，盘状密封构件11具备：覆盖电子装置1的给定的密封区域并能够收容的收容凹部12，和从该收容凹部的开口周缘向外方向(侧部方向)延伸出的、能够和电子装置1的基板2粘接的周缘部13。
然后，电子装置1的给定的密封区域被开口部朝向基板方向配置的盘状的密封构件11覆盖，密封构件11的周缘部13扩展到全周和电子装置1的基板2热粘接，而密封了密封区域。在这样的密封形态中，以电子装置1的安装部件3a～3c收容于密封构件11的收容凹部12的形态，在也包括密封区域内的基板部2的安装部件3a～3c和密封构件11之间形成游离空间15。
图2为显示本发明的密封装置的其他例子的概略侧面图。需要说明的是，对和图1相同的构件或要素附上同一符号进行说明。
在该例子中，密封构件21具有：多个收容凹部22a、22b，其与装置1的多个电子部件3a～3c的安装及配置形态对应而深度及容积不同，接触部24，其在多个收容凹部之间向基板方向弯曲或屈曲而延伸出，并且能够和装置的基板2接触，周缘部23，其形成于外周部且能够和装置1接触。这样的密封构件21中，可以用多个收容凹部22a、22b覆盖多个被密封区域，并将密封构件21的周缘部23和多个收容凹部22a、22a之间的部位(接触部)24和装置1的基板2粘接，可以用各收容凹部22a、22b形成游离空间(或缓冲空间)25a、25b。
如上所述，只要密封构件的至少周缘部和装置的基板粘接即可，不限于具有一个或多个收容凹部的密封构件，膜状密封构件也可以根据需要在不对装置的部件、电路等造成恶劣影响的范围内，使密封构件的内部区域也以点状或线状(或带状)和基板进行粘接(或热粘接)。
需要说明的是，密封装置通过将密封构件的至少周缘部和装置的基板进行粘接，形成了以框状(四角框、多角框、环状等框状)的形态封闭的密封部(闭锁密封部)。特别是在本发明的密封装置中，大多情况为仅密封构件的周缘部和装置的基板粘接(或热粘接)。另外，密封构件的周缘部可以用给定的宽度对基板进行密封(或粘接)，也可以用线型或带状的形态进行密封(或粘接)。
[密封装置的制造方法]
本发明的方法，可以通过以密封构件和装置的被密封区域的安装部件游离的形态对装置的给定的被密封区域进行覆盖，并使密封构件的周缘部和装置的基板粘接，而制造用密封构件对装置的被密封区域进行覆盖及密封的装置。即，本发明的方法包括，用膜状(或片状)或盘状形态的密封构件对装置的给定的被密封区域进行覆盖的覆盖工序，粘接密封构件的周缘部的工序，其中，在加热熔融密封构件的周缘部而进行热粘接的情况下，进一步包括冷却工序，通过经过这样的工序，可以制造在被密封区域中以密封构件和安装部件游离的形态，用密封构件对被密封区域的周缘部进行密封的密封装置。
作为上述装置，可以例示各种有机或无机装置，例如：半导体元件、电致发光(EL)元件、发光二极管、太阳能电池单元等精密部件、形成有电路(包含滤波电路等)的电路基板、搭载有各种电子部件或电子元件(电容器、滤波器等)等部件的布线电路基板(印刷基板)等电子部件(特别是精密电子部件或电子装置等)。
在覆盖工序中，可以用密封构件覆盖装置的被密封区域，也可以对装置一侧的面的所有区域、装置的特定的区域(电子部件的搭载区域、布线区域等)进行覆盖。在该覆盖工序中，优选密封构件的周缘部和基板为线或面接触。
需要说明的是，在源自基板上的电子部件的凹凸(或起伏)不是过于大的情况下，不用事先成型为盘状或壳状，例如将膜状密封构件重叠在基板上，仅将密封构件的周缘部(外缘部)进行融接，被密封区域内的电子部件、焊锡部和密封构件不粘接就可以实现本发明的效果。另一方面，在源自基板上的电子部件的凹凸(或起伏)较大的情况下，优选将预先成型为盘状或壳状的密封构件盖于装置的被密封区域，并仅将密封构件的外缘部进行融接。
需要说明的是，装置的被密封区域通常大多情况为容易损坏的部位，例如：电子元件的搭载部位、布线部位等。
粘接工序最重要的方面为基板和密封构件的粘接面积(粘接部位)小，并使密封构件的周缘部(外缘部)和基板粘接。对粘接的方法没有特别限定，可以例示例如：基于激光的加热、基于热封机等热密封装置的加热等，优选仅对粘接部位加热而融接的方法。在本发明中，由于只要主要将被密封区域(被保护区域)的周缘部(外缘部)的粘接部位以热进行融接即可，供给电子装置的热的破坏小。因此，即使不是目前的技术那样的低熔点的密封构件也可以使用。
需要说明的是，虽然可以根据需要加热密封构件整体，但在使得密封构件整体熔融的条件下，密封构件和电子装置上的电子部件不均匀地融接，或熔融而和电子部件的焊锡部、电路部接触，或由于熔融而密封部的厚度存在厚薄，根据情况不同可能打开孔，故不优选。但是，只要在不会产生这样的问题的范围，也可以对密封构件进行预热并粘接。
利用激光融接时，可以采用像通常的激光焊接那样，使激光透过密封构件的周缘部(或外缘部)而加热基板，并利用该热将密封构件的周缘部熔融而进行融接的方法，也可以根据装置的种类(例如：基板的颜色、基板内部有无电路等)调整激光强度。例如如果基板上存在能够吸收激光的显示部(能够吸收激光的深色的显示文字等)，则该显示部的激光的吸收变强，是发热超过需要的案例，在极端的情况下还存在产生火灾的可能性。
在本发明中，与通常的热塑性树脂之间的激光焊接不同，不需要使基板侧的温度升高，只要密封构件的周缘部加热熔融即可。因此，存在以下优选的案例，利用包含能够吸收激光的着色剂(炭黑等颜料、染料)和热塑性树脂的热塑性树脂组合物(激光吸收性热塑性树脂组合物)来形成密封构件的至少周缘部，并直接以激光对上述周缘部(或外缘部)的热塑性树脂进行加热而熔接的方法。需要说明的是，激光吸收性热塑性树脂组合物可以成型为密封构件整体，也可以仅成型为密封构件的周缘部(外缘部)。另外，就叠层膜或其的盘状成型体而言，也可以用上述激光吸收性热塑性树脂组合物形成和基板接触的树脂层(密封层)。
对密封构件的周缘部(外缘部)的加热温度而言，可以根据密封构件的热塑性树脂的熔点、软化点，例如为75～200℃，优选为80～180℃，更优选为100～175℃(例如：110～150℃)左右。需要说明的是，对于叠层膜，加热温度优选为热塑性树脂的熔点以上(例如：熔点+5℃以上，优选为熔点+10℃以上)，且形成保护层的耐热性树脂的熔点+10℃以下(例如：熔点+5℃以下，优选为低于熔点)。另外，加热温度通常可以是形成保护层的耐热性树脂的玻璃化转变温度以上(优选为热变型温度以上)。加热可以在空气中、非活性气体气氛中进行。如果需要，也可以在常压、加压下或减压条件下进行粘接。进一步，如果需要也可以重复进行热粘接。
在冷却工序中，可以使经热粘接的密封构件的周缘部(外缘部)自然冷却，也可以阶段地或连续地冷却，或骤冷。
通过经过这样的工序，可以得到密封构件的周缘部(外缘部)和装置的基板热融接而成的密封装置。
由于这样的方法和注塑成型等不同，不以高温高压作用于装置，不过度加热密封构件的周缘部，因此不会损伤装置。另外，不需要用树脂填充部件、焊锡部，只要粘接密封构件的周缘部即可，因此可以大幅降低空隙的发生。以及，即使是仅对装置的特定的被密封区域，也能以高密合性和密封性进行密封。需要说明的是，如果使用热粘接性热塑性树脂，则可以在比较低温下融接密封构件的周缘部，因此赋予给装置的热损坏少，可以提高装置的可靠性。而且可以在短时间内以高可靠性对装置进行密封，可以大幅提高密封装置的生产能力。
实施例
以下，结合实施例对本发明进行具体地说明，但本发明并不限定于这些实施例。需要说明的是，以下的实施例及比较例中使用了相同的热塑性树脂，仅改变密封及保护方法而进行了评价。实施例及比较例使用的树脂及各评价项目的评价方法如下所述。
[树脂]
树脂A：共聚聚酰胺(Evonik公司制“VestameltX1038P1”，含有C10-14亚烷基，熔点125℃)
树脂B：共聚聚酰胺(Evonik公司制“VestameltX1051”，含有C10-14亚烷基，熔点130℃)
树脂C：共聚聚酰胺(Evonik公司制“VestameltX1333P1”，含有C10-14亚烷基，熔点105℃)
树脂D：共聚聚酰胺(Evonik公司制“Vestamelt4680”，含有C10-14亚烷基，熔点105℃)
树脂E：共聚聚酰胺(Evonik公司制“VestameltX7079”，含有C10-14亚烷基，熔点130℃)
树脂F：两种共聚聚酰胺(以重量比1/1的比例包含Evonik公司制“VestameltX1038”及“VestameltZ2131”的组合物)，用双螺杆挤出机进行熔融混炼而混合的熔融共混物(Evonik公司制“DAIAMIDZ1117”，含有C10-14亚烷基，熔点130℃)
[焊锡部的裂缝]
通过在以聚醚醚酮树脂(Evonik公司制“VESTAKEEP-JZV7403”)形成的平板(纵向100mm，宽100mm，厚度3mm)，在给定的4个部位(从纵向及宽度方向的两端分别与内侧仅离开30mm的距离，并沿纵横方向延伸的直线所交叉的4个部位)开孔(直径2mm)，将铜线(直径1mm，长10mm)插入该孔，并用焊锡固定，而制备了试验用基板。需要说明的是，焊锡使用了锡-铜-镍合金的无铅焊锡。
以实施例及比较例的方法密封得到的试验用基板，并以纤维镜观察了焊锡部有无裂缝。
[电特性试验]
在印刷配线板(在玻璃环氧树脂制基板上以铜箔粘贴布线)的布线间形成梳形电极部，制备了试验用基板。需要说明的是，如图3所示，在试验用基板(厚度1.5mm)中形成有隔开20.1mm的间隔形成直线状的一对对向电极部(宽度4.4mm，长29mm)31a、31b，和从该一对对向电极部的端部沿互相靠近的方向直线延伸的延出电极部(宽度3.5mm，长10.5mm)32a、32b，和从该延出电极部的端部隔开7.8mm的间隔，沿与一对对向电极部31a、31b相反的方向延伸的连接电极部(宽度4.4mm，长8.8mm)33a、33b，其中，从上述一对对向电极部31a、31b，预先形成沿分别相对的方向交替延伸为梳齿状的梳型电极部34a、34b，形成了给定的电路。需要说明的是，在梳型电极部34a、34b中，对于沿互相相对的方向延伸出的梳齿，邻接而重叠的梳齿的长(重叠宽度)W为16.5mm。需要说明的是，图3中，密封试验用基板的膜状密封构件的外周以虚线表示。
将得到的试验片用实施例及比较例的方法进行密封，供给以下的试验。
需要说明的是，作为试验用基板，使用了形成有齿距(间隔)为0.4mm的梳型电极的试验用基板(实施例1、2、5及比较例1～6、13～15)，和形成有齿距为0.25mm的梳型电极的试验用基板(其它实施例及比较例)。
(1)耐湿性试验
在85℃，85％RH的条件下，对以树脂密封的试验用基板的连接电极部施加12V的直流电压，测定了电阻值的变化，确认电阻值变为1×106Ω以下时的时间。对电阻值的变化最大确认至500小时。需要说明的是，不以树脂密封的试验用基板的电阻值为5×108Ω。
(2)热冲击试验
对以树脂密封的试验用基板的连接电极部施加12V的直流电压，将在-30℃保持1小时后，迅速升温至40℃，在90％RH的湿度下保持1小时，再次冷却至-30℃为一个循环，重复该循环，测定其间电阻值的变化，确认了电阻值变为1×106Ω以下时的次数(循环数)。对电阻值的变化最大确认至500个循环。需要说明的是，不以树脂密封的试验用基板的电阻值为1.0×109Ω。
(实施例1)
对树脂A进行热压，制备了厚度100μm的膜。然后，将得到的膜切成对应于各试验用基板的被密封区域的大小，仅将给定尺寸的膜的周缘部用热封机和试验用基板的基板融接，制备了以树脂密封的试验片。
需要说明的是，在焊锡部的裂缝的评价中，切出长100mm、宽100mm的尺寸，并用切下的膜状密封构件覆盖试验用基板，仅将密封构件的周缘部(宽度约3mm的外缘部)扩展到全周而对试验用基板进行热封，制备了以密封构件密封的试验片。热封后的膜状密封构件和铜线不接触，除热封部外，与不粘接的试验用基板、焊锡部及铜线游离。
另外，在电特性试验中，切出长38mm、宽38mm的尺寸，并用切下的膜状密封构件覆盖试验用基板的一对对向电极部及梳型电极部(至少包含梳型电极部，图3的以虚线显示的区域)，仅将密封构件的周缘部(宽度约3mm的外缘部)和试验用基板的基板部及电极部进行热封而融接密封，制备了试验片。在试验片中，膜状密封构件除了热封部外与梳型电极部及基板游离。
(比较例1)
将各试验用基板插入纵向型注塑成型机，在料筒温度200℃，注射压力10MPa，模具温度30℃的条件下，以树脂A对试验片整体进行包覆成型，制备了以树脂A密封的试验片。需要说明的是，密封的树脂的厚度为约5mm。
(比较例2)
将树脂A冷冻粉碎而成的粉末洒在各试验用基板上，在180℃的烘箱内加热5分钟，制备了以树脂A密封的试验片。需要说明的是，密封的树脂的厚度为约5mm。
(比较例3)
制作了热压树脂A得到的厚度100μm的膜。然后，将得到的膜切成对应于各试验用基板的包覆区域的大小，将膜状的密封剂放到试验用基板上，通过在180℃的烘箱内加热5分钟使其熔融而进行密封，制备了试验片。
(实施例2～6)
除使用树脂B(实施例2)、树脂C(实施例3)、树脂D(实施例4)、树脂E(实施例5)、树脂F(实施例6)代替实施例1中的树脂A以外和实施例1同样，制备了试验片。
(比较例4)
除使用树脂B代替比较例1中的树脂A以外和比较例1同样，制备了试验片。
(比较例5)
除使用树脂B代替比较例2中的树脂A以外和比较例2同样，制备了试验片。
(比较例6)
除使用树脂B代替比较例3中的树脂A以外和比较例3同样，制备了试验片。
(比较例7)
使用树脂C代替比较例1中的树脂A，使料筒温度为170℃，除此以外和比较例1同样，制备了试验片。
(比较例8)
除使用树脂C代替比较例2中的树脂A以外和比较例2同样，制备了试验片。
(比较例9)
除使用树脂C代替比较例3中的树脂A以外和比较例3同样，制备了试验片。
(比较例10)
使用树脂D代替比较例1中的树脂A，使料筒温度为170℃，除此以外和比较例1同样，制备了试验片。
(比较例11)
除使用树脂D代替比较例2中的树脂A以外和比较例2同样，制备了试验片。
(比较例12)
除使用树脂D代替比较例3中的树脂A以外和比较例3同样，制备了试验片。
(比较例13)
除使用树脂E代替比较例1中的树脂A以外和比较例1同样，制备了试验片。
(比较例14)
除使用树脂E代替比较例2中的树脂A以外和比较例2同样，制备了试验片。
(比较例15)
除使用树脂E代替比较例3中的树脂A以外和比较例3同样，制备了试验片。
结果示于表中。
[表1]
在施加电压试验中，使用了梳型电极的齿距为0.4mm的试验用基板。耐湿性试验中，实施例1及实施例2在500小时的时间点为5x108Ω。
热冲击试验中，实施例1、实施例2及比较例1在500循环(500次)的时间点为1.0x109Ω。
[表2]
在施加电压试验中，使用了梳型电极的齿距为0.25mm的试验用基板。
耐湿性试验中，实施例3及实施例4在500小时的时间点为5x108Ω。
热冲击试验中，实施例3、实施例4及比较例7在500循环(500次)的时间点为1.0x109Ω。
[表3]
在施加电压试验中，实施例5及比较例13～15使用了梳型电极的齿距为0.4mm的试验用基板，实施例6使用了梳型电极的齿距为0.25mm的试验用基板。
耐湿性试验中，实施例5及实施例6在500小时的时间点为5x108Ω。
热冲击试验中，实施例5、实施例6、比较例13在500循环(500次)的时间点为1.0x109Ω。
如上所述，实施例中均可以用高密合力进行密封，并且即使仅将密封构件的周缘部和基板粘接，也可以有效保护基板的被密封区域。
工业实用性
本发明用于密封搭载有半导体元件、EL元件、太阳能电池单元等电子元件或电子部件、各种电子部件或电子元件的印刷电路板等有效。

Claims (12)

1.一种密封装置，其为装置的被密封区域用密封构件密封的密封装置，其中，所述密封构件具有膜状或盘状的形态，且密封构件至少周缘部包含热塑性树脂；以所述密封构件和装置的安装部件游离的形态将所述密封构件的周缘部和装置粘接。
2.根据权利要求1所述的密封装置，其中，密封构件的至少周缘部包含热粘接性热塑性树脂，仅密封构件的周缘部和装置的基板热粘接。
3.根据权利要求1或2所述的密封装置，其中，密封构件的至少周缘部包含共聚聚酰胺类树脂。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的密封装置，其中，膜状或盘状的密封构件具有能够和装置的基板线接触或面接触的周缘部，且包含具有以下至少一个特性的共聚聚酰胺类树脂：
(1)熔点或软化点为75～160℃
(2)具有结晶性
(3)具有结晶性，并且熔点为90～160℃。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的密封装置，其中，密封构件为二元共聚物～四元共聚物的共聚聚酰胺类树脂，且具有以下的至少1个单元：
(a)源自具有C8-16亚烷基的长链成分的单元
(b)源自选自C9-17内酰胺及氨基C9-17烷羧酸中的至少一种成分的单元
(c)源自选自十二内酰胺、氨基十一烷酸及氨基十二烷酸中的至少一种成分的单元。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的密封装置，其中密封构件包括：包含共聚聚酰胺类树脂的密封层，和叠层于该密封层的一侧的面且由耐热性树脂形成的保护层。
7.根据权利要求6所述的密封装置，其中，耐热性树脂具有170℃以上的熔点或软化点且为选自聚酯类树脂、聚酰胺类树脂及氟树脂中的至少一种。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的密封装置，其中，密封构件的厚度为10～1000μm。
9.一种制造装置的方法，其为装置的被密封区域用密封构件密封的密封装置的制造方法，其中，所述密封构件具有膜状或盘状的形态，且密封构件的至少周缘部包含热塑性树脂，以在被密封区域的内侧密封构件和装置的安装部件游离的状态将密封构件的周缘部和装置的基板粘接，装置的被密封区域用密封构件覆盖及密封。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，用密封构件的至少周缘部包含共聚聚酰胺类树脂的密封构件，覆盖装置的被密封区域，使所述密封构件的周缘部和装置的基板热粘接并冷却。
11.一种密封构件，其为用于对装置的被密封区域进行密封的密封构件，
该密封构件成型为膜状或盘状，且周缘部包含热塑性树脂；该密封构件具备：
用于形成和装置的安装部件不粘接而是游离的游离空间的内部区域；和
能够与装置的基板粘接的周缘部。
12.根据权利要求11所述的密封构件，其具备能够与装置的基板热粘接的周缘部，至少所述周缘部包含共聚聚酰胺类树脂。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111221181A (zh) * 2020-01-20 2020-06-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 背光源及其制备方法
WO2024001682A1 (zh) * 2022-06-30 2024-01-04 东莞新能安科技有限公司 电池包及用电设备

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106928697B (zh) * 2017-04-14 2020-08-18 广州市聚赛龙工程塑料股份有限公司 尼龙材料及其制备方法和应用
JP6996421B2 (ja) * 2018-05-28 2022-02-21 大日本印刷株式会社 電池、ヒートシール装置、及び電池の製造方法
JP7181727B2 (ja) * 2018-08-10 2022-12-01 ポリプラ・エボニック株式会社 複合成形体、及びその製造方法
EP3961697A1 (de) * 2020-08-25 2022-03-02 Siemens Aktiengesellschaft Halbleitermodul mit einer vertiefung

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60160145A (ja) * 1984-01-30 1985-08-21 Mitsubishi Electric Corp 混成集積回路のパツケ−ジング
JPS6127663A (ja) * 1984-07-17 1986-02-07 Nec Corp 半導体集積回路
EP0607596A2 (en) * 1993-01-19 1994-07-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Angle measuring method and apparatus
CN1449583A (zh) * 2000-07-25 2003-10-15 Ssi株式会社 塑料封装基底、气腔型封装及其制造方法
US20070007607A1 (en) * 2005-07-06 2007-01-11 Denso Corporation Semiconductor sensor and manufacturing mehtod therefor
CN103228754A (zh) * 2010-09-22 2013-07-31 大赛路·赢创有限公司 薄膜状密封剂和密封方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10107170A (ja) * 1996-09-27 1998-04-24 Tdk Corp 樹脂モールド型電子部品とその製造方法
JPH11259021A (ja) 1998-02-17 1999-09-24 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 液晶表示パネルおよび液晶表示装置
JP4359793B2 (ja) 1998-10-22 2009-11-04 ノードソン株式会社 電子部品が実装されたプリント基板を封止する方法
JP3876109B2 (ja) 2000-03-29 2007-01-31 松下電器産業株式会社 電子回路形成品の製造方法
JP5209229B2 (ja) 2007-05-09 2013-06-12 中島硝子工業株式会社 太陽電池モジュールの製造方法
JP5348869B2 (ja) 2007-10-17 2013-11-20 小松精練株式会社 有機電子デバイス用ホットメルト型部材、バリアフィルム封止部材、それらを用いた有機電子デバイス封止パネル
JP5594930B2 (ja) 2007-10-17 2014-09-24 小松精練株式会社 有機薄膜太陽電池用ホットメルト型部材及び有機薄膜太陽電池素子筐体封止パネル
JP2011128140A (ja) * 2009-11-19 2011-06-30 Dainippon Printing Co Ltd センサデバイス及びその製造方法
JP2014056986A (ja) * 2012-09-13 2014-03-27 Denso Corp 電子装置およびその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60160145A (ja) * 1984-01-30 1985-08-21 Mitsubishi Electric Corp 混成集積回路のパツケ−ジング
JPS6127663A (ja) * 1984-07-17 1986-02-07 Nec Corp 半導体集積回路
EP0607596A2 (en) * 1993-01-19 1994-07-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Angle measuring method and apparatus
CN1449583A (zh) * 2000-07-25 2003-10-15 Ssi株式会社 塑料封装基底、气腔型封装及其制造方法
US20070007607A1 (en) * 2005-07-06 2007-01-11 Denso Corporation Semiconductor sensor and manufacturing mehtod therefor
CN103228754A (zh) * 2010-09-22 2013-07-31 大赛路·赢创有限公司 薄膜状密封剂和密封方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111221181A (zh) * 2020-01-20 2020-06-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 背光源及其制备方法
WO2024001682A1 (zh) * 2022-06-30 2024-01-04 东莞新能安科技有限公司 电池包及用电设备

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