CN105304795A - 一种led用陶瓷散热基板 - Google Patents
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Abstract
本发明属于陶瓷基板技术领域，具体涉及一种LED用陶瓷散热基板。该陶瓷散热基板配料按质量份包括：氧化铝粉40～55份、氮化铝20～40份、三聚氰胺3～8份、羟甲基纤维素3～6份、去离子水6～10份和复合烧结助剂5～10份，其中所述的复合烧结助剂，按质量份包括：硅粉40～60份、铝粉5～10份、高岭土粉20～30份、氟化钙10～30份。本发明的陶瓷基板导热系数大，耐热性能优，抗弯强度高，不存在弯曲、翘曲等现象。本发明通过采用合适的烧结方法和选取合适的烧结助剂，实现陶瓷烧结体的致密化，大大提高了陶瓷基板的热导率。
Description
技术领域
本发明属于LED用基板技术领域，具体涉及一种LED用陶瓷散热基板。
背景技术
LED灯主要包括LED芯片和灯杯，通常LED芯片是用LED发光晶片以打金线、共晶或覆晶的方式连接在散热基板上形成的，再将LED芯片固定在系统的电路板上，散热基板扮演着散热、导电、绝缘三重角色，现有的散热基板主要是金属基板，但是这类金属基板连接LED发光晶片的技术存在着散热性差、绝缘性差的弊端。
随着LED照明的需求日趋迫切，大功率LED的散热问题益发受到重视(过高的温度会导致LED发光效率衰减)；LED使用所产生的废热若无法有效散出，则会对LED的寿命造成致命性的影响。现阶段较普遍的陶瓷散热基板有4种：直接覆铜陶瓷板(DBC)、直接镀铜基板(DPC)、高温共烧多层陶瓷基板(HTCC)和低温共烧多层陶瓷基板(LTCC)。而如何设计一种性能优越尤其是散热性能好的LED陶瓷基板是研究的热点。
发明内容
本发明针对背景技术中的存在的问题而提供一种散热性能好的LED用陶瓷散热基板。
为了实现本发明目的而采用的技术方案为：一种LED用陶瓷散热基板，该陶瓷散热基板配料按质量份包括：氧化铝粉40～55份、氮化铝20～40份、三聚氰胺3～8份、羟甲基纤维素3～6份、去离子水6～10份和复合烧结助剂5～10份，其中所述的复合烧结助剂，按质量份，包括：硅粉40～60份、铝粉5～10份、高岭土粉20～30份、氟化钙10～30份。
优选地，所述的氧化铝粉为平均粒度1～4μm微观晶型呈片状或短柱状高温煅烧α-氧化铝粉。
本发明所述的复合烧结助剂由下述步骤制得：按质量份，将硅粉40～60份、铝粉5～10份、高岭土粉20～30份、氟化钙10～30份分散于无水乙醇中，浸泡20min，所述硅粉与无水乙醇的质量体积比为1g：5mL；然后在通风橱中边搅拌、边用热风吹，直至无水乙醇完全烘干而得到混合粉体，即制得复合烧结助剂。
更优选地，本发明的LED用陶瓷散热基板由如下步骤制得：
1)复合烧结助剂的制备
按质量份，将硅粉40～60份、铝粉5～10份、高岭土粉20～30份、氟化钙10～30份分散于无水乙醇中，浸泡20分钟，所述硅粉与无水乙醇的质量体积比为1g：5mL；然后在通风橱中边搅拌、边用热风吹，直至无水乙醇完全烘干而得到混合粉体，即制得复合烧结助剂；
2)陶瓷浆料的制备
按质量份，依次加入40～55份的氧化铝粉、氮化铝20～40份、三聚氰胺3～8份、羟甲基纤维素3～6份、去离子水6～10份和步骤1)制得的复合烧结助剂5～10份进行湿法球磨，球磨2～4小时，制成可凝胶陶瓷浆料，对该陶瓷浆料进行真空搅拌除泡；
3)陶瓷成型
将步骤2)制得的陶瓷浆料由模具底部压入模具中，自然放置完成凝胶过程；取出陶瓷坯片进行干燥处理，放入热压模具中置于热压炉中进行烧结压制，再降温冷却得到陶瓷基板。
其中，步骤3)中陶瓷坯片采用至少2层层叠后进行高温烧结，烧结温度为1300～1600℃，烧结时间2～5小时，步骤3)中对陶瓷坯片进行干燥处理，干燥温度为60～90℃，干燥时间2～6小时。
本发明的有益效果如下：
(1)本发明的陶瓷基板导热系数大，耐热性能优，抗弯强度高，不存在弯曲、翘曲等现象。
(2)本发明通过采用合适的烧结方法和选取合适的烧结助剂，实现氧化铝、氮化铝陶瓷烧结体的致密化，大大提高了陶瓷基板的热导率。
(3)本发明的烧结助剂可形成低熔点的物相，实现液相烧结，降低烧成温度，促进坯体的致密化。
(4)本发明配方中的三聚氰胺在高温下可以生产氮化铝和氮化碳，增加了陶瓷基板表面的硬度和光泽度。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的描述。
实施例1
1)复合烧结助剂的制备
将硅粉40千克、铝粉8千克、高岭土粉22千克、氟化钙30千克分散于200千克无水乙醇中，浸泡20分钟；然后在通风橱中边搅拌、边用热风吹，直至无水乙醇完全烘干而得到混合粉体，即制得复合烧结助剂；
2)陶瓷浆料的制备
依次加入平均粒度3.5μm片状微观晶型高温煅烧α-氧化铝粉40千克、氮化铝25千克、三聚氰胺4千克、羟甲基纤维素6千克、去离子水10千克和步骤(1)制得的复合烧结助剂10千克进行湿法球磨，球磨2小时，制成可凝胶陶瓷浆料，对该陶瓷浆料进行真空搅拌除泡；
3)陶瓷成型
将步骤(2)制得的陶瓷浆料由模具底部压入模具中，自然放置完成凝胶过程；取出陶瓷坯片在温度60℃条件下干燥12小时，然后将陶瓷坯体单片铺撒氧化铝粉叠2层放置承烧板上，放入热压模具中置于热压炉中在1600℃下烧结6小时，最后降温冷却得到陶瓷基板。
实施例2
1)复合烧结助剂的制备
将硅粉60千克、铝粉10千克、高岭土粉20千克、氟化钙10千克分散于300千克无水乙醇中，浸泡20分钟；然后在通风橱中边搅拌、边用热风吹，直至无水乙醇完全烘干而得到混合粉体，即制得复合烧结助剂；
2)陶瓷浆料的制备
依次加入平均粒度1.0μm短柱状微观晶型高温煅烧α-氧化铝粉55千克、氮化铝20千克、三聚氰胺8千克、羟甲基纤维素3千克、去离子水6千克和步骤(1)制得的复合烧结助剂8千克进行湿法球磨，球磨3小时，制成可凝胶陶瓷浆料，对该陶瓷浆料进行真空搅拌除泡；
3)陶瓷成型
将步骤(2)制得的陶瓷浆料由模具底部压入模具中，自然放置完成凝胶过程；取出陶瓷坯片在温度80℃条件下干燥6小时，然后将陶瓷坯体单片铺撒氧化铝粉叠3层放置承烧板上，放入热压模具中置于热压炉中在1300℃下烧结3小时，最后降温冷却得到陶瓷基板。
实施例3
1)复合烧结助剂的制备
将硅粉50千克、铝粉5千克、高岭土粉30千克、氟化钙15千克分散于250千克无水乙醇中，浸泡20分钟；然后在通风橱中边搅拌、边用热风吹，直至无水乙醇完全烘干而得到混合粉体，即制得复合烧结助剂；
2)陶瓷浆料的制备
依次加入平均粒度4.0μm片状微观晶型高温煅烧α-氧化铝粉45千克、氮化铝40千克、三聚氰胺3千克、羟甲基纤维素4千克、去离子水8千克和步骤(1)制得的复合烧结助剂5千克进行湿法球磨，球磨4小时，制成可凝胶陶瓷浆料，对该陶瓷浆料进行真空搅拌除泡；
3)陶瓷成型
将步骤(2)制得的陶瓷浆料由模具底部压入模具中，自然放置完成凝胶过程；取出陶瓷坯片在温度90℃条件下干燥2小时，然后将陶瓷坯体单片铺撒氧化铝粉叠5层放置承烧板上，放入热压模具中置于热压炉中在1500℃下烧结2小时，最后降温冷却得到陶瓷基板。
对实施例1～3所制得的陶瓷基板进行检测，性能如表1所示。
表1
| 实施例 | 密度 | 弯曲强度 | 表面粗糙度 | 翘曲量 |
| 实施例1 | 3.4g/cm3 | 230MPa | 0.6μm | ＜0.2％ |
| 实施例2 | 3.6g/cm3 | 236MPa | 0.5μm | ＜0.2％ |
| 实施例3 | 3.5/cm3 | 248MPa | 0.5μm | ＜0.2％ |
Claims (6)
1.一种LED用陶瓷散热基板，其特征在于：该陶瓷散热基板配料按质量份包括：氧化铝粉40～55份、氮化铝20～40份、三聚氰胺3～8份、羟甲基纤维素3～6份、去离子水6～10份和复合烧结助剂5～10份，其中所述的复合烧结助剂，按质量份包括：硅粉40～60份、铝粉5～10份、高岭土粉20～30份、氟化钙10～30份。
2.根据权利要求1所述的一种LED用陶瓷散热基板，其特征在于：所述的氧化铝粉为平均粒度1～4μm微观晶型呈片状或短柱状高温煅烧α-氧化铝粉。
3.根据权利要求1所述的一种LED用陶瓷散热基板，其特征在于：所述的复合烧结助剂由下述步骤制得：按质量份，将硅粉40～60份、铝粉5～10份、高岭土粉20～30份、氟化钙10～30份分散于无水乙醇中，浸泡20min，所述硅粉与无水乙醇的质量体积比为1g：5mL；然后在通风橱中边搅拌、边用热风吹，直至无水乙醇完全烘干而得到混合粉体，即制得复合烧结助剂。
4.根据权利要求1所述的一种LED用陶瓷散热基板，其特征在于：该陶瓷基板由如下步骤制得：
1)复合烧结助剂的制备
按质量份，将硅粉40～60份、铝粉5～10份、高岭土粉20～30份、氟化钙10～30份分散于无水乙醇中，浸泡20分钟，所述硅粉与无水乙醇的质量体积比为1g：5mL；然后在通风橱中边搅拌、边用热风吹，直至无水乙醇完全烘干而得到混合粉体，即制得复合烧结助剂；
2)陶瓷浆料的制备
按质量份，依次加入40～55份的氧化铝粉、氮化铝20～40份、三聚氰胺3～8份、羟甲基纤维素3～6份、去离子水6～10份和步骤1)制得的复合烧结助剂5～10份进行湿法球磨，球磨2～4小时，制成可凝胶陶瓷浆料，对该陶瓷浆料进行真空搅拌除泡；
3)陶瓷成型
将步骤2)制得的陶瓷浆料由模具底部压入模具中，自然放置完成凝胶过程；取出陶瓷坯片进行干燥处理，放入热压模具中置于热压炉中进行烧结压制，再降温冷却得到陶瓷基板。
5.根据权利要求4所述的一种LED用陶瓷散热基板，其特征在于：步骤3)中陶瓷坯片采用至少2层层叠后进行高温烧结，烧结温度为1300～1600℃，烧结时间2～5小时。
6.根据权利要求4所述的一种LED用陶瓷散热基板，其特征在于：步骤3)中对陶瓷坯片进行干燥处理，干燥温度为60～90℃，干燥时间2～6小时。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106316406A (zh) * | 2016-08-11 | 2017-01-11 | 安徽波浪岛游乐设备有限公司 | 一种led用抗腐蚀性基板的制备工艺 |
| CN106316405A (zh) * | 2016-08-11 | 2017-01-11 | 安徽波浪岛游乐设备有限公司 | 一种led用散热基板的制备工艺 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1769168A (zh) * | 2005-12-02 | 2006-05-10 | 中国科学院物理研究所 | 利用金属氧化物合成氮化物的方法 |
| JP2006253205A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Showa Denko Kk | Ｌｅｄ用基板および光源 |
| CN103360039A (zh) * | 2013-07-16 | 2013-10-23 | 山东工业陶瓷研究设计院有限公司 | 大尺寸片式绝缘散热陶瓷基板及其制备方法 |
| CN103539088A (zh) * | 2013-11-05 | 2014-01-29 | 河北工业大学 | 一种氮化铝纳米颗粒的合成方法 |
| CN104926314A (zh) * | 2015-06-17 | 2015-09-23 | 长沙鼎成新材料科技有限公司 | 一种led用陶瓷基板 |
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006253205A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Showa Denko Kk | Ｌｅｄ用基板および光源 |
| CN1769168A (zh) * | 2005-12-02 | 2006-05-10 | 中国科学院物理研究所 | 利用金属氧化物合成氮化物的方法 |
| CN103360039A (zh) * | 2013-07-16 | 2013-10-23 | 山东工业陶瓷研究设计院有限公司 | 大尺寸片式绝缘散热陶瓷基板及其制备方法 |
| CN103539088A (zh) * | 2013-11-05 | 2014-01-29 | 河北工业大学 | 一种氮化铝纳米颗粒的合成方法 |
| CN104926314A (zh) * | 2015-06-17 | 2015-09-23 | 长沙鼎成新材料科技有限公司 | 一种led用陶瓷基板 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106316406A (zh) * | 2016-08-11 | 2017-01-11 | 安徽波浪岛游乐设备有限公司 | 一种led用抗腐蚀性基板的制备工艺 |
| CN106316405A (zh) * | 2016-08-11 | 2017-01-11 | 安徽波浪岛游乐设备有限公司 | 一种led用散热基板的制备工艺 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20160203 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |