TWI516850B - 具有整合式閘極驅動器的陣列基板及其製造方法 - Google Patents

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Description

具有整合式閘極驅動器的陣列基板及其製造方法
本發明係關於一種陣列基板，尤其是，關於一種具有整合式閘極驅動器的陣列基板及其製造方法。
近來，作為下一代顯示裝置的液晶顯示(Liquid Crystal Display，LCD)裝置已成為焦點，這是因為該LCD裝置因其低功耗與良好的便攜性而具有高附加價值。
該LCD裝置包括一陣列基板，其中設置有複數個薄膜電晶體(Thin Film Transistor，TFT)、一濾色片基板，以及一液晶層，在該陣列基板與該濾色片基板之間。該LCD裝置依據該液晶層的光學各向異性而利用折射率的差別來顯示影像。
近年來，其中TFT與像素電極排列成矩陣形狀的主動矩陣LCD(Active-Matrix LCD，AM-LCD)裝置由於其高解析度以及其呈現移動影像的高性能，因此已經非常引人關注。
由於非晶矽(a-Si)係通過低溫處理而形成，因此對於非晶矽可採用低成本的絕緣基板。因此，該陣列基板的TFT可利用非晶矽來形成。
該LCD裝置包括一液晶面板，其顯示影像、一背光單元，將光提供至該液晶面板、以及一驅動單元，為該液晶面板提供信號與電力。該驅動單元包括一印刷電路板(Printed Circuit Board，PCB)。該PCB分為一閘極PCB，連接至該液晶面板的一閘極線、以及一資料PCB，連接至該液晶面板的一資料線。該閘極PCB與該資料PCB可通過一帶載封裝(Tape Carrier Package，TCP)分別貼附於液晶面板上的一閘極墊與一資料墊。連 接至閘極線的閘極墊形成在液晶面板的一邊緣部，並且連接至資料線的資料墊形成在液晶面板的另一邊緣部。
由於驅動單元包括分別貼附於閘極墊與資料墊的閘極PCB與資料PCB，因此LCD裝置的體積與重量增加。為了改善上述弊端，已提出一種閘極面板(Gate In Panel，GIP)式LCD裝置，其中閘極驅動器形成在液晶面板中，並且單個PCB貼附於液晶面板。
在該GIP式LCD裝置中，閘極驅動器與陣列基板一起形成。另外，整合到陣列基板中的閘極驅動器包括移位暫存器，且該移位暫存器包括級聯連接的複數級。
第1圖為顯示依據先前技術之用於GIP式液晶顯示裝置的陣列基板的視圖。
在第1圖中，用於GIP式LCD裝置的陣列基板包括一主動區域AA以及一閘極電路區域GCA。複數條閘極線GL1至GLn以及複數條資料線DL1至DLm形成在該主動區域AA中，且一閘極驅動器形成在該閘極電路區域GCA中。該閘極驅動器包括一移位暫存器，且該移位暫存器包括複數級ST1至STn。該複數級ST1至STn對應於該複數條閘極線GL1至GLn。
當前級的輸出端連接至下一級的輸入端，以便當前級的輸出信號能夠啟動下一級的操作。另外，每一級的輸出端連接至閘極線GL1至GLn，以將輸出信號提供至主動區域AA。因此，每一級的輸出信號被提供至閘極線GL1至GLn以及下一級。由於第一級ST1沒有上一級，因此起始脈衝SP被提供至第一級ST1，以啟動第一級ST1的操作。
具有高位準脈衝的第一時脈與第二時脈通過閘極驅動器外側的第一時脈線CL1與第二時脈線CL2，依序提供至每一級。另外，該移位暫存器的輸出信號從複數級ST1至STn依序傳送至複數條閘極線GL1至GLn。
近來，為了重量輕以及外形薄，已需要利用LCD裝置的超薄設計來減小對應於非顯示區的邊框區域。在依據先前技術的GIP式LCD裝置中，由於複數條時脈線設置在閘極驅動器的外側，因此要獲得窄邊框則受限。
本發明的實施例有關於一種具有整合式閘極驅動器的陣列基板及一種製造該陣列基板的方法。因此，一示例性實施例針對一種陣列基板，該陣列基板實質上消除了因先前技術的限制與缺點而導致的一個或多個問題。
一示例性實施例為一種獲得了窄邊框之具有整合式閘極驅動器的陣列基板及一種製造該陣列基板的方法。
另外，一示例性實施例為一種具有整合式閘極驅動器的陣列基板及一種製造該陣列基板的方法，在該陣列基板中，阻止滲透到該閘極驅動器中的水份，以便能夠防止退化。
本發明的優點與特徵將在下面部分闡述在說明書中，並且經隨後的審查部分優點與特徵對本領域普通技術人員將是顯而易見的，或者可從本發明的實施方式中習得。本文中實施例的其他優點與特徵可藉由文字說明與本發明的申請專利範圍以及所附的圖示中特別指出的結構實現並獲得。
依照依據本發明一態樣的目的，為了獲得其他優點與特徵，一示例性實施例為一種陣列基板，該陣列基板包括：一基板，包括一主動區域以及一閘極電路區域；一閘極連接線，位於該基板上，且在該閘極電路區域中；一閘極絕緣層，位於該閘極連接線上；一主動圖案，位於該閘極絕緣層上，該主動圖案與該閘極連接線間隔開；一源極連接線與一像素圖案，依序設置在該主動圖案上；一層間絕緣層與一有機圖案，依序設置在該閘極絕緣層上，該層間絕緣層及該有機圖案與該源極連接線間隔開；一第一鈍化層，位於該有機圖案上，該第一鈍化層與該閘極絕緣層具有一第一接觸孔，該第一接觸孔暴露該閘極連接線，並且該第一鈍化層具有一第二接觸孔，該第二接觸孔暴露該像素圖案；以及一導電圖案，位於該第一鈍化層上，該導電圖案通過該第一接觸孔連接至該閘極連接線，並通過該第二接觸孔連接至該像素圖案。
另一態樣，一示例性實施例為一種製造陣列基板的方法，該方法包括：於一基板上將一閘極連接線形成在一閘極電路區域中；將一閘 極絕緣層形成在該閘極連接線上；將一主動圖案形成在該閘極絕緣層上，該主動圖案與該閘極連接線間隔開；將一源極連接線與一像素圖案依序形成在該主動圖案上；將一層間絕緣層與一有機圖案依序形成在該閘極絕緣層上，該層間絕緣層及該有機圖案與該源極連接線間隔開；將一第一鈍化層形成在該有機圖案上，該第一鈍化層與該閘極絕緣層具有一第一接觸孔，該第一接觸孔暴露該閘極連接線，並且該第一鈍化層具有一第二接觸孔，該第二接觸孔暴露該像素圖案；以及將一導電圖案形成在該第一鈍化層上，該導電圖案通過該第一接觸孔連接至該閘極連接線，並通過該第二接觸孔連接至該像素圖案。
要理解的是，前述概括性描述與以下詳細描述均為示例性與說明性的，並且是為了提供所主張的實施例的進一步說明。
101、201‧‧‧基板
116a、216a‧‧‧閘極電極
116b、216b‧‧‧閘極連接線
120、220‧‧‧閘極絕緣層
123a、223a‧‧‧主動層
123b、223b‧‧‧主動圖案
125a、225a‧‧‧源極電極
125b、225b‧‧‧汲極電極
125c、225c‧‧‧源極連接線
130、230‧‧‧層間絕緣層
140、240‧‧‧有機絕緣圖案
145a、245a‧‧‧像素電極
145b、245b‧‧‧像素圖案
150、250‧‧‧第一鈍化層
155、255‧‧‧導電圖案
160、260‧‧‧第二鈍化層
170‧‧‧共用層
AA‧‧‧主動區域
CH1‧‧‧第一接觸孔
CH2‧‧‧第二接觸孔
CH3‧‧‧第三接觸孔
CL1‧‧‧第一時脈線
CL2‧‧‧第二時脈線
DL1~DLm‧‧‧資料線
GCA‧‧‧閘極電路區域
GL1~GLn‧‧‧閘極線
SP‧‧‧起始脈衝
ST1~STn‧‧‧級
所附圖式被包括是為了提供本發明的進一步理解，納入到本說明書中並構成本說明書的一部分，舉例說明本發明的實施方式，同時與說明一同為解釋本發明的實施例的原理。
第1圖為顯示依據先前技術之用於GIP式液晶顯示裝置的陣列基板的視圖；第2圖為顯示依據本發明第一實施例之用於GIP式液晶顯示裝置的陣列基板的視圖；第3圖為顯示依據本發明第一實施例之用於GIP式液晶顯示裝置的陣列基板的剖視圖；第4圖為顯示依據本發明第二實施例之用於GIP式液晶顯示裝置的陣列基板的剖視圖；以及第5A圖至第5F圖為顯示依據本發明第二實施例之製造用於GIP式液晶顯示裝置的陣列基板的方法的剖視圖。
現在詳細參考本發明的實施例，所附圖示中舉例說明瞭其示 例。在以下描述中，當確定與本文有關的眾所周知的功能或配置的詳細說明不必要地使本發明實施例的主旨模糊時，將省略其詳細說明。所述的工藝步驟及/或操作的進行為示例；然而，除了必須以某一順序存在的步驟及/或操作之外，步驟及/或操作的順序並不限於本文中闡述的順序，正如本領域中已知的，可對其作出改變。類似的元件符號表示類似的元件。以下說明中使用的各元件的名稱只是為了方便撰寫本說明書而選擇的，因此可能不同於實際產品中使用的名稱。
第2圖為顯示依據本發明第一實施例之用於GIP式液晶顯示裝置的陣列基板的視圖。
在第2圖中，一陣列基板包括位於其中部的一主動區域AA以及位於其邊緣部的一閘極電路區域GCA。複數條閘極線GL1至GLn以及複數條資料線DL1至DLm形成在主動區域AA中，以顯示影像，且一閘極驅動器形成在閘極電路區域GCA中，以產生複數個閘極信號。該複數條閘極線GL1至GLn與該複數條資料線DL1至DLm交叉以定義出一像素區。整合到陣列基板中的閘極驅動器包括一移位暫存器，且該移位暫存器包括級聯連接的複數級ST1至STn。儘管未顯示，但該複數級ST1至STn的每一級可包括複數個驅動TFT，且該像素區可包括複數個像素TFT。該複數個驅動TFT以及該複數個像素TFT同時形成。該複數級ST1至STn可對應於該複數條閘極線GL1至GLn。
當前級的輸出端連接至下一級的輸入端，以便當前級的輸出信號能夠啟動下一級的操作。另外，每一級ST1至STn的輸出端連接至閘極線GL1至GLn，以將輸出信號提供至陣列基板的主動區域AA。因此，每一級ST1至STn的輸出信號被提供至閘極線GL1至GLn以及下一級。由於第一級ST1沒有上一級，因此起始脈衝SP被提供至第一級ST1，以啟動第一級ST1的操作。
具有高位準脈衝的第一時脈與第二時脈通過閘極驅動器上的第一時脈線CL1與第二時脈線CL2，依序提供至每一級。儘管在第一實施例中第一時脈與第二時脈輸入到每一級ST1至STn，但在另一實施例中三個或更多個時脈可輸入到每一級ST1至STn。因此，輸出信號從複數級ST1至STn依序傳送至複數條閘極線GL1至GLn。
在依據第一實施例的陣列基板中，由於用於傳送複數個時脈信號的複數條時脈線CL1與CL2形成在閘極驅動器上，因此與依據先前技術之複數條時脈線形成在閘極驅動器外側的陣列基板相比，非顯示區的邊框區域減小。結果，利用超薄設計得到了重量輕且外形薄的LCD。
第3圖為顯示依據本發明第一實施例之用於GIP式液晶顯示裝置的陣列基板的剖視圖。
在第3圖中，基板101包括用於顯示影像的一主動區域AA以及用於產生複數個閘極信號的一閘極電路區域GCA。在主動區域AA中，閘極電極116a與連接至閘極電極116a的閘極線形成在基板101上的每一個像素區中，且閘極絕緣層120形成在閘極電極116a與閘極線上。主動層123a形成在閘極電極116a上的閘極絕緣層120上，且源極電極125a與汲極電極125b以及連接至源極電極125a的資料線形成在主動層123a上。主動層123a可由本質非晶矽(a-Si：H)形成。源極電極125a與汲極電極125b彼此間隔開，以對應於主動層123a的兩側。閘極電極116a、閘極絕緣層120、主動層123a、源極電極125a以及汲極電極125b構成像素TFT。層間絕緣層130形成在源極電極125a與汲極電極125b上的每一個像素區中，且像素電極145a形成在層間絕緣層130上。像素電極145a可由透明導電材料，例如銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)以及銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)形成。層間絕緣層130具有暴露汲極電極125b的汲極接觸孔，且像素電極145a通過該汲極接觸孔連接至汲極電極125b。第一鈍化層150形成在像素電極145a上。
在閘極電路區域GCA中，閘極連接線116b形成在基板101上，且閘極絕緣層120形成在閘極連接線116b上。閘極連接線116b可具有與閘極電極116a相同的層及相同的材料。主動圖案123b、源極連接線125c以及像素圖案145b依序形成在閘極絕緣層120上。主動圖案123b與閘極連接線116b間隔開。主動圖案123b可具有與主動層123a相同的層及相同的材料。源極連接線125c可具有與源極電極125a及汲極電極125b相同的層及相同的材料。另外，像素圖案145b可具有與像素電極145a相同的層及相同的材料。源極連接線125c與像素圖案145b包覆主動圖案123b的頂面與側面。
層間絕緣層130形成在閘極絕緣層120上，且有機絕緣圖案140形成在層間絕緣層130上。另外，第一鈍化層150形成在有機絕緣圖案140上。儘管未顯示，但包括移位暫存器的閘極驅動器可形成在有機絕緣圖案140的下面。層間絕緣層130與有機絕緣圖案140具有暴露該源極連接線125c的開口，且像素圖案145b通過該開口直接形成在源極連接線125c上。有機絕緣圖案140可由有機絕緣材料，例如光亞克力與苯並環丁烯(Benzocyclobutene，BCB)形成。層間絕緣層130及有機絕緣圖案140與源極連接線125b間隔開。導電圖案155形成在有機絕緣圖案140上的第一鈍化層150上，且第二鈍化層160形成在導電圖案155上。導電圖案155可由金屬材料，例如鋁(Aluminum，Al)以及銅(Copper，Cu)形成，以防止信號延遲。或者，導電圖案155可由透明導電材料，例如銦錫氧化物以及銦鋅氧化物形成。另外，導電圖案155可藉有機絕緣圖案140而與閘極驅動器電分離。共用層170形成在第二鈍化層160上。該共用層170可作用為一跳線，用於連接不同層的導線，例如閘極連接線116b、像素圖案145b以及導電圖案155。
閘極絕緣層120、第一鈍化層150以及第二鈍化層160具有暴露閘極連接線116b的第一接觸孔CH1。另外，第一鈍化層150以及第二鈍化層160具有暴露像素圖案145b的第二接觸孔CH2，且第二鈍化層160具有暴露導電圖案155的第三接觸孔CH3。共用層170通過第一接觸孔CH1連接至閘極連接線116b，通過第二接觸孔CH2連接至像素圖案145b，以及通過第三接觸孔CH3連接至導電圖案155。
在依據第一實施例的陣列基板中，導電圖案155可作用為複數條時脈線CL1與CL2(第2圖的)，且複數個時脈信號被施加至導電圖案155。由於導電圖案155形成在閘極驅動器之上，因此獲得了具有窄邊框的LCD裝置。
然而，由於共用層170形成為基板101的頂層，而不具有保護層，因此外部水份會滲透到共用層170與閘極連接線116b之間、像素圖案145b與源極連接線125c之間以及共用層170與導電圖案155之間的接觸部中。例如，在高溫度與高濕度條件下，例如溫度為大約60℃，以及濕度為大約90%，外部水份會滲透到該等接觸部中。結果，該等接觸部會因 水份而被破壞。
另外，當LCD裝置具有複數條觸控掃描線以及複數條觸控感測線形成在陣列基板上的內嵌觸控類型時，導電圖案155可作用為複數條觸控掃描線，且複數個觸控掃描信號可施加至導電圖案155。在內嵌觸控型LCD裝置中，外部水份會導致該等接觸部損壞。
為了解決上述問題，提出第二實施例。
第4圖為顯示依據本發明第二實施例之用於GIP式液晶顯示裝置的陣列基板的剖視圖。
在第4圖中，基板201包括用於顯示影像的一主動區域AA以及用於產生複數個閘極信號的一閘極電路區域GCA。在主動區域AA中，閘極電極216a與連接至閘極電極216a的閘極線形成在基板201上的每一個像素區中，且閘極絕緣層220形成在閘極電極216a與閘極線上。主動層223a形成在閘極電極216a上的閘極絕緣層220上，且源極電極225a與汲極電極225b以及連接至源極電極225a的資料線形成在主動層223a上。主動層223a可由本質非晶矽(a-Si：H)形成。源極電極225a與汲極電極225b彼此間隔開，以對應於主動層223a的兩側。閘極電極216a、閘極絕緣層220、主動層223a、源極電極225a以及汲極電極225b構成像素TFT。層間絕緣層230形成在源極電極225a與汲極電極225b上的每一個像素區中，且像素電極245a形成在層間絕緣層230上。像素電極245a可由透明導電材料，例如銦錫氧化物以及銦鋅氧化物。層間絕緣層230具有暴露汲極電極225b的汲極接觸孔，且像素電極245a通過該汲極接觸孔連接至汲極電極225b。第一鈍化層250形成在像素電極245a上。
在閘極電路區域GCA中，閘極連接線216b形成在基板201上，且閘極絕緣層220形成在閘極連接線216b上。閘極連接線216b可具有與閘極電極216a相同的層及相同的材料。主動圖案223b、源極連接線225c以及像素圖案245b依序形成在閘極絕緣層220上。主動圖案223b與閘極連接線216b間隔開。主動圖案223b可具有與主動層223a相同的層及相同的材料。源極連接線225c可具有與源極電極225a及汲極電極225b相同的層及相同的材料。另外，像素圖案245b可具有與像素電極245a相同的層及相同的材料。源極連接線225c與像素圖案245b包覆主動圖案223b 的頂面與側面。
層間絕緣層230形成在閘極絕緣層220上，且有機絕緣圖案240形成在層間絕緣層230上。另外，第一鈍化層250形成在有機絕緣圖案240上。儘管未顯示，但包括移位暫存器的閘極驅動器可形成在有機絕緣圖案240的下面。層間絕緣層230與有機絕緣圖案240具有暴露源極連接線225c的開口，且像素圖案245b通過該開口直接形成在源極連接線225c上。有機絕緣圖案240可由有機絕緣材料，例如光亞克力與苯並環丁烯形成。層間絕緣層230及有機絕緣圖案240與源極連接線225b間隔開。導電圖案255形成在有機絕緣圖案240上的第一鈍化層250上，且第二鈍化層260形成在導電圖案255上。導電圖案255可由金屬材料例如鋁以及銅形成，以防止信號延遲。或者，導電圖案255可由透明導電材料例如銦錫氧化物以及銦鋅氧化物形成。另外，導電圖案255可藉有機絕緣圖案240而與閘極驅動器電分離。
閘極絕緣層220與第一鈍化層250具有暴露閘極連接線216b的第一接觸孔CH1，且第一鈍化層250具有暴露像素圖案245b的第二接觸孔CH2。導電圖案255通過第一接觸孔CH1直接連接至閘極連接線216b，且通過第二接觸孔CH2直接連接至像素圖案245b。
在依據第二實施例的陣列基板中，導電圖案255可作用為複數條時脈線CL1與CL2(第2圖的)，且複數個時脈信號被施加至導電圖案255。另外，導電圖案255可作用為一跳線，用於連接不同層的導線，例如閘極連接線216b、像素圖案245b以及導電圖案255。由於導電圖案255形成在閘極驅動器之上，因此獲得了具有窄邊框的LCD裝置。
進一步地，由於第二鈍化層260形成在導電圖案255上，因此外部水份不會滲透到導電圖案255與閘極連接線216b之間、像素圖案245b與源極連接線225c之間以及導電圖案255與導電圖案255之間的接觸部中。例如，即使在高溫與高濕度條件下，例如溫度為大約60℃，以及濕度為大約90%，外部水份不會滲透到該等接觸部中。結果，防止該等接觸部因水份而被破壞。
第5A圖至第5F圖為顯示依據本發明第二實施例之製造用於GIP式液晶顯示裝置的陣列基板的方法的剖視圖。
在第5A圖中，藉由通過一光刻處理而沉積並圖案化一第一金屬材料，以於主動區域AA中將閘極電極216a與連接至閘極電極216a的閘極線形成在基板201上，並於閘極電路區域GCA中將閘極連接線216b形成在基板201上。該第一金屬材料可包括鋁、鋁合金、銀(Silver，Ag)、銀合金、鉬(Molybdenum，Mo)、鉬合金、鉻(Chromium，Cr)、鈦(Titanium，Ti)以及鉭(Tantalum，Ta)的至少其中之一。閘極電極216a、閘極線以及閘極連接線216b可具有單層結構或者多層結構。
接下來，藉由沉積一第一絕緣材料，將閘極絕緣層220形成在閘極電極216a、閘極線以及閘極連接線216b上。然後，藉由通過一光刻處理而沉積並圖案化非晶矽，以於主動區域AA中將主動層223a形成在閘極絕緣層220上，並於閘極電路區域GCA中將主動圖案223b形成在極絕緣層220上。主動圖案223b與閘極連接線216b間隔開。
接下來，藉由通過一光刻處理而沉積並圖案化一第二金屬材料，以於主動區域AA中將源極電極225a與汲極電極225b形成在主動層223a上，並於閘極電路區域GCA中將源極連接線225c形成在閘極絕緣層上。源極連接線225c包覆主動圖案223b的頂面與側面。源極電極225a與汲極電極225b彼此間隔開，以對應於主動層223a的兩側。該第二金屬材料可包括鋁(Al)、鋁合金、銀(Ag)、銀合金、鉬(Mo)、鉬合金、鉻(Cr)、鈦(Ti)以及鉭(Ta)的至少其中之一。源極電極225a、汲極電極225b以及源極連接線225c可具有單層結構或者多層結構。閘極電極216a、閘極絕緣層220、主動層223a、源極電極225a以及汲極電極225b構成像素TFT。
在第5B圖中，藉由通過一光刻處理而沉積並圖案化一無機絕緣材料與一有機絕緣材料，以於主動區域AA中將層間絕緣層230形成在TFT上，並於閘極電路區域GCA中將層間絕緣層230與有機絕緣圖案240依序形成在閘極絕緣層220上。層間絕緣層230與有機絕緣圖案240具有暴露主動區域AA中的汲極電極225b的汲極接觸孔，且層間絕緣層230與有機絕緣圖案240具有暴露閘極電路區域GCA中的源極連接線225c的開口。該無機絕緣材料可包括氮化矽(Silicon Nitride，SiNx)與二氧化矽(Silicon Oxide，SiO2)的其中之一，且該有機絕緣材料可包括光亞克力與苯並環丁烯(BCB)的其中之一。
在第5C圖中，在移除主動區域AA的有機絕緣圖案240之後，藉由通過一光刻處理而沉積並圖案化一透明導電材料，以於主動區域AA中將像素電極245a形成在層間絕緣層230上，並將像素圖案245b形成在源極連接線225c上。像素電極245a通過該汲極接觸孔連接至汲極電極225b，且像素圖案245b通過該開口包覆源極連接線225c的頂面與側面。該透明導電材料可包括銦錫氧化物與銦鋅氧化物的其中之一。
在第5D圖中，藉由通過一光刻處理而沉積並圖案化一第二絕緣材料，以將第一鈍化層250形成在該主動區域AA中的像素電極245a上以及閘極電路區域GCA中的像素圖案245b上。閘極絕緣層220與該第一鈍化層250具有暴露閘極連接線216b的第一接觸孔CH1，且第一鈍化層250具有暴露像素圖案245b的第二接觸孔CH2。該第二絕緣材料可包括無機絕緣材料，例如氮化矽(SiNx)與二氧化矽(SiO2)以及有機絕緣材料，例如光亞克力與苯並環丁烯(BCB)的其中之一。
在第5E圖中，藉由通過一光刻處理而沉積並圖案化一第三金屬材料，以將導電圖案255形成在閘極電路區域GCA中的第一鈍化層250上。導電圖案255通過第一接觸孔CH1直接連接至閘極連接線216b，且通過第二接觸孔CH2直接連接至像素圖案245b。該第三金屬材料可包括金屬材料，例如鋁(Al)與銅(Cu)，以及透明導電材料，例如銦錫氧化物與銦鋅氧化物的其中之一。由於作用為時脈線與跳線的導電圖案255形成在閘極驅動器之上，因此獲得了具有窄邊框的LCD裝置。
在第5F圖中，藉由沉積一第三絕緣材料，而將第二鈍化層260形成在閘極電路區域GCA中的導電圖案255上。該第三絕緣材料可包括無機絕緣材料，例如氮化矽(SiNx)與二氧化矽(SiO2)，以及有機絕緣材料，例如光亞克力與苯並環丁烯(BCB)的其中之一。由於第二鈍化層260形成在導電圖案255上，因此外部水份不會滲透到導電圖案255與閘極連接線216b之間、像素圖案245b與源極連接線225c之間以及導電圖案255與導電圖案255之間的接觸部中。例如，即使在高溫度與高濕度條件下，例如溫度為大約60℃，以及濕度為大約90%，外部水份不會滲透到該等接觸部中。結果，防止該等接觸部因水份而被破壞。
因此，在依據本發明之具有整合式閘極驅動器的陣列基板及 製造該陣列基板的方法中，由於作用為時脈線與跳線的導電圖案255形成在閘極驅動器之上，因此獲得了具有窄邊框的液晶顯示裝置。另外，由於導電圖案255直接連接至閘極連接線216b與像素圖案245b，且第二鈍化層260形成在導電圖案255上，因此阻止水份滲透到該等接觸部中，並防止水份所造成的破壞。
以上描述了多個示例。然而，要理解的是，可作出各種修改。例如，如果以不同的順序執行所述技術及/或如果所述系統、架構、裝置或電路中的元件以不同方式結合及/或被其他元件或其等效元件替換或補充，則可獲得適當的結果。因此，其他實施方式在以下申請專利範圍的範圍之內。
本發明主張2014年7月29日向韓國知識產權局提交之韓國專利申請第10-2014-0096727號根據35 U.S.C.§119(a)的利益，上述韓國專利申請通過參考全部納入到本文中。
101‧‧‧基板
116a‧‧‧閘極電極
116b‧‧‧閘極連接線
120‧‧‧閘極絕緣層
123a‧‧‧主動層
123b‧‧‧主動圖案
125a‧‧‧源極電極
125b‧‧‧汲極電極
125c‧‧‧源極連接線
130‧‧‧層間絕緣層
140‧‧‧有機絕緣圖案
145a‧‧‧像素電極
145b‧‧‧像素圖案
150‧‧‧第一鈍化層
155‧‧‧導電圖案
160‧‧‧第二鈍化層
170‧‧‧共用層
AA‧‧‧主動區域
CH1‧‧‧第一接觸孔
CH2‧‧‧第二接觸孔
CH3‧‧‧第三接觸孔
GCA‧‧‧閘極電路區域

Claims (13)

  1. 一種陣列基板，包括：一基板，包含一主動區域以及一閘極電路區域；一閘極連接線，位於該基板上，且在該閘極電路區域中；一閘極絕緣層，位於該閘極連接線上；一主動圖案，位於該閘極絕緣層上，該主動圖案與該閘極連接線間隔開；一源極連接線與一像素圖案，依序設置在該主動圖案上；一層間絕緣層與一有機絕緣圖案，依序設置在該閘極絕緣層上，該層間絕緣層及該有機絕緣圖案與該源極連接線間隔開；一第一鈍化層，位於該有機絕緣圖案上，該第一鈍化層及該閘極絕緣層具有一第一接觸孔，該第一接觸孔暴露該閘極連接線，並且該第一鈍化層具有一第二接觸孔，該第二接觸孔暴露該像素圖案；以及一導電圖案，位於該第一鈍化層上，該導電圖案通過該第一接觸孔連接至該閘極連接線，並通過該第二接觸孔連接至該像素圖案。
  2. 依據申請專利範圍第1項所述的陣列基板，進一步包括一第二鈍化層，位於該導電圖案上。
  3. 依據申請專利範圍第1項所述的陣列基板，其中該導電圖案包括一金屬材料與一透明導電材料的其中之一。
  4. 依據申請專利範圍第1項所述的陣列基板，其中該源極連接線與該像素圖案包覆該主動圖案的一頂面與一側面。
  5. 依據申請專利範圍第1項所述的陣列基板，進一步包括一移位暫存器，位於該有機絕緣圖案的下面。
  6. 依據申請專利範圍第5項所述的陣列基板，其中該導電圖案傳送一時脈信號。
  7. 依據申請專利範圍第1項所述的陣列基板，進一步包括：一閘極電極與連接至該閘極電極的一閘極線，位於該主動區域中的該基板上，該閘極電極與該閘極線被該閘極絕緣層覆蓋；一主動層，位於該閘極電極上的該閘極絕緣層上；一源極電極與一汲極電極，位於該主動層上，該源極電極連接至一資料線，該源極電極與該汲極電極被該層間絕緣層覆蓋，且該層間絕緣層具有暴露該汲極電極的一汲極接觸孔；以及一像素電極，位於該層間絕緣層上，該像素電極通過該汲極接觸孔連接至該汲極電極，且該像素電極被該第一鈍化層覆蓋。
  8. 依據申請專利範圍第7項所述的陣列基板，其中該閘極連接線具有與該閘極電極相同的層及相同的材料，其中該主動圖案具有與該主動層相同的層及相同的材料，其中該源極連接線具有與該源極電極及該汲極電極相同的層及相同的材料，以及其中該像素圖案具有與該像素電極相同的層及相同的材料。
  9. 一種製造陣列基板的方法，包括：將一閘極連接線形成在一基板上的一閘極電路區域中；將一閘極絕緣層形成在該閘極連接線上；將一主動圖案形成在該閘極絕緣層上，該主動圖案與該閘極連接線間隔開；將一源極連接線與一像素圖案依序形成在該主動圖案上；將一層間絕緣層與一有機絕緣圖案依序形成在該閘極絕緣層上，該層間絕緣層及該有機絕緣圖案與該源極連接線間隔開；將一第一鈍化層形成在該有機絕緣圖案上，該第一鈍化層及該閘極絕緣層具有一第一接觸孔，該第一接觸孔暴露該閘極連接線，並且該第一鈍化層具有一第二接觸孔，該第二接觸孔暴露該像素圖案；以及將一導電圖案形成在該第一鈍化層上，該導電圖案通過該第一接觸孔連接至該閘極連接線，並通過該第二接觸孔連接至該像素圖案。
  10. 依據申請專利範圍第9項所述之製造陣列基板的方法，進一步包括將一第二鈍化層形成在該導電圖案上。
  11. 依據申請專利範圍第9項所述之製造陣列基板的方法，其中該源極連接線與該像素圖案包覆該主動圖案的一頂面與一側面。
  12. 依據申請專利範圍第9項所述之製造陣列基板的方法，進一步包括將一移位暫存器形成在該有機絕緣圖案的下面。
  13. 依據申請專利範圍第9項所述之製造陣列基板的方法，進一步包括：將一閘極電極與連接至該閘極電極的一閘極線形成在一主動區域中的該基板上，該閘極電極與該閘極線被該閘極絕緣層覆蓋；將一主動層形成在該閘極電極上的該閘極絕緣層上；將一源極電極與一汲極電極形成在該主動層上，該源極電極連接至一資料線，該源極電極與該汲極電極被該層間絕緣層覆蓋，且該層間絕緣層具有暴露該汲極電極的一汲極接觸孔；以及將一像素電極形成在該層間絕緣層上，該像素電極通過該汲極接觸孔連接至該汲極電極，且該像素電極被該第一鈍化層覆蓋。
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