CN105319745A - 具有集成选通驱动器的阵列基板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

具有集成选通驱动器的阵列基板及其制造方法。一种阵列基板包括：基板；栅连接线，该栅连接线在所述基板上位于选通电路区域中；栅绝缘层，该栅绝缘层位于所述栅连接线上；有源图案，该有源图案位于所述栅绝缘层上；源连接线和像素图案，该源连接线和该像素图案被依次布置在所述有源图案上；层间绝缘层和有机图案，该层间绝缘层和该有机图案被依次布置在所述栅绝缘层上；第一钝化层，该第一钝化层位于所述有机图案上；以及导电图案，该导电图案位于所述第一钝化层上，该导电图案连接至所述栅连接线并且连接至所述像素图案。

Description

具有集成选通驱动器的阵列基板及其制造方法
技术领域
本公开涉及阵列基板，并且更具体地，涉及一种具有集成选通驱动器的阵列基板及其制造方法。
背景技术
近来，液晶显示(LCD)装置已作为下一代显示装置受到关注，因为LCD装置具有由于其低功耗和良好的便携性而附加的高价值。
LCD装置包括布置有多个薄膜晶体管(TFT)的阵列基板、滤色器基板以及位于该阵列基板与该滤色器基板之间的液晶层。LCD装置根据液晶层的光学各向异性利用折射率的差来显示图像。
近年来，TFT和像素电极按照矩阵形状布置的有源矩阵LCD(AM-LCD)装置已因为其具体实现运动图像的高分辨率和高能力而吸引了更多关注。
因为非晶硅(a-Si)通过低温工艺而形成，所以针对非晶硅可以采用低成本的绝缘基板。结果，可以利用非晶硅形成阵列基板的TFT。
LCD装置包括显示图像的液晶面板、向该液晶面板供应光的背光单元和向该液晶面板供应信号和电力的驱动单元。驱动单元包括印刷电路板(PCB)。PCB被分类为连接至液晶面板的选通线的选通PCB和连接至液晶面板的数据线的数据PCB。选通PCB和数据PCB可以通过带载封装(TCP)在液晶面板上分别附接至选通焊盘和数据焊盘。连接至选通线的选通焊盘形成在液晶面板的边缘部上，并且连接至数据线的数据焊盘形成在液晶面板的另一边缘部上。
因为驱动单元包括分别附接至选通焊盘和数据焊盘的选通PCB和数据PCB，所以LCD装置的体积和重量增加。为了改进上述缺点，已提出了选通驱动器形成在液晶面板中并且单个PCB被附接至液晶面板的板内选通(GIP)型LCD装置。
在GIP式LCD装置中，选通驱动器与阵列基板一起形成。另外，集成在阵列基板中的选通驱动器包括移位寄存器，并且该移位寄存器包括级联连接的多个级。
图1是示出了根据现有技术的用于板内选通型液晶显示装置的阵列基板。
在图1中，用于板内选通(GIP)型液晶显示(LCD)装置的阵列基板包括有源区域AA和选通电路区域GCA。多个选通线GLl至GLn和多个数据线DLl至DLm形成在有源区域AA中，并且选通驱动器形成在选通电路区域GCA中。选通驱动器包括移位寄存器，并且该移位寄存器包括多个级STl至STn。多个级STl至STn对应于多个选通线GLl至GLn。
当前级的输出端子连接至下一级的输入端子，使得当前级的输出信号能够启动下一级的操作。另外，各个级的输出端子连接至选通线GLl至GLn以将输出信号供应给有源区域AA。因此，各个级的输出信号被供应给选通线GLl至GLn和下一级。因为第一级STl不具有前一级，所以起始脉冲SP被供应给第一级STl以启动第一级STl的操作。
具有高电平的脉冲的第一时钟和第二时钟通过选通驱动器外部的第一时钟线CL1和第二时钟线CL2依次被供应给各个级。另外，从多个级STl至STn向多个选通线GLl至GLn依次发送移位寄存器的输出信号。
近来，已因LCD装置的细长设计而要求减小与非显示区域对应的边框(bezel)区域以得到轻重量和薄外形。在根据现有技术的GIP式LCD装置中，因为多个时钟线被布置在选通驱动器外部，所以对于获得窄边框存在限制。
发明内容
本公开的实施方式涉及一种具有集成选通驱动器的阵列基板及其制造方法。因此，一个示例性实施例致力于一种基本上消除了由于现有技术的局限和缺点而导致的一个或更多个问题的阵列基板。
一个示例性实施方式是一种获得了窄边框的具有集成选通驱动器的阵列基板以及一种制造该阵列基板的方法。
另外，一个示例性实施方式是一种阻止了渗透到选通驱动器中的湿气以使得能够防止劣化的具有集成选通驱动器的阵列基板以及一种制造该阵列基板的方法。
本公开的优点和特征将在以下的描述中部分地阐述，并且对于研究了以下部分的本领域普通技术人员而言将部分地变得显而易见，或者可以从本公开的实践中学习到。本文的实施方式的其它优点和特征可以由在所撰写的说明书及其权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
为了根据本目的实现其它优点和特征，根据本公开的一个方面，一个示例性实施方式是一种阵列基板，该阵列基板包括：基板，该基板包括有源区域和选通电路区域；栅连接线，该栅连接线在所述基板上位于所述选通电路区域中；栅绝缘层，该栅绝缘层位于所述栅连接线上；有源图案，该有源图案位于所述栅绝缘层上，该有源图案与所述栅连接线间隔开；源连接线和像素图案，该源连接线和该像素图案被依次布置在所述有源图案上；层间绝缘层和有机图案，该层间绝缘层和该有机图案被依次布置在所述栅绝缘层上，该层间绝缘层和该有机图案与所述源连接线间隔开；第一钝化层，该第一钝化层位于所述有机图案上，该第一钝化层和所述栅绝缘层具有暴露所述栅连接线的第一接触孔，并且该第一钝化层具有暴露所述像素图案的第二接触孔；以及导电图案，该导电图案位于所述第一钝化层上，该导电图案通过所述第一接触孔连接至所述栅连接线并且通过所述第二接触孔连接至所述像素图案。
在另一方面中，一个示例性实施方式是一种制造阵列基板的方法，该方法包括以下步骤：在基板上在选通电路区域中形成栅连接线；在所述栅连接线上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成有源图案，该有源图案与所述栅连接线间隔开；在所述有源图案上依次形成源连接线和像素图案；在所述栅绝缘层上依次形成层间绝缘层和有机图案，该层间绝缘层和该有机图案与所述源连接线间隔开；在所述有机图案上形成第一钝化层，该第一钝化层和所述栅绝缘层具有暴露所述栅连接线的第一接触孔，并且该第一钝化层具有暴露所述像素图案的第二接触孔；以及在所述第一钝化层上形成导电图案，该导电图案通过所述第一接触孔连接至所述栅连接线并且通过所述第二接触孔连接至所述像素图案。
应当理解，以上总体描述和以下详细描述这二者是示例性和说明性的，并且旨在提供对要求保护的实施方式的进一步说明。
附图说明
附图被包括以提供对本公开的进一步理解，并且被并入本说明书并构成本说明书的一部分，附图例示了本公开的实施方式，并且与本说明书一起用来说明本公开的实施方式的原理。
图1是示出了根据现有技术的用于板内选通型液晶显示装置的阵列基板的视图。
图2是示出了根据本公开的第一实施方式的用于板内选通型液晶显示装置的阵列基板的视图。
图3是示出了根据本公开的第一实施方式的用于板内选通型液晶显示装置的阵列基板的截面图。
图4是示出了根据本公开的第二实施方式的用于板内选通型液晶显示装置的阵列基板的截面图。
图5A至图5F是示出了制造根据本公开的第二实施方式的用于板内选通型液晶显示装置的阵列基板的方法的截面图。
具体实施方式
现在将详细地参照本公开的实施方式，其示例被例示在附图中。在以下描述中，当确定与本文献有关的公知的功能或配置的详细描述会不必要地使本公开的实施方式的要点变得不清楚时，将省略其详细描述。所描述的处理步骤和/或操作的进度是示例；然而，除了必须以特定顺序发生的步骤和/或操作之外，步骤和/或操作的顺序不限于本文阐述的顺序，并且可以如本领域公知的那样改变。相同的附图标记始终标明相同的元件。仅为了撰写本说明书的方便而选择以下说明中使用的相应元件的名称，进而这些名称可以与实际产品中使用的那些名称不同。
图2是示出了根据本公开的第一实施方式的用于板内选通型液晶显示装置的阵列基板的视图。
在图2中，阵列基板包括位于其中心部处的有源区域AA和位于其边缘部处的选通电路区域GCA。多个选通线GLl至GLn和多个数据线DLl至DLm形成在有源区域AA中以显示图像，并且选通驱动器形成在选通电路区域GCA中以产生多个选通信号。多个选通线GLl至GLn与多个数据线DLl至DLn交叉以限定像素区域。集成在阵列基板中的选通驱动器包括移位寄存器，并且该移位寄存器包括级联连接的多个级STl至STn。尽管未示出，但是多个级STl至STn中的每一个可以包括多个驱动薄膜晶体管(TFT)，并且像素区域可以包括多个像素TFT。该多个驱动TFT和该多个像素TFT同时形成。多个级STl至STn可以对应于多个选通线GLl至GLn。
当前级的输出端子连接至下一级的输入端子，使得当前级的输出信号能够启动下一级的操作。另外，各个级STl至STn的输出端子连接至选通线GLl至GLn以将输出信号供应给阵列基板的有源区域AA。因此，各个级STl至STn的输出信号被供应给选通线GLl至GLn和下一级。因为第一级STl不具有前一级，所以起始脉冲SP被供应给第一级STl以启动第一级STl的操作。
具有高电平的脉冲的第一时钟和第二时钟通过选通驱动器上方的第一时钟线CL1和第二时钟线CL2依次被供应给各个级。尽管在第一实施方式中第一时钟和第二时钟被输入给各个级STl至STn，但是在另一实施方式中可以将三个或更多个时钟输入给各个级STl至STn。因此，从多个级STl至STn向多个选通线GLl至GLn依次发送输出信号。
在根据第一实施方式的阵列基板中，因为用于发送多个时钟信号的多个时钟线CL1和CL2形成在选通驱动器上方，所以与多个时钟线形成在选通驱动器外部的根据现有技术的阵列基板相比，非显示区域的边框区域减小。结果，获得了在细长设计情况下具有轻重量和薄外形的LCD。
图3是示出了根据本公开的第一实施方式的用于板内选通型液晶显示装置的阵列基板的截面图。
在图3中，基板101包括用于显示图像的有源区域AA和用于产生多个选通信号的选通电路区域GCA。在有源区域AA中，栅电极116a和连接至该栅电极116a的选通线形成在基板101上的各个像素区域中，并且栅绝缘层120形成在栅电极116a和选通线上。有源层123a在栅绝缘层120上形成在栅电极116a上方，并且源电极125a和漏电极125b以及连接至源电极125a的数据线形成在有源层123a上。有源层123a可以由本征非晶硅(a-Si：H)形成。源电极125a和漏电极125b彼此间隔开，以对应于有源层123a的两侧。栅电极116a、栅绝缘层120、有源层123a、源电极125a和漏电极125b构成像素TFT。层间绝缘层130在各个像素区域中形成在源电极125a和漏电极125b上，并且像素电极145a形成在层间绝缘层130上。像素电极145a可以由诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料形成。层间绝缘层130具有暴露漏电极125b的漏接触孔，并且像素电极145a通过该漏接触孔连接至漏电极125b。第一钝化层150形成在像素电极145a上。
在选通电路区域GCA中，栅连接线116b形成在基板101上，并且栅绝缘层120形成在栅连接线116b上。栅连接线116b可以具有与栅电极116a相同的层和与栅电极116a相同的材料。有源图案123b、源连接线125c和像素图案145b依次形成在栅绝缘层120上。有源图案123b与栅连接线116b间隔开。有源图案123b可以具有与有源层123a相同的层和与有源层123a相同的材料。源连接线125c可以具有与源电极125a和漏电极125b相同的层以及与源电极125a和漏电极125b相同的材料。另外，像素图案145b可以具有与像素电极145a相同的层和与像素电极145a相同的材料。源连接线125c和像素图案145b包裹有源图案123b的顶面和侧面。
层间绝缘层130形成在栅绝缘层120上并且有机绝缘图案140形成在层间绝缘层130上。另外，第一钝化层150形成在有机绝缘图案140上。尽管未示出，但是包括移位寄存器的选通驱动器可以形成在有机绝缘图案140下方。层间绝缘层130和有机绝缘图案140具有暴露源连接线125c的开口，并且像素图案145b通过该开口直接形成在源连接线125c上。有机绝缘图案140可以由诸如光丙烯和苯并环丁烯(BCB)的有机绝缘材料形成。层间绝缘层130和有机绝缘图案140与源连接线125b间隔开。导电图案155在第一钝化层150上形成在有机绝缘图案140上方，并且第二钝化层160形成在导电图案155上。导电图案155可由诸如铝(Al)和铜(Cu)的金属材料形成以防止信号延迟。另选地，导电图案155可以由诸如ITO和IZO的透明导电材料形成。另外，导电图案155可以由于有机绝缘图案140而与选通驱动器电分离。公共层170形成在第二钝化层160上。公共层170可以充当用于连接不同层的诸如栅连接线116b、像素图案145b和导电图案155的导电线的跳线。
栅绝缘层120、第一钝化层150和第二钝化层160具有暴露栅连接线116b的第一接触孔CH1。另外，第一钝化层150和第二钝化层160具有暴露像素图案145b的第二接触孔CH2，并且第二钝化层160具有暴露导电图案155的第三接触孔CH3。公共层170通过第一接触孔CH1连接至栅连接线116b，通过第二接触孔CH2连接至像素图案145b，并且通过第三接触孔连接至导电图案155。
在根据第一实施方式的阵列基板中，导电图案155可以充当(图2的)多个时钟线CL1和CL2并且多个时钟信号被施加给导电图案155。因为导电图案155形成在选通驱动器上方，所以获得了具有窄边框的LCD装置。
然而，因为公共层170被形成为没有保护层的基板101的顶层，所以外部湿气可能渗透到公共层170与栅连接线116b之间、像素图案145b与源连接线125c之间以及公共层170与导电图案155之间的接触部中。例如，外部湿气可以在诸如大约60℃的温度和大约90％的湿度的高温和高湿度条件下渗透到接触部中。结果，接触部可能由于湿气而劣化。
另外，当LCD装置具有多个触摸扫描线和多个触摸感测线形成在阵列基板上的内嵌触摸式(in-celltouchtype)时，导电图案155可以充当多个触摸扫描线并且可以对导电图案155施加多个触摸扫描信号。在内嵌触摸式LCD装置中，外部湿气可能导致接触部的劣化。
为了解决上述问题，提出了第二实施方式。
图4是示出了根据本公开的第二实施方式的用于板内选通型液晶显示装置的阵列基板的截面图。
在图4中，基板201包括用于显示图像的有源区域AA和用于产生多个选通信号的选通电路区域GCA。在有源区域AA中，栅电极216a和连接至该栅电极216a的选通线形成在基板201上的各个像素区域中，并且栅绝缘层220形成在栅电极216a和选通线上。有源层223a在栅绝缘层220上形成在栅电极216a上方，并且源电极225a和漏电极225b以及连接至源电极225a的数据线形成在有源层223a上。有源层223a可以由本征非晶硅(a-Si：H)形成。源电极225a和漏电极225b彼此间隔开，以对应于有源层223a的两面。栅电极216a、栅绝缘层220、有源层223a、源电极225a和漏电极225b构成像素TFT。层间绝缘层230在各个像素区域中形成在源电极225a和漏电极225b上，并且像素电极245a形成在层间绝缘层230上。像素电极245a可以由诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料形成。层间绝缘层230具有暴露漏电极225b的漏接触孔，并且像素电极245a通过该漏接触孔连接至漏电极225b。第一钝化层250形成在像素电极245a上。
在选通电路区域GCA中，栅连接线216b形成在基板201上，并且栅绝缘层220形成在栅连接线216b上。栅连接线216b可以具有与栅电极216a相同的层和相同的材料。有源图案223b、源连接线225c和像素图案245b依次形成在栅绝缘层220上。有源图案223b与栅连接线216b间隔开。有源图案223b可以具有与有源层223a相同的层和与有源层223a相同的材料。源连接线225c可以具有与源电极225a和漏电极225b相同的层以及与源电极225a和漏电极225b相同的材料。另外，像素图案245b可以具有与像素电极245a相同的层和与像素电极245a相同的材料。源连接线225c和像素图案245b包裹有源图案223b的顶面和侧面。
层间绝缘层230形成在栅绝缘层220上并且有机绝缘图案240形成在层间绝缘层230上。另外，第一钝化层250形成在有机绝缘图案240上。尽管未示出，但是包括移位寄存器的选通驱动器可以形成在有机绝缘图案240下方。层间绝缘层230和有机绝缘图案240具有暴露源连接线225c的开口，并且像素图案245b通过该开口直接形成在源连接线225c上。有机绝缘图案240可以由诸如光丙烯和苯并环丁烯(BCB)的有机绝缘材料形成。层间绝缘层230和有机绝缘图案240与源连接线225b间隔开。导电图案255在第一钝化层250上形成在有机绝缘图案240上方，并且第二钝化层260形成在导电图案255上。导电图案255可由诸如铝(Al)和铜(Cu)的金属材料形成以防止信号延迟。另选地，导电图案255可以由诸如ITO和IZO的透明导电材料形成。另外，导电图案255可以由于有机绝缘图案240而与选通驱动器电分离。
栅绝缘层220和第一钝化层250具有暴露栅连接线216b的第一接触孔CH1并且第一钝化层250具有暴露像素图案245b的第二接触孔CH2。导电图案255通过第一接触孔CH1直接连接至栅连接线216b并且通过第二接触孔CH2直接连接至像素图案245b。
在根据第二实施方式的阵列基板中，导电图案255可以充当(图2的)多个时钟线CL1和CL2并且多个时钟信号被施加给导电图案255。另外，导电图案255可以充当用于连接不同层的诸如栅连接线216b、像素图案245b和导电图案255的导电线的跳线。因为导电图案255形成在选通驱动器上方，所以获得了具有窄边框的LCD装置。
此外，因为第二钝化层260形成在导电图案255上，所以外部湿气可能不渗透到导电图案255与栅连接线216b之间、像素图案245b与源连接线225c之间以及导电图案255与导电图案255之间的接触部中。例如，外部湿气可能即使在诸如大约60℃的温度和大约90％的湿度的高温和高湿度条件下也不渗透到接触部中。结果，防止了由于湿气而导致的接触部的劣化。
图5A至图5F是示出了制造根据本公开的第二实施方式的用于板内选通型液晶显示装置的阵列基板的方法的截面图。
在图5A中，通过经由光刻工艺使第一金属材料沉积和图案化，栅电极216a和连接至栅电极216a的选通线在基板201上形成在有源区域AA中并且栅连接线216b在基板201上形成在选通电路区域GCA中。第一金属材料可以包括铝(Al)、铝合金、银(Ag)、银合金、钼(Mo)、钼合金、铬(Cr)、钛(Ti)和钽(Ta)中的至少一种。栅电极216a、选通线和栅连接线216b可以具有单层结构或多层结构。
接下来，栅绝缘层220通过沉积第一绝缘材料而形成在栅电极216a、选通线和栅连接线216b上。接下来，通过经由光刻工艺使非晶硅沉积和图案化，有源层223a形成在有源区域AA中的栅绝缘层220上并且有源图案223b形成在选通电路区域GCA中的栅绝缘层220上。有源图案223b与栅连接线216b间隔开。
接下来，通过经由光刻工艺使第二金属材料沉积和图案化，源电极225a和漏电极225b形成在有源区域AA中的有源层223a上并且源连接线225c形成在选通电路区域GCA中的栅绝缘层上。源连接线225c包裹有源图案223b的顶面和侧面。源电极225a和漏电极225b彼此间隔开，以对应于有源层223a的两面。第二金属材料可以包括铝(Al)、铝合金、银(Ag)、银合金、钼(Mo)、钼合金、铬(Cr)、钛(Ti)和钽(Ta)中的至少一种。源电极225a、漏电极225b和源连接线225c可以具有单层结构或多层结构。栅电极216a、栅绝缘层220、有源层223a、源电极225a和漏电极225b构成像素TFT。
在图5B中，通过经由光刻工艺使无机绝缘材料和有机绝缘材料沉积和图案化，层间绝缘层230形成在有源区域AA中的TFT上并且层间绝缘层230和有机绝缘图案240依次形成在选通电路区域GCA中的栅绝缘层220上。层间绝缘层230和有机绝缘图案240具有暴露有源区域AA中的漏电极225b的漏接触孔，并且层间绝缘层230和有机绝缘图案240具有暴露选通电路区域GCA中的源连接线225c的开口。无机绝缘材料可以包括硅氮化物(SiNx)和二氧化硅(SiO2)中的一种，有机绝缘材料可以包括光丙烯和苯并环丁烯(BCB)中的一种。
在图5C中，在去除了有源区域AA的有机绝缘图案240之后，通过经由光刻工艺使透明导电材料沉积和图案化，像素电极245a形成在有源区域AA中的层间绝缘层230上并且像素图案245b形成在源连接线225c上。像素电极245a通过漏接触孔连接至漏电极225b，并且像素图案245b通过开口来包裹源连接线225c的顶面和侧面。透明导电材料可以包括ITO和IZO中的一种。
在图5D中，通过经由光刻工艺使第二绝缘材料沉积和图案化，第一钝化层250形成在有源区域AA中的像素电极245上并且形成在选通电路区域GCA中的像素图案245b上。栅绝缘层220和第一钝化层250具有暴露栅连接线216b的第一接触孔CH1，并且第一钝化层250具有暴露像素图案245b的第二接触孔CH2。第二绝缘材料可以包括诸如硅氮化物(SiNx)和二氧化硅(SiO2)的无机绝缘材料以及诸如光丙烯和苯并环丁烯(BCB)的有机绝缘材料中的一种。
在图5E中，导电图案255通过经由光刻工艺使第三金属材料沉积和图案化而形成在选通电路区域GCA中的第一钝化层250上。导电图案255通过第一接触孔CH1直接连接至栅连接线216b并且通过第二接触孔CH2直接连接至像素图案245b。第三金属材料可以包括诸如铝(Al)和铜(Cu)的金属材料和诸如ITO和IZO的透明导电材料中的一种。因为导电图案255充当时钟线并且跳线形成在选通驱动器上方，所以获得了具有窄边框的LCD装置。
在图5F中，第二钝化层260通过沉积第三绝缘材料而形成在选通电路区域GCA中的导电图案255上。第三绝缘材料可以包括诸如硅氮化物(SiNx)和二氧化硅(SiO2)的无机绝缘材料和诸如光丙烯和苯并环丁烯(BCB)的有机绝缘材料中的一种。因为第二钝化层260形成在导电图案255上，所以外部湿气可能不渗透到导电图案255与栅连接线216b之间、像素图案245b与源连接线225c之间以及导电图案255与导电图案255之间的接触部中。例如，外部湿气可能即使在诸如大约60℃的温度和大约90％的湿度的高温和高湿度条件下也不渗透到接触部中。结果，防止了由于湿气而导致的接触部的劣化。
因此，在根据本公开的具有集成选通驱动器的阵列基板和制造该阵列基板的方法中，因为充当时钟线和跳线的导电图案255形成在选通驱动器上方，所以获得了具有窄边框的液晶显示装置。另外，因为导电图案255直接连接至栅连接线216b和像素图案245b并且第二钝化层260形成在导电图案255上，所以阻止了渗透到接触部中的湿气并且防止了由于湿气而导致的劣化。
以上已经描述了许多示例。然而，应当理解可以做出各种修改。例如，如果按照不同的顺序执行所描述的技术以及/或者如果描述的系统、架构、装置或电路中的部件被按照不同的方式组合和/或被其它部件或它们的等同物代替或补充，则可以实现适合的结果。因此，其它实现在以下权利要求的范围内。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2014年7月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2014-0096727的权益，通过引用将其全部内容并入本文。

Claims (13)

1.一种阵列基板，该阵列基板包括：
基板，该基板包括有源区域和选通电路区域；
栅连接线，该栅连接线在所述基板上位于所述选通电路区域中；
栅绝缘层，该栅绝缘层位于所述栅连接线上；
有源图案，该有源图案位于所述栅绝缘层上，该有源图案与所述栅连接线间隔开；
源连接线和像素图案，该源连接线和该像素图案被依次布置在所述有源图案上；
层间绝缘层和有机图案，该层间绝缘层和该有机图案被依次布置在所述栅绝缘层上，该层间绝缘层和该有机图案与所述源连接线间隔开；
第一钝化层，该第一钝化层位于所述有机图案上，该第一钝化层和所述栅绝缘层具有暴露所述栅连接线的第一接触孔，并且该第一钝化层具有暴露所述像素图案的第二接触孔；以及
导电图案，该导电图案位于所述第一钝化层上，该导电图案通过所述第一接触孔连接至所述栅连接线并且通过所述第二接触孔连接至所述像素图案。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，该阵列基板还包括位于所述导电图案上的第二钝化层。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述导电图案包括金属材料和透明导电材料中的一种。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述源连接线和所述像素图案包裹所述有源图案的顶面和侧面。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，该阵列基板还包括位于所述有机图案下方的移位寄存器。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其中，所述导电图案发送时钟信号。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，该阵列基板还包括：
栅电极和选通线，该栅电极和该选通线连接至在所述基板上位于所述有源区域中的栅，该栅电极和该选通线被覆盖有所述栅绝缘层；
有源层，该有源层在所述栅绝缘层上位于所述栅电极上方；
源电极和漏电极，该源电极和该漏电极位于所述有源层上，该源电极连接至数据线，该源电极和该漏电极被覆盖有所述层间绝缘层，并且所述层间绝缘层具有暴露该漏电极的漏接触孔；以及
像素电极，该像素电极位于所述层间绝缘层上，该像素电极通过所述漏接触孔连接至所述漏电极，并且该像素电极被覆盖有所述第一钝化层。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其中，所述栅连接线具有与所述栅电极相同的层和与所述栅电极相同的材料，其中，所述有源图案具有与所述有源层相同的层和与所述有源层相同的材料，其中，所述源连接线具有与所述源电极和所述漏电极相同的层以及与所述源电极和所述漏电极相同的材料，并且其中，所述像素图案具有与所述像素电极相同的层和与所述像素电极相同的材料。
9.一种制造阵列基板的方法，该方法包括以下步骤：
在基板上在选通电路区域中形成栅连接线；
在所述栅连接线上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成有源图案，该有源图案与所述栅连接线间隔开；
在所述有源图案上依次形成源连接线和像素图案；
在所述栅绝缘层上依次形成层间绝缘层和有机图案，该层间绝缘层和该有机图案与所述源连接线间隔开；
在所述有机图案上形成第一钝化层，该第一钝化层和所述栅绝缘层具有暴露所述栅连接线的第一接触孔，并且该第一钝化层具有暴露所述像素图案的第二接触孔；以及
在所述第一钝化层上形成导电图案，该导电图案通过所述第一接触孔连接至所述栅连接线并且通过所述第二接触孔连接至所述像素图案。
10.根据权利要求9所述的方法，该方法还包括以下步骤：在所述导电图案上形成第二钝化层。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述源连接线和所述像素图案包裹所述有源图案的顶面和侧面。
12.根据权利要求9所述的方法，该方法还包括以下步骤：在所述有机图案下方形成移位寄存器。
13.根据权利要求9所述的方法，该方法还包括以下步骤：
在有源区域中在所述基板上形成连接至栅的栅电极和选通线，该栅电极和该选通线被覆盖有所述栅绝缘层；
在所述栅电极上方在所述栅绝缘层上形成有源层；
在所述有源层上形成源电极和漏电极，该源电极连接至数据线，该源电极和该漏电极被覆盖有所述层间绝缘层，并且所述层间绝缘层具有暴露该漏电极的漏接触孔；以及
在所述层间绝缘层上形成像素电极，该像素电极通过所述漏接触孔连接至所述漏电极，并且所述像素电极被覆盖有所述第一钝化层。
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