CN105637701B - 具有直接耦合和替代交叉耦合的介质波导滤波器 - Google Patents

具有直接耦合和替代交叉耦合的介质波导滤波器 Download PDF

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Abstract

一种波导滤波器包括至少限定第一谐振器和第二谐振器的介电材料基块以及坐落在所述基块的顶部上并且至少限定第三谐振器的桥接块。在一个实施方案中，所述基块包括已以端对端关系耦合在一起的第一基块和第二基块。外部传输线或内部RF信号传输窗口或RF信号传输桥在所述第一谐振器与所述第二谐振器之间提供交叉耦合RF信号传输路径。至少第一内部RF信号传输窗口和第二内部RF信号传输窗口分别在所述第一谐振器与所述第三谐振器之间以及所述第二谐振器与所述第三谐振器之间提供直接RF信号传输路径。

Description

具有直接耦合和替代交叉耦合的介质波导滤波器
相关申请和共同未决申请的交叉引用
本专利申请是于2013年11月25日提交的并且题为“具有直接耦合和替代交叉耦合的介质波导滤波器”的美国专利申请序列号14/088,471的部分继续申请并且要求所述申请的提交日期和公开内容的权益，并且还要求于2013年9月23日提交的并且题为“具有直接耦合和替代交叉耦合的介质波导滤波器”的美国临时专利申请序列号61/881,138的提交日期和公开内容的权益，所述申请的内容以及在其中引用的所有参考文献以引用的方式整体并入本文。
技术领域
本发明总体上涉及介质波导滤波器，并且更具体地说涉及一种具有直接耦合和替代交叉耦合的介质波导滤波器。
背景技术
本发明涉及对Heine等人的美国专利号5,926,079中公开的类型的介质波导滤波器，其中多个谐振器沿着整块的长度纵向地间隔，并且其中多个狭槽/凹口沿着整块的长度纵向地间隔并限定了多个谐振器之间的多个桥，所述多个桥提供了多个谐振器之间的直接电感/电容耦合。
对Heine等人的美国专利号5,926,079中公开的类型的波导滤波器的衰减特性可以通过合并呈位于波导滤波器的一个末端或两个末端处的另外的谐振器的形式的零点而增加。然而，与合并另外的谐振器相关联的缺点在于其还增加了滤波器的长度，这在一些应用中可能不是期望的或合理的，因为例如客户的主板上的空间限制。
如在例如对Vangala等人的美国专利号7,714,680中所公开的，滤波器的衰减特性还可以通过直接耦合与交叉耦合谐振器而增加，所述专利公开了具有由相应的金属化图案部分地产生的电感直接耦合与四联体交叉耦合的谐振器的整体滤波器，所述金属化图案被限定在滤波器的顶部表面上并且在所选的一些谐振器通孔之间延伸以提供所公开的直接耦合与交叉耦合的谐振器。
对Vangala等人的美国专利号7,714,680中公开的类型的并且由顶部表面金属化图案组成的直接耦合与交叉耦合不适用于对Heine等人的美国专利号5,926,079中公开的类型的波导滤波器，所述波导滤波器仅包括狭槽并且没有顶部表面金属化图案。
本发明因此涉及一种具有直接耦合与任选的交叉耦合的谐振器的介质波导滤波器，所述介质波导滤波器在没有增加波导滤波器的长度或在没有使用滤波器的顶部表现上的金属化图案的情况下允许增加波导滤波器的衰减特性。
发明内容
本发明涉及一种被适于射频(RF)信号传输的波导滤波器，并且所述波导滤波器包括：介电材料基块，所述基块覆盖有导电材料层并且至少限定了第一谐振器和第二谐振器；介电材料桥接块，所述桥接块覆盖有导电材料层并且限定了第三谐振器，基块与桥接块以一种关系耦合到彼此，其中桥接块桥接第一谐振器和第二谐振器；第一RF信号传输窗口，所述第一RF信号传输窗口被限定在基块与桥接块之间，并且在第一谐振器与第三谐振器之间限定了用于传输RF信号的第一路径；以及第二RF信号传输窗口，所述第二RF信号传输窗口被限定在基块与桥接块之间，并且在第三谐振器与第二谐振器之间限定了用于传输RF信号的第二路径。
在一个实施方案中，基块限定了纵向轴线，并且第一RF信号传输窗口和第二RF信号传输窗口以与彼此和纵向轴线间隔且平行的关系被定位在纵向轴线的相反侧上。
在一个实施方案中，基块限定了纵向轴线，并且第一RF信号传输窗口和第二RF信号传输窗口以与彼此间隔且平行并且垂直于纵向轴线的关系被定位。
在一个实施方案中，基块限定了纵向轴线并且还包括第三RF信号传输窗口，所述第三RF信号传输窗口被限定在基块与桥接块之间，并且在第一谐振器与第三谐振器之间限定了用于传输RF信号的第三路径，所述第一RF信号传输窗口和第三RF信号传输窗口以平行于彼此和纵向轴线的关系并且以垂直于第二RF信号传输窗口的关系定位在纵向轴线的相反侧上。
在一个实施方案中，基块由第一基块和第二基块组成，所述第一基块和第二基块中的每一个覆盖有导电材料层并且以端对端共线的关系接合在一起，并且桥接块桥接第一基块和第二基块的接合的末端，第一谐振器和第二谐振器分别被限定在第一基块和第二基块上。
本发明还涉及一种被适于RF信号传输的波导滤波器，并且所述波导滤波器包括：第一介电材料块，所述第一介电材料块覆盖有导电材料层并且至少限定了第一谐振器；第二介电材料块，所述第二介电材料块覆盖有导电材料层并且至少限定了第二谐振器；第三介电材料块，所述第三介电材料块覆盖有导电材料层并且至少限定了第三谐振器，所述第三介电材料块被耦合到并桥接第一介电材料块和第二介电材料块；第一RF信号传输窗口，所述第一RF信号传输窗口被限定在第一块与第三块之间，并且在第一谐振器与第三谐振器之间限定了用于传输RF信号的第一路径；以及第二RF信号传输窗口，所述第二RF信号传输窗口被限定在第二块与第三块之间，并且在第三谐振器与第二谐振器之间限定了用于传输RF信号的第二路径。
在一个实施方案中，第一块和第二块以端对端共线的关系接合在一起，并且第三块桥接第一基块和第二基块的耦合的末端。
在一个实施方案中，波导滤波器还包括：在第一块和第二块中的每一个的一个末端处的RF信号输入/输出电极；限定在第一块和第二块中的每一个的一个末端处的台阶，所述RF信号输入/输出电极延伸穿过所述台阶；以及限定在第一块和第二块中的每一个中的狭缝，第一块中的狭缝在第一块中限定了第一谐振器和第四谐振器，并且第二块中的狭缝在第二块中限定了第二谐振器和第五谐振器，所述RF信号输入/输出电极和所述台阶被分别限定在第四谐振器和第五谐振器中，并且第三块位于限定在第一块和第二块中的狭缝之间并与其隔开。
本发明还涉及一种被适于RF信号传输的波导滤波器，并且所述波导滤波器包括：介电材料基块，所述基块覆盖有导电材料层并且至少限定了第一谐振器和第二谐振器；介电材料桥接块，所述桥接块覆盖有导电材料层并且至少限定了第三谐振器，桥接块以一种关系堆叠到基块的顶部上，其中桥接块桥接基块的第一谐振器和第二谐振器；第一内部直接耦合RF信号传输窗口，所述第一内部直接耦合RF信号传输窗口被限定在基块与桥接块之间，并且在第一谐振器与第三谐振器之间限定了用于传输RF信号的第一直接路径；第二内部直接RF信号传输窗口，所述第二内部直接RF信号传输窗口被限定在基块与桥接块之间，并且在第二谐振器与第三谐振器之间限定了用于传输RF信号的第二直接路径；以及第一交叉耦合RF信号传输装置，所述第一交叉耦合RF信号传输装置在第一谐振器与第二谐振器之间限定了用于传输RF信号的第一交叉耦合路径。
在一个实施方案中，基块由第一基块和第二基块组成，所述第一基块和第二基块中的每一个覆盖有导电材料层并且以端对端且共线的关系接合在一起，第一谐振器和第二谐振器分别被限定在第一基块和第二基块上，所述第一交叉耦合RF信号传输装置包括在第一谐振器与第二谐振器之间延伸的电容交叉耦合外部传输线，所述第一内部直接耦合传输窗口和第二内部直接耦合传输窗口限定了第一电容直接耦合RF信号传输路径和第二电容直接耦合RF信号传输路径。
在一个实施方案中，基块由第一基块和第二基块组成，所述第一基块和第二基块中的每一个覆盖有导电材料层并且以端对端且共线的关系接合在一起，第一谐振器和第二谐振器分别被限定在第一基块和第二基块上，所述第一交叉耦合RF信号传输装置包括限定在第一基块与第二基块之间的第三RF信号传输窗口并且在第一谐振器与第二谐振器之间限定了第一电感交叉耦合RF信号传输路径，所述第一内部直接耦合传输窗口和第二内部直接耦合传输窗口限定了第一电容直接耦合RF信号传输路径和第二电容直接耦合RF信号传输路径。
在一个实施方案中，第一交叉耦合RF信号传输装置包括RF信号传输电桥，所述RF信号传输电桥被限定在第一谐振器与第二谐振器之间的基块中，并且在第一谐振器与第二谐振器之间限定了第一电感交叉耦合RF信号传输路径，所述第一内部直接耦合传输窗口和第二内部直接耦合传输窗口限定了第一电感直接耦合RF信号传输路径和第二电感直接耦合RF信号传输路径。
在一个实施方案中，所述波导滤波器还包括第三内部直接耦合传输窗口，所述第三内部直接耦合传输窗口被限定在基块与桥接块之间，并且在第一谐振器与第三谐振器之间限定了用于传输RF信号的第三直接路径，所述第一内部直接耦合传输窗口和第三内部直接耦合传输窗口在第一谐振器与第二谐振器之间限定了第一电容直接耦合RF信号传输路径和第三电容直接耦合RF信号传输路径。
本发明的其他优点和特征根据本发明的优选实施方案的以下详述、附图和随附权利要求书将显而易见。
附图说明
本发明的这些和其他特征可以通过以下对附图的描述来最好地理解，所述附图如下：
图1是根据本发明的介质波导滤波器的放大顶部透视图；
图2是图1中示出的介质波导滤波器的放大底部透视图；
图3是根据本发明的介质波导滤波器的另一个实施方案的放大顶部透视图；
图4是图3中示出的介质波导滤波器的放大底部透视图；
图5是根据本发明的介质波导滤波器的又一个实施方案的放大顶部透视图；
图6是图5中示出的介质波导滤波器的放大底部透视图；
图7是根据本发明的介质波导滤波器的再一个实施方案的放大顶部透视图；
图8是根据本发明的介质波导滤波器的放大底部透视图；
图9是描绘了图1和图5中示出的介质波导滤波器的性能的曲线图；以及
图10是描绘了图2和图7中示出的介质波导滤波器的性能的曲线图。
具体实施方式
图1和图2描绘了根据本发明的合并了直接耦合和替代交叉耦合/间接耦合元件的波导滤波器1100的五极实施方案。
在示出的实施方案中，波导滤波器1100由三个分开的介电材料整块或块1101、1103和1105(即，两个基块1101和1103以及桥接块1105)制成，已将所述介电材料整块或块以一种关系耦合和堆叠在一起，其中基块1101和1103以端对端的关系进行定位，并且块1105坐落在基块1101和1103的末端和末端谐振器的上方并将它们进行桥接和互连，如下文中更详细描述的。
在示出的实施方案中是大体上平行六面体形的整块1101由合适的介电材料(例如像陶瓷)的实心细长块组成，并且包括相反的纵向水平表面或外部面1102a和1104a、相反的纵向侧面垂直表面或外部面1106a和1108a以及相反的横向侧面垂直端表面或外部端面或末端1110a和1112a。
在示出的实施方案中也是大体上平行六面体形的整块1103也由合适的介电材料(例如像陶瓷)的实心细长块组成，并且包括相反的纵向水平表面或外部面1102b和1104b、相反的纵向侧面垂直表面或外部面1106b和1108b以及相反的横向侧面垂直表面或外部端面或末端1110b和1112b。
在示出的实施方案中，整块1101和1103中的每一个具有相同的长度、宽度和高度，并且每一个分别地包括沿着相应的整块1101和1103的长度纵向地间隔并且水平地共面的一对谐振部分(也称为空腔或单元或谐振器或极)1114和1116和1120和1122。整块1101中的谐振器1114和1116通过垂直狭缝或狭槽1124a彼此分离，所述狭缝或狭槽1124a被切入垂直外表面1106a中，并且更具体地说，被切入整块1101的表面1102a、1104a以及1106a中。整块1103中的谐振器1120和1122通过整块1103中的垂直狭缝或狭槽1124b彼此分离，所述狭缝或狭槽1124b被切入垂直外表面1106b中，并且更具体地说，被切入整块1103的表面1102b、1104b以及1106b中。
整块1101中的狭缝1124a在整块1101上限定了介电材料通路或途径或桥1128，用于在谐振器1114与谐振器1116之间的RF信号的直接耦合和传输。类似地，整块1103中的狭缝1124b在整块1103上限定了介电材料通路或途径或桥1134，用于在谐振器1120与谐振器1122之间的RF信号的直接耦合和传输。
整块1101另外包括和限定了端部台阶1136a，所述端部台阶1136a在示出的实施方案中包括整块110的纵向表面1104a、相反侧表面1106a和1108a以及端表面或面1112a的大体上L形的凹陷的或开槽的或带台肩的或有凹口的区域或部分。
整块1103类似地另外包括和限定了端部台阶1136b，所述端部台阶1136b在示出的实施方案中包括整块1103的纵向表面1104b、相反侧表面1106b和1108b以及端表面或面1112b的大体上L形的凹陷的或开槽的或带台肩的或有凹口的区域或部分。
因此，在示出的实施方案中，相应的台阶1136a和1136b被限定在相应的整块1101和1103的相应的末端部分或区域1112a和1112b中并且由其所限定，所述末端部分或区域1112a和1112b具有小于相应的整块1101和1103的剩余部分的高度的高度。
在示出的实施方案中，相应的台阶1136a和1136b中的每一个包括限定在相应的整块1101和1103上的相应的末端谐振器1114和1122的大体上L形的凹陷的或有凹口的部分，所述部分包括：相应的第一大体上水平的表面1140a和1140b，所述表面1140a和1140b被从相应的整块1101和1103的表面1104a和1104b向内定位或向内指向、与其间隔、并且与其平行；以及相应的第二大体上垂直的表面或壁1142a和1142b，所述表面或壁1142a和1142b被从相应的整块1101和1103的相应的端面1112a和1112b向内定位或向内指向、与其间隔、并且与其平行。
此外，并且尽管本文未以任何细节示出或描述，应理解的是端部台阶1136a和1136b还可以由相应的整块1101和1103的向外延伸的末端部分或区域限定，所述末端部分或区域具有大于相应的整块1101和1103的剩余部分的高度的高度。
整块1101和1103此外每一个包括呈相应的通孔1146a和1146b形式的电RF信号输入/输出电极，所述通孔1146a和1146b延伸穿过相应的整块1101和1103的本体并且更具体地是延伸穿过相应的整块1101和1103的相应的台阶1136a和1136b，并且更加具体地说是延伸穿过在相应的台阶1136a和1136b的相应的表面1140a和1140b与相应的整块1101和1103的相应的表面1102a和1102b之间并且以大体上与它们垂直的关系限定在相应的整块1101和1103中的相应的末端谐振器1114和1122的本体。
更加具体地说，相应的输入/输出通孔1146a和1146b与相应的整块1101和1103的相应的横向端面1112a和1112b隔开并且与其大体上平行，并且限定了相应的大体上圆形的开口，所述开口分别被定位和终止在相应的台阶表面1140a和1140b与相应的整块表面1102a和1102b中。
相应的RF信号输入/输出通孔1146a和1146b还以大体上与相应的台阶壁或表面1142a和1142b隔开并且与其平行的关系位于和定位在相应的整块1101和1103的内部中并且延伸穿过所述内部。
因此，在示出的实施方案中，通孔1146a被定位在块1101的端面1112a与台阶表面1142a之间，并且通孔1146b被定位在块1103的端面1112b与台阶表面1142b之间。此外，在示出的实施方案中，台阶1136a和1136b终止在与相应的块1101和1103的相应的狭缝1124a和1124b隔开并且达不到其的点处。
整块1101的所有的外表面1102a、1104a、1106a、1108a、1110a和1112a，整块1101的限定了狭缝1124a的内表面，以及整块1101的限定了RF信号输入/输出通孔1146a的内表面除了在下文中更详细描述的区域之外覆盖有合适的导电材料，例如像银。
类似地，整块1103的所有的外表面1102b、1104b、1106b、1110b和1112b，整块1103的限定了狭缝1124b的内表面，以及整块1103的限定了RF信号输入/输出通孔1146b的内表面除了在下文中更详细描述的区域之外覆盖有合适的导电材料，例如像银。
整块1101和1103还包括从相应的开口向外突出的相应的RF信号输入/输出连接器1400a和1400b，所述开口由相应的通孔1146a和1146b限定在相应的表面1102a和1102b中。
在示出的实施方案中在形状上还是大体上矩形的、具有与基块1101和1103相同的宽度和高度，但是具有小于块1101和1103中的每一个的一半长度的长度的整块或桥接块1105由介电材料合适的实心块组成，例如像陶瓷，并且包括相反的纵向水平表面或外部面1102c和1104c、相反的纵向侧面垂直表面或外部面1106c和1108c以及相反的横向侧面垂直端表面或外部端面1110c和1112c。
整块1105限定了谐振部分1118(也称为空腔或单元或谐振器或极)。
分开的整块1101和1103以与其彼此相反定位的相应的端面或末端1110a和1110b端对端水平共线和共面的关系相对于彼此定位，并且在示出的实施方案中，以与彼此抵接和耦合/接合的相应的端面或末端1110a和1110b的一种关系相对于彼此定位；整块1101和1103的相应的水平纵向底部外表面1102a和1102b被以水平共面的关系来设置；相应的整块1101和1103的相应的水平纵向顶部外表面1104a和1104b被以水平共面的关系来设置；相应的整块1101和1103的相应的垂直纵向侧外表面1106a和1106b被以垂直共面的关系来设置；以及相应的整块1101和1103的相应的垂直纵向侧外表面1108a和1108b被以垂直共面的关系来设置。
整块1105以相对于块1101和1105的桥接或重叠或偏移或升高或堆叠的关系来相对于块1101和1103定位，其中，块1105的相反末端桥接或跨越相应的块1101和1103的末端或面1110a和1110b，并且更具体地说在示出的实施方案中，以一种关系桥接或跨越末端或面1110a和1110b，其中块1105的末端跨越块1101和1103的接合的末端，其中块1105的一个末端重叠和坐落在块1103的末端谐振器1120的部分上并且块1105的相反末端重叠和坐落在块1101的末端谐振器1116的部分上。因此，在示出的实施方案中，块1105的底部外表面1102c抵靠相应的整块1101和1103的相应的顶部表面1104a和1104b的相应的接合端部坐落。
因此，在示出的实施方案中，块1101和1103包括基块，所述基块当耦合在一起时限定了介电材料细长的平行六面体形的基块1500，所述基块1500限定了纵向轴线L并且包括相反的、间隔开的且平行的水平顶部和底部外部面1102(由相应的块1101和1103的外部面1102a和1102b所限定)和1104(由相应的块1101和1103的外部面1104a和1104b所限定)，并且其在纵向轴线L的方向上延伸；相反的、间隔开的且平行的垂直侧面外表面1106(由相应的块1101和1103的外部面1106a和1106b所限定)和1108(由外部面1108a和1108b所限定)，并且其在纵向轴线L的方向上延伸；相反的横向垂直侧面端面1112a和1112b(由相应的块1101和1103的外部端面1112a和1112b所限定)其在与纵向轴线L垂直且相交的方向上延伸；相反的端部台阶1136a和1136b(由相应的块1101和1103的端部台阶1136a和1136b所限定)；狭缝或狭槽1124a和1124b(由相应的块1101和1103的狭缝或狭槽1124a和1124b所限定)并且其以相对于彼此间隔开且平行的关系并且在垂直于纵向轴线L的方向和取向上沿着基块1500的长度延伸，其中狭缝1124a与端面1112a邻近且间隔定位，并且狭缝1124b与相反的端面1112b邻近且间隔定位；并且中心定位的导电材料的内部层1520(由覆盖相应的块1101和1103的相应的外部面1110a和1110b的导电材料层所限定)并且其在垂直于基块1500的纵向轴线L的方向上延伸。
介电材料基块1500、狭缝或狭槽1124a和1124b以及导电材料的中心内部层1520的组合在基块1500中限定了在纵向轴线L的方向上基本上共线延伸的多个谐振器1114、1116、1120和1122，并且其中谐振器1114和1116由其间的介电材料桥1128耦合，并且谐振器1120和1122由其间的介电材料桥1134耦合。桥1128和1134在垂直于纵向轴线L的方向上延伸。导电材料的中心内部层1520将基块1101的谐振器1114和1116与基块1103的谐振器1120和1122分开，并且位于相应的谐振器1114、1116、1120、1122与相应的狭缝或狭槽1124a和1124b之间且处于与它们平行的关系中。
在示出的实施方案中，桥或桥接块1105被以一种关系中心定位在基块1500上，其中桥接块1105将基块1103的谐振器1116桥接和互连到基块1101的谐振器。确切地说，在示出的实施方案中，桥接块1105以桥接或重叠的关系中心定位在基块1500的包括导电材料的内部层1520的部分的上方，其中块1105的第一半部分位于导电材料的内部层1520的一侧上并且抵靠基块1101的外表面1104a坐落，并且基块1105的另一个半部分位于导电材料的内部层1520的另一侧上并且抵靠基块1103的外表面1104b坐落。
此外，在示出的实施方案中，桥接块1105的垂直外部侧表面1106c与基块1500的垂直外部侧表面1106垂直地共面(即与相应的基块1101和1103的垂直外部侧表面1106a和1106b垂直地共面)，并且平台块1105的相反的垂直外部侧表面1108c与基块1500的垂直外部侧表面1108垂直地共面(即与相应的基块1101和1103的垂直外部侧表面1108a和1108b垂直地共面。
此外，在示出的实施方案中，桥接块1105在限定在基块1500中的相应的狭缝1124a和1124b之间且与其隔开地抵靠基块1500的顶部表面1104中心定位和坐落。
此外，在示出的实施方案中，外部传输线1700以与顶部表面1104上的桥接块1105相反的关系和位置坐落在基块1500的底部表面1102上(即坐落在相应的接合的基块1101和1103的相应的底部表面1102a和1102b上且在其间延伸)。
在示出的实施方案中，波导滤波器1100包括位于基块1500与桥接块1105之间的另一个导电材料内部层1560，并且更具体地说，是将包括基块1500的介电材料与包括桥接块1105的介电材料分开的导电材料内部层1560，并且更加具体地说是将相应的基块1101和1103的相应的谐振器1116和1120与桥接块1105的谐振器1118分开的导电材料内部层1560。
因此，在示出的实施方案中，并且借助于桥接块1105相对于基块1101和1103的偏移、升高以及重叠的位置和关系，桥接块1105和谐振器1118以及由桥接块1105所限定的极被以水平平面偏移来定位并且平行于基块1101和1103及谐振器1114、1116、1118和1120以及它们的极位于其中的水平平面。
现在将要描述用于在波导滤波器1100的谐振器1114、1116、1118、1120和1122之间提供直接电容耦合和间接电容交叉耦合的元件。
最初，波导滤波器1100包括用于在基块1101的谐振器1116与桥接块1105的谐振器1118之间提供直接电容RF信号耦合或传输的第一装置和用于在桥接块1105的谐振器1118与基块1103的谐振器1120之间提供直接电容RF信号耦合或传输的第二装置，其包括在波导滤波器1100的内部中的相应的内部窗口1560a和1560b，并且更具体地说，是在位于基块1500(接合的整块1101和1103)与桥接块1105之间的导电材料内部层1560中的相应的缺乏导电材料的区域1560a和1560b，即其中介电材料基块1500(介电材料接合的整块1101和1103)与介电材料桥接块1105相接触的介电材料区域。窗口1560a和1560b位于导电材料的内部层1520的相反侧上。
在示出的实施方案中，内在或内部窗口1560a和1560b在桥接块1105的相反的对角角落处位于波导滤波器1100的内部中，以最大化由桥接块1105所限定的RF信号穿过谐振器1118的路径的长度。在示出的实施方案中，内部窗口1560a和1560b在形状上都是大体上矩形的，并且具有相同的尺寸和面积；相对于彼此在相同的方向上延伸；并且在与和纵向轴线L平行且间隔相同的方向上延伸。
此外，应理解的是，相应的内部窗口1560a和1560b是由导电材料内部层中的覆盖相应的块1101、1103和1105的缺乏导电材料的相应的外表面1104a、1104b和1102c的相应的区域所限定的，并且所述区域当块1101、1103和1105被耦合在一起时分别与彼此对准以限定相应的内部窗口1560a和1560b。
波导滤波器1100此外包括用于在基块1101的谐振器1116与基块1103的谐振器1120之间提供RF信号的间接替代电容交叉耦合或传输的装置，所述装置呈外部RF信号传输带状线1700的形式，所述外部RF信号传输带状线1700包括抵靠基块1500的外表面1102的位于导电材料内部层1520的一侧上的部分(即，抵靠整块1101的外表面1102a)坐落的一个末端1700a，和抵靠基块1500的外表面1102的位于导电材料内部层1520的另一侧上的部分(即，抵靠整块1103的外表面1102b)坐落的相反末端1700b。尽管未示出，应理解的是传输线1700的每个末端包括位于传输线1700的每个相应末端下方的电容性垫和金属化通路。
根据本发明，如现在更详细地描述的，RF信号被通过波导滤波器1100传输。最初，并且其中连接器1400a是RF信号输入连接器，RF信号被最初传输到台阶1136a中并且直接穿过基块1500的谐振器1114(基块1101的台阶1136a和谐振器1114)；随后通过直接耦合路径d1直接进入基块1500中的谐振器1116(整块1101中的谐振器1116)中，所述直接耦合路径d1穿过限定在谐振器1114与1116之间的基块1500(基块1101)中的介电材料直接耦合RF信号桥1128；随后通过电容交叉耦合路径和直接电容耦合路径从谐振器1116进入基块1500中的谐振器1120中(从基块1101中的谐振器1116进入基块1103中的谐振器1120中)，所述电容交叉耦合路径大体上由图2中的箭头c来指定并且由外部传输线1700来限定，所述直接电容耦合路径大体上由图2中的箭头d2和d3来指定并且由窗口1560a和1560b以及桥接块1105来限定；随后通过由限定在两个谐振器1120和1122之间的介电材料桥所提供的直接耦合路径d4从谐振器1120进入基块1500中的谐振器1122和台阶1136b(基块1101中的谐振器1122和台阶1136b)中；并且随后通过输出连接器1400b退出。
因此，在示出的实施方案中，RF信号传输和耦合路径d2和d3在大体上垂直于耦合路径d1、c和d4的方向上定向和延伸。
图9中示出了波导滤波器1100的性能，其示出了由于波导滤波器1100的直接耦合与间接电容交叉耦合元件之间的交互而在通带以下产生的凹口。在示出的实施方案中，RF信号被直接传输通过波导滤波器1100的谐振器1114、1116、1118、1120和1122(即穿过基块1101的谐振器1114和1116、桥接块1105的谐振器1118和基块1103的谐振器1120和1122)，并且在波导滤波器1100的谐振器1116与1120(即基块1103的谐振器1120和1122)之间传输的替代RF信号在位于通带以下的预先确定的频率处相互抵消以产生改进滤波器抑制的凹口。
图3和图4描绘了根据本发明的波导滤波器2100的另一个实施方案，其中除了如以下另外所述，波导滤波器2100的大多数元件在结构和功能上等同于波导滤波器1100中的元件。因此，波导滤波器1100和2100的在结构和功能上等同的元件已通过图1、图2、图3和图4中的相同的数字来识别，并且因此关于图1和图2中示出的波导滤波器1100的这种元件的结构和功能的早前描述以关于图3和图4中示出的波导滤波器2100的引用的方式并入本文，除了如以下另外更详细讨论的。
具体地说，波导滤波器2100不同于波导滤波器1100，因为限定在基块1500中的狭缝1124a和1124b(即限定在基块1101中的狭缝1124a和限定在基块1103中的狭缝1124b)位于基块1500的相反侧1106和1108上(即相应的基块1101和1103的相反侧1106a和1108a上)而不是在与波导1100的狭缝1124a和1124b相同的侧1106上。
此外，在波导滤波器2100中，不存在外部传输线1700。相反，大体上由图4中的箭头c来指定的内部电感替代交叉耦合RF信号传输线或路径由基块1500的导电材料内部层1520(基块1101与1103之间的将它们相应的谐振器1116和1120分开的导电材料层1520)中的缺乏导电材料的内部窗口或区域1520a所限定，即其中介电材料整块1101与介电材料整块1103相接触的介电材料窗口或区域。
换句话说，应理解的是，内部窗口1520a是由导电材料内部层中的覆盖相应的块1101和1103的缺乏导电材料的相应的外表面1110a和1110b的相应的区域所限定的，并且所述区域当块1101和1103如上文所述端对端耦合在一起时分别与彼此对准。
因此，RF信号穿过波导滤波器2100的传输路径等同于RF信号穿过波导滤波器1100的传输路径，并且因此其早前描述以引用的方式并入本文，除了在基块1101的谐振器1116与基块1103的谐振器1120之间的RF信号的传输不仅仅是通过早前关于波导滤波器1100所描述的直接电容耦合装置(即内部窗口1560a和1560b)而发生的，但是还通过间接电感交叉耦合(通过限定在将基块1101和1103分开的导电材料内部层1520中的内部窗口2520a)而不是如波导滤波器1100中的通过外部传输线1700的间接电容交叉耦合而发生的。
图10中示出了波导滤波器2100的性能，其示出了由于波导滤波器2100的直接耦合与间接电感交叉耦合特征之间的交互而在通带以上产生的凹口和RF信号传输分路零点。在示出的实施方案中，RF信号被直接传输通过波导滤波器2100的谐振器1114、1116、1118、1120和1122(即穿过基块1101的谐振器1114和1116、桥接块1105的谐振器1108和基块1103的谐振器1120和1122)，并且在波导滤波器2100的谐振器1116与1120之间(即基块1101的谐振器1116与基块1103的谐振器1120之间)传输的替代RF信号在位于通带以上的预先确定的频率处相互抵消以产生改进滤波器抑制的凹口。
图5和图6示出了根据本发明的五极波导滤波器3100的再一个实施方案。
在示出的实施方案中，波导滤波器3100由两个分开的整块或块3101和3105(即基块3101和桥接块3105)制成，所述整块或块3101和3105已被耦合和堆叠在一起以形成波导滤波器3100，如下文更详细地描述的。
在示出的实施方案中是大体上平行六面体形的整块或基块3101由合适的介电材料(例如像陶瓷)的实心块组成，并且包括在纵向轴线L的方向上延伸的相反的纵向水平外表面3102和3104、在纵向轴线L的方向上延伸的相反的纵向侧面垂直外表面3106和3108以及在垂直于纵向轴线L的方向上延伸的相反的横向侧面垂直外部端表面或面3112a和3112b。
整块3101包括沿着整块3101的长度和纵向轴线L纵向地间隔的多个谐振部分(也称为空腔或单元或谐振器或极)3114、3116、3120和3122。谐振器3114和3116通过垂直狭缝或狭槽3124a彼此分离，所述狭缝或狭槽3124a被切入垂直外表面3106中，并且更具体地说，被切入整块3101的表面3102、3104和3106中。谐振器3116和3120通过垂直狭缝或狭槽3124b彼此分离，所述狭缝或狭槽3124b被切入垂直外表面3106中，并且更具体地说，被切入表面3102、3104和3106中。谐振器3120和3122通过垂直狭缝或狭槽3124c彼此分离，所述狭缝或狭槽3124c被切入垂直外表面3106中，并且更具体地说，被切入整块3101的表面3102、3104和3106中。
狭缝3124a在整块3101上限定了介电材料通路或途径或桥3128，用于在谐振器3114与谐振器3116之间的RF信号的直接耦合和传输。类似地，狭缝3124b在整块3101上限定了介电材料通路或途径或桥3134，用于在谐振器3116与谐振器3120之间的RF信号的直接耦合和传输，并且狭缝3124c在整块3101上限定了介电材料通路或途径或桥3135用于在谐振器3120与3122之间的RF信号的直接耦合和传输。
狭缝3124a、3124b和3124c以及相应的桥3128、3134和3135在垂直于基块3101的纵向轴线L的方向上延伸。狭缝3124a被邻近端部台阶3136a和端面3112a且与它们间隔地定位，狭缝3124c被邻近相反的端部台阶3136b和端面3112b且与它们间隔地定位，并且狭缝3124b被中心定位在狭缝3124a与3124c之间且与它们间隔开。
整块3101另外包括和限定了第一和第二相反端部台阶3136a，所述端部台阶3136a在示出的实施方案中包括整块3101的纵向表面3102的相应的大体上L形的凹陷的或开槽的或带台肩的或有凹口的端部区域或部分、相反侧表面3106和3108以及相应的侧面端表面3112a和3112b
换句话说，在示出的实施方案中，相应的端部台阶3136a和3136b被限定在整块3101的相应的相反的末端部分或区域中并且由其所限定，所述末端部分或区域具有小于整块3101的剩余部分的高度的高度。
还换句话说，在示出的实施方案中，相应的台阶3136a和3136b中的每一个包括相应的末端谐振器1114和1122的大体上L形的凹陷的或有凹口的部分，所述部分包括：相应的第一大体上水平的表面3140a和3140b，所述表面3140a和3140b被从整块3101的水平外表面3104向内定位或向内指向、与其间隔、并且与其平行；以及相应的第二大体上垂直的表面或壁3142a和3142b，所述表面或壁3142a和3142b被从整块3101的相应的侧面垂直外部端表面3112a和3112b向内定位或向内指向、与其间隔、并且与其平行。
此外，并且尽管本文未以任何细节示出或描述，应理解的是端部台阶3136a和3136b还可以由整块3101的相应的向外延伸的末端部分或区域所限定，所述末端部分或区域具有大于整块3101的剩余部分的高度的高度。
整块3101此外包括呈相应的通孔3146a和3146b形式的一对电RF信号输入/输出电极，所述通孔3146a和3146b延伸穿过整块3101的本体并且更具体地是延伸穿过其相应的台阶3136a和3136b，并且更加具体地说是延伸穿过相应的末端谐振器3114和3122的本体，所述相应的末端谐振器3114和3122在相应的台阶3136a和3136b的相应的表面3140a和3140b与整块3101的表面3102之间且以大体上垂直于它们的关系并且还在大体上垂直于基块3101的纵向轴线L的方向上限定在整块3101中。
更加具体地说，相应的输入/输出通孔3146a和3146b与整块3101的相应的横向侧面端表面3112a和3112b隔开并且与其大体上平行，并且限定了相应的大体上圆形的开口，所述开口被定位和终止在相应的台阶表面3140a和3140b与整块表面3102中。
因此，在示出的实施方案中，通孔3146a被定位在端面3112a与台阶表面3142a之间，并且通孔3146b被定位在端面3112b与台阶表面3142b之间。此外，在示出的实施方案中，台阶3136a和3136b终止在与相应的狭缝3124a和3124b隔开并且达不到其的点处。
相应的RF信号输入/输出通孔3146a和3146b还以大体上与相应的台阶壁或表面3142a和3142b隔开并且与其平行的关系位于和定位在整块3101的内部中并且延伸穿过所述内部。
整块3101的所有的外表面3102、3104、3106、3108、3112a和3112b，整块3101的限定了相应的狭缝或狭槽3124a、3124b和3124c的内表面，以及整块3101的限定了相应的RF信号输入/输出通孔3146a和3146b的内表面除了在下文中更详细描述的区域之外覆盖有合适的导电材料，例如像银。
整块3101还包括从相应的开口3147a和3147b向外突出的相应的RF信号输入/输出连接器3400a和3400b，所述开口3147a和3147b由相应的通孔3146a和3146b限定在表面3102中。
在示出的实施方案中在形状上是大体上矩形的桥接块3105具有与基块3101相同的宽度和高度，但是长度比基块3101的长度少四分之一，并且由合适的介电材料(例如像陶瓷)的实心块组成，其包括在纵向轴线L的方向上延伸的相反的纵向水平外表面3102c和3104c、在纵向轴线L的方向上延伸的相反的纵向侧面垂直外表面3106c和3108c以及在垂直于纵向轴线L的方向上延伸的相反的横向侧面垂直外部端表面3110c和3112c。
桥接块3105限定了谐振部分3118(也称为空腔或单元或谐振器或极)。
桥接块3105被以中心定位在基块3101上且覆盖中心狭缝3124b的关系耦合到和堆叠在基块3101的顶部上，并且更具体地说是以一种关系耦合到和堆叠在基块3101的顶部上，其中桥接块3015和由此限定的谐振器3118的第一半部分被以重叠和坐落在基块3101的谐振器3120的部分上的关系来定位，并且桥接块3105和由此限定的谐振器3118的第二半部分被以重叠和坐落在基块3101的谐振器3116的部分上的关系来定位。因此，在示出的实施方案中，桥接块3105的外表面3102c被耦合到基块3101的顶部表面3104并抵靠其坐落。
此外，在示出的实施方案中，桥接块3105被以一种关系耦合到基块3101，其中基块3105的垂直外部侧表面3106c与基块3101的垂直外部侧表面3106垂直地共面，并且桥接块3105的相反的垂直外部侧表面3108c与基块3101的垂直外部侧表面3108垂直地共面。
此外，在示出的实施方案中，桥接块3105被以一种关系和位置抵靠基块3101的顶部表面3104中心定位和坐落，其中桥接块3105位于狭缝3124a与3124c之间并与它们隔开，并且坐落在中心狭缝3124b与中心RF信号传输桥3134的上方。
在示出的实施方案中，波导滤波器3100包括位于基块3101与桥接块3105之间的导电材料内部层3560，并且更具体地说，是将包括基块3101的介电材料与包括桥接块3105的介电材料分开的导电材料内部层3560，并且更加具体地说是将桥接块3105的谐振器1118与基块3101的谐振器3116和3120分开的导电材料内部层3560。
现在将要更详细地描述用于在波导滤波器3100的谐振器3114、3116、3118、3120和3122之间提供直接电容耦合、电感直接耦合以及电感交叉耦合的元件。
最初，波导滤波器3100包括用于在基块3101的谐振器3116与桥接块3105的谐振器3118之间提供直接电容RF信号耦合或传输的第一装置和用于在桥接块3105的谐振器3118与基块3101的谐振器3120之间提供直接电感RF信号耦合或传输的第二装置，其包括相应的内部窗口3560a和3560b以及在波导滤波器3100的内部中的内部窗口3560c，并且更具体地说，是导电材料层3560中的缺乏导电材料的相应的区域3560a、3560b和3560c，即其中介电材料基块3101与介电材料桥接块3105相接触的介电材料区域。
此外，应理解的是，相应的内部窗口3560a、3560b和3560c是由导电材料内部层中的覆盖相应的块3101和3105的缺乏导电材料的相应的外表面3104和3102c的相应的区域所限定的，并且所述区域当桥接块3105在波导滤波器3100的装配期间被耦合到基块3101时分别地与彼此对准。
在示出的实施方案中，提供和限定了电容直接耦合RF信号传输路径的内部窗口3560a和3560b是：在形状上是大体上矩形的；被限定和定位在覆盖基块3101的谐振器3116的导电材料内部层3560的区域中；被定位在与基块3101的中心狭缝3124b相同的侧上并且与基块3101的中心狭缝3124b呈间隔且大体上垂直的关系；并且被定位在基块3101的纵向轴线L的相反侧上、且与其隔开、且与其大体上平行。因此，在示出的实施方案中，内部窗口3560a位于基块3101的外部纵向表面3106与纵向轴线L之间，并且与它们呈隔开且大体上平行的关系，并且内部窗口3560b位于基块3101的相反的纵向表面3108与纵向轴线L之间，并且与它们呈隔开且大体上平行的关系。
在示出的实施方案中，提供和限定了电感直接耦合RF信号传输路径的内部窗口3560c是：在形状上是大体上矩形的；被限定和定位在覆盖基块3101的谐振器3120的导电材料内部层3560的区域中；被定位在基块3101的中心狭缝3124b的相反侧上并且与基块3101的中心狭缝3124b呈间隔且大体上平行的关系；以与基块3101的纵向轴线L垂直且相交的关系来定位；并且在大体上垂直于内部窗口3560a和3560b的方向的方向上来定位。
根据本发明，如现在更详细地描述的，RF信号被通过波导滤波器3100传输。
最初，并且其中连接器3400a是RF信号输入连接器，RF信号被最初传输到台阶3136a中并且直接穿过基块3101的谐振器3114；随后通过直接耦合路径d1直接进入基块3101中的谐振器1116中并且穿过限定在谐振器3114与3116之间的基块3101中的介电材料直接耦合RF信号桥3128；随后通过和穿过由相应的内部RF信号传输窗口3560a和3560b所限定的所述对直接电容耦合路径d2从基块3101的谐振器3116进入桥接块3105的谐振器3118中，并且还通过电感交叉耦合路径c从基块的谐振器3316进入基块3101的谐振器3120中，所述电感交叉耦合路径c由在谐振器3116与3120之间限定在基块3101中的介电材料RF信号桥3134所限定；随后还通过和穿过由内部RF信号传输窗口3560c所限定的电感直接耦合路径d3从桥接块3105的谐振器3118并进入基块3101的谐振器3116中；随后通过直接耦合路径d4进入谐振器3114中并穿过在谐振器3120与3122之间限定在基块3101中的介电材料直接耦合RF信号桥3135；并且随后进入基块3101中的台阶1136b中；并且随后通过输出连接器1400b退出。
因此，在示出的实施方案中，并且借助于桥接块3105相对于基块3101的偏移、升高、桥接的关系，桥接块3105及其谐振器3118被以一种关系定位并且被定位在水平面中，所述水平面偏移且平行于其中基块3101及其谐振器3114、3116、3120和3122以及另外的RF信号传输和耦合路径d2和d3在大体上垂直于耦合路径d1、c和d4的方向上定向和延伸的水平面。
图9中示出了波导滤波器3100的性能，其示出了由于RF信号传输穿过如上文所述的基块3101、桥接块3105以及内部RF信号传输窗口3560a、3560b和3560c而在通带以下产生的凹口和RF信号传输分路零点。
图7和图8描绘了根据本发明的波导滤波器4100的另一个实施方案，其中除了如以下另外所述，波导滤波器4100的大多数元件在结构和功能上等同于波导滤波器4100的元件。因此，波导滤波器3100和4100的在结构和功能上等同的元件已通过图5、图6、图7和图8中的相同的数字来识别，并且因此关于图5和图6中示出的波导滤波器3100的这种元件的结构和功能的早前描述以关于图7和图8中示出的波导滤波器4100的引用的方式并入本文，除了如以下另外更详细讨论的。
具体地说，波导滤波器4100在结构上不同于波导滤波器3100仅仅是因为在基块3101的谐振器3116和3120与桥接块3105的谐振器3118之间的直接耦合是通过由一对内部大体上平行的窗口4560a和4560b(而不是如在波导滤波器3100中的三个内部窗口3560a、3560b和3560c)所限定的直接电感耦合路径d2和d3来提供的，所述窗口4560a和4560b已布置和定位在波导滤波器4100的内部中，如下文中更详细描述的。
更加具体地说，波导滤波器4100包括用于在基块3101的谐振器3116与桥接块3105的谐振器3118之间提供直接RF信号耦合或传输的第一装置和用于在桥接块3105的谐振器3118与基块3101的谐振器3120之间提供直接RF信号耦合或传输的第二装置，它们呈波导滤波器4100的内部中的相应的内部窗口4560a和4560b的形式，并且更具体地说，是在位于基块3101与桥接块3105之间的导电材料内部层中的相应的缺乏导电材料的区域4560a和4560b，即其中介电材料基块3101与介电材料桥接块3105相接触的介电材料区域。
此外，应理解的是，相应的内部窗口4560a和4560b是由导电材料内部层中的覆盖相应的块3101和3105的缺乏导电材料的相应的外表面3104和3102c的相应的区域所限定的，并且所述区域当桥接块3105在波导滤波器4100的装配期间被耦合到基块3101时分别地与彼此对准。
在示出的实施方案中，内部窗口4560a是：在形状上是大体上矩形的；被限定和定位在覆盖基块3101的谐振器3116的导电材料内部层3560的区域中；被定位在基块3101的中心狭缝3124b的一侧上并且与基块3101的中心狭缝3124b呈间隔且大体上平行的关系；并且以与基块3101的纵向轴线L大体上垂直且相交的关系来定位。
在示出的实施方案中，内部窗口4560b是：在形状上是大体上矩形的；被限定和定位在覆盖基块3101的谐振器3120的导电材料内部层3560的区域中；被定位在基块3101的中心狭缝3124b的另一侧上并且与基块3101的中心狭缝3124b呈间隔且大体上平行的关系；以与基块3101的纵向轴线L大体上垂直且相交的关系来定位；并且以与内部窗口4560a间隔且平行的关系来定位。
根据本发明，如现在更详细地描述的，RF信号被通过波导滤波器4100传输。
最初，并且其中连接器3400a是RF信号输入连接器，RF信号被最初传输到台阶3136a中并且直接穿过基块3101的谐振器3114；随后通过直接耦合路径d1直接进入基块3101中的谐振器1116中并且穿过限定在谐振器3114与3116之间的基块3101中的介电材料直接耦合RF信号桥3128；随后通过和穿过由内部RF信号传输窗口4560所限定的直接电感耦合路径d2从基块3101的谐振器3116进入桥接块3105的谐振器3118中，并且还通过电感交叉耦合路径c进入谐振器3120中，所述电感交叉耦合路径c由在谐振器3116与3120之间限定在基块3101中的介电材料RF信号桥3134所限定；随后还通过和穿过由内部RF信号传输窗口4560b所限定的直接电感耦合路径d3从桥接块3105的谐振器1118并进入基块3101的谐振器3116中；随后通过直接耦合路径d4进入谐振器3114中并穿过在谐振器3120与3122之间限定在基块3101中的介电材料直接耦合RF信号桥3135；并且随后进入基块3101中的台阶1136b中；并且随后通过输出连接器1400b退出。
图10中示出了波导滤波器4100的性能，其示出了由于RF信号传输穿过如上文所述的基块3101、桥接块3105以及内部RF信号传输窗口4560a和4560b而在通带以上产生的凹口和RF信号传输分路零点。
虽然通过具体参考所示实施方案教导本发明，但是应理解，本领域的普通技术人员将认识到可在形式和细节上做出改变而不背离本发明的精神和范围。所描述的实施方案应被认为在所有方面仅为说明性的而不是限制性的。
例如，应理解的是，本发明涵盖其他波导滤波器实施方案，其中例如：基块不包括台阶；基块包括另外的狭缝；桥接块包括狭缝；基块和/或桥接块具有不同的构型、形状、尺寸、长度、宽度或高度；波导滤波器包括另外的基块和/或桥接块；并且其中内部RF信号传输窗口的尺寸、构型、位置、取向以及数量取决于具体应用或所需性能而变化。

Claims (3)

1.一种适于传输RF信号的波导滤波器，包括：
第一单独的固态介电材料基块，所述第一单独的固态介电材料基块覆盖有第一导电材料层并且限定第一谐振器和用于传输所述RF信号的第一路径；
第二单独的固态介电材料基块，所述第二单独的固态介电材料基块覆盖有第二导电材料层并且限定第二谐振器和用于传输所述RF信号的第二路径；
所述第一单独的固态介电材料基块和所述第二单独的固态介电材料基块以端对端的关系定位，其相应的端部表面彼此抵接；
单独的固态介电材料桥接块，所述单独的固态介电材料桥接块覆盖有第三导电材料层并且限定第三谐振器和用于传输所述RF信号的第三路径，所述第一单独的固态介电材料基块和所述第二单独的固态介电材料基块以及所述单独的固态介电材料桥接块沿着其相应的外表面以抵接关系耦合至彼此，其中所述单独的固态介电材料桥接块桥接所述第一单独的固态介电材料基块和所述第二单独的固态介电材料基块的彼此抵接的相应的端部表面并在所述第一单独的固态介电材料基块和所述单独的固态介电材料桥接块以及所述第二单独的固态介电材料基块和所述单独的固态介电材料桥接块之间限定第一内部导电材料层；
第一内部RF信号传输窗口，所述第一内部RF信号传输窗口限定在所述第一单独的固态介电材料基块与所述单独的固态介电材料桥接块之间的所述第一内部导电材料层的第一区域中，并且在所述第一单独的固态介电材料基块与所述单独的固态介电材料桥接块之间限定用于传输所述RF信号的第四路径；
第二内部RF信号传输窗口，所述第二内部RF信号传输窗口限定在所述第二单独的固态介电材料基块与所述单独的固态介电材料桥接块之间的所述第一内部导电材料层的第二区域中，并且在所述第二单独的固态介电材料基块与所述单独的固态介电材料桥接块之间限定用于传输所述RF信号的第五路径；以及
其中，用于传输所述RF信号的所述第四路径和所述第五路径垂直于用于传输所述RF信号的所述第一路径、所述第二路径和所述第三路径。
2.一种适于传输RF信号的波导滤波器，包括：
第一单独的固态介电材料基块，所述第一单独的固态介电材料基块覆盖有第一导电材料层并且限定由形成在所述第一固态介电材料基块中的第一狭缝分离的至少一对第一谐振器和用于传输所述RF信号的第一路径；
第二单独的固态介电材料基块，所述第二单独的固态介电材料基块覆盖有第二导电材料层并且限定由形成在所述第二固态介电材料基块中的第二狭缝分离的至少一对第二谐振器和用于传输所述RF信号的第二路径；
所述第一单独的固态介电材料基块和所述第二单独的固态介电材料基块以端对端的关系定位，其相应的端部表面彼此抵接；
单独的固态介电材料桥接块，所述单独的固态介电材料桥接块覆盖有第三导电材料层并且限定至少第三谐振器，所述第一单独的固态介电材料基块和所述第二单独的固态介电材料基块以及所述单独的固态介电材料桥接块沿着其相应的外表面以抵接关系耦合至彼此，其中所述单独的固态介电材料桥接块桥接所述第一单独的固态介电材料基块和所述第二单独的固态介电材料基块的彼此抵接的相应的端部表面并在所述第一单独的固态介电材料基块和所述单独的固态介电材料桥接块以及所述第二单独的固态介电材料基块和所述单独的固态介电材料桥接块之间限定第一内部导电材料层；
第一内部RF信号传输窗口，所述第一内部RF信号传输窗口限定在所述第一单独的固态介电材料基块与所述单独的固态介电材料桥接块之间的所述第一内部导电材料层的第一区域中，并且在与所述第一路径和所述第二路径垂直的方向上在所述第一谐振器的对中的一个与所述至少第三谐振器之间限定用于传输所述RF信号的第三路径；以及
第二内部RF信号传输窗口，所述第二内部RF信号传输窗口限定在所述第二单独的固态介电材料基块与所述单独的固态介电材料桥接块之间的所述第一内部导电材料层的第二区域中，并且在与所述第一路径和所述第二路径垂直的方向上在所述至少第三谐振器与所述第二谐振器的对中的一个之间限定用于传输所述RF信号的第四路径。
3.一种适于传输RF信号的波导滤波器，包括：
第一介电材料基块，所述第一介电材料基块覆盖有第一导电材料层并且限定至少第一谐振器和用于传输所述RF信号的第一路径；
第二介电材料基块，所述第二介电材料基块覆盖有第二导电材料层并且限定至少第二谐振器和用于传输所述RF信号的第二路径；
所述第一介电材料基块和所述第二介电材料基块是以端对端的关系定位的单独的固态介电材料块，其相应的端部表面彼此抵接；
第三介电材料桥接块，所述第三介电材料桥接块覆盖有第三导电材料层并且限定至少第三谐振器和用于传输所述RF信号的第三路径，所述第三介电材料桥接块耦合到并桥接所述第一介电材料基块和所述第二介电材料基块的彼此抵接的相应的端部表面；
第一内部RF信号传输窗口，所述第一内部RF信号传输窗口限定在所述第一介电材料基块与所述第三介电材料桥接块之间，并且在与所述第一路径和所述第二路径垂直的方向上在所述第一介电材料基块与所述第三介电材料桥接块之间限定用于传输所述RF信号的第四路径；
第二内部RF信号传输窗口，所述第二内部RF信号传输窗口限定在所述第一介电材料基块与所述第三介电材料桥接块之间，并且在与所述第一路径、所述第二路径和所述第三路径垂直的方向上在所述第一介电材料基块与所述第三介电材料桥接块之间限定用于传输所述RF信号的第五路径；以及
第三内部RF信号传输窗口，所述第三内部RF信号传输窗口限定在所述第二介电材料基块与所述第三介电材料桥接块之间，并且在与所述第一路径、所述第二路径和所述第三路径垂直的方向上在所述第二介电材料基块与所述第三介电材料桥接块之间限定用于传输所述RF信号的第六路径。
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