CN105324360B - 苯胺衍生物、电荷传输性清漆以及有机电致发光元件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供由式(1)表示的苯胺衍生物。式(1)中,R1表示烷基、烯基、炔基、碳数6~20的芳基、杂芳基或者由式(2)表示的基团;R2~R55各自独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、醛基、羟基、硫醇基、羧酸基、烷基、烯基、炔基、芳基、杂芳基等。
Description
技术领域
本发明涉及苯胺衍生物、电荷传输性清漆以及有机电致发光(下文称为有机EL)元件。
背景技术
有机EL元件中,使用包含有机化合物的电荷传输性薄膜作为发光层或电荷注入层。特别地,空穴注入层承担着阳极与空穴传输层或发光层之间的电荷的授受,发挥用于实现有机EL元件的低电压驱动和高亮度的重要功能。
空穴注入层的形成方法大致分为以蒸镀法为代表的干式法以及以旋转涂布法为代表的湿式法,对这些方法进行比较,湿式法可以高效率地制造大面积且平坦性高的薄膜。因此,在有机EL显示器向大面积化进展的现在,希望采用能够以湿式法来形成的空穴注入层。
鉴于这种情况,本发明人等开发了能够适用于各种湿式法的电荷传输性材料,当将这种材料用于有机EL元件的空穴注入层时,能够形成可实现优良EL元件特性的薄膜,并且还开发了用于该电荷传输性材料的、在有机溶剂中的溶解性良好的化合物(参见例如专利文献1~4)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2008/032616号
专利文献2:国际公开第2008/129947号
专利文献3:国际公开第2006/025342号
专利文献4:国际公开第2010/058777号
发明内容
发明所要解决的课题
本发明与迄今为止开发的上述专利文献的技术同样,目的在于,提供一类显示出在有机溶剂中具有良好溶解性的新型苯胺衍生物,同时在将其制成薄膜并用于空穴注入层的情况下,能够实现具有优良的电特性的有机EL元件,此外,本发明还提供含有该苯胺衍生物的电荷传输性清漆、以及有机EL元件。
用于解决课题的手段
本发明人等为了达到上述目的而进行了深入的研究,结果发现,特定的苯胺衍生物显示出在有机溶剂中具有高的溶解性,同时,使用通过将其与掺杂剂一起溶解于有机溶剂中来调制的清漆而得到的薄膜具有高的电荷传输性,当将该薄膜适用于有机EL元件的空穴注入层时,可以实现优良的电特性,从而完成了本发明。
即,本发明提供下述苯胺衍生物、电荷传输性清漆以及有机EL元件。
1、苯胺衍生物,其特征在于,其由式(1)表示:
[化1]
式中,R1表示可被Z1取代的碳数1~20的烷基、可被Z1取代的碳数2~20的烯基、可被Z1取代的碳数2~20的炔基、可被Z2取代的碳数6~20的芳基、可被Z2取代的碳数2~20的杂芳基或者由式(2)表示的基团;
[化2]
R2~R55各自独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、醛基、羟基、硫醇基、羧酸基、可被Z1取代的碳数1~20的烷基、可被Z1取代的碳数2~20的烯基、可被Z1取代的碳数2~20的炔基、可被Z2取代的碳数6~20的芳基、可被Z2取代的碳数2~20的杂芳基、-C(O)Y1基、-OY2基、-SY3基、-C(O)OY4基、-OC(O)Y5基、-C(O)NHY6基或者-C(O)NY7Y8基;
Y1~Y8各自独立地表示可被Z1取代的碳数1~20的烷基、可被Z1取代的碳数2~20的烯基、可被Z1取代的碳数2~20的炔基、可被Z2取代的碳数6~20的芳基或者可被Z2取代的碳数2~20的杂芳基;
Z1表示卤素原子、硝基、氰基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、可被Z3取代的碳数6~20的芳基或者可被Z3取代的碳数2~20的杂芳基;
Z2表示卤素原子、硝基、氰基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、可被Z3取代的碳数1~20的烷基、可被Z3取代的碳数2~20的烯基或者可被Z3取代的碳数2~20的炔基;
Z3表示卤素原子、硝基、氰基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基或者羧酸基。
2、1所述的苯胺衍生物,其中,R2~R37为氢原子、卤素原子、可被Z1取代的碳数1~20的烷基、可被Z2取代的碳数6~20的芳基或者-OY2基。
3、1或2所述的苯胺衍生物,其中,R1为可被Z1取代的碳数1~20的烷基、可被Z2取代的碳数6~20的芳基或者由式(2)表示的基团。
4、3所述的苯胺衍生物,其中,R1为由式(2)表示的基团。
5、4所述的苯胺衍生物,其中,R38~R55为氢原子、卤素原子、可被Z1取代的碳数1~20的烷基、可被Z2取代的碳数6~20的芳基或者-OY2基。
6、电荷传输性物质,其含有1~5的任一项所述的苯胺衍生物。
7、电荷传输性清漆,其含有1~5的任一项所述的苯胺衍生物、掺杂剂和有机溶剂。
8、电荷传输性薄膜,其是使用7的电荷传输性清漆制作的。
9、电荷传输性薄膜,其含有1~5的任一项所述的苯胺衍生物。
10、电子器件,其具备至少1层8或9所述的电荷传输性薄膜。
11、有机电致发光元件,其具备至少1层8或9所述的电荷传输性薄膜。
12、11所述的有机电致发光元件,其中,上述电荷传输性薄膜为空穴注入层或者空穴传输层。
13、1所述的苯胺衍生物的制备方法,其特征在于,使式(3)表示的胺化合物、式(4)表示的胺化合物与式(5)表示的胺化合物在催化剂的存在下进行反应:
[化3]
式中,R1~R37如上所述;X表示卤素原子或者假卤素基。
14、1所述的苯胺衍生物的制备方法,其特征在于,使式(6)表示的胺化合物、式(7)表示的胺化合物与式(8)表示的胺化合物在催化剂的存在下进行反应:
[化4]
式中,R1~R37如上所述;X表示卤素原子或者假卤素基。
15、4所述的苯胺衍生物的制备方法,其特征在于,使式(9)表示的胺化合物、式(4)表示的胺化合物、式(5)表示的胺化合物与式(10)表示的胺化合物在催化剂的存在下进行反应:
[化5]
式中,R1~R55如上所述;X表示卤素原子或者假卤素基。
发明的效果
本发明的苯胺衍生物容易溶解于有机溶剂中,通过将其与掺杂剂一起溶解于有机溶剂中,可以容易地调制电荷传输性清漆。
用本发明的电荷传输性清漆制作的薄膜显示出高的电荷传输性,因此,可以适用于以有机EL元件为代表的电子器件用薄膜。特别地,通过将该薄膜适用于有机EL元件的空穴注入层,可以得到电特性优良的有机EL元件。
另外,本发明的电荷传输性清漆即使在采用旋转涂布法或狭缝涂布法等可大面积成膜的各种湿式法的情况下,也能够再现性良好地制造电荷传输性优良的薄膜,因此,可以充分适应近年来的有机EL元件领域的进展。
具体实施方式
[苯胺衍生物]
本发明中所述的苯胺衍生物由式(1)表示。
[化6]
式中,R1表示可被Z1取代的碳数1~20的烷基、可被Z1取代的碳数2~20的烯基、可被Z1取代的碳数2~20的炔基、可被Z2取代的碳数6~20的芳基、可被Z2取代的碳数2~20的杂芳基或者由式(2)表示的基团。
[化7]
R2~R55各自独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、醛基、羟基、硫醇基、羧酸基、可被Z1取代的碳数1~20的烷基、可被Z1取代的碳数2~20的烯基、可被Z1取代的碳数2~20的炔基、可被Z2取代的碳数6~20的芳基、可被Z2取代的碳数2~20的杂芳基、-C(O)Y1基、-OY2基、-SY3基、-C(O)OY4基、-OC(O)Y5基、-C(O)NHY6基或者-C(O)NY7Y8基。
Y1~Y8各自独立地表示可被Z1取代的碳数1~20的烷基、可被Z1取代的碳数2~20的烯基、可被Z1取代的碳数2~20的炔基、可被Z2取代的碳数6~20的芳基或者可被Z2取代的碳数2~20的杂芳基。
Z1表示卤素原子、硝基、氰基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、可被Z3取代的碳数6~20的芳基或者可被Z3取代的碳数2~20的杂芳基。
Z2表示卤素原子、硝基、氰基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、可被Z3取代的碳数1~20的烷基、可被Z3取代的碳数2~20的烯基或者可被Z3取代的碳数2~20的炔基。
Z3表示卤素原子、硝基、氰基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基或者羧酸基。
作为卤素原子,具体地可举出氟、氯、溴、碘原子。
碳数1~20的烷基可以是直链状、支链状、环状中的任一种。作为烷基的具体例,可举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基等碳数1~20的直链或者支链状烷基;环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、双环丁基、双环戊基、双环己基、双环庚基、双环辛基、双环壬基、双环癸基等碳数3~20的环状烷基等。
碳数2~20的烯基可以是直链状、支链状、环状中的任一种。作为烯基的具体例,可举出乙烯基、正-1-丙烯基、正-2-丙烯基、1-甲基乙烯基、正-1-丁烯基、正-2-丁烯基、正-3-丁烯基、2-甲基-1-丙烯基、2-甲基-2-丙烯基、1-乙基乙烯基、1-甲基-1-丙烯基、1-甲基-2-丙烯基、正-1-戊烯基、正-1-癸烯基、正-1-二十碳烯基等。
碳数2~20的炔基可以是直链状、支链状、环状中的任一种。作为炔基的具体例,可举出乙炔基、正-1-丙炔基、正-2-丙炔基、正-1-丁炔基、正-2-丁炔基、正-3-丁炔基、1-甲基-2-丙炔基、正-1-戊炔基、正-2-戊炔基、正-3-戊炔基、正-4-戊炔基、1-甲基-正-丁炔基、2-甲基-正-丁炔基、3-甲基-正-丁炔基、1,1-二甲基-正-丙炔基、正-1-己炔基、正-1-癸炔基、正-1-十五碳炔基、正-1-二十碳炔基等。
烷基、烯基以及炔基的碳数,优选为12以下,更优选为6以下,进一步优选为4以下。
作为碳数6~20的芳基的具体例,可举出苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基等。
作为碳数2~20的杂芳基的具体例,可举出2-噻吩基、3-噻吩基、2-呋喃基、3-呋喃基、2-唑基、4-唑基、5-唑基、3-异唑基、4-异唑基、5-异唑基、2-噻唑基、4-噻唑基、5-噻唑基、3-异噻唑基、4-异噻唑基、5-异噻唑基、2-咪唑基、4-咪唑基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基等。
芳基和杂芳基的碳数,优选为14以下,更优选为10以下,进一步优选为6以下。
作为R1,优选为可被Z1取代的碳数1~20的烷基、可被Z2取代的碳数6~20的芳基或者由式(2)表示的基团,更优选为可被Z1取代的碳数1~10的烷基、可被Z2取代的苯基或者由式(2)表示的基团,以式(2)表示的基团为最佳。
当R1为由式(2)表示的基团时,特别地,R38~R55优选为氢原子、卤素原子、可被Z1取代的碳数1~20的烷基、可被Z2取代的碳数6~20的芳基、可被Z1取代的碳数1~20的烷氧基(Y2是作为可被Z1取代的碳数1~20的烷基的-OY2基)或者可被Z2取代的碳数6~20的芳氧基(Y2是作为可被Z2取代的碳数6~20的芳基的-OY2基),更优选为氢原子、氟原子、可被Z1取代的碳数1~10的烷基或者可被Z2取代的苯基,进一步优选为氢原子、氟原子或者可被Z2取代的苯基,以氢原子为最佳。
另外,作为R2~R37,优选为氢原子、卤素原子、可被Z1取代的碳数1~20的烷基、可被Z2取代的碳数6~20的芳基、可被Z1取代的碳数1~20的烷氧基或者可被Z2取代的碳数6~20的芳氧基,更优选为氢原子、氟原子、可被Z1取代的碳数1~10的烷基或者可被Z2取代的苯基,进一步优选为氢原子、氟原子或者可被Z2取代的苯基,以氢原子为最佳。
予以说明,当R2~R55以及Y1~Y8为烷基、烯基、炔基、芳基或者杂芳基时,取代基Z1优选为卤素原子或者可被Z3取代的碳数6~20的芳基,更优选为卤素原子或者可被Z3取代的苯基,以不存在(即,未取代)为最佳。
另外,取代基Z2优选为卤素原子或者可被Z3取代的碳数1~20的烷基,更优选为卤素原子或者可被Z3取代的碳数1~4的烷基,以不存在(即,未取代)为最佳。
另外,Z3优选为卤素原子,更优选为氟,以不存在(即,未取代)为最佳。
以下,列举出由式(1)表示的苯胺衍生物的具体例,但不限定于这些。予以说明,式中,“Me”表示甲基,“Et”表示乙基,“n-Pr”表示正丙基,“i-Pr”表示异丙基,“n-Bu”表示正丁基,“i-Bu”表示异丁基,“s-Bu”表示仲丁基,“t-Bu”表示叔丁基,“n-Pen”表示正戊基,“n-Hex”表示正己基,“n-Hep”表示正庚基,“Ph”表示苯基。
[化8]
[化9]
[化10]
[苯胺衍生物的制备方法]
本发明的苯胺衍生物可以通过使由式(3)表示的胺化合物、由式(4)表示的胺化合物、与由式(5)表示的胺化合物在催化剂存在下进行反应来制备(流程1)。
[化11]
流程1
(式中,X各自独立地表示卤素原子或者假卤素基。R1~R37如上所述。)
另外,本发明的苯胺衍生物也可以通过使由式(6)表示的胺化合物、由式(7)表示的胺化合物、与由式(8)表示的胺化合物在催化剂存在下进行反应来制备(流程2)。
[化12]
流程2
(式中,X和R1~R37如上所述。)
另外,R1为由式(2)表示的基团的本发明的苯胺衍生物(式(1')),其可以通过使由式(9)表示的胺化合物、由式(4)表示的胺化合物、由式(5)表示的胺化合物、与由式(10)表示的胺化合物在催化剂存在下进行反应来制备(流程3)。
[化13]
流程3
(式中,X和R1~R55如上所述。)
上述流程1~3中,作为X表示的卤素原子,可举出与上述相同的卤素原子。另外,作为假卤素基,可举出甲磺酰氧基、三氟甲磺酰氧基、九氟丁烷磺酰氧基等(氟)烷基磺酰氧基;苯磺酰氧基、甲苯磺酰氧基等芳香族磺酰氧基等。
作为由式(3)表示的胺化合物的具体例,可举出N-甲基-双(4-氨基苯基)胺、N,N-双(对-氨基苯基)苯胺等;作为由式(6)表示的胺化合物的具体例,可举出N-甲基-双(4-溴苯基)胺、N,N-双(对溴苯基)苯胺等;作为由式(9)表示的胺化合物的具体例,可举出三(4-氨基苯基)胺等,但均不限定于这些。
作为由式(4)、(5)、(10)表示的胺化合物的具体例,可举出4'-溴-N-苯基-[1,1'-联苯基]-4-胺等;作为由式(7)、(8)表示的胺化合物的具体例,可举出N,N-二苯基-对-苯二胺等,但均不限定于这些。
由式(3)表示的胺化合物与由式(4)、(5)表示的胺化合物的加料比、由式(6)表示的胺化合物与由式(7)、(8)表示的胺化合物的加料比、以及由式(9)表示的胺化合物与由式(4)、(5)、(10)表示的胺化合物的加料比,按摩尔比计,可以为1以上,以1~1.2左右为宜。
作为上述反应中使用的催化剂,可举出例如,氯化铜、溴化铜、碘化铜等铜催化剂;四(三苯膦)钯(Pd(PPh3)4)、双(三苯膦)二氯钯(Pd(PPh3)2Cl2)、双(亚苄基丙酮)钯(Pd(dba)2)、三(亚苄基丙酮)二钯(Pd2(dba)3)、双(三-叔丁基膦)钯(Pd(P-t-Bu3)2)等钯催化剂等。这些催化剂可以单独使用1种,或者也可以将2种以上组合使用。另外,这些催化剂也可以与公知的适当的配体一起使用。
相对于由式(3)、(6)或者(9)表示的胺化合物1mol,催化剂的使用量可以为0.001~0.2mol左右,优选为0.005~0.05mol左右。
另外,当使用配体时,相对于所使用的金属配合物,其使用量可以为0.1~5当量,优选为1~4当量。
上述反应可以在溶剂中进行。关于溶剂,只要对反应没有不利影响,就没有特殊限定。作为溶剂的具体例,可举出脂肪族烃类(戊烷、正己烷、正辛烷、正癸烷、萘烷等)、卤代脂肪族烃类(氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷、四氯化碳等)、芳香族烃类(苯、硝基苯、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、均三甲苯等)、卤代芳香族烃类(氯苯、溴苯、邻二氯苯、间二氯苯、对二氯苯等)、醚类(乙醚、二异丙醚、甲基叔丁基醚、四氢呋喃、二烷、1,2-二甲氧基乙烷、1,2-二乙氧基乙烷等)、酮类(丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、二正丁基酮、环己酮等)、酰胺类(N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺等)、内酰胺以及内酯类(N-甲基吡咯烷酮、γ-丁内酯等)、尿素类(N,N-二甲基咪唑烷酮、四甲基脲等)、亚砜类(二甲亚砜、环丁砜等)、腈类(乙腈、丙腈、丁腈等)等。这些溶剂可以单独使用1种,或者也可以将2种以上混合使用。
反应温度可以在所使用的溶剂的熔点至沸点的范围内适宜设定,特别优选0~200℃左右,更优选20~150℃。
反应结束后,按照常规方法进行后处理,可以得到作为目标产物的苯胺衍生物。
[电荷传输性清漆]
本发明的电荷传输性清漆含有包含由式(1)表示的苯胺衍生物的电荷传输性物质以及有机溶剂,为了提高电荷传输能等,还可以根据需要含有掺杂剂。
作为掺杂剂,只要是能够溶解于清漆中使用的至少1种溶剂中,就没有特殊限定,可以使用无机系掺杂剂、有机系掺杂剂中的任一种。
作为无机系掺杂剂,可举出氯化氢、硫酸、硝酸、磷酸等无机酸;氯化铝(III)(AlCl3)、四氯化钛(IV)(TiCl4)、三溴化硼(BBr3)、三氟化硼醚配合物(BF3·OEt2)、氯化铁(III)(FeCl3)、氯化铜(II)(CuCl2)、五氯化锑(V)(SbCl5)、五氟化锑(V)(SbF5)、五氟化砷(V)(AsF5)、五氟化磷(PF5)、三(4-溴苯基)六氯锑酸铝(TBPAH)等金属卤化物;Cl2、Br2、I2、ICl、ICl3、IBr、IF4等卤素;磷钼酸、磷钨酸等杂多酸等。
作为有机系掺杂剂,可举出苯磺酸、甲苯磺酸、对苯乙烯磺酸、2-萘磺酸、4-羟基苯磺酸、5-磺基水杨酸、对十二烷基苯磺酸、二己基苯磺酸、2,5-二己基苯磺酸、二丁基萘磺酸、6,7-二丁基-2-萘磺酸、十二烷基萘磺酸、3-十二烷基-2-萘磺酸、己基萘磺酸、4-己基-1-萘磺酸、辛基萘磺酸、2-辛基-1-萘磺酸、己基萘磺酸、7-己基-1-萘磺酸、6-己基-2-萘磺酸、二壬基萘磺酸、2,7-二壬基-4-萘磺酸、二壬基萘二磺酸、2,7-二壬基-4,5-萘二磺酸、国际公开第2005/000832号记载的1,4-苯并二烷二磺酸化合物、国际公开第2006/025342号记载的芳基磺酸化合物、国际公开第2009/096352号记载的芳基磺酸化合物、聚苯乙烯磺酸等芳基磺酸化合物;10-樟脑磺酸等非芳基磺酸化合物;7,7,8,8-四氰基苯醌二甲烷(TCNQ)、2,3-二氯-5,6-二氰基-1,4-苯醌(DDQ)等有机氧化剂等。
这些无机系和有机系的掺杂剂可以单独使用1种,或者将2种以上组合使用。
在这些掺杂剂中,优选杂多酸,通过使用杂多酸作为掺杂剂,可以获得不仅显示出对来自以氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)为代表的透明电极的空穴的受容能高,而且也显示出对来自以铝为代表的金属阳极的空穴的受容能高的电荷传输性优良的薄膜。
所谓杂多酸,是指具有以代表性的式(B1)所示Keggin型或者式(B2)所示Dawson型的化学结构来表示的、杂原子位于分子中心的结构,由钒(V)、钼(Mo)、钨(W)等的含氧酸的异多酸与不同元素的含氧酸缩合而成的多酸。作为这种不同元素的含氧酸,主要可举出硅(Si)、磷(P)、砷(As)的含氧酸。
[化14]
作为杂多酸的具体例,可举出:磷钼酸、硅钼酸、磷钨酸、硅钨酸、磷钨钼酸等,它们可以单独使用1种,或者将2种以上组合使用。予以说明,本发明中使用的杂多酸可以作为市售品购得,另外,也可以采用公知的方法来合成。
特别地,当掺杂剂单独含有1种杂多酸时,该1种杂多酸优选为磷钨酸或磷钼酸,更优选为磷钨酸。另外,当掺杂剂含有2种以上杂多酸时,该2种以上杂多酸中的至少1种优选为磷钨酸或磷钼酸,更优选为磷钨酸。
予以说明,作为杂多酸,在元素分析等定量分析中,按照通式所示结构,不管杂多酸中的元素个数是多的或者是少的,只要它是作为市售品购得的、或者按照公知的合成方法适当合成得到的,均可以在本发明中使用。
即,例如,一般而言,磷钨酸由化学式H3(PW12O40)·nH2O表示,磷钼酸由化学式H3(PMo12O40)·nH2O表示,但在定量分析中,该式中的P(磷)、O(氧)或W(钨)或Mo(钼)的个数可能多些,或者也可能少些,只要它们是作为市售品购得的、或者按照公知的合成方法适当合成得到的,就可以在本发明中使用。该情况下,本发明中规定的杂多酸的质量不是指合成物或市售品中的纯的磷钨酸的质量(磷钨酸含量),而是指在可作为市售品购得的形态以及按照公知的合成法可分离的形态中,含有水合水或其他的杂质等的状态的全部质量。
另外,芳基磺酸化合物也优选使用。特别优选由式(11)或(12)表示的芳基磺酸化合物。
[化15]
式(11)中,A1表示-O-或-S-,优选-O-。A2表示萘环或蒽环,优选萘环。A3表示2~4价的全氟联苯基,p表示A1与A3的键数,为满足2≤p≤4的整数,优选A3为2价的全氟联苯基,且p为2。q表示与A2键合的磺酸基数,为满足1≤q≤4的整数,以2为最佳。
式(12)中,A4~A8各自独立地表示氢原子、卤素原子、氰基、碳数1~20的烷基、碳数1~20的卤代烷基或者碳数2~20的卤代烯基,A4~A8中的至少3个为卤素原子。r表示与萘环键合的磺酸基数,为满足1≤r≤4的整数,优选为2~4,更优选为2。
作为碳数1~20的卤代烷基,可举出三氟甲基、2,2,2-三氟乙基、1,1,2,2,2-五氟乙基、3,3,3-三氟丙基、2,2,3,3,3-五氟丙基、1,1,2,2,3,3,3-七氟丙基、4,4,4-三氟丁基、3,3,4,4,4-五氟丁基、2,2,3,3,4,4,4-七氟丁基、1,1,2,2,3,3,4,4,4-九氟丁基等。
作为碳数2~20的卤代烯基,可举出全氟乙烯基、1-全氟丙烯基、全氟烯丙基、全氟丁烯基等。
此外,作为卤素原子、碳数1~20的烷基的例子,可举出与上述相同的例子,作为卤素原子,优选氟原子。
其中,A4~A8优选为氢原子、卤素原子、氰基、碳数1~10的烷基、碳数1~10的卤代烷基或者碳数2~10的卤代烯基,且A4~A8中的至少3个为氟原子。而且,更优选为氢原子、氟原子、氰基、碳数1~5的烷基、碳数1~5的氟代烷基或者碳数2~5的氟代烯基,且A4~A8中的至少3个为氟原子。进一步优选为氢原子、氟原子、氰基、碳数1~5的全氟烷基或者碳数1~5的全氟烯基,且A4、A5和A8为氟原子。
予以说明,全氟烷基是指烷基的氢原子全部被氟原子取代的基团,全氟烯基是指烯基的氢原子全部被氟原子取代的基团。
以下列举出本发明中作为其他掺杂剂优选的芳基磺酸化合物的具体例,但不限定于这些。
[化16]
当本发明的电荷传输性清漆中含有掺杂剂时,掺杂剂的使用量根据掺杂剂的种类、所希望的电荷传输性的程度等适宜决定,不能一概而论,按质量比计,相对于包含本发明的苯胺衍生物的电荷传输性物质(下文称为电荷传输性物质)1,大概在0.01~50左右的范围内。
特别地,当使用杂多酸作为掺杂剂时,按质量比计,相对于电荷传输性物质1,杂多酸的使用量为0.5~30.0左右,优选为1.0~20.0左右,更优选为2.0~15.0程度左右,进一步优选为3.0~12.0左右,更进一步优选为4.0~11.0左右,由此,可以再现性良好地获得当用于有机EL元件时能够提供高亮度的电荷传输性薄膜。
另一方面,当使用芳基磺酸化合物作为掺杂剂时,按摩尔比计,相对于电荷传输性物质1,芳基磺酸化合物的使用量为0.05~15.0,优选为0.10~10.0,更优选为0.25~7.0,进一步优选为0.50~5.0,更进一步优选为0.75~3.0,由此,可以再现性良好地获得当用于有机EL元件时能够提供高亮度的电荷传输性薄膜。
进而,本发明的电荷传输性清漆也可以含有有机硅烷化合物。通过含有有机硅烷,可以提高在被称为空穴传输层或发光层的阳极的相反侧向与空穴注入层接触的方式叠层的层注入空穴的能力,其结果,可以实现更高的电特性。
作为该有机硅烷化合物,可举出二烷氧基硅烷化合物、三烷氧基硅烷化合物或四烷氧基硅烷化合物。它们可以单独使用1种,或者将2种以上组合使用。
特别地,作为有机硅烷化合物,优选二烷氧基硅烷化合物或三烷氧基硅烷化合物,更优选三烷氧基硅烷化合物。
作为二烷氧基硅烷化合物、三烷氧基硅烷化合物和四烷氧基硅烷化合物,可举出例如,由式(13)~(15)表示的化合物。
SiR'2(OR)2 (13)
SiR'(OR)3 (14)
Si(OR)4 (15)
式中,R各自独立地表示可被Z4取代的碳数1~20的烷基、可被Z4取代的碳数2~20的烯基、可被Z4取代的碳数2~20的炔基、可被Z5取代的碳数6~20的芳基或者可被Z5取代的碳数2~20的杂芳基。R'各自独立地表示可被Z6取代的碳数1~20的烷基、可被Z6取代的碳数2~20的烯基、可被Z6取代的碳数2~20的炔基、可被Z7取代的碳数6~20的芳基或者可被Z7取代的碳数2~20的杂芳基。
Z4表示卤素原子、可被Z8取代的碳数6~20的芳基或者可被Z8取代的碳数2~20的杂芳基。
Z5表示卤素原子、可被Z8取代的碳数1~20的烷基、可被Z8取代的碳数2~20的烯基或者可被Z8取代的碳数2~20的炔基。
Z6表示卤素原子、可被Z8取代的碳数6~20的芳基、可被Z8取代的碳数2~20的杂芳基、环氧环己基、环氧丙氧基、甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氧基、脲基(-NHCONH2)、硫醇基、异氰酸酯基(-NCO)、氨基、-NHY9基或者-NY10Y11基。
Z7表示卤素原子、可被Z8取代的碳数1~20的烷基、可被Z8取代的碳数2~20的烯基、可被Z8取代的碳数2~20的炔基、环氧环己基、环氧丙氧基、甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氧基、脲基(-NHCONH2)、硫醇基、异氰酸酯基(-NCO)、氨基、-NHY9基或者-NY10Y11基。
Y9~Y11各自独立地表示可被Z8取代的碳数1~20的烷基、可被Z8取代的碳数2~20的烯基、可被Z8取代的碳数2~20的炔基、可被Z8取代的碳数6~20的芳基或者可被Z8取代的碳数2~20的杂芳基。
Z8表示卤素原子、氨基、硝基、氰基或者硫醇基。
作为式(13)~(15)中的卤素原子、碳数1~20的烷基、碳数2~20的烯基、碳数2~20的炔基、碳数6~20的芳基、以及碳数2~20的杂芳基,可举出与上述同样的基团。
R和R'中,烷基、烯基和炔基的碳数优选为10以下,更优选为6以下,进一步优选为4以下。另外,芳基和杂芳基的碳数优选为14以下,更优选为10以下,进一步优选为6以下。
作为R,优选可被Z4取代的碳数1~20的烷基、碳数2~20的烯基或者可被Z5取代的碳数6~20的芳基,更优选可被Z4取代的碳数1~6的烷基、碳数2~6的烯基或者可被Z5取代的苯基,进一步优选可被Z4取代的碳数1~4的烷基或者可被Z5取代的苯基,更进一步优选可被Z4取代的甲基或者乙基。
另外,作为R',优选可被Z6取代的碳数1~20的烷基或者可被Z7取代的碳数6~20的芳基,更优选可被Z6取代的碳数1~10的烷基或者可被Z7取代的碳数6~14的芳基,进一步优选可被Z6取代的碳数1~6的烷基或者可被Z7取代的碳数6~10的芳基,更进一步优选可被Z6取代的碳数1~4的烷基或者可被Z7取代的苯基。
予以说明,多个R可以全部相同或不同,多个R′也可以全部相同或不同。
作为Z4,优选卤素原子或者可被Z8取代的碳数6~20的芳基,更优选氟原子或者可被Z8取代的苯基,以不存在(即,未取代)为最佳。
另外,作为Z5,优选卤素原子或者可被Z8取代的碳数6~20的烷基,更优选氟原子或者可被Z8取代的碳数1~10的烷基,以不存在(即,未取代)为最佳。
另一方面,作为Z6,优选卤素原子、可被Z8取代的苯基、可被Z8取代的呋喃基、环氧环己基、环氧丙氧基、甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氧基、脲基、硫醇基、异氰酸酯基、氨基、可被Z8取代的苯基氨基或者可被Z8取代的二苯基氨基,更优选卤素原子,进一步优选氟原子或者不存在(即,未取代)。
另外,作为Z7,优选卤素原子、可被Z8取代的碳数1~20的烷基、可被Z8取代的呋喃基、环氧环己基、环氧丙氧基、甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氧基、脲基、硫醇基、异氰酸酯基、氨基、可被Z8取代的苯基氨基或者可被Z8取代的二苯基氨基,更优选卤素原子,进一步优选氟原子或者不存在(即,未取代)。
另外,作为Z8,优选卤素原子,更优选氟原子或者不存在(即,未取代)。
以下列举出本发明中可使用的有机硅烷化合物的具体例,但不限定于这些。
作为二烷氧基硅烷化合物的具体例,可举出二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、甲基乙基二甲氧基硅烷、二乙基二甲氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅烷、甲基丙基二甲氧基硅烷、甲基丙基二乙氧基硅烷、二异丙基二甲氧基硅烷、苯基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基甲基二甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-(3,4-环氧环己基)乙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-氨丙基甲基二乙氧基硅烷、N-(2-氨乙基)氨丙基甲基二甲氧基硅烷、3,3,3-三氟丙基甲基二甲氧基硅烷等。
作为三烷氧基硅烷化合物的具体例,可举出甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、丙基三乙氧基硅烷、丁基三甲氧基硅烷、丁基三乙氧基硅烷、戊基三甲氧基硅烷、戊基三乙氧基硅烷、庚基三甲氧基硅烷、庚基三乙氧基硅烷、辛基三甲氧基硅烷、辛基三乙氧基硅烷、十二烷基三甲氧基硅烷、十二烷基三乙氧基硅烷、十六烷基三甲氧基硅烷、十六烷基三乙氧基硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷、十八烷基三乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、γ-氨丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、三乙氧基(4-(三氟甲基)苯基)硅烷、十二烷基三乙氧基硅烷、3,3,3-三氟丙基三甲氧基硅烷、(三乙氧基甲硅烷基)环己烷、全氟辛基乙基三乙氧基硅烷、三乙氧基氟硅烷、十三氟-1,1,2,2-四氢辛基三乙氧基硅烷、五氟苯基三甲氧基硅烷、五氟苯基三乙氧基硅烷、3-(七氟异丙氧基)丙基三乙氧基硅烷、十七氟-1,1,2,2-四氢癸基三乙氧基硅烷、三乙氧基-2-噻吩基硅烷、3-(三乙氧基甲硅烷基)呋喃等。
作为四烷氧基硅烷化合物的具体例,可举出四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷等。
其中,优选3,3,3-三氟丙基甲基二甲氧基硅烷、三乙氧基(4-(三氟甲基)苯基)硅烷、3,3,3-三氟丙基三甲氧基硅烷、全氟辛基乙基三乙氧基硅烷或者五氟苯基三甲氧基硅烷、五氟苯基三乙氧基硅烷。
当本发明的电荷传输性清漆中含有有机硅烷化合物时,从维持所获薄膜的高电荷传输性方面考虑,相对于电荷传输性物质和掺杂剂的总质量,有机硅烷化合物的含量通常为0.1~50质量%左右,而从抑制所获薄膜的电荷传输性降低、并且可以提高在被称为空穴传输层或发光层的阳极的相反侧向与空穴注入层接触的方式叠层的层注入空穴的能力考虑,其含量优选为0.5~40质量%左右,更优选为0.8~30质量%左右,进一步优选为1~20质量%。
予以说明,本发明的电荷传输性清漆中,除了上述的包含苯胺衍生物的电荷传输性物质以外,还可以使用公知的其他电荷传输性物质。
作为调制电荷传输性清漆时使用的有机溶剂,还可以使用能够将电荷传输性物质和掺杂剂良好地溶解的高溶解性溶剂。
作为这样的高溶解性溶剂,可以使用例如,N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑烷酮、二甘醇单甲醚等有机溶剂。这些溶剂可以单独使用1种,或者将2种以上混合使用,相对于清漆中所使用的溶剂全体,有机溶剂的使用量可以为5~100质量%。
予以说明,电荷传输性物质和掺杂剂中的任一种均优选成为完全溶解或者均匀分散于上述溶剂中的状态,更优选为完全溶解的状态。
另外,本发明中,通过使清漆中含有至少一种在25℃的粘度为10~200mPa·s、特别是35~150mPa·s、在常压(大气压)下的沸点为50~300℃、特别是150~250℃的高粘度有机溶剂,可以使清漆的粘度的调整变得容易,其结果,可以调制能够再现性良好地形成平坦性高的薄膜的、适于所采用的涂布方法的清漆。
作为高粘度有机溶剂,没有特殊限定,可举出例如,环己醇、乙二醇、乙二醇二缩水甘油醚、1,3-辛二醇、二甘醇、二丙二醇、三甘醇、三丙二醇、1,3-丁二醇、2,3-丁二醇、1,4-丁二醇、丙二醇、己二醇等。这些溶剂可以单独使用1种,或者将2种以上混合使用。
相对于本发明清漆中所用的溶剂全体,高粘度有机溶剂的添加比例优选在不析出固体的范围内,只要不析出固体,添加比例优选为5~80质量%。
进而,为了提高对基板的润湿性、调整溶剂的表面张力、调整极性、调整沸点等,也可以按照相对于清漆中所用的溶剂全体优选为1~90质量%、更优选为1~50质量%的比例混合其他溶剂。
作为这类溶剂,可举出例如,丙二醇单甲醚、乙二醇单丁醚、二甘醇二乙醚、二甘醇二甲醚、二甘醇单乙醚乙酸酯、二甘醇单丁醚乙酸酯、二丙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚乙酸酯、二甘醇单乙醚、二丙酮醇、γ-丁内酯、乳酸乙酯、乙酸正己酯等,但不限定于这些。这些溶剂可以单独使用1种,或者将2种以上混合使用。
本发明的清漆的粘度可根据所需制作的薄膜的厚度等或固体成分的浓度来适宜设定,通常在25℃为1~50mPa·s。
另外,本发明的电荷传输性清漆的固体成分浓度,可考虑清漆的粘度和表面张力等,以及所需制作的薄膜的厚度等来适宜设定,通常为0.1~10.0质量%左右,从提高清漆的涂布性考虑,优选为0.5~5.0质量%,更优选为1.0~3.0质量%。
将上述电荷传输性清漆涂布到基材上,通过烘烤,可以在基材上形成电荷传输性薄膜。
作为清漆的涂布方法,没有特殊限定,可举出浸涂法、旋转涂布法、转印法、辊涂法、刷涂法、喷墨法、喷涂法、狭缝涂布法等,优选根据涂布方法调节清漆的粘度和表面张力。
另外,当使用本发明的清漆时,对于烘烤气氛没有特殊限定,不仅在大气气氛中,或者在氮气等惰性气体或真空中,都能得到具有均匀成膜面和高电荷传输性的薄膜。
从所获薄膜的用途、向所获薄膜赋予的电荷传输性的程度等考虑,烘烤温度可在100~260℃左右的范围内适宜设定,当将所获薄膜用作有机EL元件的空穴注入层时,优选140~250℃左右,更优选145~240℃左右。
予以说明,烘烤时,为了使其发挥更高的均匀成膜性、或是为了使其在基材上进行反应,可以采用2阶段以上的温度变化。加热操作只要使用例如,加热板或烘箱等适当的设备即可。
对电荷传输性薄膜的膜厚没有特殊限定,当在有机EL元件内用作空穴注入层时,优选5~200nm。作为使膜厚发生变化的方法,有改变清漆中的固体成分浓度、或是改变涂布时基板上的溶液量等的方法。
[有机EL元件]
当使用本发明的电荷传输性清漆制作OLED元件时,作为其使用材料和制作方法,可举出下述的材料和方法,但不限定于这些。
对所使用的电极基板优选预先用洗涤剂、醇、纯水等进行液体洗涤来净化,例如,优选在临使用前对阳极基板进行UV臭氧处理、氧-等离子体处理等表面处理。但当阳极材料以有机物作为主成分时,也可以不进行表面处理。
具有包含由本发明的电荷传输性清漆制得的薄膜的空穴注入层的OLED元件,其制作方法的例子如下所述。
采用上述的方法,在阳极基板上涂布本发明的电荷传输性清漆并进行烘烤,在电极上制作空穴注入层。将其放入真空蒸镀装置内,依次按空穴传输层、发光层、电子传输层、电子传输层/空穴阻断层、阴极金属的顺序进行蒸镀,制得OLED元件。予以说明,也可以根据需要,在发光层与空穴传输层之间设置电子阻断层。
作为阳极材料,可举出以氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)为代表的透明电极、由以铝为代表的金属以及它们的合金等构成的金属阳极,优选进行了平坦化处理。也可以使用具有高电荷传输性的聚噻吩衍生物或聚苯胺衍生物。
予以说明,作为构成金属阳极的其他金属,可举出钪、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、镓、钇、锆、铌、钼、钌、铑、钯、镉、铟、钪、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、铪、铊、钨、铼、锇、铱、铂、金、钛、铅、铋或它们的合金等,但不限定于这些。
作为形成空穴传输层的材料,可举出(三苯胺)二聚体衍生物、[(三苯胺)二聚体]螺二聚体、N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺(α-NPD)、N,N'-双(萘-2-基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-9,9-螺联芴、N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-9,9-螺联芴、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-9,9-二甲基-芴、N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-9,9-二甲基-芴、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-9,9-二苯基-芴、N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-9,9-二苯基-芴、N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-2,2'-二甲基联苯胺、2,2',7,7'-四(N,N-二苯基氨基)-9,9-螺联芴、9,9-双[4-(N,N-双-联苯-4-基-氨基)苯基]-9H-芴、9,9-双[4-(N,N-双-萘-2-基-氨基)苯基]-9H-芴、9,9-双[4-(N-萘-1-基-N-苯基氨基)-苯基]-9H-芴、2,2',7,7'-四[N-萘基(苯基)-氨基]-9,9-螺联芴、N,N'-双(菲-9-基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺、2,2'-双[N,N-双(联苯-4-基)氨基]-9,9-螺联芴、2,2'-双(N,N-二苯基氨基)-9,9-螺联芴、二-[4-(N,N-二(对甲苯基)氨基)-苯基]环己烷、2,2',7,7'-四(N,N-二(对甲苯基))氨基-9,9-螺联芴、N,N,N',N'-四-萘-2-基-联苯胺、N,N,N',N'-四-(3-甲基苯基)-3,3'-二甲基联苯胺、N,N'-二(萘基)-N,N'-二(萘-2-基)-联苯胺、N,N,N',N'-四(萘基)-联苯胺、N,N'-二(萘-2-基)-N,N'-二苯基联苯胺-1,4-二胺、N1,N4-二苯基-N1,N4-二(间甲苯基)苯-1,4-二胺、N2,N2,N6,N6-四苯基萘-2,6-二胺、三(4-(喹啉-8-基)苯基)胺、2,2'-双(3-(N,N-二(对甲苯基)氨基)苯基)联苯、4,4',4”-三[3-甲基苯基(苯基)氨基]三苯胺(m-MTDATA)、4,4',4”-三[1-萘基(苯基)氨基]三苯胺(1-TNATA)等三芳基胺类、5,5”-双-{4-[双(4-甲基苯基)氨基]苯基}-2,2':5',2”-三联噻吩(BMA-3T)等低聚噻吩类等。
作为形成发光层的材料,可举出三(8-羟基喹啉)铝(III)(Alq3)、双(8-羟基喹啉)锌(II)(Znq2)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(对苯基苯酚)铝(III)(BAlq)、4,4'-双(2,2-二苯基乙烯基)联苯、9,10-二(萘-2-基)蒽、2-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽、2,7-双[9,9-二(4-甲基苯基)-芴-2-基]-9,9-二(4-甲基苯基)芴、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽、2-(9,9-螺联芴-2-基)-9,9-螺联芴、2,7-双(9,9-螺联芴-2-基)-9,9-螺联芴、2-[9,9-二(4-甲基苯基)-芴-2-基]-9,9-二(4-甲基苯基)芴、2,2'-二芘基-9,9-螺联芴、1,3,5-三(芘-1-基)苯、9,9-双[4-(芘基)苯基]-9H-芴、2,2'-双(9,10-二苯基蒽)、2,7-二芘基-9,9-螺联芴、1,4-二(芘-1-基)苯、1,3-二(芘-1-基)苯、6,13-二(联苯-4-基)并五苯、3,9-二(萘-2-基)苝、3,10-二(萘-2-基)苝、三[4-(芘基)-苯基]胺、10,10'-二(联苯-4-基)-9,9'-联蒽、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-[1,1':4',1”:4”,1”'-四联苯基]-4,4”'-二胺、4,4'-二[10-(萘-1-基)蒽-9-基]联苯、二苯并{[f,f']-4,4',7,7'-四苯基}二茚并[1,2,3-cd:1',2',3'-lm]苝、1-(7-(9,9'-联蒽-10-基)-9,9-二甲基-9H-芴-2-基)芘、1-(7-(9,9'-联蒽-10-基)-9,9-二己基-9H-芴-2-基)芘、1,3-双(咔唑-9-基)苯、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-双(咔唑-9-基)联苯(CBP)、4,4'-双(咔唑-9-基)-2,2'-二甲基联苯、2,7-双(咔唑-9-基)-9,9-二甲基芴、2,2',7,7'-四(咔唑-9-基)-9,9-螺联芴、2,7-双(咔唑-9-基)-9,9-二(对甲苯基)芴、9,9-双[4-(咔唑-9-基)-苯基]芴、2,7-双(咔唑-9-基)-9,9-螺联芴、1,4-双(三苯基甲硅烷基)苯、1,3-双(三苯基甲硅烷基)苯、双(4-N,N-二乙基氨基-2-甲基苯基)-4-甲基苯基甲烷、2,7-双(咔唑-9-基)-9,9-二辛基芴、4,4”-二(三苯基甲硅烷基)-对三联苯、4,4'-二(三苯基甲硅烷基)联苯、9-(4-叔丁基苯基)-3,6-双(三苯基甲硅烷基)-9H-咔唑、9-(4-叔丁基苯基)-3,6-二三苯甲基-9H-咔唑、9-(4-叔丁基苯基)-3,6-双(9-(4-甲氧基苯基)-9H-芴-9-基)-9H-咔唑、2,6-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶、三苯基(4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基)硅烷、9,9-二甲基-N,N-二苯基-7-(4-(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯基)-9H-芴-2-胺、3,5-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶、9,9-螺联芴-2-基-二苯基-氧化膦、9,9'-(5-(三苯基甲硅烷基)-1,3-亚苯基)双(9H-咔唑)、3-(2,7-双(二苯基磷酰基)-9-苯基-9H-芴-9-基)-9-苯基-9H-咔唑、4,4,8,8,12,12-六(对甲苯基)-4H-8H-12H-12C-吖二苯并[cd,mn]芘、4,7-二(9H-咔唑-9-基)-1,10-菲咯啉、2,2'-双(4-(咔唑-9-基)苯基)联苯、2,8-双(二苯基磷酰基)二苯并[b,d]噻吩、双(2-甲基苯基)二苯基硅烷、双[3,5-二(9H-咔唑-9-基)苯基]二苯基硅烷、3,6-双(咔唑-9-基)-9-(2-乙基-己基)-9H-咔唑、3-(二苯基磷酰基)-9-(4-(二苯基磷酰基)苯基)-9H-咔唑、3,6-双[(3,5-二苯基)苯基]-9-苯基咔唑等,通过与发光性掺杂剂一起蒸镀,也可以形成发光层。
作为发光性掺杂剂,可举出3-(2-苯并噻唑基)-7-(二乙基氨基)香豆素、2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)喹嗪并[9,9a,1gh]香豆素、喹吖酮、N,N'-二甲基-喹吖酮、三(2-苯基吡啶)铱(III)(Ir(ppy)3)、双(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮)铱(III)(Ir(ppy)2(acac))、三[2-(对甲苯基)吡啶]铱(III)(Ir(mppy)3)、9,10-双[N,N-二(对甲苯基)氨基]蒽、9,10-双[苯基(间甲苯基)氨基]蒽、双[2-(2-羟苯基)苯并噻唑]锌(II)、N10,N10,N10,N10-四(对甲苯基)-9,9'-联蒽-10,10'-二胺、N10,N10,N10,N10-四苯基-9,9'-联蒽-10,10'-二胺、N10,N10-二苯基-N10,N10-二萘基-9,9'-联蒽-10,10'-二胺、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑-1,2-亚乙烯基)-1,1'-联苯、苝、2,5,8,11-四-叔丁基苝、1,4-双[2-(3-N-乙基咔唑基)乙烯基]苯、4,4'-双[4-(二-对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯、4-(二-对甲苯基氨基)-4'-[(二-对甲苯基氨基)苯乙烯基]茋、双[3,5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)]铱(III)、4,4'-双[4-(二苯基氨基)苯乙烯基]联苯、双(2,4-二氟苯基吡啶)四(1-吡唑基)硼酸铱(III)、N,N'-双(萘-2-基)-N,N'-双(苯基)-三(9,9-二甲基亚芴基)、2,7-双{2-[苯基(间甲苯基)氨基]-9,9-二甲基-芴-7-基}-9,9-二甲基-芴、N-(4-((E)-2-(6((E)-4-(二苯基氨基)苯乙烯基)萘-2-基)乙烯基)苯基)-N-苯基苯胺、fac-铱(III)三(1-苯基-3-甲基苯并咪唑啉-2-亚基-C,C2)、mer-铱(III)三(1-苯基-3-甲基苯并咪唑啉-2-亚基-C,C2)、2,7-双[4-(二苯基氨基)苯乙烯基]-9,9-螺联芴、6-甲基-2-(4-(9-(4-(6-甲基苯并[d]噻唑-2-基)苯基)蒽-10-基)苯基)苯并[d]噻唑、1,4-二[4-(N,N-二苯基)氨基]苯乙烯基苯、1,4-双(4-(9H-咔唑-9-基)苯乙烯基)苯、(E)-6-(4-(二苯基氨基)苯乙烯基)-N,N-二苯基萘-2-胺、双(2,4-二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-1H-四唑)铱(III)、双(3-三氟甲基-5-(2-吡啶基)吡唑)((2,4-二氟苄基)二苯基膦酸)铱(III)、双(3-三氟甲基-5-(2-吡啶基)吡唑)(苄基二苯基膦酸)铱(III)、双(1-(2,4-二氟苄基)-3-甲基苯并咪唑)(3-(三氟甲基)-5-(2-吡啶基)-1,2,4-三唑)铱(III)、双(3-三氟甲基-5-(2-吡啶基)吡唑)(4',6'-二氟苯基吡啶)铱(III)、双(4',6'-二氟苯基吡啶)(3,5-双(三氟甲基)-2-(2'-吡啶基)吡咯)铱(III)、双(4',6'-二氟苯基吡啶)(3-(三氟甲基)-5-(2-吡啶基)-1,2,4-三唑)铱(III)、(Z)-6-基-N-(6-基喹啉-2(1H)-亚基)喹啉-2-胺-BF2、(E)-2-(2-(4-(二甲基氨基)苯乙烯基)-6-甲基-4H-吡喃-4-亚基)丙二腈、4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-久洛里定基-9-烯基-4H-吡喃、4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛里定基-9-烯基)-4H-吡喃、4-(二氰基亚甲基)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛里定基-4-基-乙烯基)-4H-吡喃、三(二苯甲酰基甲烷)菲咯啉铕(III)、5,6,11,12-四苯基并四苯、双(2-苯并[b]噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)铱(III)、三(1-苯基异喹啉)铱(III)、双(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)铱(III)、双[1-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-异喹啉](乙酰丙酮)铱(III)、双[2-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)喹啉](乙酰丙酮)铱(III)、三[4,4'-二-叔丁基-(2,2')-ビ吡啶]钌(III)·双(六氟磷酸盐)、三(2-苯基喹啉)铱(III)、双(2-苯基喹啉)(乙酰丙酮)铱(III)、2,8-二叔丁基-5,11-双(4-叔丁基苯基)-6,12-二苯基并四苯、双(2-苯基苯并噻唑)(乙酰丙酮)铱(III)、5,10,15,20-四苯基四苯并卟啉铂、锇(II)双(3-三氟甲基-5-(2-吡啶)-吡唑)二甲基苯基膦、锇(II)双(3-(三氟甲基)-5-(4-叔丁基吡啶基)-1,2,4-三唑)二苯基甲基膦、锇(II)双(3-(三氟甲基)-5-(2-吡啶基)-1,2,4-三唑)二甲基苯基膦、锇(II)双(3-(三氟甲基)-5-(4-叔丁基吡啶基)-1,2,4-三唑)二甲基苯基膦、双[2-(4-正-己基苯基)喹啉](乙酰丙酮)铱(III)、三[2-(4-正-己基苯基)喹啉]铱(III)、三[2-苯基-4-甲基喹啉]铱(III)、双(2-苯基喹啉)(2-(3-甲基苯基)吡啶)铱(III)、双(2-(9,9-二乙基-芴-2-基)-1-苯基-1H-苯并[d]咪唑)(乙酰丙酮)铱(III)、双(2-苯基吡啶)(3-(吡啶-2-基)-2H-色烯-2-二酯基)铱(III)、双(2-苯基喹啉)(2,2,6,6-四甲基庚烷-3,5-二酯基)铱(III)、双(苯基异喹啉)(2,2,6,6-四甲基庚烷-3,5-二酯基)铱(III)、双(4-苯基噻吩并[3,2-c]吡啶-N,C2)乙酰丙酮铱(III)、(E)-2-(2-叔丁基-6-(2-(2,6,6-三甲基-2,4,5,6-四氢-1H-吡咯并[3,2,1-ij]喹啉-8-基)乙烯基)-4H-吡喃-4-亚基)丙二腈、双(3-三氟甲基-5-(1-异喹啉基)吡唑)(甲基二苯基膦)钌、双[(4-正-己基苯基)异喹啉](乙酰丙酮)铱(III)、铂(II)八乙基卟吩、双(2-甲基二苯并[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)铱(III)、三[(4-正-己基苯基)氧喹啉]铱(III)等。
作为形成电子传输层/空穴阻断层的材料,可举出8-羟基喹啉锂、2,2',2”-(1,3,5-苯甲腈-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)、2-(4-联苯基)5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-二唑、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、双(2-甲基-8-喹啉)-4-(苯基苯酚)铝、1,3-双[2-(2,2'-联吡啶-6-基)-1,3,4-二唑5-基]苯、6,6'-双[5-(联苯-4-基)-1,3,4-二唑2-基]-2,2'-联吡啶、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑、2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、2,7-双[2-(2,2'-联吡啶-6-基)-1,3,4-二唑-5-基]-9,9-二甲基芴、1,3-双[2-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-二唑-5-基]苯、三(2,4,6-三甲基-3-(吡啶-3-基)苯基)硼烷、1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑并[4,5f][1,10]菲咯啉、2-(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、苯基-二芘基氧化膦、3,3',5,5'-四[(间吡啶基)-葑-3-基]联苯、1,3,5-三[(3-吡啶基)-葑-3-基]苯、4,4'-双(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)联苯、1,3-双[3,5-二(吡啶-3-基)苯基]苯、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍、二苯基双(4-(吡啶-3-基)苯基)硅烷、3,5-二(芘-1-基)吡啶等。
作为形成电子注入层的材料,可举出氧化锂(Li2O)、氧化镁(MgO)、氧化铝(Al2O3)、氟化锂(LiF)、氟化钠(NaF)、氟化镁(MgF2)、氟化铯(CsF)、氟化锶(SrF2)、三氧化钼(MoO3)、铝、Li(acac)、乙酸锂、苯甲酸锂等。
作为阴极材料,可举出铝、镁-银合金、铝-锂合金、锂、钠、钾、铯等。
作为形成电子阻断层的材料,可举出三(苯基吡唑)铱等。
对于使用本发明电荷传输性清漆制作PLED元件的方法没有特别限定,可举出以下的方法。
在上述OLED元件制作中,通过依次形成空穴传输性高分子层、发光性高分子层来代替进行空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层的真空蒸镀操作,可以制作具有由本发明电荷传输性清漆形成的电荷传输性薄膜的PLED元件。
具体而言,在阳极基板上涂布本发明的电荷传输性清漆,采用上述方法制作空穴注入层,在其上依次形成空穴传输性高分子层、发光性高分子层,进而蒸镀阴极电极,制成PLED元件。
作为所使用的阴极和阳极材料,可以使用与制作上述OLED元件时同样的材料,进行同样的洗涤处理和表面处理。
作为空穴传输性高分子层和发光性高分子层的形成法,可举出向空穴传输性高分子材料或者发光性高分子材料、或者其中已加入了掺杂剂的材料中加入溶剂并使其溶解或均匀分散,将其涂布到空穴注入层或者空穴传输性高分子层上之后,通过分别烘烤来成膜的方法。
作为空穴传输性高分子材料,可举出聚[(9,9-二己基芴-2,7-二基)-co-(N,N'-双{对-丁基苯基}-1,4-二氨基亚苯基)]、聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-co-(N,N'-双{对-丁基苯基}-1,1'-亚联苯基-4,4-二胺)]、聚[(9,9-双{1'-戊烯-5'-基}芴-2,7-二基)-co-(N,N'-双{对-丁基苯基}-1,4-二氨基亚苯基)]、聚[N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺]-以聚倍半硅氧烷封端、聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-co-(4,4'-(N-(对-丁基苯基))二苯胺)]等。
作为发光性高分子材料,可举出聚(9,9-二烷基芴)(PDAF)等聚芴衍生物、聚(2-甲氧基-5-(2'-乙基己氧基)-1,4-亚苯基1,2-亚乙烯基)(MEH-PPV)等聚亚苯基1,2-亚乙烯基衍生物、聚(3-烷基噻吩)(PAT)等聚噻吩衍生物、聚乙烯基咔唑(PVCz)等。
作为溶剂,可举出甲苯、二甲苯、氯仿等,作为溶解或者均匀分散法,可举出搅拌、加热搅拌、超声波分散等方法。
对涂布方法没有特殊限定,可举出喷墨法、喷涂法、浸涂法、旋转涂布法、转印法、辊涂法、刷涂法等。予以说明,涂布操作优选在氮、氩等惰性气体中进行。
作为烘烤方法,可举出在惰性气体中或者在真空中,用烘箱或者加热板进行加热的方法。
予以说明,不仅由上述的电荷传输性清漆制得的电荷传输性薄膜,而且由本发明的苯胺衍生物制得的蒸镀膜,其电荷传输性均优良,可根据用途,使用按蒸镀法得到的电荷传输性薄膜。
实施例
以下列举出合成例和实施例,更具体地说明本发明,但本发明不限定于下述的实施例。予以说明,所使用的装置如下:
(1)MALDI-TOF-MS:Bruker社制、autoflex III smartbeam
(2)1H-NMR:日本电子(株)制、JNM-ECP300 FT NMR SYSTEM
(3)基板洗涤:长州产业(株)制、基板洗涤装置(减压等离子体方式)
(4)清漆的涂布:Mikasa(株)制、旋转涂布机MS-A100
(5)膜厚测定:(株)小坂研究所制微细形状测定机Suifcorder ET-4000
(6)EL元件的制作:长州产业(株)制多功能蒸镀装置系统C-E2L1G1-N
(7)EL元件的亮度等的测定:(有)Tech World制I-V-L测定系统
(8)EL元件的寿命测定(半衰期的测定):(株)EHC制有机EL亮度寿命评价系统PEL-105S
[合成例1]芳基磺酸化合物1的合成
基于国际公开第2006/025342号中的记载,按照下述反应式合成芳基磺酸化合物1(式(b1))。
[化17]
在氮气氛中,向充分干燥的1-萘酚-3,6-二磺酸钠11g(31.59mmol)中依次加入全氟联苯4.797g(14.36mol)、碳酸钾4.167g(30.15mol)、以及N,N-二甲基甲酰胺100mL,将反应系统用氮气置换后,在内温100℃下搅拌6小时。
放冷至室温后,为了使反应后析出的芳基磺酸化合物1再次溶解,再加入N,N-二甲基甲酰胺500mL,在室温下搅拌90分钟。室温搅拌后,将该溶液过滤,除去碳酸钾残留物,减压浓缩。进而,为了除去残留的杂质,向残留物中加入甲醇100mL,在室温下进行搅拌。
在室温下搅拌30分钟后,将悬浮溶液过滤,得到滤饼。向滤饼中加入超纯水300mL使其溶解,使用阳离子交换树脂Dowex 650C(陶氏化学公司制、H型约200mL、洗脱溶剂:超纯水)的柱色谱仪进行离子交换。
将pH1以下的级分在减压下浓缩干固,将残留物在减压下干固,得到黄色粉末11g(收率85%)。
[实施例1-1]苯胺衍生物1的合成
采用以下的方法合成苯胺衍生物1(式(a1))。
[化18]
向烧瓶内加入N-甲基-双(4-氨基苯基)胺5.02g、溴三苯胺16.03g(2.1eq)、Pd2(dba)3 0.11g(0.5mol%)、P(t-Bu)3 0.24g(5.0mol%)、叔丁醇钠(t-BuONa)4.75g(2.1eq)以及甲苯50g,进行氮气置换后,在回流条件下搅拌3小时。
将反应液放冷至室温后,向其中加入去离子水和乙酸乙酯,进行分液处理,将所获有机层用硫酸镁干燥。
然后,将溶剂减压蒸馏除去,将所获残留物溶解于二烷和异丙醇的混合溶剂(1/4(v/v))中,将该溶液滴入到甲醇中,进行再沉淀。
将过滤回收的沉淀物用乙酸乙酯洗涤,在减压加热下充分干燥,得到苯胺衍生物1(收量:12g、收率:73%)。1H-NMR的测定结果示于以下。
1H-NMR(300MHz,DMSO-d6)δ[ppm]:7.94(s,2H),7.21-7.25(t,8H),6.86-7.02(m,28H),3.17(s,3H).
[实施例1-2]苯胺衍生物2的合成
(1)采用以下的方法合成N,N-二苯基-对苯二胺(式(13))。
[化19]
向烧瓶内加入溴三苯胺4.04g和Pd(dba)2 0.358g(5mol%),进行氮气置换。向其中依次加入甲苯40mL、P(t-Bu)3的甲苯溶液5.24mL(24.02g/L、5mol%)以及六甲基二硅基氨基锂(Lithium Hexamethyldisilazide,LHMDS)17.1mL(1.09M、1.5eq)后,在室温下搅拌4小时,再向其中加入适量的三氟乙酸,搅拌整夜。
搅拌结束后,使用2mol/L氢氧化钠水溶液30mL进行分液处理,将所获有机层用去离子水洗涤2次。洗涤后,将该有机层用硫酸钠干燥,向干燥了的有机层中加入活性炭0.4g,在室温下搅拌40分钟。然后,除去活性炭,将有机溶剂减压蒸馏除去。
将所获残留物用甲苯4.3g和己烷12.9g进行重结晶,将过滤回收的析出物充分干燥,得到N,N-二苯基-对苯二胺(收量:2.41g、收率:74%)。
(2)采用以下的方法合成苯胺衍生物2(式(a13))。
[化20]
向烧瓶内加入N,N-双(对-溴苯基)苯胺1.35g、N,N-二苯基对苯二胺1.91g(2.2eq)、Pd(PPh3)4 0.193g(5mol%)、t-BuONa0.713g(2.2eq)以及二甲苯20mL,进行氮气置换后,在回流条件下搅拌3.5小时。搅拌结束后,将反应液放冷至室温,向其中加入去离子水和氯仿,进行分液处理。
接着,将所获有机层用硫酸钠干燥,然后,在减压下蒸馏除去溶剂,将所获残留物完全溶解于已加热至80℃的1,4-二烷(12.5g)中。向其中加入活性炭0.14g,搅拌30分钟,搅拌结束后,将活性炭趁热过滤除去,从所获滤液中减压蒸馏除去有机溶剂。将所获残留物溶解于甲苯25g中,进行柱色谱仪处理,采用薄层色谱(TLC)法等来确认是否有目的物,分离出含有目的物的级分。
在减压下从分离出的级分中蒸馏除去溶剂,然后,将所获残留物溶解于已加热至90℃的甲苯(15.3g)中,将该溶液冷却至0℃,将过滤回收的析出物充分干燥,得到苯胺衍生物2(收量:1.14g、收率:45%)。1H-NMR和MALDI-TOF-MS的测定结果示于以下。
1H-NMR(300MHz,DMSO-d6)δ[ppm]:8.09(s,2H),7.21-7.26(m,11H),6.91-7.04(m,30H).
MALDI-TOF-MS m/Z found:761.72([M]+calcd:761.35)
[实施例1-3]苯胺衍生物3的合成
采用以下的方法合成苯胺衍生物3(式(a24))。
[化21]
向烧瓶内加入三(4-氨基苯基)胺1.46g、溴三苯胺5.35g(3.3eq)、Pd(PPh3)40.299g(5mol%)、t-BuONa 1.59g(3.3eq)以及二甲苯50mL,进行氮气置换后,在回流条件下搅拌8小时。搅拌结束后,将反应液放冷至室温,向其中加入氯仿50mL,进行硅藻土过滤。
接着,使用该滤液和饱和食盐水进行分液处理,将所获有机层用硫酸钠干燥后,在减压下蒸馏除去溶剂,使用所获残留物和氯仿进行短柱处理。
向所获溶液中加入活性炭0.5g,搅拌30分钟,将该活性炭过滤除去。从该滤液中蒸馏除去溶剂,将所获残留物溶解于氯仿与正己烷的混合溶剂(1/1(v/v))中。
使用所获溶液进行柱色谱处理,采用TLC法等确认是否有目的物,分离出含有目的物的级分,将该溶剂减压蒸馏除去。
向溶解有所获残留物的甲苯溶液中加入正己烷,进行再沉淀,将过滤回收的沉淀物在减压下充分干燥,得到苯胺衍生物3(收量:2.01g、收率:39%)。MALDI-TOF-MS的测定结果示于以下。
MALDI-TOF-MS m/Z found:1019.98([M]+calcd:1019.47)
[实施例2-1]
在氮气氛中,将苯胺衍生物1 0.062g和磷钨酸(PTA)0.309g溶解于1,3-二甲基-2-咪唑烷酮(DMI)4g中。向所获溶液中加入环己醇(CHA)6g和丙二醇(PG)2g,搅拌,调制电荷传输性清漆。
[实施例2-2]
除了将苯胺衍生物1和PTA的使用量分别变更为0.053g和0.318g以外,其余采用与实施例2-1同样的方法调制电荷传输性清漆。
[实施例2-3]
在氮气氛中,将苯胺衍生物2 0.062g和PTA 0.309g溶解于DMI4g中。向所获溶液中加入CHA 6g和PG 2g,搅拌,调制电荷传输性清漆。
[实施例2-4]
除了将苯胺衍生物2和PTA的使用量分别变更为0.053g和0.318g以外,其余采用与实施例2-3同样的方法调制电荷传输性清漆。
[实施例2-5]
在氮气氛中,将苯胺衍生物3 0.062g和PTA 0.309g溶解于DMI4g中。向所获溶液中加入CHA 6g和PG 2g,搅拌,调制电荷传输性清漆。
[实施例2-6]
除了将苯胺衍生物3和PTA的使用量分别变更为0.053g和0.318g以外,其余采用与实施例2-5同样的方法调制电荷传输性清漆。
[实施例3-1]
在氮气氛中,将苯胺衍生物1 0.083g和芳基磺酸化合物1 0.161g溶解于DMI 4g中。向所获溶液中加入CHA 6g和PG 2g,搅拌,调制电荷传输性清漆。
[实施例3-2]
在氮气氛中,将苯胺衍生物2 0.088g和芳基磺酸化合物1 0.157g溶解于DMI 4g中。向所获溶液中加入CHA 6g和PG 2g,搅拌,调制电荷传输性清漆。
[实施例3-3]
除了将苯胺衍生物2和芳基磺酸化合物1的使用量分别变更为0.073g和0.172g以外,其余采用与实施例3-2同样的方法调制电荷传输性清漆。
[实施例3-4]
在氮气氛中,将苯胺衍生物3 0.082g、芳基磺酸化合物1 0.163g溶解于DMI 4g中。向所获溶液中加入CHA 6g和PG 2g,搅拌,调制电荷传输性清漆。
[实施例3-5]
除了将苯胺衍生物3和芳基磺酸化合物1的使用量分别变更为0.067g和0.178g以外,其余采用与实施例3-4同样的方法调制电荷传输性清漆。
[实施例4-1]
在氮气氛中,将苯胺衍生物1 0.107g和芳基磺酸化合物1 0.138g溶解于DMI 4g中。向所获溶液中加入CHA 6g和PG 2g,搅拌,向其中加入3,3,3-三氟丙基三甲氧基硅烷0.016g和苯基三甲氧基硅烷0.008g,再次搅拌,调制电荷传输性清漆。
[实施例4-2]
除了将苯胺衍生物1和芳基磺酸化合物1的使用量分别变更为0.083g和0.161g以外,其余采用与实施例4-1同样的方法调制电荷传输性清漆。
[实施例4-3]
在氮气氛中,将苯胺衍生物2 0.112g和芳基磺酸化合物1 0.133g溶解于DMI 4g中。向所获溶液中加入CHA 6g和PG 2g,搅拌,向其中加入3,3,3-三氟丙基三甲氧基硅烷0.016g和苯基三甲氧基硅烷0.008g,再次搅拌,调制电荷传输性清漆。
[实施例4-4及4-5]
除了将苯胺衍生物2和芳基磺酸化合物1的使用量分别变更为0.088g和0.157g(实施例4-4)、0.073g和0.172g(实施例4-5)以外,其余采用与实施例4-3同样的方法调制电荷传输性清漆。
[实施例4-6]
在氮气氛中,将苯胺衍生物3 0.105g和芳基磺酸化合物1 0.140g溶解于DMI 4g中。向所获溶液中加入CHA 6g和PG 2g,搅拌,向其中加入3,3,3-三氟丙基三甲氧基硅烷0.016g和苯基三甲氧基硅烷0.008g,再次搅拌,调制电荷传输性清漆。
[实施例4-7和4-8]
除了将苯胺衍生物3和芳基磺酸化合物1的使用量分别变更为0.082g和0.163g(实施例4-7)、0.067g和0.178g(实施例4-8)以外,其余采用与实施例4-6同样的方法调制电荷传输性清漆。
[实施例5]
分别使用旋转涂布机将实施例2-1~4-8中所获清漆涂布到ITO基板上,然后,在50℃下干燥5分钟,进而在大气气氛中、230℃烘烤15分钟,在ITO基板上形成30nm的均匀薄膜。作为ITO基板,使用由氧化铟锡(ITO)在表面上按膜厚150nm形成了图案的25mm×25mm×0.7t的玻璃基板,在使用之前通过O2等离子体洗涤装置(150W、30秒钟)除去表面上的杂质。
接着,使用蒸镀装置(真空度1.0×10-5Pa),对形成了薄膜的ITO基板依次叠层N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺(α-NPD)、三(8-羟基喹啉)铝(III)(Alq3)、氟化锂和铝的薄膜,得到有机EL元件。此时,在蒸镀速率对于α-NPD、Alq3和铝各自均为0.2nm/秒的条件下进行,而对于氟化锂则为0.02nm/秒的条件下进行,膜厚分别为30nm、40nm、0.5nm和120nm。
予以说明,为了防止空气中的氧、水等的影响所导致的特性劣化,利用密封基板将有机EL元件密封后,评价其特性。密封按以下的顺序进行。
在氧浓度2ppm以下、露点-85℃以下的氮气氛中,将有机EL元件置于密封基板之间,将密封基板用胶粘剂(Nagasechemtex(株)制、XNR5516Z-B1)贴合。此时,将干燥剂(Dynic(株)制、HD-071010W-40)与有机EL元件一起置于密封基板内。
向贴合了的密封基板照射UV光(波长:365nm、照射量:6,000mJ/cm2)后,在80℃下退火处理1小时,使胶粘剂固化。
测定这些元件在驱动电压5V时的电流密度和亮度。
使用实施例2-1~2-6的清漆制作的元件的测定结果示于表1,使用实施例3-1~3-6的清漆制作的元件的测定结果示于表2,使用实施例4-1~4-8的清漆制作的元件的测定结果示于表3。
[表1]
[表2]
[表3]
如表1所示,当使用含有本发明的苯胺衍生物和磷钨酸的电荷传输性清漆时,可以制造适于作为能够实现具有优良电气特性的EL元件的空穴注入层的电荷传输性薄膜。
如表2所示,即便在使用含有本发明的苯胺衍生物和芳基磺酸化合物的电荷传输性清漆时,也可以制造适于作为能够实现具有优良电气特性的EL元件的空穴注入层的电荷传输性薄膜。
如表3所示,即便在使用含有本发明的苯胺衍生物、芳基磺酸化合物和有机硅烷化合物的电荷传输性清漆时,也可以制造适于作为能够实现具有优良电气特性的EL元件的空穴注入层的电荷传输性薄膜。
另外,对于使用实施例2-5、2-6、3-1~3-5以及4-1~4-8的清漆制作的元件进行耐久性试验。亮度的半衰期(初期亮度5,000cd/m2)示于表4。
[表4]
半衰期(小时) | |
实施例2-5 | 313 |
实施例2-6 | 305 |
实施例3-1 | 358 |
实施例3-2 | 355 |
实施例3-3 | 256 |
实施例3-4 | 447 |
实施例3-5 | 381 |
实施例4-1 | 334 |
实施例4-2 | 255 |
实施例4-3 | 449 |
实施例4-4 | 356 |
实施例4-5 | 335 |
实施例4-6 | 475 |
实施例4-7 | 428 |
实施例4-8 | 431 |
如表4所示,具备由本发明的电荷传输性清漆制得的电荷传输性薄膜的有机EL元件,其耐久性优良。
Claims (13)
1.苯胺衍生物,其特征在于,其由式(1)表示:
[化1]
式中,R1为由式(2)表示的基团;
[化2]
式中,R2~R55各自独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、醛基、羟基、硫醇基、羧酸基、可被Z1取代的碳数1~20的烷基、可被Z1取代的碳数2~20的烯基、可被Z1取代的碳数2~20的炔基、可被Z2取代的碳数6~20的芳基、可被Z2取代的碳数2~20的杂芳基、-C(O)Y1基、-OY2基、-SY3基、-C(O)OY4基、-OC(O)Y5基、-C(O)NHY6基或者-C(O)NY7Y8基;
Y1~Y8各自独立地表示可被Z1取代的碳数1~20的烷基、可被Z1取代的碳数2~20的烯基、可被Z1取代的碳数2~20的炔基、可被Z2取代的碳数6~20的芳基或者可被Z2取代的碳数2~20的杂芳基;
Z1表示卤素原子、硝基、氰基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、可被Z3取代的碳数6~20的芳基或者可被Z3取代的碳数2~20的杂芳基;
Z2表示卤素原子、硝基、氰基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、可被Z3取代的碳数1~20的烷基、可被Z3取代的碳数2~20的烯基或者可被Z3取代的碳数2~20的炔基;
Z3表示卤素原子、硝基、氰基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基或者羧酸基。
2.权利要求1所述的苯胺衍生物,其中,R2~R37为氢原子、卤素原子、可被Z1取代的碳数1~20的烷基、可被Z2取代的碳数6~20的芳基或者-OY2基。
3.权利要求1所述的苯胺衍生物,其中,R38~R55为氢原子、卤素原子、可被Z1取代的碳数1~20的烷基、可被Z2取代的碳数6~20的芳基或者-OY2基。
4.电荷传输性物质,其含有权利要求1~3的任一项所述的苯胺衍生物。
5.电荷传输性清漆,其含有权利要求1~3的任一项所述的苯胺衍生物、掺杂剂和有机溶剂。
6.电荷传输性薄膜,其是使用权利要求5所述的电荷传输性清漆制作的。
7.电荷传输性薄膜,其含有权利要求1~3的任一项所述的苯胺衍生物。
8.电子器件,其具备至少1层权利要求6或7所述的电荷传输性薄膜。
9.有机电致发光元件,其具备至少1层权利要求6或7所述的电荷传输性薄膜。
10.权利要求9所述的有机电致发光元件,其中,上述电荷传输性薄膜为空穴注入层或者空穴传输层。
11.权利要求1所述的苯胺衍生物的制备方法,其特征在于,使式(3)表示的胺化合物、式(4)表示的胺化合物与式(5)表示的胺化合物在催化剂的存在下进行反应:
[化3]
式中,R1~R37如权利要求1中所述;X表示卤素原子或者假卤素基。
12.权利要求1所述的苯胺衍生物的制备方法,其特征在于,使式(6)表示的胺化合物、式(7)表示的胺化合物与式(8)表示的胺化合物在催化剂的存在下进行反应:
[化4]
式中,R1~R37如权利要求1中所述;X表示卤素原子或者假卤素基。
13.权利要求1所述的苯胺衍生物的制备方法,其特征在于,使式(9)表示的胺化合物、式(4)表示的胺化合物、式(5)表示的胺化合物与式(10)表示的胺化合物在催化剂的存在下进行反应:
[化5]
式中,R2~R55如权利要求1中所述;X表示卤素原子或者假卤素基。
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