CN105668630A - 三氧化钼微纳阵列材料的制备方法 - Google Patents

三氧化钼微纳阵列材料的制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明属于纳米材料与纳米技术领域。三氧化钼微纳阵列材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1）将四水合钼酸铵[(NH4)6Mo7O24.4H2O]溶解于去离子水中，制得钼酸铵溶液；2）滴加硝酸，得到含硝酸的混合溶液；3）将洗净的玻璃片与烧杯内壁呈45o角浸放于上述含硝酸的混合溶液中；4）在一定温度下反应一定时间后，自然冷却至室温；5）取出玻璃片，表面得到白色附着产物，利用去离子水反复冲洗后烘干，即得到三氧化钼微纳阵列材料。该方法制备工艺十分简单，对设备要求低，成本低廉，重现性好，易于控制三氧化钼微纳米阵列材料的制备工艺，符合环境要求，为一维三氧化钼微纳阵列材料的制备提供了一条新思路。经气敏性能测试，三氧化钼微纳阵列材料在室温下即对三甲胺(TMA)具有气敏响应。

Description

三氧化钼微纳阵列材料的制备方法
技术领域
本发明属于纳米材料与纳米技术领域，具体涉及一种三氧化钼(MoO3)微纳阵列材料的制备方法。
背景技术
随着社会发展及科技进步，人类对电子器件的发展提出了智能化、小型化、高效率等要求，电子微纳器件应运而生，各种金属氧化物基纳米材料由于其有别于体材料的优异物化性能及便于集成化的特点，成为近几十年来的研究热点。三氧化钼材料无毒性，具有独特的层状结构，且钼具有可变价态而本身为良好的有机反应催化剂，因此在气敏器件、锂离子电池、光致变色、催化等领域有广泛应用。三氧化钼作为气敏材料具有选择性好、气敏响应值高、气体浓度与响应值线性度好等特点，因此具有良好的应用前景。但是，三氧化钼材料本身禁带宽度大（2.9-3.2eV）、载流子浓度低，因此在器件组装时接触电阻较大，显著地影响其气敏性能。一维纳米材料可提供直接的电子传输通道，具有良好的电子传输性能。而一维纳米阵列材料有序化程度高，可以进一步提高电子传输效率、减少器件中接触电阻对最终结果的影响。另外，一维纳米阵列材料具有较大的比表面积，有利于外界气体和阵列中的纳米结构单元充分接触，增加气体的吸附。因此一维纳米阵列材料作为气敏材料具有广泛的应用前景。
然而相比其他金属氧化物半导体材料，三氧化钼微纳阵列的相关报道较少。虽然可以利用热蒸发方法制备三氧化钼阵列，但是其对设备及基底材料要求较高且能耗较大。近年来，人们利用液相法制备金属氧化物半导体纳米阵列，该方法制备工艺十分简单，对设备要求低，成本低廉，可在多种基片上进行生长。因此，利用液相法制备三氧化钼微纳阵列，有望进一步推进三氧化钼微纳材料的应用。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明目的在于提供一种三氧化钼微纳阵列材料的制备方法，该方法工艺简单，对设备要求低，可控程度高，符合环境要求，并大大降低合成成本。
为实现上述发明目的，本发明所采用的技术方案为：三氧化钼微纳阵列材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1）将四水合钼酸铵[(NH4)6Mo7O24.4H2O]溶解于去离子水中，制得钼酸铵溶液；
2）在不断搅拌的情况下在钼酸铵溶液中滴加浓硝酸，得到含硝酸的混合溶液；
3）取干净玻璃片裁成边长为1.5cm的正方形后清洗干净，将洗净的玻璃片与烧杯内壁呈45o角浸放于上述含硝酸的混合溶液中；
4）将浸有玻璃片的含硝酸的混合溶液（反应液）在一定温度下反应一定时间后，自然冷却至室温；
5）取出玻璃片，表面得到白色附着产物，利用去离子水反复冲洗后烘干，即得到三氧化钼(MoO3)微纳阵列材料。
上述方案中，步骤1）所述钼酸铵溶液的浓度为0.01~0.1mol/L。
上述方案中，步骤2）所述混合液中硝酸浓度为0.1~1mol/L。
上述方案中，步骤4）所述反应温度为80~140℃，反应时间为2~6h。
上述方案中，步骤5）所述烘干温度为60℃，烘干时间为24h。
三氧化钼微纳阵列材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：首先将四水合钼酸铵[(NH4)6Mo7O24.4H2O]溶解于40mL的去离子水中，制得0.01-0.1mol/L钼酸铵溶液；然后在不断搅拌的情况下缓慢滴加1.25-2.5mL的浓硝酸，搅拌0.5h；将边长为1.5cm的正方形干净玻璃片与烧杯内壁呈45o角浸放于上述溶液中；然后，于80-140℃环境下保温2-6h后取出，温度自然降至室温；玻璃表面上得到白色产物，利用去离子水冲涤后60℃烘干24h即可得到三氧化钼(MoO3)微纳阵列材料。
本发明的有益效果如下：本发明采用液相法以商用四水合钼酸铵[(NH4)6Mo7O24.4H2O]粉末为原料合成三氧化钼（MoO3）微纳阵列纳米材料，通过控制钼酸铵溶液浓度、硝酸浓度、反应温度及反应时间可以制备得到不同尺寸的三氧化钼微纳阵列材料。该制备方法工艺简单，对设备要求低，重现性好，反应条件具有很大的选择范围，可控程度高，符合环境要求，并能大大降低成本。经气敏性能测试，三氧化钼微纳阵列材料在室温下即对三甲胺(TMA)具有气敏响应。
附图说明
图1为实施例1制备得到的三氧化钼微纳阵列材料的物相表征图。
图2为实施例1制备得到的三氧化钼微纳阵列材料的FESEM图像。
图3为实施例2制备得到的三氧化钼微纳阵列材料的FESEM图像。
图4为实施例3制备得到的三氧化钼微纳阵列材料的物相表征图。
图5为实施例3制备得到的三氧化钼微纳阵列材料的FESEM图像。
图6为实施例3制备得到的三氧化钼微纳阵列材料室温下的I-V曲线图。
图7为实施例3制备得到的三氧化钼微纳阵列材料室温下对三甲胺的动态气敏响应图，其中（a）电流随时间变换情况，（b）相对应的动态响应值。
具体实施方式
为了更好地理解本发明，下面结合实施例进一步阐明本发明的内容，但本发明的内容不仅仅局限于下面的实施例。
实施例1
一种三氧化钼(MoO3)微纳阵列材料的制备方法，包括如下步骤：
（1）将4.943g四水合钼酸铵[(NH4)6Mo7O24.4H2O]溶解于40mL去离子水中，制得0.1mol/L钼酸铵溶液；
（2）在不断搅拌的情况下滴加2.5mL浓硝酸（浓硝酸的浓度为65-68wt%），得到含硝酸的混合溶液，继续搅拌0.5h；
（3）取干净玻璃片裁成边长为1.5cm的正方形后清洗干净，将洗净的玻璃片与烧杯内壁呈45o角浸放于上述溶液中；
（4）将浸有玻璃片的反应液在100℃下分别反应2、4、6h后取出，自然冷却至室温；
（5）取出玻璃片，表面得到白色附着产物，利用去离子水反复冲洗后60℃烘干24h即可得到三氧化钼微纳阵列材料。
本实施例制备得到三氧化钼微纳阵列材料的物相为六方相，长度10~92μm，平均直径10~15μm。其XRD图谱见图1，FESEM图像见图2。
实施例2
一种三氧化钼(MoO3)微纳阵列材料的制备方法，包括如下步骤：
（1）将0.4943g四水合钼酸铵[(NH4)6Mo7O24.4H2O]溶解于40mL去离子水中，制得0.01mol/L钼酸铵溶液；
（2）在不断搅拌的情况下滴加1.25mL浓硝酸（浓硝酸的浓度为65-68wt%），得到含硝酸的混合溶液，继续搅拌0.5h；
（3）取干净玻璃片裁成边长为1.5cm的正方形后清洗干净，将洗净的玻璃片与烧杯内壁呈45o角浸放于上述溶液中；
（4）将浸有玻璃片的反应液在80、100、120、140℃下分别反应6h后取出，自然冷却至室温；
（5）取出玻璃片，表面得到白色附着产物，利用去离子水反复冲洗后60℃烘干24h即可得到三氧化钼微纳阵列材料。
本实施例制备得到三氧化钼微纳阵列材料的，长度约2~70μm，平均直径3~15μm。其FESEM图像见图3。
实施例3
一种三氧化钼(MoO3)微纳阵列材料的制备方法，包括如下步骤：
（1）将0.4943g四水合钼酸铵[(NH4)6Mo7O24.4H2O]溶解于40mL去离子水中，制得0.01mol/L钼酸铵溶液；
（2）在不断搅拌的情况下滴加1.25或2.5mL浓硝酸（浓硝酸的浓度为65-68wt%），得到含硝酸的混合溶液，继续搅拌0.5h；
（3）取干净玻璃片裁成边长为1.5cm的正方形后清洗干净。将洗净的玻璃片与烧杯内壁呈45o角浸放于上述溶液中
（4）将浸有玻璃片的反应液在140℃下分别反应6h后取出，自然冷却至室温；
（5）取出玻璃片，表面得到白色附着产物，利用去离子水反复冲洗后60℃烘干24h即可得到三氧化钼微纳阵列材料。
本实施例制备得到三氧化钼微纳阵列材料的物相为六方相，长度分别为4μm和150nm。其XRD图谱见图4，FESEM图像见图5。
本发明实施例1~3制备的三氧化钼(MoO3)微纳阵列材料进行了物相及形貌表征，表征结果见图1~5。图1为实施例1制备得到的三氧化钼(MoO3)微纳阵列材料的物相表征图。各衍射峰的位置与六方相(NH4)(Mo6O18)材料的XRD图谱相吻合(JCPDSNo.:01-089-7650)。六方相MoO3在Mo的位置上有许多空位，因此为稳定其结构，NH4 +离子占据孔道中的位置。随着生长时间的延长，XRD图谱中各衍射峰峰强增加，说明适当延长生长时间有助于提高产物结晶性。图2为实施例1制备得到的三氧化钼(MoO3)微纳阵列材料的FESEM图像。其中（a）图为生长时间2h时所得覆盖在基片表面的MoO3微米棒阵列产物的FESEM图像，由图可知组成阵列的MoO3微米棒长度约10μm，平均直径25μm；（b）图为生长时间4h时所得覆盖在基片表面的MoO3微米棒阵列产物的FESEM图像，由图可知组成阵列的MoO3微米棒长度约25μm，平均直径15μm；（c）图为生长时间6h时所得覆盖在基片表面的MoO3微米棒阵列产物的FESEM图像，由图可知组成阵列的MoO3微米棒长度约92μm，平均直径10μm。可以看出，延长生长时间有助于减小MoO3微米棒直径、增加MoO3微米棒长度。
图3为实施例2制备得到的三氧化钼(MoO3)微纳阵列材料的FESEM图像。其中（a）图为生长温度为80℃时所得覆盖在基片表面的MoO3微米棒阵列产物的FESEM图像，由图可知得到的MoO3微米棒呈单分散状态，没有自组装过程，产物长度约2μm，直径约3μm；（b）图为生长温度为100℃时所得覆盖在基片表面的MoO3微米棒阵列产物的FESEM图像，由图可知MoO3微米棒开始出现自组装过程，有由MoO3微米棒团簇而成的微米球生成，单根微米棒长度约70μm，直径10μm；（c）图为生长温度为120℃时所得覆盖在基片表面的MoO3微米棒阵列产物的FESEM图像，由图可知MoO3微米棒呈直立状态，平均直径为15μm；（d）图为生长温度为140℃时所得覆盖在基片表面的MoO3微米棒阵列产物的FESEM图像，由图可知MoO3微米棒呈阵列状排列且分布均匀，直径为4μm。产物直径由小到大再到小，是由实验热力学和动力学因素共同影响。升高温度，增加了结合位点及生长快速；但在较低的浓度下（0.01M），其生长过程中尺寸得以控制。最终，反应液浓度0.01M、反应温度为140℃时，生长6h即可得到形貌良好的MoO3微米阵列。
图4为实施例3制备得到的三氧化钼(MoO3)微纳阵列材料的物相表征图。XRD图谱中衍射峰的位置与六方相(NH4)(Mo6O18)材料的XRD图谱基本相吻合(JCPDSNo.:01-089-7650)。但是，在增加硝酸的用量后，最强峰由(101)峰变为(002)峰，且32.86°处出现Mo9O26的峰。这表明，硝酸的用量会影响MoO3的结晶情况并促使NH4 +从晶格中脱出。图5为实例3制备得到的三氧化钼(MoO3)微纳阵列材料的FESEM图像。其中（a）图为加入浓硝酸量为1.25ml时覆盖在基片表面的MoO3微米棒阵列产物的FESEM图像，由图可知MoO3微米棒呈阵列状且分布均匀，直径为4μm；（b）图为加入浓硝酸量为2.5ml时覆盖在基片表面的MoO3纳米棒阵列产物的FESEM图像，由图可知硝酸量加倍后，组成MoO3纳米棒阵列的单根纳米棒平均直径为150nm。将硝酸量增加有益于促进MoO3微米阵列转化为MoO3纳米棒阵列材料。
本发明还对实施例3中的MoO3纳米棒阵列材料的电学及气敏性能进行了测试，测试结果见图6、图7。其中，图6为实施例3制备得到的三氧化钼(MoO3)微纳阵列材料室温下的I-V曲线图，图7为实施例3制备得到的三氧化钼(MoO3)微纳阵列材料室温下对三甲胺的动态气敏响应图，（a）图为电流随时间变换情况，（b）图为相对应的动态响应值。从图6可以看出：阵列与电极间形成欧姆接触；图7中（a）图显示，在室温下先注入10000ppm三甲胺，电流值从89nA上升到584.11nA，响应时间为94s；待曲线趋于平缓时注入5000ppm三甲胺，电流值从184.90nA上升到301.17nA，响应时间为87s；待电流平稳后注入2500ppm三甲胺时，电流值从155.15nA上升到253.35nA，响应时间为141s。由测试结果可知：三甲胺作为还原性气体提供电子，注入气体后电流值上升，证明MoO3纳米阵列呈现n型半导体性质。对（a）图进行响应值计算得到图(b)，在室温的工作温度下注入2500ppm气体时，响应最大值为1.56；注入5000ppm气体时，响应值最大达到1.89；注入10000ppm气体时，响应值最大达到3.67。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所做的实例，而并非对实施方式的限制。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以列举。而因此所引申的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之内。

Claims (5)

1.三氧化钼微纳阵列材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1）将四水合钼酸铵[(NH4)6Mo7O24.4H2O]溶解于去离子水中，制得钼酸铵溶液；
2）在不断搅拌的情况下在钼酸铵溶液中滴加浓硝酸，得到含硝酸的混合溶液；
3）取干净玻璃片裁成边长为1.5cm的正方形后清洗干净，将洗净的玻璃片与烧杯内壁呈45o角浸放于上述含硝酸的混合溶液中；
4）将浸有玻璃片的含硝酸的混合溶液在一定温度下反应一定时间后，自然冷却至室温；
5）取出玻璃片，表面得到白色附着产物，利用去离子水反复冲洗后烘干，即得到三氧化钼（MoO3）微纳阵列材料。
2.根据权利要求1所述的三氧化钼微纳阵列材料的制备方法，其特征在于，步骤1）所述钼酸铵溶液的浓度为0.01~0.1mol/L。
3.根据权利要求1所述的三氧化钼微纳阵列材料的制备方法，其特征在于，步骤2）所述混合液中硝酸浓度为0.1~1mol/L。
4.根据权利要求1所述的三氧化钼微纳阵列材料的制备方法，其特征在于，步骤4）所述反应温度为80~140℃，反应时间为2~6h。
5.根据权利要求1所述的三氧化钼微纳阵列材料的制备方法，其特征在于，步骤5）所述烘干温度为60℃，烘干时间为24h。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112275276A (zh) * 2020-10-29 2021-01-29 吉林市道特化工科技有限责任公司 一种催化剂载体、催化剂及制备方法和应用
CN114229804A (zh) * 2022-01-06 2022-03-25 武汉工程大学 一维硒化钼电催化材料及其制备方法与应用
CN116969510A (zh) * 2023-07-28 2023-10-31 深圳市深晨科技有限公司 一种对三甲胺敏感的气敏材料的制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1962461A (zh) * 2006-12-08 2007-05-16 金堆城钼业集团有限公司 一种制备三氧化钼纳米纤维的方法
CN103771516A (zh) * 2014-01-24 2014-05-07 天津理工大学 一种六方相三氧化钼微米棒的制备方法
CN103818959A (zh) * 2014-01-17 2014-05-28 天津大学 一种低温水热制备三氧化钼纳米棒材料的方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1962461A (zh) * 2006-12-08 2007-05-16 金堆城钼业集团有限公司 一种制备三氧化钼纳米纤维的方法
CN103818959A (zh) * 2014-01-17 2014-05-28 天津大学 一种低温水热制备三氧化钼纳米棒材料的方法
CN103771516A (zh) * 2014-01-24 2014-05-07 天津理工大学 一种六方相三氧化钼微米棒的制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ARPAN DHARA ET AL.: "Two stage chemical bath deposition of MoO3 nanorod films", 《RSC ADVANCES》 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112275276A (zh) * 2020-10-29 2021-01-29 吉林市道特化工科技有限责任公司 一种催化剂载体、催化剂及制备方法和应用
CN112275276B (zh) * 2020-10-29 2022-10-28 吉林市道特化工科技有限责任公司 一种催化剂载体、催化剂及制备方法和应用
CN114229804A (zh) * 2022-01-06 2022-03-25 武汉工程大学 一维硒化钼电催化材料及其制备方法与应用
CN116969510A (zh) * 2023-07-28 2023-10-31 深圳市深晨科技有限公司 一种对三甲胺敏感的气敏材料的制备方法

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