CN105407646A - 一种改善阶梯槽残铜的工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明属于线路板加工领域，具体涉及一种改善阶梯槽残铜的工艺。所述工艺包括：外层图形处理和外层蚀刻处理；所述外层图形处理中，对线路板的单边预大补偿宽度为50um；所述外层蚀刻处理中，蚀刻速度为3.0m/min。本发明所述工艺利用不同蚀刻速度造成不同侧蚀量的原理。通过调整外层图形线路补偿，降低蚀刻速度，增大侧蚀量的方法，减小阶梯槽底残铜宽度，同时保证外层线路合格。有效改善阶梯槽底残铜宽度偏大的问题，提升产品合格率，具有极大的市场前景和经济价值。

Description

一种改善阶梯槽残铜的工艺
技术领域
本发明属于线路板加工领域，具体涉及一种改善阶梯槽残铜的工艺。
背景技术
PCB产品PTH阶梯槽制作过程中，因阶梯槽加工设备精度能力问题，槽底残铜无法达成预期效果，本方法可通过蚀刻流程侧蚀的影响调整槽壁残铜的宽度，达到客户标准。
现有技术制作过中，阶梯槽槽底残铜由阶梯槽加工设备精度来决定，正常能力为≤100um，无法达到客户以残铜≤50um的要求。控制第二次锣阶梯槽内缩值，使两次锣阶梯槽之间残铜尽可能小；增大激光钻孔能量，将阶梯槽内树脂全部移除，保证槽内残铜无蚀刻残留。此种方式易造成第二次锣阶梯槽生产过程中铣刀刮伤侧壁铜层，解决问题的同时造成另外的品质异常。
发明内容
为此，本发明所要解决的技术问题在于克服现有技术中的技术瓶颈，从而提出一种的改善阶梯槽残铜、避免铣刀刮伤侧壁铜层、改善阶梯槽槽底残铜宽度偏大、提升产品合格率的新的工艺。
为解决上述技术问题，本发明公开了一种改善阶梯槽残铜的工艺，所述工艺包括：外层图形处理和外层蚀刻处理；所述外层图形处理中，对线路板的单边预大补偿宽度为50um；所述外层蚀刻处理中，蚀刻速度为3.0m/min。
优选的，所述的改善阶梯槽残铜的工艺，其中，所述外层图形处理前还包括:开料、内层图形制作、压合、外层钻孔、第一次成型锣阶梯槽、沉铜、全板电镀。
优选的，所述的改善阶梯槽残铜的工艺，其中，所述内层图形之后，压合之前还包括内层AOI处理。
优选的，所述的改善阶梯槽残铜的工艺，其中，所述外层图形处理和外层蚀刻处理之间还包括：图形电镀、第二次成型锣阶梯、激光烧pp胶、等离子除胶。
优选的，所述的改善阶梯槽残铜的工艺，其中，所述外层蚀刻处理之后还包括：丝印阻焊、字符、沉镍金、成锣处理。
优选的，所述的改善阶梯槽残铜的工艺，其中，所述丝印阻焊之前还包括外层AOI处理。
优选的，所述的改善阶梯槽残铜的工艺，其中，所述全板电镀的厚度为7-12um。
更为优选的，所述的改善阶梯槽残铜的工艺，其中，所述丝印阻焊中所用到的曝光尺为9-13格。
本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：利用不同蚀刻速度造成不同侧蚀量的原理。通过调整外层图形线路补偿，降低蚀刻速度，增大侧蚀量的方法，减小阶梯槽底残铜宽度，同时保证外层线路合格。有效改善阶梯槽底残铜宽度偏大的问题，提升产品合格率。
具体实施方式
实施例1本实施例公开了一种改善阶梯槽残铜的工艺，其中，所述工艺包括如下步骤：
1、按拼板尺寸开出芯板，完成开料处理；
2、以6格曝光尺完成内层线路曝光，显影后更具内层铜不同厚度调整蚀刻，蚀刻出内层线路图形；
3、检查内层的开短路等缺陷并作出修正；
4、进行压合处理；
5、利用钻孔资料进行外层钻孔处理；
6、完成第一次成型锣阶梯槽；
7、外层沉铜处理，其中背光测试为9.5级；
8、全板电镀处理，电镀厚度控制在7-12um范围；
9、外层图形，其中单边补偿预大尺寸为50um；
10、图形电镀处理；
11、进行第二次成型锣阶梯槽，在第一次锣阶梯槽基础上单边内缩75um；
12、激光烧树脂处理，其中采用不烧铜激光烧蚀阶梯槽内树脂，预留0.1mm树脂层全部移除。
13、等离子除胶处理，使用plasma除去激光树脂残留的碳化及残留胶渣，保证铜面洁净；
14、外层蚀刻处理，其中蚀刻速度为3.0m/min，通过加大侧蚀量移除阶梯槽底残铜，减小残铜宽度，同时将外层图形线宽预大量蚀刻掉；
15、检查外层的开短路等缺陷并作出修正；
16、丝印阻焊处理，采用曝光尺控制在9-13格进行曝光；
17、采用白网印刷字符和图像；
18、用包边机进行沉镍金处理。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (8)

1.一种改善阶梯槽残铜的工艺，其特征在于，所述工艺包括：外层图形处理和外层蚀刻处理；所述外层图形处理中，对线路板的单边预大补偿宽度为50um；所述外层蚀刻处理中，蚀刻速度为3.0m/min。
2.如权利要求1所述的改善阶梯槽残铜的工艺，其特征在于，所述外层图形处理前还包括：开料、内层图形制作、压合、外层钻孔、第一次成型锣阶梯槽、沉铜、全板电镀。
3.如权利要求2所述的改善阶梯槽残铜的工艺，其特征在于，所述内层图形之后，压合之前还包括内层AOI处理。
4.如权利要求1所述的改善阶梯槽残铜的工艺，其特征在于，所述外层图形处理和外层蚀刻处理之间还包括：图形电镀、第二次成型锣阶梯、激光烧pp胶、等离子除胶。
5.如权利要求1所述的改善阶梯槽残铜的工艺，其特征在于，所述外层蚀刻处理之后还包括：丝印阻焊、字符、沉镍金、成锣处理。
6.如权利要求5所述的改善阶梯槽残铜的工艺，其特征在于，所述丝印阻焊之前还包括外层AOI处理。
7.如权利要求3所述的改善阶梯槽残铜的工艺，其特征在于，所述全板电镀的厚度为7-12um。
8.如权利要求5所述的改善阶梯槽残铜的工艺，其特征在于，所述丝印阻焊中所用到的曝光尺为9-13格。
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