CN105406742B - 半导体装置 - Google Patents

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Abstract

根据本发明的半导体装置，即使IGBT芯片特性有偏差，也抑制在作为并联的IGBT芯片的基准电位侧的布线的辅助发射极布线产生的电位差。将串联的IGBT芯片T1‑T4和钳位二极管D9、D10的开关电路与串联的IGBT芯片T5‑T8和钳位二极管D11、D12的开关电路并联连接时，用电流容量大且电阻比辅助发射极布线1低的布线5连接IGBT芯片T1的发射极端子与IGBT芯片T5的发射极端子，用电流容量大且电阻比辅助发射极布线3低的布线6连接IGBT芯片T3的发射极端子与IGBT芯片T7的发射极端子。由此，开关动作时的IGBT芯片T1、T5或T3、T7的发射极端子间电位差变小，能够进行稳定的栅极驱动。

Description

半导体装置
技术领域
本发明涉及半导体装置，特别涉及在一个封装中收纳了串联连接的多个开关元件的电力变换用模块中，为了增加电流容量，将串联连接的多个开关元件并联连接而构成的半导体装置。
背景技术
在电力变换用的半导体装置中，大多使用作为在高电压、大电流、高速切换动作方面性能优异的电源切换元件的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)。另外，针对小型化、高性能化的要求，已知有组合多个IGBT并构成能够输出多级电压的多电平逆变电路的半导体装置(例如，参照专利文献1)。
图7是表示使用IGBT作为开关元件的通常的一个相的三电平逆变电路的电路图，图8是表示增加了电流容量的三电平逆变电路的第一例的电路图，图9是表示增加了电流容量的三电平逆变电路的第二例的电路图。
图7的三电平逆变电路具备四个IGBT101、102、103、104、四个回流二极管105、106、107、108以及两个钳位二极管109、110。IGBT101、102、103、104分别由反向并联连接有回流二极管105、106、107、108的单独的模块构成。
IGBT101、102、103、104串联连接，其中间的连接部与输出端子111连接。在构成逆变电路的上臂的IGBT101与IGBT102之间的连接部连接有钳位二极管109，在构成逆变电路的下臂的IGBT103与IGBT104之间的连接部连接有钳位二极管110。钳位二极管109、110均使用模块化而成的钳位二极管。
电源的负极电位N与IGBT104的发射极端子连接，电源的正极电位P与IGBT101的集电极端子连接，电源的中间电位M与钳位二极管109、110连接部连接。
在此，通过导通-截止控制IGBT101、102、103、104，从而在输出端子111输出在正侧和负侧分别具有三级电位的电压。另外，IGBT101、102、103、104使用与逆变电路的额定输出对应的电流容量的模块。
但是，在一个IGBT101、102、103、104中发生电流容量不足的情况下，采用并联连接多个IGBT的方法。在图8的例子中，逆变电路的上臂通过将分别并联连接了IGBT101a和IGBT101b的各模块以及并联连接了IGBT102a和IGBT102b的各模块而得的模块串联连接而构成。另外，逆变电路的下臂通过将分别并联连接了IGBT103a和IGBT103b的各模块以及并联连接了IGBT104a和IGBT104b的各模块而得的模块串联连接而构成。
此时，为了构成逆变电路，而分别准备模块来组装，因此布线变得复杂，此外，驱动电路必须按照每个模块来单独准备。
另外，图9示出了逆变电路的另一例。在该逆变电路中，不是组合多个模块而构成，而是组合多个芯片而一体地形成一个模块。即，该逆变电路像图7所示的逆变电路那样，通过准备两组串联连接的芯片，并将这两组芯片并联连接而构成。
在逆变电路的上臂中，将串联连接的IGBT芯片131、132与串联连接的IGBT芯片121、122并联连接。另外，在逆变电路的下臂中，将串联连接的IGBT芯片133、134与串联连接的IGBT芯片123、124并联连接。另外，在并联电路中，与上臂对应的IGBT芯片121、131和IGBT芯片122、132具有共用的栅极端子141、142和共用的辅助发射极端子151、152。同样地，与下臂对应的IGBT芯片123、133和IGBT芯片124、134具有共用的栅极端子143、144和共用的辅助发射极端子153、154。
在此，辅助发射极端子151、152与IGBT芯片121、122的发射极端子连接，此外，通过辅助发射极布线161、162与IGBT芯片131、132的发射极端子连接。同样地，辅助发射极端子153、154与IGBT芯片123、124的发射极端子连接，此外，通过辅助发射极布线163、164与IGBT芯片133、134的发射极端子连接。
另外，IGBT芯片122、123的连接部通过输出布线171与IGBT芯片132、133的连接部连接，此外，该连接部通过输出布线172与输出端子111连接。
应予说明，钳位二极管125与IGBT芯片121、122的连接部连接，钳位二极管126与GBT芯片123、124的连接部连接。另外，钳位二极管135与IGBT芯片131、132的连接部连接，钳位二极管136与IGBT芯片133、134的连接部连接。
在此，通过导通-截止控制IGBT芯片121、131、IGBT芯片122、132、IGBT芯片123、133和IGBT芯片124、134，从而在输出端子111输出在正负侧分别具有三级电位的电压。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2000-60140号公报
发明内容
技术问题
在将串联连接的电路相互并联连接的构成中，在对应的IGBT芯片的动作发生不平衡的情况下，在辅助发射极布线的两端产生电位差，由此存在辅助发射极布线可能因异常电流而被损坏的问题。例如，在观察图9的上臂时，四个IGBT芯片121、122、131、132的特性不一定全部相同，例如，导通动作时的通态电阻完全不同。在此，例如，使IGBT芯片121、132的通态电阻低，IGBT芯片122、131的通态电阻高。据此，使在通态电阻低的IGBT芯片121中流通比通态电阻高的IGBT芯片131更多的电流，在通态电阻低的IGBT芯片132中流通比通态电阻高的IGBT芯片122更多的电流。因此，从正极电位P供给的电流主要经由IGBT芯片121、辅助发射极布线161和IGBT芯片132的路径而流至输出端子111。当由于电流流通辅助发射极布线161而在其两端产生电位差时，尽管在栅极端子141与辅助发射极端子151之间施加相同的栅极电压，但是芯片上的端子间电压在IGBT芯片121、131中不同。因此，IGBT芯片121、131进行不同的动作。另外，辅助发射极布线161由于电流容量小，所以存在因流通大电流而被烧断的情况。
本发明是鉴于这样的情况而完成的，目的在于提供一种即使IGBT芯片的特性有偏差，也不在作为并联连接的IGBT芯片的基准电位侧的布线的辅助发射极布线产生电位差的半导体装置。
技术方案
在本发明中，为了解决上述课题，本发明提供一种半导体装置，具有如下电路结构：并联连接至少两个使至少两个开关元件串联连接，并在相邻的开关元件的连接部连接有钳位二极管的开关电路，并且通过基准电位布线连接向分别以在并联连接的上述开关电路间输出同一电平的电位的方式进行动作的开关元件施加同一控制信号时成为基准电位的辅助端子。该半导体装置的特征在于，利用具有与开关元件的额定电流相近的电流容量且具有比上述基准电位布线电阻低的电阻的布线将并联连接的上述开关电路中的对应的上述连接部连接。
根据这样的半导体装置，通过与基准电位布线并联地配置电流容量大且低电阻的布线，从而在构成并联连接的开关电路的开关元件的特性有偏差的情况下也能够不在基准电位布线中流通大电流。由此，不会在基准电位布线中产生电位差。
有益效果
上述构成的半导体装置的优点在于，在并联连接的开关电路间通过与基准电位布线并联地配置电流容量大且低电阻的布线来抑制开关动作时的电流不平衡，从而能够使开关损耗成为最小。
附图说明
图1是当在三电平逆变电路中应用第一实施方式的半导体装置时的电路图。
图2是表示当在三电平逆变电路中应用第一实施方式的半导体装置时的芯片配置的俯视图。
图3是当在三电平逆变电路中应用第二实施方式的半导体装置时的电路图。
图4是表示当在三电平逆变电路中应用第二实施方式的半导体装置时的芯片配置的俯视图。
图5是当在三电平逆变电路中应用第三实施方式的半导体装置时的电路图。
图6是当在五电平逆变电路中应用第四实施方式的半导体装置时的电路图。
图7是表示使用IGBT作为开关元件的通常的一个相的三电平逆变电路的电路图。
图8是表示增加了电流容量的三电平逆变电路的第一例的电路图。
图9是表示增加了电流容量的三电平逆变电路的第二例的电路图。
符号说明
1、2、3、4 辅助发射极布线
5、5a、5b、5c、6、6a、6b、6c 布线
7、8 输出布线
11、12、13、14 绝缘基板
15、16、17、18 栅极布线
D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8、D13、D14、D15、D16、D21、D22、D23、D24、D25、D26、D27、D28、D29、D30、D31、D32、D33、D34、D35、D36 回流二极管
D9、D10、D11、D12、D17、D18、D37、D38、D39、D40、D41、D42、D43、D44、D45、D46、D47、D48 钳位二极管
M、Ma、Mb、Mc 中间电位
N 负极电位
P 正极电位
T1、T2、T3、T4，T5、T6、T7、T8、T13、T14、T15、T16、T21、T22、T23、T24、T25、T26、T27、T28、T29、T30、T31、T32、T33、T34、T35、T36IGBT 芯片
T1E、T2E、T3E、T4E 辅助发射极端子
T1G、T2G、T3G、T4G 栅极端子
U 输出端子
具体实施方式
以下，以在使用IGBT作为开关元件的多电平逆变电路的模块中应用的情况为例，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。应予说明，各实施方式可以在不矛盾的范围内组合多个实施方式来实施。
图1是当在三电平逆变电路中应用第一实施方式的半导体装置时的电路图，图2是表示当在三电平逆变电路中应用第一实施方式的半导体装置时的芯片配置的俯视图。
如图1所示，该三电平逆变电路具有并联连接形成三电平逆变器的第一开关电路和第二开关电路的构成。即，在第一开关电路中，在电源的正极电位P与负极电位N之间串联连接有四个IGBT芯片T1、T2、T3、T4，在各IGBT芯片T1、T2、T3、T4反向并联连接有回流二极管D1、D2、D3、D4。另外，在IGBT芯片T1、T2的连接部与电源的中间电位M之间以及IGBT芯片T3、T4的连接部与电源的中间电位M之间分别连接有钳位二极管D9、D10。同样地，在第二开关电路中，在电源的正极电位P与负极电位N之间串联连接有四个IGBT芯片T5、T6、T7、T8，在各IGBT芯片T5、T6、T7、T8反向并联连接有回流二极管D5、D6、D7、D8。另外，在IGBT芯片T5、T6的连接部与电源的中间电位M之间以及IGBT芯片T7、T8的连接部与电源的中间电位M之间分别连接有钳位二极管D11、D12。
在这些第一开关电路和第二开关电路中，以输出同一电平的电位的方式动作的IGBT芯片T1、T5，IGBT芯片T2、T6，IGBT芯片T3、T7以及IGBT芯片T4、T8分别共用施加控制信号的端子。即，上臂的高电位侧的IGBT芯片T1、T5的栅极端子连接于共用的栅极端子T1G。相对于栅极端子T1G而成为基准电位的共用的辅助发射极端子T1E与IGBT芯片T1的发射极端子连接，还借由辅助发射极布线1与IGBT芯片T5的发射极端子连接。
上臂的低电位侧的IGBT芯片T2、T6的栅极端子连接于共用的栅极端子T2G。共用的辅助发射极端子T2E与IGBT芯片T2的发射极端子连接，还借由辅助发射极布线2与IGBT芯片T6的发射极端子连接。
下臂的高电位侧的IGBT芯片T3、T7的栅极端子连接于共用的栅极端子T3G。共用的辅助发射极端子T3E与IGBT芯片T3的发射极端子连接，还借由辅助发射极布线3与IGBT芯片T7的发射极端子连接。
下臂的低电位侧的IGBT芯片T4、T8的栅极端子连接于共用的栅极端子T4G。共用的辅助发射极端子T4E与IGBT芯片T4的发射极端子连接，还借由辅助发射极布线4与IGBT芯片T8的发射极端子连接。
此外，上臂的高电位侧的IGBT芯片T1、T5各自的发射极端子彼此由布线5连接，布线5具有与IGBT芯片T1、T5的额定电流相近的电流容量，且具有比辅助发射极布线1的电阻低的电阻。同样地，下臂的高电位侧的IGBT芯片T3、T7各自的发射极端子彼此由布线6连接，布线6具有与IGBT芯片T3、T7的额定电流相近的电流容量，且具有比辅助发射极布线3的电阻低的电阻。应予说明，IGBT芯片T2、T3的连接部通过输出布线7与IGBT芯片T6、T7的连接部连接，此外，该连接部通过输出布线8例如与U相用的输出端子U连接。
另外，如图2所示，这些IGBT芯片T1～T8、回流二极管D1～D8以及钳位二极管D9～D12被收纳到一个封装中而构成三电平逆变电路的模块。
在该模块中，第一开关电路的上臂搭载在一个绝缘基板11上。即，在绝缘基板11上搭载有IGBT芯片T1、T2、回流二极管D1、D2以及钳位二极管D9。IGBT芯片T1、T2的栅极端子T1G、T2G分别与栅极布线15、16连接，辅助发射极端子T1E、T2E分别与辅助发射极布线1、2连接。
第二开关电路的上臂的IGBT芯片T5、T6、回流二极管D5、D6以及钳位二极管D11搭载在一个绝缘基板12上。IGBT芯片T5、T6的栅极端子分别与栅极布线15、16连接，辅助发射极端子分别与辅助发射极布线1、2连接。应予说明，绝缘基板11、12中的栅极布线15通过构成栅极布线15的一部分的键合线相互连接，栅极布线16通过构成栅极布线16的一部分的键合线相互连接。另外，绝缘基板11、12中的辅助发射极布线1通过构成辅助发射极布线1的一部分的键合线相互连接，辅助发射极布线2通过构成辅助发射极布线2的一部分的键合线相互连接。
利用与图1的布线5相当的键合线将通过键合线与IGBT芯片T1的发射极端子进行了连接的电路图案与通过键合线与IGBT芯片T5的发射极端子进行了连接的电路图案连接。该键合线具有与IGBT芯片T1、T5的额定电流相近的电流容量，且具有比辅助发射极布线1低的电阻。因此，在图2中，仅示出一根的键合线可以以符合这些条件的方式并联设置所需的根数。由此，即使当上臂的IGBT芯片T1、T2、T5、T6进行了开关动作时存在不平衡动作，因不平衡而产生的电流也不会在辅助发射极布线1中流通，而是在与布线5相当的键合线中流通。因此，在辅助发射极布线1中不会产生电位差，IGBT芯片T1、T5在几乎相同的条件下被驱动。因此，IGBT芯片T5产生的损耗不会比IGBT芯片T1产生的损耗大。
第一开关电路的下臂的IGBT芯片T3、T4、回流二极管D3、D4以及钳位二极管D10搭载在一个绝缘基板13上。IGBT芯片T3、T4的栅极端子T3G、T4G分别与栅极布线17、18连接，辅助发射极端子T3E、T4E分别与辅助发射极布线3、4连接。
第二开关电路的下臂的IGBT芯片T7、T8、回流二极管D7、D8以及钳位二极管D12搭载在一个绝缘基板14上。IGBT芯片T7、T8的栅极端子分别与栅极布线17、18连接，辅助发射极端子分别与辅助发射极布线3、4连接。应予说明，绝缘基板13、14中的栅极布线17通过构成栅极布线17的一部分的键合线相互连接，栅极布线18通过构成栅极布线18的一部分的键合线相互连接。另外，绝缘基板13、14中的辅助发射极布线3通过构成辅助发射极布线3的一部分的键合线相互连接，辅助发射极布线4通过构成辅助发射极布线4的一部分的键合线相互连接。
利用与图1的布线6相当的键合线将通过键合线与IGBT芯片T3的发射极端子进行了连接的电路图案与通过键合线与IGBT芯片T7的发射极端子进行了连接的电路图案连接。该键合线具有与IGBT芯片T3、T7的额定电流相近的电流容量，且具有比辅助发射极布线3低的电阻。因此，在图2中，仅示出一根的键合线可以以符合这些条件的方式并联设置所需的根数。由此，即使在下臂的IGBT芯片T3、T4、T7、T8进行了开关动作时存在不平衡动作，因不平衡而产生的电流也不会在辅助发射极布线3中流通，而是在与布线6相当的键合线中流通。由于在辅助发射极布线3中不产生电位差，所以IGBT芯片T7的栅极电压不会降低其电位差的量，由于在与IGBT芯片T3几乎相同的条件下被驱动，所以能够降低开关动作时的损耗。
应予说明，在图1所示的电路中，与输出端子U连接的输出布线7、8通过配置在该模块的外部的母线而构成，所以在图2中不进行示出。
在此，作为将IGBT芯片T1、T5的辅助发射极布线1和IGBT芯片T3、T7的辅助发射极布线3的电位差降低到对栅极驱动不产生影响的电平的方法，而设置布线5、6来降低发射极间的电阻值。此时，优选将布线5、6的电阻值设为0.1欧姆以下。即，实际情况是从制造工艺和成本的方面考虑，能够用一个芯片制作的IGBT的额定电流为100～150安培的程度，在流通其以上的电流的逆变电路的情况下，通过并联连接多个芯片而构成。在此，驱动IGBT时的栅极电压为15伏左右，但在并联连接的IGBT间，即使栅极电压的电位差为1伏，并联连接的IGBT的并行动作也无法进行。另外，假定在并联连接的IGBT中例如流通100安培的电流的情况下，该电流分别分流流通，此时，也会有在并联连接的IGBT的发射极间流通的电流最大为10安培的情况。此时，由于发射极间的电位差不能超过1伏，所以布线5、6的电阻值为0.1欧姆以下即可。实际情况是布线5、6的电阻值是比0.1欧姆小两位程度的值，由于与辅助发射极布线1、3的电阻值相比足够小，所以发射极间的电位差也小到对栅极驱动不产生影响的程度。由此，并联连接的IGBT能够实现稳定的栅极驱动，并降低开关损耗。
图3是当在三电平逆变电路中应用第二实施方式的半导体装置时的电路图，图4是表示当在三电平逆变电路中应用第二实施方式的半导体装置时的芯片配置的俯视图。在此，在图3和图4中，对于与图1和图2所示的构成要素相同的或等同的构成要素标注相同的符号。
该第二实施方式的半导体装置的三电平逆变电路与第一实施方式的半导体装置的三电平逆变电路相比，对设置在并联连接的IGBT芯片T1、T5和T3、T7的发射极间的布线5、6的设置位置进行了改变。即，在图3所示的第二实施方式的半导体装置的三电平逆变电路中，用电流容量大且比辅助发射极布线1、3的电阻低的布线5、6来替换图1的电路的辅助发射极布线1、3。
因此，在图4所示的模块中，布线5由在绝缘基板11、12中连接有辅助发射极端子T1E的电路图案以及连接它们之间的键合线构成。另外，布线6由在绝缘基板13、14中连接有辅助发射极端子T3E的电路图案以及连接它们之间的键合线构成。
在该三电平逆变电路中，上臂的IGBT芯片T1、T2、T5、T6和下臂的IGBT芯片T3、T4、T7、T8的特性也有偏差，因开关动作时的不平衡而产生的电流在布线5、6中流通。另外，即使在该布线5、6中流通电流，其电压下降也小，因此IGBT芯片T5、T7的栅极电压稳定，其结果，能够降低IGBT芯片T5、T7的开关损耗。
图5是当在三电平逆变电路中应用第三实施方式的半导体装置时的电路图。应予说明，在图5中，对于与图1所示的构成要素相同的或等同的构成要素标注相同的符号。
相对于第一实施方式的半导体装置的三电平逆变电路并联连接两个开关电路而言，不同点在于该第三实施方式的半导体装置的三电平逆变电路并联连接三个开关电路。
即，该三电平逆变电路具有分别并联连接形成三电平逆变器的第一开关电路、第二开关电路以及第三开关电路的构成。在此，第一开关电路具有串联连接的四个IGBT芯片T1、T2、T3、T4、回流二极管D1、D2、D3、D4以及钳位二极管D9、D10。第二开关电路具有串联连接的四个IGBT芯片T5、T6、T7、T8、回流二极管D5、D6、D7、D8以及钳位二极管D11、D12。第三开关电路具有串联连接的四个IGBT芯片T13、T14、T15、T16、回流二极管D13、D14、D15、D16以及钳位二极管D17、D18。
由此，在并联连接了第一开关电路、第二开关电路以及第三开关电路的三电平逆变电路中，IGBT芯片T1、T5、T13的发射极端子间通过辅助发射极布线1连接。此外，该辅助发射极布线1并联连接布线5，来实现辅助发射极布线1的电流容量的增加和电阻值的降低。同样地，在该三电平逆变电路中，IGBT芯片T3、T7、T15的发射极端子间通过辅助发射极布线3连接。此外，该辅助发射极布线3并联连接布线6，来实现辅助发射极布线3的电流容量的增加和电阻值的降低。
应予说明，在该第三实施方式的半导体装置中，例示了并联连接三个开关电路的情况，但在并联连接了四个以上开关电路的构成中，也同样地与辅助发射极布线1、3并联地连接布线5、6。另外，可以像第二实施方式的半导体装置那样，用布线5、6构成辅助发射极布线1、3。
图6是当在五电平逆变电路中应用第四实施方式的半导体装置时的电路图。应予说明，在图6中，对于与图1所示的构成要素相同的或等同的构成要素标注相同的符号。
该第四实施方式的半导体装置的五电平逆变电路具有分别并联连接形成五电平逆变器的第一开关电路和第二开关电路的构成。在此，第一开关电路具有串联连接的八个IGBT芯片T21～T28、回流二极管D21～D28以及钳位二极管D37～D42。第二开关电路具有串联连接的八个IGBT芯片T29～T36、回流二极管D29～D36以及钳位二极管D43～D48。
钳位二极管D37、D38和D43、D44的连接点与中间电位Ma连接。钳位二极管D39、D40和D45、D46的连接点与中间电位Mb连接。钳位二极管D41、D42和D47、D48的连接点与中间电位Mc连接。输出端子U与IGBT芯片T24、T25的连接点和IGBT芯片T32、T33的连接点连接。
在该五电平逆变电路中，IGBT芯片T21、T29的发射极端子间、IGBT芯片T22、T30的发射极端子间以及IGBT芯片T23、T31的发射极端子间分别通过布线5a、5b、5c连接。另外，IGBT芯片T25、T33的发射极端子间、IGBT芯片T26、T34的发射极端子间以及IGBT芯片T27、T35的发射极端子间分别通过布线6a、6b、6c连接。
该五电平逆变电路通过利用布线5a、5b、5c、6a、6b、6c连接串联连接的连接部中的连接有钳位二极管D37～D48的连接部彼此，从而实现辅助发射极布线的电流容量的增加和电阻值的降低。
应予说明，在该第四实施方式的半导体装置中，例示了五电平逆变电路的情况，但即使在七电平以上的多电平逆变电路中，也能够同样地设置与布线5a、5b、5c、6a、6b、6c相当的布线。另外，可以像第二实施方式的半导体装置那样，由布线5a、5b、5c、6a、6b、6c构成辅助发射极布线。
另外，对于开关元件，可以将IGBT替换成MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor：金属-氧化物半导体场效应晶体管)、SiC(Silicon Carbide：碳化硅)的MOSFET或者SiC的IGBT而构成。

Claims (6)

1.一种半导体装置，其特征在于，
具有如下电路结构：并联连接至少两个使至少两个开关元件串联连接，并在相邻的开关元件的连接部连接有钳位二极管的开关电路，并且通过基准电位布线连接向分别以在并联连接的所述开关电路间输出同一电平的电位的方式进行动作的开关元件施加同一控制信号时成为基准电位的辅助端子，
其中，利用具有与开关元件的额定电流相近的电流容量且具有比所述基准电位布线的电阻低的电阻的布线将在并联连接的所述开关电路间分别连接了所述钳位二极管的所述连接部彼此连接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述开关电路搭载于在各自独立的绝缘基板形成的电路图案，所述布线将在相邻配置的所述绝缘基板上形成所述连接部的所述电路图案彼此连接。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
开关元件是IGBT芯片，所述布线连接到高电位侧的所述IGBT芯片的发射极端子间。
4.一种半导体装置，其特征在于，
具有如下电路结构：并联连接至少两个使至少两个IGBT芯片串联连接，并在相邻的IGBT芯片的连接部连接有钳位二极管的开关电路，并且通过基准电位布线连接分别以在并联连接的所述开关电路间输出同一电平的电位的方式进行动作的IGBT芯片的辅助发射极端子，其中，利用具有与IGBT芯片的额定电流相近的电流容量且具有比所述基准电位布线的电阻低的电阻的布线将在并联连接的所述开关电路间分别连接了所述钳位二极管的所述连接部彼此连接。
5.一种半导体装置，其特征在于，
具有如下电路结构：并联连接至少两个使至少两个IGBT芯片串联连接，并在相邻的IGBT芯片的连接部连接有钳位二极管的开关电路，
其中，在并联连接的所述开关电路中，利用具有与IGBT芯片的额定电流相近的电流容量的布线将在分别串联连接了的高电位侧的IGBT芯片的辅助发射极端子间分别连接了所述钳位二极管的所述连接部彼此连接。
6.根据权利要求1、4或5所述的半导体装置，其特征在于，所述布线具有0.1欧姆以下的电阻值。
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