CN105551805B - 中高压铝电解电容器用电极箔的中处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种中高压铝电解电容器用电极箔的中处理方法，包括前处理、一级腐蚀、中处理、二级腐蚀、后处理、烘干腐蚀箔步骤。所描述的中处理包含水洗、烘干、超声波洗、和化学清洗。所述的中处理是将一级腐蚀处理过的铝箔经过自来水水洗，再通过150～350℃烘箱烘干后，在温度为10～50℃的自来水中使用超声波，频率为1～50KHZ、功率为0.5～5KW超声处理10～50秒，最后在2～6wt%的盐酸溶液中化洗40～120秒。本发明的优点：采用此发明中处理烘干和清洗后的阳极腐蚀箔与原有工艺相比减薄下降2～4μm，静电容量11点横向偏差下降15～30%。

Description

中高压铝电解电容器用电极箔的中处理方法
技术领域
本发明涉及电容器用电极箔的制造方法，尤其适用于中高压铝电解电容器用电极箔的制造方法。
背景技术
在此之前，中高压铝电解电容器用电极箔的制造方法是这样的：取纯度为99.99%的铝箔，在25～45%的硫酸和4～10%盐酸的水溶液或者4～8%的氢氧化钠水溶液，30～90℃的条件下浸渍60～180秒，取出后置于25～45%的硫酸和4～10%盐酸的水溶液中，在60～90℃、电流密度为0.15～0.70A/（cm）2的条件下，一级腐蚀80～150秒；取出后经过自来水水洗，再在2～6wt%的硝酸溶液中化洗40～120秒。取出后在7～12%硝酸和0.1～0.5%磷酸的水溶液，在55～75℃、电流密度为0.08～0.20 A/（cm）2的条件下，二级腐蚀500～1200秒，最后化洗、水洗、取出烘干。这种电极箔制造方法，减薄率高，静电容量11点横向偏差大。
发明内容
本发明的目的在于克服上述不足之处而提供中高压铝电解电容器用电极箔的中处理方法，减薄率低，静电容量11点横向偏差小。
本发明的目的通过以下技术方案来实现：中高压铝电解电容器用电极箔的中处理方法，步骤如下：
A、前处理：取纯度为99.99%的铝箔，在25～45%的硫酸和4～10%盐酸的水溶液或者4～8%的氢氧化钠水溶液，30～90℃的条件下浸渍60～180秒；
B、一级腐蚀：取出后置于25～45%的硫酸和4～10%盐酸的水溶液中，在60～90℃、电流密度为0.15～0.70A/（cm）2的条件下，一级腐蚀80～150秒；
C、中处理：取出后经过自来水水洗，再通过150～350℃烘箱烘干后，在温度为10～50℃的自来水中使用超声波，频率为1～50KHZ、功率为0.5～5KW超声处理10～50秒，再在2～6wt%的硝酸溶液中化洗40～120秒；
D、二级腐蚀：取出后在7～12%硝酸和0.1～0.5%磷酸的水溶液，在55～75℃、电流密度为0.08～0.20 A/（cm）2的条件下，二级腐蚀500～1200秒；
E、后处理：取出后经过自来水水洗，在2～6wt%的硝酸溶液中，在30～55℃的条件下，化洗60～300秒；
F、烘干腐蚀箔：取出后经过纯水水洗后，在250～480℃的条件下，烘干。
综上所述，本发明具有以下优点：采用此发明发孔后的铝箔在一定高温条件下会在表面形成多层、耐压的氧化铝，有效阻止了扩孔时减薄率和并孔率，有效提高了比表面积；特殊频率超声波的清洗，有效清理了蚀孔中残余的铝粉和其他金属杂质，降低、平衡了蚀孔的电势能，降低了产品的横向偏差。
具体实施方式
为了加深对本发明的理解，下面将结合实施例对本发明作进一步详述，该实施例仅用于解释本发明，并不构成对本发明保护范围的限定。
实施例1，中高压铝电解电容器用电极箔的中处理方法：取纯度为99.99%的铝箔，在25%的硫酸和4%盐酸的水溶液，在65℃的条件下浸渍90秒，取出后置于25%的硫酸和4%盐酸的水溶液中，在74℃、电流密度为0.2A/（cm）2的条件下，一级腐蚀150秒；取出后经过自来水水洗，再通过350℃烘箱烘干后，在温度为23℃的自来水中使用超声波，频率为50KHZ、功率为5KW超声处理10秒，再在6wt%的硝酸溶液中化洗40秒。取出后在9%硝酸和0.5%磷酸的水溶液，在65℃、电流密度为0.10 A/（cm）2的条件下，二级腐蚀1000秒；取出后经过自来水水洗，在2～6wt%的硝酸溶液中，在30～55℃的条件下，化洗180秒；取出后经过纯水水洗后，在300℃的条件下，烘干。
实施例2，中高压铝电解电容器用电极箔的中处理方法：取纯度为99.99%的铝箔，在25%的硫酸和4%盐酸的水溶液，在65℃的条件下浸渍90秒，取出后置于25%的硫酸和4%盐酸的水溶液中，在74℃、电流密度为0.2A/（cm）2的条件下，一级腐蚀150秒；取出后经过自来水水洗，再通过350℃烘箱烘干后，在温度为23℃的自来水中使用超声波，频率为50KHZ、功率为5KW超声处理30秒，再在6wt%的硝酸溶液中化洗40秒。取出后在9%硝酸和0.5%磷酸的水溶液，在65℃、电流密度为0.10 A/（cm）2的条件下，二级腐蚀1000秒；取出后经过自来水水洗，在2～6wt%的硝酸溶液中，在30～55℃的条件下，化洗180秒；取出后经过纯水水洗后，在300℃的条件下，烘干。
实施例3，中高压铝电解电容器用电极箔的中处理方法：取纯度为99.99%的铝箔，在25%的硫酸和4%盐酸的水溶液，在65℃的条件下浸渍90秒，取出后置于25%的硫酸和4%盐酸的水溶液中，在74℃、电流密度为0.2A/（cm）2的条件下，一级腐蚀150秒；取出后经过自来水水洗，再通过350℃烘箱烘干后，在温度为23℃的自来水中使用超声波，频率为50KHZ、功率为5KW超声处理50秒，再在6wt%的硝酸溶液中化洗40秒。取出后在9%硝酸和0.5%磷酸的水溶液，在65℃、电流密度为0.10 A/（cm）2的条件下，二级腐蚀1000秒；取出后经过自来水水洗，在2～6wt%的硝酸溶液中，在30～55℃的条件下，化洗180秒；取出后经过纯水水洗后，在300℃的条件下，烘干。
实施例4，中高压铝电解电容器用电极箔的中处理方法：取纯度为99.99%的铝箔，在25%的硫酸和4%盐酸的水溶液，在65℃的条件下浸渍90秒，取出后置于25%的硫酸和4%盐酸的水溶液中，在74℃、电流密度为0.2A/（cm）2的条件下，一级腐蚀150秒；取出后经过自来水水洗，再通过280℃烘箱烘干后，在温度为23℃的自来水中使用超声波，频率为50KHZ、功率为5KW超声处理30秒，再在2wt%的硝酸溶液中化洗120秒。取出后在9%硝酸和0.5%磷酸的水溶液，在65℃、电流密度为0.10 A/（cm）2的条件下，二级腐蚀1000秒；取出后经过自来水水洗，在2～6wt%的硝酸溶液中，在30～55℃的条件下，化洗180秒；取出后经过纯水水洗后，在300℃的条件下，烘干。
实施例5，中高压铝电解电容器用电极箔的中处理方法：取纯度为99.99%的铝箔，在25%的硫酸和4%盐酸的水溶液，在65℃的条件下浸渍90秒，取出后置于25%的硫酸和4%盐酸的水溶液中，在74℃、电流密度为0.2A/（cm）2的条件下，一级腐蚀150秒；取出后经过自来水水洗，再通过200℃烘箱烘干后，在温度为23℃的自来水中使用超声波，频率为50KHZ、功率为5KW超声处理50秒，再在2wt%的硝酸溶液中化洗120秒。取出后在9%硝酸和0.5%磷酸的水溶液，在65℃、电流密度为0.10 A/（cm）2的条件下，二级腐蚀1000秒；取出后经过自来水水洗，在2～6wt%的硝酸溶液中，在30～55℃的条件下，化洗180秒；取出后经过纯水水洗后，在300℃的条件下，烘干。
本发明技术与已有技术所制成的电极箔的性能对比表：
减薄厚度（原光箔厚度-腐蚀箔厚度）/μm 11点偏差
已有技术 10 5.29～9.82
本发明技术 8 2.01～3.85

Claims (1)

1.中高压铝电解电容器用电极箔的中处理方法，其特征在于：步骤如下：
A、前处理：取纯度为99.99%的铝箔，在25～45%的硫酸和4～10%盐酸的水溶液或者4～8%的氢氧化钠水溶液，30～90℃的条件下浸渍60～180秒；
B、一级腐蚀：取出后置于25～45%的硫酸和4～10%盐酸的水溶液中，在60～90℃、电流密度为0.15～0.70A/（cm）2的条件下，一级腐蚀80～150秒；
C、中处理：取出后经过自来水水洗，再通过150～350℃烘箱烘干后，在温度为10～50℃的自来水中使用超声波，频率为1～50KHZ、功率为0.5～5KW超声处理10～50秒，再在2～6wt%的硝酸溶液中化洗40～120秒；
D、二级腐蚀：取出后在7～12%硝酸和0.1～0.5%磷酸的水溶液，在55～75℃、电流密度为0.08～0.20 A/（cm）2的条件下，二级腐蚀500～1200秒；
E、后处理：取出后经过自来水水洗，在2～6wt%的硝酸溶液中，在30～55℃的条件下，化洗60～300秒；
F、烘干腐蚀箔：取出后经过纯水水洗后，在250～480℃的条件下，烘干。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106098380B (zh) * 2016-05-26 2019-02-22 乳源县立东电子科技有限公司 高压阳极箔二级扩孔的孔形控制方法
CN105826079B (zh) * 2016-05-31 2018-02-06 南通海星电子股份有限公司 一种中高压铝电解电容器用电极箔的扩孔工艺
CN107502948A (zh) * 2017-07-15 2017-12-22 江苏国瑞科技有限公司 一种新型腐蚀箔扩孔技术
CN107253777B (zh) * 2017-07-27 2020-12-29 周口师范学院 一种电极箔腐蚀废液回收工艺
CN107658135A (zh) * 2017-11-06 2018-02-02 南通海星电子股份有限公司 一种提高铝电解电容器用电极箔发孔密度的预处理方法
CN108004547A (zh) * 2017-11-20 2018-05-08 湖北富奕达电子科技有限公司 一种铝电解电容器负极用铝箔腐蚀新工艺
CN108456916B (zh) * 2017-12-29 2020-07-14 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司 一种中高压电子铝箔的腐蚀方法
CN108396367B (zh) * 2018-05-31 2020-09-22 南通海星电子股份有限公司 一种铝电解电容器用中高压腐蚀箔的制造方法
CN109518188A (zh) * 2018-12-17 2019-03-26 江苏立富电极箔有限公司 一种腐蚀箔后处理工艺
CN113026087B (zh) * 2021-04-29 2021-08-10 南通海星电子股份有限公司 一种汽车电子用纳微孔结构铝电极箔制备方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3537127B2 (ja) * 1999-03-12 2004-06-14 住友軽金属工業株式会社 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔
JP2009135343A (ja) * 2007-11-30 2009-06-18 Nichicon Corp 電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法
CN101483102B (zh) * 2009-01-08 2011-03-02 横店集团东磁有限公司 中高压铝电解电容器用阳极铝箔腐蚀方法
CN101740227A (zh) * 2009-12-28 2010-06-16 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司 一种铝电解电容器用阳极铝箔后处理方法
CN103187176B (zh) * 2013-03-22 2015-12-02 常州大学 一种电解电容器阳极铝箔的腐蚀工艺
CN105200509B (zh) * 2015-09-01 2018-04-10 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司 一种电子储能材料的清洗方法

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