CN105609568B - 结型场效应晶体管 - Google Patents
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- INQLNSVYIFCUML-QZTLEVGFSA-N [[(2r,3s,4r,5r)-5-(6-aminopurin-9-yl)-3,4-dihydroxyoxolan-2-yl]methoxy-hydroxyphosphoryl] [(2r,3s,4r,5r)-5-(4-carbamoyl-1,3-thiazol-2-yl)-3,4-dihydroxyoxolan-2-yl]methyl hydrogen phosphate Chemical compound NC(=O)C1=CSC([C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](COP(O)(=O)OP(O)(=O)OC[C@@H]3[C@H]([C@@H](O)[C@@H](O3)N3C4=NC=NC(N)=C4N=C3)O)O2)O)=N1 INQLNSVYIFCUML-QZTLEVGFSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 238000013139 quantization Methods 0.000 description 1
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
- H01L29/808—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier with a PN junction gate, e.g. PN homojunction gate
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种结型场效应晶体管,其栅极下方有一个以上与沟道导电类型相反的阱埋层。本发明通过在结型场效应晶体管的结构中加入阱埋层,将JFET栅下的沟道分为上下几个部分,由于最上端的沟道宽度远小于最下端的沟道宽度,沟道电流经过栅下面时几乎全部分流到最下端沟道,而连接栅极的最上端沟道几乎没有电流,也就没有碰撞电离,没有多子漂移,从而大幅降低了栅极漏电流。
Description
技术领域
本发明涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种结型场效应晶体管。
背景技术
结型场效应晶体管(JFET)是采用PN结作为器件的栅控制沟道的开通和截止,当栅上加PN结负偏压,PN结两边耗尽,当沟道被完全耗尽,器件处于沟道夹断状态,器件截止。反之,器件导通。
超高压结型场效应晶体管需要漏端能承受高压,通常利用高压LDMOS的漂移区作为JFET的漂移区承受高压,高压LDMOS的沟道作为JFET的栅,这样既能制作出超高压JFET,又能与高压LDMOS共享光刻版,节约工艺成本。
JFET在导通工作时,沟道有大电流流过,且在沟道区发生碰撞电离,产生大量的电子-空穴对。而在栅与沟道的PN结中存在较高电场,可使得沟道中的多子越过PN结势垒,进入栅,形成栅漏电流。以N型JFET为例,沟道的载流子在由漏端指向源端的横向电场作用下,发生碰撞电离,产生电子-空穴对;沟道的电位高于栅电位,存在由沟道指向栅极的纵向电场,空穴在该电场的作用下漂移到栅极,形成栅极漏电流,如图1、2所示。P型JFET栅极漏电原理与N型JFET一致。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种结型场效应晶体管,它具有高击穿电压和超低栅漏电。
为解决上述技术问题,本发明的结型场效应晶体管,其栅极下方有一个以上与沟道导电类型相反的阱埋层。
较佳的,所述阱埋层位于所述栅极的正下方。
较佳的,所述阱埋层的横向尺寸大于所述栅极的横向尺寸。
较佳的,所述阱埋层下面的沟道区宽度大于阱埋层和栅极之间的沟道区宽度。
本发明通过在结型场效应晶体管的结构中加入阱埋层,将JFET栅下的沟道分为上下几个部分,由于最上端的沟道宽度远小于最下端的沟道宽度,沟道电流经过栅下面时几乎全部分流到最下端沟道,而连接栅极的最上端沟道几乎没有电流,也就没有碰撞电离,没有多子漂移,从而大幅降低了栅极漏电流。
附图说明
图1是N型JFET结构及栅极漏电原理示意图。
图2是TCAD模拟的传统JFET器件电流流向图。
图3是本发明的一种JFET结构示意图。
图4是TCAD模拟的图3的JFET器件电流流向图。
图5是本发明的另一种JFET结构示意图。
具体实施方式
为对本发明的技术内容、特点与功效有更具体的了解,现结合附图,对本发明详述如下:
本实施例的N型结型场效应晶体管,其结构如图3所示,基本结构与传统JFET相同,仍然与超高压LDMOS共用漂移区,以LDMOS的沟道为JFET的栅极,漂移区为经过推阱的深N阱,栅极为P阱(如为P型JFET,则漂移区为经过推阱的深P阱,栅极为N阱)。与传统JFET不同的是,本实施例对栅极离子注入掺杂采用了低能量化,硼的注入能量不高于100KeV(对于P型JFET,磷的注入能量不高于400KeV),以降低栅极与沟道的结深,并在栅极以下的沟道区,制作了一个阱埋层,该阱埋层位于JFET栅极正下方,紧邻栅极但与栅极断开,阱埋层的横向尺寸大于JFET栅极,掺杂类型与栅极相同,与沟道相反(在其他实施例中,也可以制作多个阱埋层,紧邻栅极下方,一字逐个排列,但要求阱埋层下面的沟道区宽度要大于阱埋层和栅极之间的沟道区宽度,如图5所示)。
本实施例的阱埋层通过高能量的离子注入,硼的注入能量为1000KeV以上(对于P型JFET,磷的注入能量为2000KeV以上)及快速热退火(退火温度不高于900℃,时间30秒以内)形成(在其他实施例中,如有多个阱埋层,则通过不同能量的离子注入形成)。阱埋层不能采用炉管退火,而是通过快速热退火处理,以控制其扩散。离子注入的剂量以在深N阱中形成完整的阱埋层为准。
本发明通过在结型场效应晶体管的结构中加入阱埋层,将JFET栅下的沟道分为上下几个部分,由于最上端的沟道宽度远小于最下端的沟道宽度,沟道电流经过栅下面时几乎全部分流到最下端沟道,而连接栅极的最上端沟道几乎没有电流,也就没有碰撞电离,没有多子漂移,也就没有栅漏电流。
Claims (3)
1.结型场效应晶体管,其特征在于,该结型场效应晶体管的栅极下方有一个以上与沟道导电类型相反的阱埋层;
所述阱埋层位于所述沟道区中,所述阱埋层将所述栅极下方的所述沟道区分成上下几个部分,最后一个所述阱埋层下面的所述沟道区的最下端沟道的宽度大于第一个所述阱埋层和所述栅极之间的所述沟道区的对应的最上端沟道的宽度,所述最下端沟道的宽度大于所述最上端沟道的宽度的结构使得沟道电流向全部从所述最下端沟道中通过趋近以及使通过所述最上端沟道的电流的大小趋于0,从而降低栅极漏电流。
2.根据权利要求1所述的结型场效应晶体管,其特征在于,所述阱埋层位于所述栅极的正下方。
3.根据权利要求1所述的结型场效应晶体管,其特征在于,所述阱埋层的横向尺寸大于等于所述栅极的横向尺寸。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610086760.8A CN105609568B (zh) | 2016-02-16 | 2016-02-16 | 结型场效应晶体管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610086760.8A CN105609568B (zh) | 2016-02-16 | 2016-02-16 | 结型场效应晶体管 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105609568A CN105609568A (zh) | 2016-05-25 |
CN105609568B true CN105609568B (zh) | 2018-10-26 |
Family
ID=55989335
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610086760.8A Active CN105609568B (zh) | 2016-02-16 | 2016-02-16 | 结型场效应晶体管 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105609568B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111128727B (zh) * | 2019-12-10 | 2023-08-18 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | Jfet器件的制造方法、jfet器件及其版图结构 |
CN113097309A (zh) * | 2021-03-31 | 2021-07-09 | 上海晶丰明源半导体股份有限公司 | 结型场效应晶体管及半导体器件 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005252083A (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Nikon Corp | 接合型電界効果トランジスタ、及び固体撮像装置 |
CN104518008B (zh) * | 2013-09-29 | 2017-12-22 | 北大方正集团有限公司 | 一种结型场效应管 |
US9460926B2 (en) * | 2014-06-30 | 2016-10-04 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | Forming JFET and LDMOS transistor in monolithic power integrated circuit using deep diffusion regions |
-
2016
- 2016-02-16 CN CN201610086760.8A patent/CN105609568B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105609568A (zh) | 2016-05-25 |
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---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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