KR101048705B1 - 라인 온 글래스형 액정표시소자 및 그 제조방법 - Google Patents

라인 온 글래스형 액정표시소자 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101048705B1
KR101048705B1 KR1020040065724A KR20040065724A KR101048705B1 KR 101048705 B1 KR101048705 B1 KR 101048705B1 KR 1020040065724 A KR1020040065724 A KR 1020040065724A KR 20040065724 A KR20040065724 A KR 20040065724A KR 101048705 B1 KR101048705 B1 KR 101048705B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
line
gate
open area
log
film
Prior art date
Application number
KR1020040065724A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060017161A (ko
Inventor
박광섭
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020040065724A priority Critical patent/KR101048705B1/ko
Publication of KR20060017161A publication Critical patent/KR20060017161A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101048705B1 publication Critical patent/KR101048705B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 LOG라인의 저항 증가에 의해 블록 딤(Block Dim)이 발생하는 문제점을 해결하여 화질을 향상시키고자 하는 라인 온 글래스형 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 게이트 배선 및 데이터 배선에 의해 정의하는 화소영역에 박막트랜지스터 및 화소전극이 구비되는 액티브영역과, 상기 액티브영역의 외곽에 라인 온 글래스 방식으로 형성되어 구동에 필요한 외부 드라이브 집적회로들의 신호들을 상기 액티브영역에 공급하고, 상기 신호들의 흐름과 동일한 방향을 그 길이 방향으로 하는 제 1 오픈영역을 구비한 LOG 라인과, 상기 LOG라인 상부에 형성되고 상기 제 1 오픈영역보다 크기가 작은 제 2 오픈영역을 가지는 게이트 절연막 및 보호막과, 상기 제 2 오픈영역 내부에 형성되는 ITO막으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
LOG, Block Dim, 리프트-오프

Description

라인 온 글래스형 액정표시소자 및 그 제조방법{Line On Glass Type Liquid Crystal Display Device And Method For Fabricating The Same}
도 1은 종래 기술에 의한 라인 온 글래스형 액정표시소자의 평면도.
도 2는 LOG라인의 저항이 큰 경우에 나타나는 블록 딤을 표시한 액정표시소자의 평면도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 의한 LOG라인의 평면도.
도 4는 도 3의 Ⅰ-Ⅰ'선상에서의 절단면도.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 의한 LOG라인의 평면도.
도 6은 도 5의 Ⅱ-Ⅱ'선상에서의 절단면도.
도 7a 내지 도 7e는 본 발명의 제 2 실시예에 의한 라인 온 글래스형 액정표시소자의 공정단면도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호설명
11 : 기판 12 : 게이트 전극
13 : 게이트 절연막 14 : 반도체층
15a,15b : 소스/드레인 전극 16 : 보호막
17 : 화소전극 75 : ITO막
82 : LOG라인 82a : 제 1 오픈영역
94 : 제 2 오픈영역 95 : 씨일제
본 발명은 액정표시소자(LCD ; Liquid Crystal Display Device)에 관한 것으로, 특히 LOG라인의 저항을 최소화하여 화질을 향상시키고자 하는 라인 온 글래스형 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
액정표시소자는 콘트라스트(contrast) 비가 크고, 계조 표시나 동화상 표시에 적합하며 전력소비가 적다는 특징 때문에 평판 디스플레이 중에서도 그 비중이 증대되고 있다.
이러한 액정표시소자는 색상 구현을 위한 컬러필터층이 구비된 컬러필터 어레이 기판과, 상기 컬러필터 어레이 기판에 대향합착된 TFT 어레이 기판과, 상기 두 기판 사이에 봉입된 액정층과, 상기 TFT 어레이 기판을 구동하기 위한 구동회로부로 구성되어 각종 외부신호에 의해 화상을 표시한다.
여기서, 상기 TFT 어레이 기판에는 서로 수직 교차하여 정의된 각 화소에 각종 신호를 전달하는 게이트 배선 및 데이터 배선과, 신호를 화소전극에 선택적으로 인가하기 위한 박막트랜지스터(TFT: Thin Film Transistor)와, 단위 화소영역이 다음에 어드레싱(addressing)될 때까지 충전 상태를 유지하게 하는 스토리지 커패시터(storage capacitor)가 형성되어 있다.
그리고, 상기 구동회로부에는 상기 게이트 배선들을 구동하기 위한 게이트 드라이브와, 상기 데이터 배선들을 구동하기 위한 데이터 드라이브와, 상기 게이트 드라이브 및 데이터 드라이브를 제어하기 위한 타이밍 제어부와, 액정표시소자에서 사용되는 여러 가지의 구동전압들을 공급하는 전원공급부가 구비되어 있다.
상기 타이밍 제어부는 게이트 드라이브 및 데이터 드라이브의 구동 타이밍을 제어함과 아울러 데이터 드라이브에 화소데이터 신호를 공급하는 역할을 하고, 상기 전원공급부는 입력 전원을 이용하여 액정표시소자에서 필요로 하는 공통전압(Vcom), 게이트 하이전압(Vgh), 게이트 로우전압(Vgl) 등과 같은 구동전압들을 생성하는 역할을 한다.
상기 게이트 드라이브는 스캐닝 신호를 게이트 배선들에 순차적으로 공급하여 각 화소를 1라인분씩 순차적으로 구동하고, 상기 데이터 드라이브는 게이트 배선들 중 어느 하나에 스캐닝 신호가 공급될 때마다 데이터 배선들 각각에 화소전압 신호를 공급한다.
이에 따라, 액정표시소자는 액정셀별로 화소전압신호에 따라 화소전극과 공통전극 사이에 인가되는 전계에 의해 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시한다.
이 때, 상기 데이터 드라이브와 게이트 드라이브는 다수개의 IC(Integrated Circuit)들로 집적화된다.
상기와 같이, 집적화된 데이터 드라이브 IC와 게이트 드라이브 IC 각각은 액정표시소자에 실장(packaging)시키는 방법에 따라 TCP(Tape Carrier Package) 상에 실장하여 액정패널에 접속되는 TAB(Tape Automated Bonding) 방식과 TFT 어레이 기판 상에 드라이브 IC를 직접 실장하는 COG(Chip On Glass) 방식이 있다.
구체적으로, TCP를 통해 TAB방식으로 액정패널에 접속되는 드라이브 IC들은 TCP에 접속되어진 인쇄회로기판(PCB : Printed Circuit Board)에 실장되어진 신호라인들을 통해 외부로부터 입력되는 제어신호들 및 직류전압들을 공급받는다.
그리고, COG방식으로 액정패널에 실장되는 드라이브 IC들은 신호라인들이 하부 글래스 기판에 실장되는 라인 온 글래스 방식으로 상호접속됨과 동시에 타이밍 제어부 및 전원공급부로부터의 제어신호들 및 구동전압들을 공급받게 된다.
최근에는 드라이브 IC들이 TAB방식으로 액정패널에 접속되는 경우에도 LOG(Line On Glass)방식을 채택하여 PCB를 제거함으로써 액정표시장치를 더욱 박형화하고 있다. 특히, 상대적으로 적은 신호라인들을 필요로 하는 게이트 드라이브 IC들에 접속되는 신호라인들을 LOG방식으로 글래스 기판 상에 형성함으로서 게이트 PCB를 제거하고 있다. 즉, TAB방식의 게이트 드라이브 IC들은 액정패널의 하부 글래스 기판 상에 실장되는 신호라인들을 통해 직렬로 접속됨과 동시에 제어신호들 및 구동전압신호들을 공통적으로 공급받게 된다.
이하에서는, 상기 LOG 방식에 의한 액정표시소자의 TFT 어레이 기판 구조를 구체적으로 살펴보기로 한다.
도 1은 종래 기술에 의한 라인 온 글래스형 액정표시소자의 평면도이다.
박막트랜지스터가 형성되는 TFT 어레이 기판(150)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 화상표시영역(152)과 비표시영역(154)으로 구분되는데, 상기 화상표시영역(152)에는 영상신호를 전달하는 데이터 배선(162)과, 상기 데이터 배선(162)에 수직 교차되어 각 화소를 정의하고 스캐닝 신호를 전달하는 게이트 배선(161)과, 상 기 게이트 배선(161) 및 데이터 배선(162)의 교차 지점에 형성되어 게이트 전극, 게이트 절연막, 반도체층, 소스/드레인 전극으로 적층되는 박막트랜지스터(TFT)와, 보호막을 그 사이에 두고 상기 박막트랜지스터와 연결되는 화소전극(110)이 구비된다.
그리고, 상기 비표시영역(154)에는 게이트 배선(161) 및 데이터 배선(162)에서 각각 연장형성된 게이트 패드 및 데이터 패드(163, 164)가 형성되어 있으며, 상기 게이트 패드 및 데이터 패드(163, 164)의 한쪽 끝은 TFT 어레이 기판(150)에 부착된 게이트 드라이브 IC(170) 및 데이터 드라이브 IC(180)에 각각 연결된다. 즉, 상기 게이트 패드(163)는 상기 게이트 드라이브 IC(170)에 연결되고, 상기 데이터 패드(164)는 상기 데이터 드라이브 IC(180)에 연결된다.
이 때, 각 게이트 드라이브 IC(170)는 기판 상에 실장되어진 LOG라인(182)에 의해 서로 연결되고, 각 데이터 드라이브 IC(180)도 LOG라인(182)에 의해 서로 연결되며, 상기 LOG라인(182)은 각종 신호를 공급하는 PCB(190)에 접속된다.
즉, 상기 LOG라인(182)을 통해 PCB(190)의 각종 신호가 모든 게이트 드라이브 IC(170) 및 데이터 드라이브 IC(180)에 전달된다.
참고로, 상기 LOG라인(182)은 통상, 화상표시영역의 게이트 배선(161)과 동시에 형성되며, 그 경우 상기 LOG 라인(182) 상부에는 게이트 절연막 및 보호막 등의 절연막이 형성된다.
그러나, LOG라인을 통해 게이트 드라이브 IC에 각종 게이트 전원신호 및 게 이트 제어신호를 전송하는 라인 온 글래스 방식 액정표시소자의 경우 LOG라인의 저항이 커지는 경우 각종 신호가 원활하게 흐르지 못하여, 도 2에 도시된 바와 같이, 화상에 블록 딤(A)이 표시되는 화질저하가 발생하게 된다. 상기 블록 딤은 링크된 패드와 패드 사이에 형성된다.
본 발명은 게이트 드라이브 및 데이터 드라이브를 PCB에 연결시키는 LOG라인의 저항을 최소화하여 화상품질을 향상시키고자 하는 라인 온 글래스형 액정표시소자 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 라인 온 글래스형 액정표시소자는 게이트 배선 및 데이터 배선에 의해 정의하는 화소영역에 박막트랜지스터 및 화소전극이 구비되는 액티브영역과, 상기 액티브영역의 외곽에 라인 온 글래스 방식으로 형성되어 구동에 필요한 외부 드라이브 집적회로들의 신호들을 상기 액티브영역에 공급하고, 상기 신호들의 흐름과 동일한 방향을 그 길이 방향으로 하는 제 1 오픈영역을 구비한 LOG 라인과, 상기 LOG라인 상부에 형성되고 상기 제 1 오픈영역보다 크기가 작은 제 2 오픈영역을 가지는 게이트 절연막 및 보호막과, 상기 제 2 오픈영역 내부에 형성되는 ITO막으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 라인 온 글래스형 액정표시소자의 제조방법은 제 1 기판 상에 게이트 배선, 게이트 전극 및 게이트 패드를 형성하는 단계와, 상기 게이트 패드 사이에 형성되고, 신호 흐름과 동일한 방향을 그 길이 방향으로 제 1 오픈영역을 구비한 LOG라인을 형성하는 단계와, 상기 게이트 배선을 포함한 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극 상부의 게이트 절연막에 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 게이트 배선에 교차하여 화소를 정의하는 데이터 배선을 형성하고 동시에, 소스/드레인 전극 및 데이터 패드를 형성하는 단계와, 상기 데이터 배선을 포함한 전면에 보호막을 형성하는 단계와, 상기 보호막 상부에 드라이 필름 레지스트를 도포하고 패터닝하는 단계와, 상기 드라이 필름 레지스트 사이로 노출된 게이트 절연막 및 보호막을 제거하여 화소의 개구부를 오픈하고 상기 제1 오픈영역 내부에 제 2 오픈영역을 형성하는 단계와, 상기 드라이 필름 레지스트를 포함한 전면에 투명도전막을 증착한후, 상기 드라이 필름 레지스트를 리프트-오프시켜 화소 개구부에 화소전극을 형성하고, 상기 제 2 오픈영역 내부에 투명도전막을 남기는 단계와, 상기 제 1 기판 가장자리에 씨일제를 형성한 후 액정층을 사이에 두고 제 2 기판과 대향합착시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
즉, 본 발명의 제 2 실시예에서는 전식방지 목적을 위해 형성하는 LOG라인의 제 1 오픈영역을 가로 방향 즉, 전류의 흐름과 동일한 방향으로 형성하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명에 의한 라인 온 글래스형 액정표시소자 및 그 제조방법에 대해 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 의한 LOG라인의 평면도이고, 도 4는 도 3의 Ⅰ-Ⅰ'선상에서의 절단면도이다.
그리고, 도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 의한 LOG라인의 평면도이고, 도 6 은 도 5의 Ⅱ-Ⅱ'선상에서의 절단면도이며, 도 7a 내지 도 7e는 본 발명의 제 2 실시예에 의한 라인 온 글래스형 액정표시소자의 공정단면도이다.
본 발명에 의한 액정표시소자는 기판(11) 상에 LOG라인이 구비되는 것으로서, 제 1 실시예에 의한 LOG라인(82)은, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 신호를 원활하게 인가할 수 있는 최소한의 크기로 형성되어 끝단에 드라이브 IC에 연결되고 수직방향의 제 1 오픈영역(82a)을 가지는데, 상기 LOG라인(82) 상부에는 제 2 오픈영역(94)을 가지는 게이트 절연막(13) 및 보호막(16)이 적층되어 있으며, 제 2 오픈영역(94) 내부에는 ITO막(75)이 형성되어 있다.
이 때, 상기 LOG라인(82)이 상기 제 2 오픈영역(94) 외부로 노출되지 않도록 하기 위해서, 상기 LOG라인을 선택적으로 패터닝하여 제 1 오픈영역(82a)을 형성한 것이다. 상기 LOG라인(82)이 제 2 오픈영역(94) 외부로 노출되어 상기 ITO막(75)과 콘택되면 대기중의 고온 및 고습에 의해 전식되기 때문이다.
여기서, 상기 LOG라인(82)은 액티브 영역의 게이트 전극(12)과 동시에 형성되고, 상기 ITO막(75)은 액티브 영역의 화소전극(17)을 패터닝할 때 동시에 형성된다.
참고로, 상기 게이트 절연막(13) 및 보호막(16)을 선택적으로 제거하여 제 2 오픈영역을 형성하는 이유는, 마스크 공정 횟수를 줄이기 위해 리프트-오프 공정을 적용하는 경우에 있어서, 드라이 필름 레지스트(dry film resist,DFR)용 스트리퍼가 침투할 수 있는 경로를 제공하기 위함이다.
구체적으로, 리프트-오프 공정을 적용하는 경우 3번의 마스크 공정으로 액정 표시소자의 TFT 어레이 기판을 형성할 수 있는데, 첫번째 마스크 공정에 의해 게이트 배선(도시하지 않음), 게이트 전극(12), 게이트 패드(도시하지 않음) 및 LOG라인(82)을 형성하고, 두번째 마스크 공정에 의해 데이터 배선(도시하지 않음), 반도체층(14), 소스/드레인 전극(15a,15b) 및 데이터 패드(도시하지 않음)을 형성하며, 세번째 마스크 공정에 의해 게이트 절연막(13) 및 보호막(16)을 선택적으로 오픈하여 제 1 오픈영역(82a)을 형성함과 동시에 화소전극(17)을 형성한다. 이 때, 상기 게이트 배선을 형성한 후 전면에 게이트 절연막(13)을 형성하는 공정과 상기 데이터 배선을 형성한 후 전면에 보호막(16)을 형성하는 공정을 수행한다.
그리고, 상기 LOG라인(82)을 형성하는 경우, 수직 방향으로 제 1 오픈영역(82a)을 형성하여 상기 제 2 오픈영역(94) 외부로 LOG 라인이 노출되지 않도록 한다.
한편, 상기 세번째 마스크 공정에서는 드라이 필름 레지스트를 사용하는 리프트-오프 공정을 적용하는데, 구체적으로, 게이트 절연막(13) 및 보호막(16) 상에 드라이 필름 레지스트(도시하지 않음)를 라미네이팅하고 마스크 공정을 통해 노광 및 현상한 후, 현상된 드라이 필름 레지스트 사이로 노출된 게이트 절연막(13) 및 보호막(16)을 식각하여 제 2 오픈영역(94)을 형성한다. 이 때, 상기 제 2 오픈영역(94)을 제 1 오픈영역(82a)보다 작게 형성하여야 LOG라인이 노출되지 않게 된다.
그리고, 드라이 필름 레지스트 상에 전극용 물질인 ITO(Indium Tin Oxide)를 전면에 증착한 후 상기 드라이 필름 레지스트(DFR)를 스트립하는 방식으로 이루어진다. 이 때, 상기 제 2 오픈영역(94)을 통해 드라이 필름 레지스트와 보호막(16) 의 접촉 계면에 스트리퍼가 침투하게 되어 드라이 필름 레지스트가 리프트-오픈된다.
이와같은 리프트-오프 공정을 통해서 화소전극(17)이 형성된다. 이 때, 제 2 오픈영역(94)에는 ITO막(75)이 제거되지 않고 잔존하게 되는데, 리프트-오프 공정으로 인한 더미패턴이라 할 수 있다.
한편, 상,하부 기판을 대향합착시키기 위해 접착제 역할을 하는 씨일제(95)는 기판 가장자리에 형성되는데, 상기 LOG라인(82)의 상부에 오버랩된다.
그러나, 상기와 같이, LOG라인의 제 1 오픈영역(82a)을 수직방향으로 형성하는 경우, 전류의 방향과 수직을 이루어 전류의 흐름이 방해되는 것에 의해 저항이 증가하게 된다. 따라서, 링크된 패드와 패드 사이에 블록 딤(A)이 발생하게 된다.(도 2참고)
따라서, 본 발명의 제 2 실시예에서는 전식방지 목적을 위해 형성하는 LOG라인의 제 1 오픈영역을 수평방향 즉, 전류의 흐름과 동일한 방향으로 형성하여 저항을 감소시키는 것을 특징으로 한다.
즉, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 액티브 영역과 패드부 영역으로 구분되는 액정표시소자에 있어서, 상기 액티브 영역에는 수직교차하는 게이트 배선(도시하지 않음) 및 데이터 배선(도시하지 않음)과, 상기 두 배선의 교차 지점에 형성되어 게이트 전극(212), 게이트 절연막(213), 반도체층(214) 및 소스/드레인 전극(215a,215b)으로 적층되는 박막트랜지스터(TFT)와, 상기 박막트랜지스터 상부에 형성된 보호막(216)을 관통하여 상기 드레인 전극(515b)에 접속하는 화소전극(217) 이 형성되어 있다. 그리고, 상기 패드부 영역에는 기판(211) 상에서 드라이브 IC 사이에 배치되어 수평방향의 제 1 오픈영역(282a)을 가지는 LOG 라인(282)과, 상기 LOG라인(282) 상부에 형성되고 상기 제 1 오픈영역(282a)보다 크기가 작은 제 2 오픈영역(294)을 가지는 게이트 절연막(213) 및 보호막(216)과, 상기 제 2 오픈영역(294) 내부에 형성되는 투명도전막(275)이 형성되어 있다.
이 때, 도시하지는 않았으나, 패드부 영역에는 상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 끝단에 연장형성되는 게이트 패드 및 데이터 패드가 더 구비되어 복수개씩 링크되는데, 그룹별로 링크되어진 복수개의 게이트 패드 또는 데이터 패드 사이를 LOG라인으로 연결하여 신호를 일괄적으로 인가한다.(도 1참고)
따라서, LOG라인 길이 방향으로 전류가 흐르게 되고, LOG라인 전식방지 목적을 위해 형성된 제 1 오픈영역(282a)도 수평방향 즉, 전류 흐름과 동일한 방향으로 형성되므로 LOG라인(282)의 저항이 저하된다. 따라서, LOG라인의 저항 증가로 인해 형성되는 블록 딤을 방지할 수 있다.
그리고, 상기 제 2 오픈영역(294)보다 상기 LOG라인(282)의 제 1 오픈영역(282a)의 크기가 크고, 제 2 오픈영역(294)이 상기 제 1 오픈영역(282a) 내부에 형성되므로 제 2 오픈영역(294) 외부로 LOG라인이 노출되어 전식될 염려가 없다. 이 경우, 상기 제 2 오픈영역(294)을 형성하는 이유는, 마스크 공정 횟수를 줄이기 위해 리프트-오프 공정을 적용하는 경우에 있어서, 드라이 필름 레지스트용 스트리퍼가 침투할 수 있는 경로를 제공하기 위함이다.
한편, 상기 LOG라인(282)은 액티브 영역의 게이트 전극(212)과 동시에 형성 되고, 상기 ITO막(275)은 액티브 영역의 화소전극(217)을 패터닝할 때 동시에 형성되며, 상기 LOG라인(282)을 포함한 기판 가장자리에 씨일제(295)가 형성된다.
이하에서, 제조방법을 통해 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 도 7a에 도시된 바와 같이, 기판(211) 상에 낮은 비저항을 가지는 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd : Aluminum Neodymium), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴-텅스텐(MoW) 등의 금속을 증착한 후 패터닝하여 복수개의 게이트 배선(도시하지 않음), 게이트 전극(212), 게이트 패드(도시하지 않음) 및 LOG라인(282)을 형성한다.
상기 LOG라인(282)을 형성할 때, 내부를 선택적으로 제거하여 전류의 흐름과 동일한 방향을 길이로 하는 제 1 오픈영역(282a)을 형성한다. 따라서, 제 1 오픈영역(282a)에 의한 저항 증가를 저하시킬 수 있다.
상기 복수개의 게이트 패드를 연결하는 LOG라인(282)은 게이트 로우전압신호(VGL), 게이트 하이전압신호(VGH), 공통전압(VCOM), 전원신호(VCC), 그라운드 전압신호(GND)와 같은 전원공급부로부터 공급되는 게이트 전원신호들과 게이트 이네이블 신호(GOE), 게이트 쉬프트 클럭신호(GSC), 게이트 스타트 펄스(GSP)와 같이 타이밍 제어부로부터 공급되는 게이트 제어신호들을 공급하는 복수개의 신호라인으로 구성된다.
이 때, 복수개의 데이터 패드를 연결하는 LOG라인도 동시에 형성할 수 있다. 다만, 데이터 패드를 연결하는 LOG라인 데이터 배선과 동시에 형성하여야 공정을 간소화할 수 있을 것이다.
다음, 도 7b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트 전극(212) 및 LOG라인(282)을 포함한 전면에 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등의 무기 절연물질을 PECVD 방법으로 증착하여 게이트 절연막(213)을 형성하고, 게이트 절연막을 포함한 전면에 비정질 실리콘(a-Si:H)을 고온에서 증착한 후 패터닝하여 게이트 전극(212) 상부의 게이트 절연막(213) 상에 반도체층(214)을 형성한다.
그리고, 도 7c에 도시된 바와 같이, 상기 반도체층(214)을 포함한 전면에 구리(Cu), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd : Aluminum Neodymium), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴-텅스텐(MoW) 등의 금속을 증착한 후 패터닝하여 복수개의 데이터 배선(도시하지 않음), 소스/드레인 전극(215a,215b), 데이터 패드(도시하지 않음)를 형성한다.
이 때, 상기 데이터 배선은 상기 게이트 배선에 교차하여 단위화소를 정의하고, 상기 소스/드레인 전극(215a,215b)은 상기 반도체층(214) 양 끝단에 각각 형성한다. 한편, 상기 반도체층(214) 및 데이터 배선층을, 전술한 바와 같이, 별도의 공정으로 형성하지 아니하고, 회절노광 공정을 적용하여 일괄적으로 형성함으로써 공정을 간소화할 수 있다.
다음, 도 7c에 도시된 바와 같이, 상기 소스/드레인 전극(215a,215b)을 포함한 전면에 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등의 무기절연물질을 증착하거나 또는 BCB(Benzocyclobutene), 아크릴계 물질과 같은 유기절연물질을 도포하여 보호막(216)을 형성하고, 그 위에 드라이 필름 레지스트(296)를 도포한다.
그리고, 상기 드라이 필름 레지스트(296)를 노광 및 현상공정으로 패터닝한다.
계속해서, 도 7d에 도시된 바와 같이, 패터닝된 드라이 필름 레지스트(296) 사이로 노출된 게이트 절연막(213) 및 보호막(216)을 일괄적으로 식각하여 드레인 전극(215b)의 소정 부위가 노출되도록 단위 화소의 개구부를 오픈하고, 상기 LOG라인(282)이 노출되지 않도록 제 2 오픈영역(294)을 형성한다.
다음, 도 7d에 도시된 바와 같이, 상기 드라이 필름 레지스트(296)를 포함한 전면에 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투명도전물질을 증착하고 드라이 필름 레지스트용 스트리퍼를 사용하여 상기 드라이 필름 레지스트(296)를 드라이-오프시킨다.
이 때, 상기 드라이 필름 레지스트(296) 상면에 증착되어 있던 투명도전막이 동시에 제거됨으로써 투명도전막이 패터닝되어, 도 7e에 도시된 바와 같이, 드레인 전극(215b)에 접속하는 화소전극(217)이 형성된다, 동시에, 제 2 오픈영역(294) 내부에도 투명도전막(275)이 남게 된다.
마지막으로, 상기 기판(211)의 가장자리에 씨일제(295)을 형성한 후, 블랙 매트릭스, 컬러필터층 및 공통전극이 형성된 대향기판을 대향합착시키고 두 기판 사이에 액정층을 형성함으로써 액정표시소자를 완성한다. 이 때, 상기 씨일제(295)은 LOG라인(282)의 소정 부위에 오버랩된다.
한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
상기와 같은 본 발명의 라인 온 글래스형 액정표시소자 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
LOG라인 길이 방향으로 전류가 흐르게 되고, LOG라인 전식방지 목적을 위해 형성된 제 1 오픈영역도 수평방향 즉, 전류 흐름과 동일한 방향으로 형성함으로써, LOG라인의 저항을 저하시킨다.
따라서, LOG라인의 저항 증가로 인해 형성되는 블록 딤을 방지하여 화상품질을 향상시킨다.

Claims (10)

  1. 게이트 배선 및 데이터 배선에 의해 정의하는 화소영역에 박막트랜지스터 및 화소전극이 구비되는 액티브영역;
    상기 액티브영역의 외곽에 라인 온 글래스 방식으로 형성되어 구동에 필요한 외부 드라이브 집적회로들의 신호들을 상기 액티브영역에 공급하고, 상기 신호들의 흐름과 동일한 방향을 그 길이 방향으로 하는 제 1 오픈영역을 구비한 LOG 라인;
    상기 LOG라인 상부에 형성되고 상기 제 1 오픈영역보다 크기가 작은 제 2 오픈영역을 가지는 게이트 절연막 및 보호막;
    상기 화소전극과 동일층에 형성되고 상기 제 2 오픈영역 내부에 형성되는 ITO막으로 구성되는 것을 특징으로 하는 라인 온 글래스형 액정표시소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 게이트 배선 끝단에 연결되는 게이트 드라이브 IC가 상기 LOG라인에 의해 상기 외부 드라이브 집적회로들과 연결되는 것을 특징으로 하는 라인 온 글래스형 액정표시소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 LOG라인은 상기 게이트 배선과 동일층에 구비되는 것을 특징으로 하는 라인 온 글래스형 액정표시소자.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 오픈영역을 통해 상기 LOG라인이 외부에 노출되지 않는 것을 특징으로 하는 라인 온 글래스형 액정표시소자.
  6. 제 1 기판 상에 게이트 배선, 게이트 전극 및 게이트 패드를 형성하는 단계;
    상기 게이트 패드 사이에 형성되고, 신호 흐름과 동일한 방향을 그 길이 방향으로 제 1 오픈영역을 구비한 LOG라인을 형성하는 단계;
    상기 게이트 배선을 포함한 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;
    상기 게이트 전극 상부의 게이트 절연막에 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 게이트 배선에 교차하여 화소를 정의하는 데이터 배선을 형성하고 동시에, 소스/드레인 전극 및 데이터 패드를 형성하는 단계;
    상기 데이터 배선을 포함한 전면에 보호막을 형성하는 단계;
    상기 보호막 상부에 드라이 필름 레지스트를 도포하고 패터닝하는 단계;
    상기 드라이 필름 레지스트 사이로 노출된 게이트 절연막 및 보호막을 제거하여 화소의 개구부를 오픈하고 상기 제1 오픈영역 내부에 제 2 오픈영역을 형성하 는 단계;
    상기 드라이 필름 레지스트를 포함한 전면에 투명도전막을 증착한후, 상기 드라이 필름 레지스트를 리프트-오프시켜 화소 개구부에 화소전극을 형성하고, 상기 제 2 오픈영역 내부에 투명도전막을 남기는 단계;
    상기 제 1 기판 가장자리에 씨일제를 형성한 후 액정층을 사이에 두고 제 2 기판과 대향합착시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 라인 온 글래스형 액정표시소자의 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 화소 내부의 게이트 절연막 및 보호막을 제거하는 단계에서,
    상기 드레인 전극을 노출시키는 것을 특징으로 하는 라인 온 글래스형 액정표시소자의 제조방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 투명도전막은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 라인 온 글래스형 액정표시소자의 제조방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 드라이 필름 레지스트 상에 형성된 투명도전막은 제 2 오픈영역을 통해 상기 드라이 필름 레지스트용 스트리퍼를 침투시켜 리프트-오프시키는 것을 특징으 로 하는 라인 온 글래스형 액정표시소자의 제조방법.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 데이터 패드 사이에 신호의 흐름과 동일한 방향을 그 길이 방향으로 하는 제 1 오픈영역을 구비하는 LOG라인을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 라인 온 글래스형 액정표시소자의 제조방법.
KR1020040065724A 2004-08-20 2004-08-20 라인 온 글래스형 액정표시소자 및 그 제조방법 KR101048705B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040065724A KR101048705B1 (ko) 2004-08-20 2004-08-20 라인 온 글래스형 액정표시소자 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040065724A KR101048705B1 (ko) 2004-08-20 2004-08-20 라인 온 글래스형 액정표시소자 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060017161A KR20060017161A (ko) 2006-02-23
KR101048705B1 true KR101048705B1 (ko) 2011-07-14

Family

ID=37125279

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040065724A KR101048705B1 (ko) 2004-08-20 2004-08-20 라인 온 글래스형 액정표시소자 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101048705B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150072743A (ko) * 2013-12-20 2015-06-30 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 제조방법

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101296664B1 (ko) * 2009-12-30 2013-08-14 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030016534A (ko) * 2001-08-21 2003-03-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030016534A (ko) * 2001-08-21 2003-03-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150072743A (ko) * 2013-12-20 2015-06-30 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 제조방법
KR102230752B1 (ko) 2013-12-20 2021-03-19 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060017161A (ko) 2006-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7714974B2 (en) Liquid crystal display device and method of fabricating the same
US6731369B2 (en) Liquid crystal display device having improved adhesion of a seal pattern
US7636145B2 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
US11923397B2 (en) Micro light emitting diode display substrate and manufacturing method thereof
KR20080060442A (ko) 액정표시장치와 그 제조방법
KR101016284B1 (ko) Ｃｏｇ 방식 액정표시소자 및 그 제조방법
KR20070075583A (ko) 액정 표시 장치
US20150123112A1 (en) Thin film transistor substrate, display apparatus having the same, and manufacturing method thereof
KR20150055436A (ko) 표시 장치 및 그것의 제조 방법
KR20080028042A (ko) 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR20040086926A (ko) 수평 전계 인가형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100487358B1 (ko) 라인 온 글래스형 액정표시패널 및 그 제조방법
KR101009675B1 (ko) 라인 온 글래스형 액정표시소자
KR100831300B1 (ko) 라인 온 글래스형 액정표시패널 및 그 제조방법
KR101048705B1 (ko) 라인 온 글래스형 액정표시소자 및 그 제조방법
KR20050003282A (ko) 칩온글라스 실장 액정표시장치에서의 패드 구조
KR100843955B1 (ko) 라인 온 글래스형 액정패널 및 그 제조방법
KR100914782B1 (ko) 박막트랜지스터 기판과 이를 이용한 액정표시장치
KR100843478B1 (ko) 라인 온 글래스형 액정패널 및 그 제조방법
KR101212156B1 (ko) 라인 온 글래스형 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101147260B1 (ko) 액정표시장치와 그 제조방법
KR20060001702A (ko) 부식방지를 위한 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100724744B1 (ko) 액정 표시소자 및 그의 제조방법
KR101003651B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20050094282A (ko) 라인-온-글래스 형 액정표시소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140630

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150629

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160630

Year of fee payment: 6