CN103941497A - 一种薄膜晶体管阵列基板、制造方法以及液晶显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种用于液晶显示装置的阵列基板，所述阵列基板中央为显示区域，所述显示区域四周为非显示区域；所述非显示区域包括栅极驱动电路区域、数据线引线区域和公共电极线引线区域；所述数据线引线区域和公共电极线引线区域形成有引线膜层，所述引线膜层包括：第一金属层、绝缘层、第二金属层和钝化层，所述引线膜层还包括一层或多层增高层，所述增高层、第一金属层、绝缘层、第二金属层和钝化层层叠。本发明所提供的液晶显示装置的阵列基板在引线膜层内设置增高层，减小或消除了阵列基板四周非显示区域的高度差异，使得液晶显示器的显示画面品质提高。

Description

一种薄膜晶体管阵列基板、制造方法以及液晶显示面板

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，特别是涉及一种薄膜晶体管阵列基板、包含该薄膜晶体管阵列基板的液晶显示面板以及薄膜晶体管阵列基板的制造方法。

背景技术

平面显示器是目前主流的显示器，其中液晶显示器因为具有外型轻薄、省电以及无辐射等优点而被广泛地应用于电脑屏幕、移动电话、个人数字助理、平面电视等电子产品上。

液晶显示器中包括有液晶面板，通常液晶面板由阵列基板、彩膜基板以及封装于两基板之间的液晶组成。先前阵列基板上通常外接有硅片制作的驱动芯片，但是现如今，直接将栅极驱动电路(gate driver IC)集成制作在阵列基板的栅极线引线区域上的技术已经产生。

现有技术中，当阵列基板上制作有栅极驱动电路时，阵列基板四周非显示区域上的膜层高度差异较大，降低了薄膜晶体管液晶显示器的显示画面品质。参考图1，图1为制作有栅极驱动电路的阵列基板5的基本结构示意图。所述薄膜晶体管阵列基板5中央区域为显示区域3，所述显示区域3四周为非显示区域，所述非显示区域包括栅极驱动电路区域1、数据线引线区域4和公共电极线引线区域2。所述栅极驱动电路区域1上的层叠结构定义为栅极驱动电路膜层，所述数据线引线区域4上的层叠结构定义为数据线引线膜层，所述公共电极线引线区域2上的层叠结构定义为公共电极线引线膜层。

参考图2，图2为栅极驱动电路区域1的膜层最厚处层叠结构示意图。栅极驱动电路膜层最厚处包括层叠于所属基板上的第一金属层6、绝缘层12、半导体层7、第二金属层8、钝化层15。

参考图3，图3为数据线引线区域4的一种布线示意图。其中数据线引线包括多条第一数据线引线11和多条第二数据线引线14，第一数据线引线11和第二数据线引线14相互间隔排列。

参考图4，图4为图3中沿Ⅰ-Ⅰ线切开数据线引线膜层4所对应的剖面示意图。如图所示，第一数据线引线11的膜层结构从下至上依次为第一金属层11、绝缘层12和钝化层15，第二数据线引线14的膜层结构从下至上依次为绝缘层12、第二金属层14和钝化层15。

需要说明的是，除了图3所显示的布线方式以外，数据线引线还可以有其它的布线方式，例如数据线引线全部位于绝缘层12的上面或者下面。但是图3中所显示的布线方式能够使得相临两条数据线引线的距离较大，防止数据线引线之间发生短路，是一种优选的布线方式。

参考图5，图5为一种公共电极线引线膜层最厚处结构所对应的剖面示意图，公共电极线引线的排布方式可参照图3所示，为相互间隔排列。由图5可知，公共电极线引线区域2膜层的层叠结构从下到上为第一公共电极线引线9、绝缘层12和钝化层15。

参考图6，图6为另一种公共电极线引线膜层结构所对应的剖面示意图。由图6可知，公共电极线引线区域2膜层的层叠结构从下到上为绝缘层12、第二公共电极线引线10和钝化层15。

参考图7，图7为现有液晶显示面板的基本结构示意图，包括阵列基板5和彩膜基板19，阵列基板5和彩膜基板19周边通过框胶18密封贴合在一起，阵列基板5和彩膜基板19之间封装有液晶层21，在阵列基板5和彩膜基板19之间还分布有间隔支撑物硅球20。为了获得高质量的显示图像，阵列基板5和彩膜基板19之间的距离应当在各个位置相等或比较接近。如果阵列基板5和彩膜基板19之间的距离在各个位置相差较大，就会降低液晶显示面板的显示画面品质。

由图7可知，由于在阵列基板5的栅极线引线区域上集成有栅极驱动电路，从上面的分析可知，阵列基板5上的栅极驱动电路区域1膜层的高度H1大于数据线引线区域4膜层的高度H2，即H1>H2。由于各间隔支撑物硅球20的高度相同，因而，对阵列基板5和彩膜基板19而言，它们在临近栅极驱动电路区域1处的距离H4大于在它们在临近数据线引线区域4处的距离H5，即H4>H5。两基板之间的距离不相等，导致液晶显示面板颜色不均、图像变形等缺陷，进而导致液晶显示面板显示画面的品质降低。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板、制造方法以及液晶显示面板。

一种薄膜晶体管阵列基板，包括基板，所述薄膜晶体管阵列基板中央区域为显示区域，所述显示区域四周为非显示区域，所述非显示区域包括栅极驱动电路区域和数据线引线区域。所述栅极驱动电路区域形成有栅极驱动电路膜层，所述栅极驱动电路膜层包括依次层叠于所述基板上的第一金属层、绝缘层、半导体层、第二金属层、钝化层，依次层叠是指各膜层的叠加依照由下至上的次序，层间可根据需要加入其它膜层，例如在半导体层和第二金属层之间加入刻蚀阻挡层；所述数据线引线区域形成有引线膜层，所述引线膜层包括依次层叠于所述基板上的绝缘层、第二金属层、钝化层。所述引线膜层还包括增高层，所述增高层包括位于绝缘层和第二金属层之间的第一子增高层，以及位于钝化层上的第二子增高层，所述第一子增高层与第二子增高层均为半导体层，所述绝缘层、第一子增高层、第二金属层、钝化层和第二子增高层层叠。所述数据线引线区域形成有引线膜层的最大厚度H1与所述栅极驱动电路膜层的最大厚度H2满足：(H1/H2)-1的取值范围为-2%～2%。

本发明还描述了一种液晶显示面板，包括所述薄膜晶体管阵列基板、一与该所述薄膜晶体管阵列基板相对设置的彩膜基板和封装于所述薄膜晶体管阵列基板与彩膜基板之间的液晶层。所述液晶显示面板还包括设置于所述液晶显示面板非显示区域，所述薄膜晶体管阵列基板和彩膜基板之间的框胶，及分布于所述框胶中的硅球。

所述薄膜晶体管阵列基板的制造方法包括如下步骤：

提供一基底，形成第一金属层在所述基底上，图案化第一金属层，形成位于栅极驱动电路区域的TFT的栅极图案以及位于数据线引线区域的第一数据线引线和位于公共电极线引线区域的第一公共电极线引线，还形成位于显示区域的TFT的栅极图案和扫描线图案；在基底上形成的所述第一金属层上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成半导体层，图案化所述半导体层形成位于所述栅极驱动电路区域的半导体图案、位于所述数据线引线区域的第一子增高层及位于公共电极线引线区域的第三子增高层、第五子增高层；在所述半导体层上形成第二金属层，图案化第二金属层，形成位于栅极驱动电路区域的TFT的源极、漏极图案，还形成位于显示区域的TFT的源极、漏极图案和数据线图案、位于数据线引线区域的第二数据线引线，以及位于公共电极线引线区域的第二公共电极线引线；在所述第二金属层上依次形成钝化层和半导体层，采用灰度掩膜板进行曝光、刻蚀，形成了暴露出TFT漏极的贯穿钝化层的过孔，以及数据线引线区域内第二数据线引线处，位于钝化层上的第二子增高层，还形成位于公共电极线引线区域的第四子增高层、第六子增高层。

本发明还包括一种薄膜晶体管阵列基板，包括基板，所述薄膜晶体管阵列基板中央区域为显示区域，所述显示区域四周为非显示区域。所述非显示区域包括栅极驱动电路区域和数据线引线区域：所述栅极驱动电路区域形成有栅极驱动电路膜层，所述栅极驱动电路膜层包括依次层叠于所述基板上的第一金属层、绝缘层、半导体层、第二金属层、钝化层：所述数据线引线区域形成有引线膜层，所述引线膜层包括依次层叠于所述基板上的第一金属层、绝缘层、钝化层。

所述薄膜晶体管阵列基板的制造方法包括如下步骤：

提供一基底；

在所述基底上形成第一金属层，图案化第一金属层，形成位于栅极驱动电路区域的TFT的栅极图案以及位于数据线引线区域的第一数据线引线，还形成位于显示区域的TFT的栅极图案和扫描线图案；

在基底上形成的所述第一金属层上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成半导体层，图案化所述半导体层形成位于所述栅极驱动电路区域的半导体图案、位于所述数据线引线区域的第七子增高层；

在所述半导体层上形成第二金属层，图案化第二金属层，形成位于栅极驱动电路区域的TFT的源极、漏极图案、位于显示区域的TFT的源极、漏极图案和数据线图案，以及位于数据线引线区域的第二数据线引线；

在所述第二金属层上依次形成钝化层和半导体层，采用灰度掩膜板进行曝光、刻蚀，形成了暴露出TFT漏极的贯穿钝化层的过孔，以及数据线引线区域内第一数据线引线处的第八子增高层图案。

上述描述中涉及的上、下均指方位词，不表示两者之间是必须接触的。

通过此技术方案，在将非晶硅栅极驱动电路与有源矩阵显示集成时，阵列基板四周膜厚均匀，进而保证了薄膜晶体管液晶显示器的显示画面品质。

附图说明

图1为现有技术的阵列基板的基本结构示意图；

图2为现有技术的栅极驱动电路区域的膜层最厚处层叠结构示意图；

图3为现有技术的数据线引线区域的一种布线示意图；

图4为图3中沿Ⅰ-Ⅰ线切开数据线引线膜层所对应的剖面示意图；

图5为现有技术的一种公共电极线引线膜层结构所对应的剖面示意图；

图6为现有技术的另一种公共电极线引线膜层结构所对应的剖面示意图；

图7为现有技术的液晶显示面板基本结构示意图；

图8为本发明第一实施例中数据线引线区域膜层的剖面示意图；

图9a-9g为本发明第一实施例阵列基板的制造工艺过程；

图10为本发明第二实施例中公共电极线引线区域膜层的剖面示意图；

图11为本发明第三实施例中公共电极线引线区域膜层的剖面示意图。

图12为本发明第四实施例中数据线引线区域膜层的剖面示意图；

图13a-13g为本发明第四实施例阵列基板的制造工艺过程图；

图14为本发明第七实施例中数据线引线区域膜层的剖面示意图；

附图标记说明：1、栅极驱动电路区域；2、公共电极线引线区域；3、显示区域；4、数据线引线区域；5阵列基板；6、栅极驱动电路区域TFT的栅极；7、栅极驱动电路区域的半导体图案；8、栅极驱动电路区域TFT的源极、漏极图案；9、第一公共电极线引线；10、第二公共电极线引线；11、第一数据线引线；12、绝缘层；13、第一子增高层；14、第二数据线引线；15、钝化层；16、第一数据线引线；17、第二数据线引线；18、框胶；19、彩膜基板；20、硅球；21、液晶；22、第二子增高层；23、过孔；24、第三子增高层；25、第四子增高层；26、第七子增高层；27、第八子增高层；28、第五子增高层；29、第六子增高层；30、半导体层。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。

本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板，包括基板，所述薄膜晶体管阵列基板中央区域为显示区域，所述显示区域四周为非显示区域，所述非显示区域包括栅极驱动电路区域和数据线引线区域。所述栅极驱动电路区域形成有栅极驱动电路膜层，所述栅极驱动电路膜层包括依次层叠于所述基板上的第一金属层、绝缘层、半导体层、第二金属层、钝化层，依次层叠是指各膜层的叠加依照由下至上的次序，层间可根据需要加入其它膜层，例如在半导体层和第二金属层之间加入刻蚀阻挡层；所述数据线引线区域形成有引线膜层，所述引线膜层包括层叠于所述基板上的绝缘层、第二金属层、钝化层，层叠是指各膜层的叠加可调整次序，例如所述引线膜层还可调整为由下至上依次为第一金属层、绝缘层、钝化层。所述引线膜层还包括增高层，所述增高层包括位于绝缘层和第二金属层之间的第一子增高层，以及位于钝化层上的第二子增高层，所述绝缘层、第一子增高层、第二金属层、钝化层和第二子增高层层叠。所述数据线引线区域形成有引线膜层的最大厚度范围为1.2um-1.6um，所述数据线引线区域形成有引线膜层的最大厚度H1与所述栅极驱动电路膜层的最大厚度H2满足：(H1/H2)-1的取值范围为-2%～2%。

所述薄膜晶体管阵列基板上，在所述栅极驱动电路膜层和数据线引线膜层之上还有相同的膜层，例如配向层，此处不进行一一列举。

第一实施例

所述数据线引线分为位于所述绝缘层下面的多条第一数据线引线和位于所述绝缘层上不与第一数据引线位置重叠的多条第二数据线引线；所述第一数据线引线由第一金属层构成，所述第二数据线引线由第二金属层构成；所述第二数据线引线所在位置的引线膜层包括所述第一子增高层、第二子增高层。

参考图8，图8为本发明第一实施例中数据线引线区域4膜层的剖面示意图。本发明所提供的液晶显示装置的阵列基板中包括沿同一方向间隔排列的多条第一数据线引线11和第二数据线引线14，如图3所示，相邻两条数据线引线之间的距离可以相等。如图8中所示，在第二数据线引线14处在绝缘层12的上方增设有第一子增高层13，钝化层15上增设第二子增高层22。第二数据线引线处的膜层从下到上依次为所述绝缘层12、所述第一子增高层13、所述第二金属层14、所述钝化层15和所述第二子增高层22。

所述第一子增高层、第二子增高层的材质为非晶硅或者多晶硅半导体，采用半导体材料既能节省工艺步骤，又能在不影响器件性能的条件下起到具有一定强度的支撑作用，所述的第一子增高层或第二子增高层的膜厚优选为0.25um。

增设第一子增高层、第二子增高层，在不增加工艺过程的条件下，可使数据线引线区域4膜层的高度增加，达到与栅极驱动电路区域1膜层相近或者相等的最大高度。同时，通过设计调节，可使得数据线引线区域4膜层最大高度所占区域与栅极驱动电路区域1膜层最大高度所占区域相近或者相等，从而减少或者消除栅极驱动电路区域1膜层与数据线引线区域4膜层的高度差异，最终能够达到提高液晶显示面板的显示画面品质的目的。

制造所述阵列基板的具体工艺步骤如下所述：

提供一如图9a所示的阵列基板5，阵列基板5材料包括玻璃、有机聚合物、石英及其上具有的缓冲层，形成第一金属层在所述基板5上，图案化第一金属层，形成了如图9b所示的位于栅极驱动电路区域1的TFT的栅极图案6、位于数据线引线区域4的第一数据线引线11，还形成位于显示区域3的TFT的栅极图案和扫描线图案（图中未示出）；

形成绝缘层12在阵列基板5上形成的所述第一金属层上，如图9c所示;

如图9d所示，在所述绝缘层12上形成半导体层，图案化所述半导体层形成位于所述栅极驱动电路区域1的半导体图案7及位于所述数据线引线区域4的第一子增高层13；

在所述半导体层13上形成第二金属层，图案化第二金属层，形成了如图9e所示的位于栅极驱动电路区域1的TFT的源极、漏极图案8，位于数据线引线区域4的第二数据线引线14，还形成位于显示区域3的TFT的源极、漏极图案和数据线图案（图中未示出）；

如图9f所示，在所述第二金属层14上形成一钝化层15，并且在所述钝化层15上形成半导体层30；

如图9g所示，图案化所述半导体层30，采用灰度掩膜板进行曝光、刻蚀，形成了暴露出TFT漏极的贯穿钝化层15的过孔23，以及数据线引线区域4内第二数据线引线14处，位于钝化层15上的第二子增高层22。

第二实施例

所述薄膜晶体管阵列基板还包括公共电极线引线区域，所述公共电极线分为位于所述绝缘层下面的多条第一公共电极线引线和位于所述绝缘层上的多条第二公共电极线。所述第一公共电极线引线由第一金属层构成，所述第二公共电极线引线由第二金属层构成。在第一实施例的基础上，还可以在第一公共电极线引线处设置增高层，来达到减小阵列基板四周非显示区域上的膜层高度差异的目的。所述第一公共电极线引线9所在位置的引线膜层包括第三子增高层、第四子增高层。

参考图10，图10为本发明第二实施例中公共电极线引线区域2膜层的剖面示意图。本发明所提供的液晶显示装置的阵列基板中包括沿同一方向间隔排列的多条第一公共电极线引线，如图3所示，相邻两条公共电极线引线之间的距离可以相等。如图10中所示，在公共电极线区域2在绝缘层12的上方增设有第三子增高层24，钝化层15上增设第四子增高层25。公共电极线区域2的膜层从下到上依次为所述第一公共电极线引线9、所述绝缘层12、所述第三子增高层24、所述钝化层15和所述第四子增高层25。

所述第三子增高层、第四子增高层的材质为非晶硅或者多晶硅半导体，采用半导体材料既能节省工艺步骤，又能在不影响器件性能的条件下起到具有一定强度的支撑作用，所述的第三子增高层、第四子增高层的膜厚优选为0.25um。

制造所述阵列基板的具体工艺步骤如下所述：

提供一如图9a所示的阵列基板5，阵列基板5材料包括玻璃、有机聚合物、石英及其上具有的缓冲层，形成第一金属层在所述基板5上，图案化第一金属层，形成了栅极驱动电路区域1的TFT的栅极图案6，还形成位于显示区域3的TFT的栅极图案和扫描线图案，位于数据线引线区域4的第一数据线引线11，以及位于公共电极线引线区域2的第一公共电极线引线9；

形成绝缘层12在阵列基板5上形成的所述第一金属层上;

在所述绝缘层12上形成半导体层，图案化所述半导体层形成位于所述栅极驱动电路区域1的半导体图案7及位于所述数据线引线区域4的第一子增高层13，还形成位于公共电极线引线区2的第三子增高层24；

在所述半导体层13上形成第二金属层，图案化第二金属层，形成了位于栅极驱动电路区域1的TFT的源极、漏极图案8，位于数据线引线区域4的第二数据线引线14，还形成位于显示区域3的TFT的源极、漏极图案和数据线图案；

在所述第二金属层14上形成一钝化层15，并且在所述钝化层15上形成半导体层30;

图案化所述半导体层30，采用灰度掩膜板进行曝光、刻蚀，形成了暴露出TFT漏极的贯穿钝化层15的过孔23，以及数据线引线区域4内第二数据线引线14处，位于钝化层15上的第二子增高层22，还形成位于公共电极线引线区2的第四子增高层25。

第三实施例

所述薄膜晶体管阵列基板还包括公共电极线引线区域，所述公共电极线分为位于所述绝缘层下面的多条第一公共电极线引线和位于所述绝缘层上的多条第二公共电极线。所述第一公共电极线引线由第一金属层构成，所述第二公共电极线引线由第二金属层构成。在第一实施例的基础上，还可以在第二公共电极线引线处设置增高层，来达到减小阵列基板四周非显示区域上的膜层高度差异的目的。所述第一公共电极线引线9所在位置的引线膜层包括第五子增高层、第六子增高层。

参考图11，图11为本发明第三实施例中公共电极线引线区域2膜层的剖面示意图。本发明所提供的液晶显示装置的阵列基板中包括沿同一方向间隔排列的多条第二公共电极线引线10，如图3所示，相邻两条公共电极线引线之间的距离可以相等。如图11中所示，在公共电极线区域2在绝缘层12的上方增设有第五子增高层28，钝化层15上增设第六子增高层29。公共电极线区域2的膜层从下到上依次为所述绝缘层12、所述第五子增高层28、所述第二公共电极线引线10、所述钝化层15和所述第六子增高层29。

制造所述阵列基板的具体工艺步骤如下所述：

提供一如图9a所示的阵列基板5，阵列基板5材料包括玻璃、有机聚合物、石英及其上具有的缓冲层，形成第一金属层在所述基板5上，图案化第一金属层，形成了栅极驱动电路区域1的TFT的栅极图案6，还形成位于显示区域3的TFT的栅极图案和扫描线图案；

形成绝缘层12在阵列基板5上形成的所述第一金属层上;

在所述绝缘层12上形成半导体层，图案化所述半导体层形成位于所述栅极驱动电路区域1的半导体图案7及位于所述数据线引线区域4的第一子增高层13，还形成位于公共电极线引线区2的第五子增高层28；

在所述半导体层13上形成第二金属层，图案化第二金属层，形成了位于栅极驱动电路区域1的TFT的源极、漏极图案8，位于数据线引线区域4的第二数据线引线14，还形成位于显示区域3的TFT的源极、漏极图案和数据线图案，以及位于公共电极线引线区2的第二公共电极线引线10；

在所述第二金属层上形成一钝化层15，并且在所述钝化层15上形成半导体层30;

图案化所述半导体层30，采用灰度掩膜板进行曝光、刻蚀，形成了暴露出TFT漏极的贯穿钝化层15的过孔23，以及数据线引线区域4内第二数据线引线14处，位于钝化层15上的第二子增高层22，还形成位于公共电极线引线区2的第六子增高层29。

第四实施例

本发明还提供了一种薄膜晶体管阵列基板，包括基板，所述薄膜晶体管阵列基板中央区域为显示区域，所述显示区域四周为非显示区域，所述非显示区域包括栅极驱动电路区域和数据线引线区域。所述栅极驱动电路区域形成有栅极驱动电路膜层，所述栅极驱动电路膜层包括依次层叠于所述基板上的第一金属层、绝缘层、半导体层、第二金属层、钝化层，依次层叠是指各膜层的叠加依照由下至上的次序，层间可根据需要加入其它膜层，例如在半导体层和第二金属层之间加入刻蚀阻挡层；所述数据线引线区域形成有引线膜层，所述引线膜层包括依次层叠于所述基板上的绝缘层、第一金属层、钝化层。所述引线膜层还包括增高层，所述增高层包括位于绝缘层和钝化层之间的第七子增高层，以及位于钝化层上的第八子增高层，所述第一金属层、绝缘层、第七子增高层、钝化层和第八子增高层层叠。所述数据线引线区域形成有引线膜层的最大厚度范围为1.2um-1.6um，所述数据线引线区域形成有引线膜层的最大厚度H3与所述栅极驱动电路膜层的最大厚度H2满足：(H3/H2)-1的取值范围为-2%～2%。

所述薄膜晶体管阵列基板上，在所述栅极驱动电路膜层和数据线引线膜层之上还有相同的膜层，例如配向层，此处不进行一一列举。

所述数据线引线分为位于所述绝缘层下面的多条第一数据线引线和位于所述绝缘层上不与第一数据引线位置重叠的多条第二数据线引线；所述第一数据线引线由第一金属层构成，所述第二数据线引线由第二金属层构成。所述第一数据线引线位置的引线膜层包括所述第七子增高层、第八子增高层；

参考图12，图12为本发明第四实施例中数据线引线区域4膜层的剖面示意图。本发明所提供的液晶显示装置的阵列基板中包括沿同一方向间隔排列的多条第一数据线引,11和第二数据线引线14，如图3所示，相邻两条数据线引线之间的距离可以相等。如图12中所示，在第一数据线引线11处在绝缘层12的上方增设有第七子增高层26，钝化层15上方增设有第八子增高层27，第一数据线引线处的膜层从下到上依次为所述第一金属层11、绝缘层12、第七子增高层26、钝化层15和第八子增高层27。

所述第七子增高层、第八子增高层的材质为非晶硅或者多晶硅半导体，采用半导体材料既能节省工艺步骤，又能在不影响器件性能的条件下起到具有一定强度的支撑作用，所述的第七子增高层或第八子增高层的膜厚优选为0.25um。

增设第七子增高层、第八子增高层，在不增加工艺过程的条件下，可使数据线引线区域4膜层的高度增加，达到与栅极驱动电路区域1膜层相近或者相等的最大高度。同时，通过设计调节，可使得数据线引线区域4膜层最大高度所占区域与栅极驱动电路区域1膜层最大高度所占区域相近或者相等，从而减少或者消除栅极驱动电路区域1膜层与数据线引线区域4膜层的高度差异，最终能够达到提高液晶显示面板的显示画面品质的目的。

制造所述阵列基板的具体工艺步骤如下所述：

提供一如图13a所示的阵列基板5，阵列基板5材料包括玻璃、有机聚合物、石英及其上具有的缓冲层，形成第一金属层在所述基板5上，图案化第一金属层，形成了如图13b所示的栅极驱动电路区域1的TFT的栅极图案6以及位于数据线引线区域的第一数据线引线11，还形成位于显示区域3的TFT的栅极图案和扫描线图案（图中未示出）；

形成绝缘层12在阵列基板5上形成的所述第一金属层上，如图13c所示;

如图13d所示，在所述绝缘层12上形成半导体层，图案化所述半导体层形成位于所述栅极驱动电路区域1的半导体图案7及位于所述数据线引线区域4的第七子增高层26；

在所述半导体层26上形成第二金属层，图案化第二金属层，形成了如图13e所示的位于栅极驱动电路区域1的TFT的源极、漏极图案8，还形成位于显示区域3的TFT的源极、漏极图案和数据线图案（图中未示出），还形成位于数据线引线区域4的第二数据线引线14；

如图13f所示，在所述第二金属层上形成一钝化层15，并且在所述钝化层15上形成半导体层30;

如图13g所示，图案化所述半导体层30，采用灰度掩膜板进行曝光、刻蚀，形成了暴露出TFT漏极的贯穿钝化层15的过孔23，以及数据线引线区域4内第一数据线引线11处的第八子增高层图案27。

第五实施例

所述薄膜晶体管阵列基板还包括公共电极线引线区域，所述公共电极线分为位于所述绝缘层下面的多条第一公共电极线引线和位于所述绝缘层上的多条第二公共电极线。所述第一公共电极线引线由第一金属层构成，所述第二公共电极线引线由第二金属层构成。在第四实施例的基础上，还可以在第一公共电极线引线处设置增高层，来达到减小阵列基板四周非显示区域上的膜层高度差异的目的。所述第一公共电极线引线9所在位置的引线膜层包括第三子增高层、第四子增高层。

本发明所提供的液晶显示装置的阵列基板中包括沿同一方向间隔排列的多条第一公共电极线引线，如图3所示，相邻两条公共电极线引线之间的距离可以相等。如图10中所示，在公共电极线区域2在绝缘层12的上方增设有第三子增高层24，钝化层15上增设第四子增高层25。公共电极线区域2的膜层从下到上依次为所述第一公共电极线引线9、所述绝缘层12、所述第三子增高层24、所述钝化层15和所述第四子增高层25。

所述第三子增高层、第四子增高层的材质为非晶硅或者多晶硅半导体，采用半导体材料既能节省工艺步骤，又能在不影响器件性能的条件下起到具有一定强度的支撑作用，所述的第三子增高层、第四子增高层的膜厚优选为0.25um。

制造所述阵列基板的具体工艺步骤与第二实施例中所述的阵列基板的具体工艺步骤相同，在此不再赘述。

第六实施例

所述薄膜晶体管阵列基板还包括公共电极线引线区域，所述公共电极线分为位于所述绝缘层下面的多条第一公共电极线引线和位于所述绝缘层上的多条第二公共电极线。所述第一公共电极线引线由第一金属层构成，所述第二公共电极线引线由第二金属层构成。在第四实施例的基础上，还可以在第二公共电极线引线处设置增高层，来达到减小阵列基板四周非显示区域上的膜层高度差异的目的。所述第一公共电极线引线9所在位置的引线膜层包括第五子增高层、第六子增高层。

本发明所提供的液晶显示装置的阵列基板中包括沿同一方向间隔排列的多条第二公共电极线引线10，如图3所示，相邻两条公共电极线引线之间的距离可以相等。如图11中所示，在公共电极线区域2在绝缘层12的上方增设有第五子增高层28，钝化层15上增设第六子增高层29。公共电极线区域2的膜层从下到上依次为所述绝缘层12、所述第五子增高层28、所述第二公共电极线引线10、所述钝化层15和所述第六子增高层29。

制造所述阵列基板的具体工艺步骤与第三实施例中所述的阵列基板的具体工艺步骤相同，在此不再赘述。

第七实施例

所述数据线引线分为位于所述绝缘层下面的多条第一数据线引线和位于所述绝缘层上不与第一数据引线位置重叠的多条第二数据线引线；所述第一数据线引线由第一金属层构成，所述第二数据线引线由第二金属层构成。所述第一数据线引线位置的引线膜层包括所述第七子增高层、第八子增高层；所述第二数据线引线所在位置的引线膜层包括所述第一子增高层、第二子增高层。

参考图14，图14为本发明第五实施例中数据线引线区域4膜层的剖面示意图。本发明所提供的液晶显示装置的阵列基板中包括沿同一方向间隔排列的多条第一数据线引线和第二数据线引线，如图3所示，相邻两条数据线引线之间的距离相等。如图9中所示，在第一数据线引线处在绝缘层12的上方增设有第七子增高层26，钝化层15上方增设有第八子增高层27，第一数据线引线处的膜层从下到上依次为所述第一金属层11、绝缘层12、第七子增高层26、钝化层15和第八子增高层27；在第二数据线引线处在绝缘层12的上方增设有第一子增高层13，钝化层15上增设第二子增高层22。第二数据线引线处的膜层从下到上依次为所述绝缘层12、所述第一子增高层13、所述第二金属层14、所述钝化层15和所述第二子增高层22。

所述第一子增高层、第二子增高层、第七子增高层和第八子增高层的材质为非晶硅或者多晶硅半导体，采用半导体材料既能节省工艺步骤，又能在不影响器件性能的条件下起到具有一定强度的支撑作用，所述的第一子增高层、第二子增高层、第七子增高层和第八子增高层的膜厚优选为0.25um。

增设第一子增高层、第二子增高层、第七子增高层和第八子增高层，在不增加工艺过程的条件下，可使数据线引线区域4膜层的高度增加，达到与栅极驱动电路区域1膜层相近或者相等的最大高度。同时，通过设计调节，可使得数据线引线区域4膜层最大高度所占区域与栅极驱动电路区域1膜层最大高度所占区域相近或者相等，从而减少或者消除栅极驱动电路区域1膜层与数据线引线区域4膜层的高度差异，最终能够达到提高液晶显示面板的显示画面品质的目的。

制造所述阵列基板的工艺步骤是实施例一与实施例四的工艺步骤的结合，具体工艺步骤如下所述：

提供一如图9a或13a所示的阵列基板5，阵列基板5材料包括玻璃、有机聚合物、石英及其上具有的缓冲层，形成第一金属层在所述基板5上，图案化第一金属层，形成了所示的栅极驱动电路区域1的TFT的栅极图案6和位于显示区域3的TFT的栅极图案和扫描线图案，还形成位于数据线引线区域的第一数据线引线11；

形成绝缘层12在阵列基板5上形成的所述第一金属层上;

在所述绝缘层12上形成半导体层，图案化所述半导体层形成位于所述栅极驱动电路区域1的半导体图案7及位于所述数据线引线区域4的第一子增高层13、第七子增高层26；

在所述半导体层13上形成第二金属层，图案化第二金属层，形成了位于栅极驱动电路区域1的TFT的源极、漏极图案8，位于数据线引线区域4的第二数据线引线14，还形成位于显示区域3的TFT的源极、漏极图案和数据线图案；

在所述第二金属层14上形成一钝化层15，并且在所述钝化层15上形成半导体层30;

图案化所述半导体层30，采用灰度掩膜板进行曝光、刻蚀，形成了暴露出TFT漏极的贯穿钝化层15的过孔23，以及数据线引线区域4内第二数据线引线14处的第八子增高层图案27，以及如图14所示的位于数据线引线区域4内第一数据线引线11处的第二子增高层图案22。

第八实施例

所述薄膜晶体管阵列基板还包括公共电极线引线区域，所述公共电极线分为位于所述绝缘层下面的多条第一公共电极线引线和位于所述绝缘层上的多条第二公共电极线。所述第一公共电极线引线由第一金属层构成，所述第二公共电极线引线由第二金属层构成。在第七实施例的基础上，还可以在第一公共电极线引线处设置增高层，来达到减小阵列基板四周非显示区域上的膜层高度差异的目的。所述第一公共电极线引线9所在位置的引线膜层包括第三子增高层、第四子增高层。

本发明所提供的液晶显示装置的阵列基板中包括沿同一方向间隔排列的多条第一公共电极线引线，如图3所示，相邻两条公共电极线引线之间的距离可以相等。如图10中所示，在公共电极线区域2在绝缘层12的上方增设有第三子增高层24，钝化层15上增设第四子增高层25。公共电极线区域2的膜层从下到上依次为所述第一公共电极线引线9、所述绝缘层12、所述第三子增高层24、所述钝化层15和所述第四子增高层25。

所述第三子增高层、第四子增高层的材质为非晶硅或者多晶硅半导体，采用半导体材料既能节省工艺步骤，又能在不影响器件性能的条件下起到具有一定强度的支撑作用，所述的第三子增高层、第四子增高层的膜厚优选为0.25um。

制造所述阵列基板的具体工艺步骤与第二实施例中所述的阵列基板的具体工艺步骤相同，在此不再赘述。

第九实施例

所述薄膜晶体管阵列基板还包括公共电极线引线区域，所述公共电极线分为位于所述绝缘层下面的多条第一公共电极线引线和位于所述绝缘层上的多条第二公共电极线。所述第一公共电极线引线由第一金属层构成，所述第二公共电极线引线由第二金属层构成。在第七实施例的基础上，还可以在第二公共电极线引线处设置增高层，来达到减小阵列基板四周非显示区域上的膜层高度差异的目的。所述第一公共电极线引线9所在位置的引线膜层包括第五子增高层、第六子增高层。

本发明所提供的液晶显示装置的阵列基板中包括沿同一方向间隔排列的多条第二公共电极线引线10，如图3所示，相邻两条公共电极线引线之间的距离可以相等。如图11中所示，在公共电极线区域2在绝缘层12的上方增设有第五子增高层28，钝化层15上增设第六子增高层29。公共电极线区域2的膜层从下到上依次为所述绝缘层12、所述第五子增高层28、所述第二公共电极线引线10、所述钝化层15和所述第六子增高层29。

制造所述阵列基板的具体工艺步骤与第三实施例中所述的阵列基板的具体工艺步骤相同，在此不再赘述。

在上述所有实施例中，在所述数据线引线区域的所述绝缘层上形成所述第一子增高层、第七子增高层，在所述钝化层上形成第二子增高层、第八子增高层和在所述公共电极线引线区域的形成所述第三子增高层和第四子增高层均是通过物理气相沉积方法形成。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (21)

1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括：

基板，其中所述薄膜晶体管阵列基板中央区域为显示区域，所述显示区域四周为非显示区域；

所述非显示区域包括栅极驱动电路区域和数据线引线区域；

所述栅极驱动电路区域形成有栅极驱动电路膜层，所述栅极驱动电路膜层包括依次层叠于所述基板上的第一金属层、绝缘层、半导体层、第二金属层、钝化层：

所述数据线引线区域形成有引线膜层，所述引线膜层包括依次层叠于所述基板上的绝缘层、第二金属层、钝化层；

所述引线膜层还包括一层或多层增高层，所述增高层、绝缘层、第二金属层和钝化层层叠。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述数据线引线区域形成有引线膜层的最大厚度H1与所述栅极驱动电路膜层的最大厚度H2满足：(H1/H2)-1的取值范围为-2%～2%。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述增高层包括位于绝缘层和第二金属层之间的第一子增高层，以及位于钝化层上的第二子增高层。所述第一子增高层与第二子增高层均为半导体层。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述数据线引线分为位于所述绝缘层下的多条第一数据线引线和位于所述绝缘层上不与第一数据引线位置重叠的多条第二数据线引线；所述第一数据线引线由第一金属层构成，所述第二数据线引线由第二金属层构成；所述第二数据线引线所在位置的引线膜层包括所述第一子增高层、第二子增高层，所述第二数据线引线所在位置的所述引线膜层从下到上依次为所述绝缘层、所述第一子增高层、所述第二金属层、所述钝化层和所述第二子增高层。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板还包括公共电极线引线区域，所述公共电极线引线分为位于所述绝缘层下面的多条第一公共电极线引线和位于所述绝缘层上的多条第二公共电极线引线。所述第一公共电极线引线由第一金属层构成，所述第二公共电极线引线由第二金属层构成。所述公共电极线引线所在位置的引线膜层包括第三子增高层、第四子增高层、第五增高层和第六增高层；所述第一公共电极线引线所在位置的所述引线膜层从下到上为所述第一金属层、所述绝缘层、所述第三子增高层、所述钝化层和所述第四子增高层；所述第二公共电极线引线所在位置的所述引线膜层从下到上为所述绝缘层、所述第五子增高层、所述第二金属层、所述钝化层和所述第六子增高层。所述第三子增高层、第四子增高层、第五增高层和第六增高层均为半导体层。

6.一种薄膜晶体管阵列基板，包括：

基板，其中所述薄膜晶体管阵列基板中央区域为显示区域，所述显示区域四周为非显示区域；

所述非显示区域包括栅极驱动电路区域和数据线引线区域；

所述栅极驱动电路区域形成有栅极驱动电路膜层，所述栅极驱动电路膜层包括依次层叠于所述基板上的第一金属层、绝缘层、半导体层、第二金属层、钝化层：

所述数据线引线区域形成有引线膜层，所述引线膜层包括依次层叠于所述基板上的第一金属层、绝缘层、钝化层；

所述引线膜层还包括一层或多层增高层，所述增高层、第一金属层、绝缘层和钝化层层叠。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述数据线引线区域形成有引线膜层的最大厚度H3与所述栅极驱动电路膜层的最大厚度H2满足：(H3/H2)-1的取值范围为-2%～2%。

8.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述增高层包括位于绝缘层和钝化层之间的第七子增高层，以及位于钝化层上的第八子增高层。所述第七子增高层与第八子增高层均为半导体层。

9.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述数据线引线分为位于所述绝缘层下的多条第一数据线引线和位于所述绝缘层上不与第一数据引线位置重叠的多条第二数据线引线；所述第一数据线引线由第一金属层构成，所述第二数据线引线由第二金属层构成；所述第一数据线引线所在位置的引线膜层包括所述第七子增高层、第八子增高层，所述第一数据线引线所在位置的所述引线膜层从下到上依次为所述第一金属层、所述绝缘层、所述第七子增高层、所述钝化层和所述第八子增高层。

10.一种液晶显示面板，包括：

如权利要求1-9任一项所述薄膜晶体管阵列基板、一与该所述薄膜晶体管阵列基板相对设置的彩膜基板和封装于所述薄膜晶体管阵列基板与彩膜基板之间的液晶层。

11.如权利要求10所述的液晶显示面板，其特征在于，所述液晶显示面板还包括设置于所述液晶显示面板非显示区域，所述薄膜晶体管阵列基板和彩膜基板之间的框胶；分布于所述框胶中的硅球。

12.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其中所述薄膜晶体管阵列基板中央区域为显示区域，所述显示区域四周为非显示区域；所述非显示区域包括栅极驱动电路区域和数据线引线区域，所述薄膜晶体管阵列基板的制造方法包括如下步骤：

提供一基底；

在所述基底上形成第一金属层，图案化第一金属层，形成位于栅极驱动电路区域的TFT的栅极图案；

在基底上形成的所述第一金属层上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成半导体层，图案化所述半导体层形成位于所述栅极驱动电路区域的半导体图案、位于所述数据线引线区域的第一子增高层；

在所述半导体层上形成第二金属层，图案化第二金属层，形成位于栅极驱动电路区域的TFT的源极、漏极图案，位于数据线引线区域的第二数据线引线；

在所述第二金属层上依次形成钝化层和半导体层，采用灰度掩膜板进行图案化，形成位于数据线引线区域的第二子增高层图案和位于显示区域的贯穿所述钝化层的过孔；

其中，所述第一子增高层、绝缘层、第二金属层、钝化层和第二子增高层层叠。

13.如权利要求12所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述基底上形成第一金属层，图案化第一金属层，还形成位于显示区域的TFT的栅极图案和扫描线图案，以及位于数据线引线区的第一数据线引线和位于公共电极线引线区域的第一公共电极线引线。

14.如权利要求12所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述绝缘层上形成半导体层，图案化所述半导体层，形成位于所述数据线引线区域的第一子增高层的同时，还形成位于公共电极线引线区域的第三子增高层、第五子增高层。

15.如权利要求12所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述半导体层上形成第二金属层，图案化第二金属层，还形成位于显示区域的TFT的源极、漏极图案和数据线图案，以及位于公共电极线引线区域的第二公共电极线引线，位于数据线引线区域的第二数据线引线。

16.如权利要求12所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在图案化所述钝化层上形成的半导体层时，采用灰度掩膜板进行曝光、刻蚀，形成了暴露出TFT漏极的贯穿钝化层的过孔，以及数据线引线区域内第二数据线引线处，位于钝化层上的第二子增高层。

17.如权利要求12所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述第二金属层上依次形成钝化层和半导体层，采用灰度掩膜板进行图案化，形成位于数据线引线区域的第二子增高层的同时，还形成位于公共电极线引线区域的第四子增高层、第六子增高层。

18.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其中所述薄膜晶体管阵列基板中央区域为显示区域，所述显示区域四周为非显示区域；所述非显示区域包括栅极驱动电路区域和数据线引线区域，所述薄膜晶体管阵列基板的制造方法包括如下步骤：

提供一基底；

在所述基底上形成第一金属层，图案化第一金属层，形成位于栅极驱动电路区域的TFT的栅极图案以及位于数据线引线区域的第一数据线引线；

在基底上形成的所述第一金属层上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成半导体层，图案化所述半导体层形成位于所述栅极驱动电路区域的半导体图案、位于所述数据线引线区域的第七子增高层；

在所述半导体层上形成第二金属层，图案化第二金属层，形成位于栅极驱动电路区域的TFT的源极、漏极图案；

在所述第二金属层上依次形成钝化层和半导体层，采用灰度掩膜板进行图案化，形成位于数据线引线区域的第八子增高层图案和位于显示区域的贯穿所述钝化层的过孔；

其中，所述第一金属层、绝缘层、第七子增高层、钝化层和第八子增高层层叠。

19.如权利要求18所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，形成第一金属层在所述基底上，图案化第一金属层，还形成位于显示区域的TFT的栅极图案和扫描线图案和位于公共电极线引线区域的第一公共电极线引线。

20.如权利要求18所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述半导体层上形成第二金属层，图案化第二金属层，还形成位于显示区域的TFT的源极、漏极图案和数据线图案，以及位于数据线引线区域的第二数据线引线以及位于公共电极线引线区域的第二公共电极线引线。

21.如权利要求18所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在图案化所述钝化层上形成的半导体层时，采用灰度掩膜板进行曝光、刻蚀，形成了暴露出TFT漏极的贯穿钝化层的过孔，以及数据线引线区域内第二数据线引线14处的第八子增高层图案。