CN105281700A - 振动元件、振子、振荡器、电子设备以及移动体 - Google Patents
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Abstract
本发明提供振动元件、振子、振荡器、电子设备以及移动体,所述振动元件能够降低共振频率附近的不必要寄生振荡的产生,所述振子具有该振动元件。振动元件1包含:基板,其包含彼此处于正背关系的第1主面和第2主面;第1激励电极,其设置于第1主面;第2激励电极,其设置于第2主面;以及第1引出电极,其设置于第1主面,与第1激励电极连接,第1引出电极包含:第1电极部;以及第2电极部,其从第1电极部沿第1方向延伸,与第1激励电极连接,第2电极部的与第1方向交叉的第2方向的宽度比第1电极部窄,在将第1激励电极的面积设为S1,将第2电极部与第2激励电极重叠部分的面积设为S2时,满足(S2/S1)≤0.1。
Description
技术领域
本发明涉及振动元件、具有该振动元件的振子、振荡器、电子设备以及移动体。
背景技术
由于激励作为主振动的厚度剪切振动的AT切石英振子适宜小型化、高频化,并且呈现频率温度特性优异的三次曲线,因此用于振荡器、电子设备等多方面。特别是,近年来伴随着传送通信设备和OA设备的处理速度的高速化、或者通信数据和处理量的大容量化的推进,对于作为用于该情况的基准频率信号源的AT切石英振子,高频化的要求强烈。因此,通过使以厚度剪切振动进行激励的振动部分的厚度变薄,而实现高频化。
专利文献1公开了如下的AT切石英振动元件:其利用具有薄壁的振动部和沿振动部的外缘的整周设置的厚壁部的逆台面构造来实现高频化,并具有:在振动部的彼此处于正背关系的第1主面和第2主面上分别设置的一对激励电极;和从各激励电极延伸的一对引出电极。在振动元件的俯视时,一对激励电极彼此大小不同,大的一方的激励电极将小的一方的激励电极包围。
专利文献1:日本特开2012-253630号公报
然而,在专利文献1所述的振动元件中,由于具有从设置于一方的主面的较小一方的激励电极延伸的引出电极与设置于另一方的主面的较大一方的激励电极相重叠的区域,因此存在如下问题:该区域作为与由一对激励电极夹着的振动区域不同的振动区域发挥功能,从而在共振频率附近产生不必要的寄生振荡(parasitic)。
发明内容
本发明是为了解决上述课题的至少一部分而完成的,能够通过以下的方式或者应用例来实现。
[应用例1]本应用例的振动元件的特征在于,所述振动元件包含:基板,其包含彼此处于正背关系的第1主面和第2主面;第1激励电极,其设置于所述第1主面;第2激励电极,其设置于所述第2主面;以及第1引出电极,其设置于所述第1主面,与所述第1激励电极连接,所述第1引出电极包含:第1电极部;以及第2电极部,其从所述第1电极部沿第1方向延伸,与所述第1激励电极连接,所述第2电极部的与所述第1方向交叉的第2方向的宽度比所述第1电极部窄,当使所述第1激励电极的面积为S1,使所述第2电极部与所述第2激励电极重叠部分的面积为S2时,满足(S2/S1)≤0.1。
由此,得到能够降低共振频率附近的不必要寄生振荡的产生的振动元件。
[应用例2]根据上述应用例的振动元件,其特征在于,所述重叠部分的沿着所述第1方向的长度为20μm以下。
由此,能够降低引出电极的电阻。
[应用例3]根据上述应用例的振动元件,其特征在于,在俯视时,所述第1激励电极配置在所述第2激励电极的范围内。
由此,能够稳定地发挥期望的振动特性。
[应用例4]根据上述应用例的振动元件,其特征在于,在设所述基板的厚度为t,设所述第1激励电极的沿着所述第2方向的长度为a时,满足(-1049×t+57)≤(a/t)≤(-64.4×t+57)。
由此,得到稳定的振动特性。
[应用例5]根据上述应用例的振动元件,其特征在于,在设所述基板的厚度为t,设所述第1激励电极的沿着所述第1方向的长度为b时,满足(-823×t+42)≤(b/t)≤(-120×t+42)。
由此,得到稳定的振动特性。
[应用例6]本应用例的振子的特征在于,其具有上述应用例所述的振动元件以及收容所述振动元件的封装。
由此,得到可靠性高的振子。
[应用例7]本应用例的振荡器的特征在于,其具有上述应用例所述的振动元件以及驱动所述振动元件的电路。
由此,得到可靠性高的振荡器。
[应用例8]本应用例的电子设备的特征在于,其具有上述应用例所述的振动元件。
由此,得到可靠性高的电子设备。
[应用例9]本应用例的移动体的特征在于,其具有上述应用例所述的振动元件。
由此,得到可靠性高的移动体。
附图说明
图1示出本发明的第1实施方式的振动元件的简要结构,其中,(a)是示意俯视图,(b)是P-P线的示意剖面图,(c)是Q-Q线的示意剖面图。
图2是对AT切石英基板与石英的晶轴之间的关系进行说明的图。
图3是示出振动部的厚度与激励电极的大小之间的关系的图。
图4是示出振动部的厚度与激励电极的大小之间的关系的图。
图5是示出图1的振动元件的变形例1的示意俯视图。
图6是示出图1的振动元件的变形例2的示意俯视图。
图7是示出图1的振动元件的变形例3的示意俯视图。
图8是示出图1的振动元件的变形例4的示意俯视图。
图9是示出图1的振动元件的变形例5的示意俯视图。
图10是示出图1的振动元件的变形例6的示意俯视图。
图11是示出图1的振动元件的变形例7的示意俯视图。
图12是示出图1的振动元件的变形例8的示意俯视图。
图13是示出本发明的第2实施方式的振动元件的简要结构的示意俯视图。
图14是示出本发明的第3实施方式的振动元件的简要结构的示意俯视图。
图15是示出本发明的第4实施方式的振动元件的简要结构的示意俯视图。
图16是示出本发明的第5实施方式的振动元件的简要结构的示意俯视图。
图17示出本发明的第6实施方式的振动元件的简要结构,其中,(a)是示意俯视图,(b)是P-P线的示意剖面图,(c)是Q-Q线的示意剖面图。
图18是示出本发明的一实施方式的振子的简要结构的示意剖面图。
图19是示出本发明的一实施方式的振荡器的简要结构的示意剖面图。
图20是示出应用了具有本发明的一实施方式的振动元件的电子设备的便携式(或者笔记本型)的个人计算机的结构的立体图。
图21是示出应用了具有本发明的一实施方式的振动元件的电子设备的移动电话(也包含PHS)的结构的立体图。
图22是示出应用了具有本发明的一实施方式的振动元件的电子设备的数码照相机的结构的立体图。
图23是概略地示出作为具有本发明的一实施方式的振动元件的移动体的一例的汽车的立体图。
标号说明
1:振动元件;2:基板;3:电极;4:封装;10:振子;20a:第1主面;20b:第2主面;21:振动部;21a、21b:第1外缘;21c、21d:第2外缘;21e:第3外缘;21f:第4外缘;22:振动区域;23:厚壁部;24:第1厚壁部;24a:倾斜部;24b:厚壁部主体;25:第2厚壁部;25a:倾斜部;25b:厚壁部主体;26:外缘部;27a、27b:端部;29:缝隙;31:第1激励电极;32:第2激励电极;33、34:衬垫电极;35a:第1电极部;35b:第2电极部;36:第1引出电极;37:第2引出电极;38:外缘部;41:基底;42:盖;43:凹部;44、45:内部端子;46、47:外部安装端子;51:导电性粘接剂;52:键合线;100:振荡器;110:IC芯片;120:内部端子;130:键合线;1000:显示部;1100:个人计算机;1102:键盘;1104:主体部;1106:显示单元;1200:移动电话;1202:操作按钮;1204:听筒口;1206:话筒口;1300:数码照相机;1302:壳体;1304:受光单元;1306:快门按钮;1308:存储器;1312:视频信号输出端子;1314:输入输出端子;1330:电视监视器;1340:个人计算机;1400:汽车;D1、D2:分离距离;R:区域;S:收纳空间。
具体实施方式
以下,根据附图对本发明的实施方式详细地进行说明。另外,在以下所示的各图中,为了使各结构要素为在附图上能够识别的程度的大小,存在以适当使各结构要素的尺寸和比例与实际的结构要素不同的方式进行记载的情况。
<振动元件>
[第1实施方式]
首先,作为本发明的第1实施方式的振动元件的一例,列举出在基板的中央部具有凹陷部的逆台面构造的振动元件,关于其简要结构,参照图1进行说明。另外,在之后的对振动元件的简要结构进行说明的图中,为了便于说明,图示出X轴、Y’轴和Z’轴作为彼此垂直的3个轴,将该图示出的箭头的末端侧设为“+侧”,将基端侧设为“-侧”。并且,将与X轴平行的方向称为“X轴方向”,将与Y轴平行的方向称为“Y轴方向”,将与Z轴平行的方向称为“Z轴方向”。并且,将设置有凹陷部侧的主面设为第1主面20a,将平坦侧的主面设为第2主面20b进行说明。
图1示出本发明的第1实施方式的振动元件的简要结构,图1的(a)是振动元件的示意俯视图,图1的(b)是图1的(a)中的P-P线的示意剖面图,图1的(c)是图1的(a)中的Q-Q线的示意剖面图。图2是对AT切石英基板与石英的晶轴之间的关系进行说明的图。图3和图4是分别示出振动部的厚度与激励电极的大小之间的关系的图。
如图1所示,振动元件1具有基板2和形成在基板2上的电极3。
(基板)
基板2是板状的石英基板。这里,作为基板2的材料的石英属于三方晶系,如图2所示,具有彼此垂直的晶轴X、Y、Z。将X轴、Y轴、Z轴分别称为电轴、机械轴、光学轴。本实施方式的基板2是沿着将XZ面绕X轴旋转了规定的角度θ的平面切割的“旋转Y切石英基板”,例如将沿着旋转了θ=35°15’的平面切割的情况下的基板称为“AT切石英基板”。通过使用这种石英基板而得到具有优异的温度特性的振动元件1。
但是,作为基板2,只要能够激励厚度剪切振动,则不限于AT切的基板,例如,也可以使用BT切的基板。
另外,以下,将与角度θ对应地绕X轴旋转后的Y轴和Z轴设为Y’轴和Z’轴。即,基板2在Y’轴方向上具有厚度,在XZ’面方向上具有广度。
并且,将第1方向设为沿着Z’轴的方向,将与第1方向交叉的第2方向设为沿着X轴的方向并进行说明。
基板2具有彼此处于正背关系的第1主面20a和第2主面20b,在俯视时,成为将作为第2方向的沿着X轴的方向设为长边、将作为第1方向的沿着Z’轴的方向设为短边的大致长条形状。并且,基板2将-X轴方向设为末端侧,将+X轴方向设为基端侧。在将基板2的沿着X轴的方向的最大长度设为L,将沿着Z’轴的方向的最大宽度设为W时,作为(L/W)没有特别限定,但是,例如优选1.1~1.4左右。
如图1所示,基板2具有:振动部21,其包含薄壁的振动区域(约束振动能量的区域)22;以及厚壁部23,其与振动部21一体化,厚度比振动区域22厚。例如能够通过湿法蚀刻在石英基板的+Y’轴侧的第1主面20a上形成凹陷部而形成振动部21。
振动部21相对于基板2的中央,偏向-X轴方向侧和-Z’轴方向侧,其外缘的一部分从厚壁部23露出。这里,在振动元件1的俯视时,振动部21的面积优选为基板2的面积的1/2以下。由此,能够充分大地形成比振动部21厚壁且机械强度高的厚壁部23,因此,能够充分地确保振动元件1(振动部21)的刚性。因此,能够有效地降低因Y’轴方向的加速度(振动、冲击)引起的基板2的厚度方向的挠曲,能够使相对于Y’轴方向的加速度的敏感度迟钝。并且,能够有效地降低不必要振动模式的产生等。并且,在将振动部21的沿着X轴的方向的最大长度设为Lb,沿着Z’轴的方向的最大宽度设为Wb时,作为(Lb/Wb)没有特别限定,但是,例如优选为1.2~1.35左右。由此,能够高效地将作为主振动的厚度剪切振动的振动能量约束在激励电极内。
在振动元件1的俯视时,振动部21具有:一对第1外缘21a、21b,它们沿X轴方向(厚度剪切振动的振动方向)分离,沿Z’轴方向(与X轴方向交叉的方向)延伸;以及一对第2外缘21c、21d,它们沿Z’轴方向分离,沿X轴方向延伸。第1外缘21a、21b中的第1外缘21a位于-X轴侧,第1外缘21b位于+X轴侧。并且,第2外缘21c、21d中的第2外缘21c位于+Z’轴侧,第2外缘21d位于-Z’轴侧。
并且,振动部21还具有将第1外缘21b的+Z’轴侧的端部与第2外缘21c的+X轴侧的端部连结的第3外缘21e。将第3外缘21e设置为相对于X轴和Z’轴这两个轴交叉。作为第3外缘21e的相对于X轴的倾斜角没有特别限定,但是优选为30°以上、65°以下的程度。通过设置这种第3外缘21e,例如,将第1厚壁部24的厚壁部主体24b的衬垫电极(パッド電極)33、34附近的区域设为固定部,从而对于因在将封装等安装到基底基板的情况下的安装而引起的应力,能够缓和对第1外缘21b和第2外缘21c的边界部附近的应力集中,因此能够降低因应力而在振动部21产生的变形。因此,能够提高振动元件1的振动特性。
并且,振动部21还具有将第1外缘21a的+Z’轴侧的端部与第2外缘21c的-X轴侧的端部连结的第4外缘21f。第4外缘21f构成为后述的外缘部26的一部分。
如图1所示,厚壁部23的正面(+Y’轴方向侧的主面)设置为比振动部21的正面(+Y’轴方向侧的主面)向+Y’轴方向侧突出。另一方面,厚壁部23的背面(-Y’轴方向侧的主面)设置在与振动部21的背面(-Y’轴方向侧的主面)相同的平面上。
厚壁部23具有:第1厚壁部24,其沿着第1外缘21b配置;以及第2厚壁部25,其沿着第2外缘21c和第3外缘21e配置,与第1厚壁部24连接。因此,厚壁部23在俯视时具有沿着振动部21弯曲的构造,成为大致L字状。另一方面,在振动部21的第1外缘21a、第2外缘21d和第4外缘21f不形成厚壁部23,这些第1外缘21a、第2外缘21d和第4外缘21f从厚壁部23露出。这样,在振动部21的外缘的部分位置上设置厚壁部23而使其成为大致L字状,不沿着第1外缘21a、第2外缘21d和第4外缘21f设置厚壁部23,由此,能够保持振动元件1(振动部21)的刚性,并且能够降低振动元件1的末端侧的质量。并且,能够实现振动元件1的小型化。
这里,通过将第1厚壁部24相对于振动部21设置于+X轴侧,与设置于-X轴侧的情况相比,能够缩短后述的倾斜部24a的宽度(X轴方向的长度)。同样地,通过将第2厚壁部25相对于振动部21设置于+Z’轴侧,与设置于-Z’轴侧的情况相比,能够缩短后述的倾斜部25a的宽度(Z’轴方向的长度)。因此,根据这种厚壁部23,能够实现振动元件1的小型化。
第1厚壁部24具有:倾斜部(残留部)24a,其与第1外缘21b相连设置,厚度朝向+X轴方向渐增;以及厚壁部主体24b,其厚度大致恒定,并与倾斜部24a的+X轴方向侧的端缘连接。同样,第2厚壁部25具有:倾斜部(残留部)25a,其与第2外缘21c和第3外缘21e相连设置,厚度朝向+Z’轴方向渐增;以及厚壁部主体25b,其厚度大致恒定,并与倾斜部25a的+Z’轴方向侧的端缘连接。并且,第2厚壁部25在其末端部具有外缘部26,所述外缘部26在振动元件1的俯视时沿着与X轴和Z’轴这两个轴交叉的方向延伸。
外缘部26被设置成切除基板2的位于-X轴侧且位于+Z’轴侧的角部。外缘部26连结端部27a与端部27b,形成为跨过厚壁部主体25b、倾斜部25a和振动部21。因此,外缘部26的末端侧的端部27a位于振动部21,如上所述,其一部分构成第4外缘21f。通过具有这种外缘部26,如后所述,能够得到相对于Y’轴方向的加速度(振动、冲击)的敏感度迟钝的、即不易受到Y’轴方向的加速度的影响的振动元件1。
并且,在第1厚壁部24的厚壁部主体24b上设置有将基板2贯通的缝隙29。通过设置该缝隙29,能够将衬垫电极33、34附近的区域作为固定部,对于因在将封装等安装到基底基板的情况下的安装引起的应力,能够进一步缓和对第1外缘21b和第2外缘21c的边界部附近的应力集中,因此能够大幅度地降低因应力而在振动部21产生的变形。因此,能够大幅度地提高振动元件1的振动特性。
(电极)
电极3具有:第1激励电极31、第2激励电极32、衬垫电极33、34、第1引出电极36以及第2引出电极37。第1激励电极31形成在振动区域22的第1主面20a。另一方面,第2激励电极32以与第1激励电极31对置的方式配置在振动区域22的第2主面20b上。第1激励电极31和第2激励电极32是分别将X轴方向作为长边、将Z’轴方向作为短边的大致矩形。
并且,第1激励电极31和第2激励电极32为相似形状,第2主面20b侧的第2激励电极32形成为比第1主面20a侧的第1激励电极31大。并且,在振动元件1的俯视时,第1激励电极31配置在第2激励电极32的范围内。换言之,第1激励电极31的整个区域在彼此的外缘(轮廓)不重叠的情况下位于第2激励电极32内。由此,能够稳定地发挥期望的振动特性。
并且,在振动元件1的俯视时,第1激励电极31和第2激励电极32被配置成X轴方向的中心彼此重叠,并且被配置成Z’轴方向的中心彼此重叠。另外,第1激励电极31也可以形成为相对于第2激励电极32偏向-Z’轴侧。即,也可以将第1激励电极31和第2激励电极32设置为:第1激励电极31和第2激励电极32的+Z’轴侧的外缘38b、39b之间的分离距离D2比-Z’轴侧的外缘38a、39a之间的分离距离D1小。
衬垫电极33形成在厚壁部主体24b的正面。另一方面,衬垫电极34以与衬垫电极33对置的方式形成在厚壁部主体24b的背面。
第1引出电极36从第1激励电极31延伸,第1激励电极31和衬垫电极33经由该第1引出电极36进行电连接。第1引出电极36构成为具有:第1电极部35a;以及第2电极部35b,其从第1电极部35a沿Z’轴方向延伸,并与第1激励电极31连接。第1引出电极36的第2电极部35b从第1激励电极31的外缘38b沿Z’轴方向延伸,从与第1电极部35a连接开始经由倾斜部25a被引出到厚壁部23的正面。
第1引出电极36的第2电极部35b的与Z’轴方向交叉的X轴方向的宽度L2形成为比第1电极部35a的宽度L1窄。由此,在振动元件1的俯视时,能够缩小第2激励电极32与第2电极部35b重叠的部分(区域R),能够降低不必要寄生振荡的产生。并且,通过加宽第1电极部35a的X轴方向的宽度L1,能够降低因伴随着电极的薄膜化的薄膜电阻而导致的电阻值的増大。即,第1引出电极36和第2引出电极37并不是带状的较细的电极图案,而是接近正方形的电极图案,由此得到一种通过降低电极的薄膜电阻而降低欧姆损耗、并具有低的CI(晶体阻抗=振子的等价电阻)值的振动元件1。
并且,第2引出电极37从第2激励电极32延伸,第2激励电极32与衬垫电极34经由该第2引出电极37进行电连接。在俯视时,第2引出电极37被设置为隔着基板2而不与第1引出电极36重叠。由此,能够抑制第1引出电极36与第2引出电极37之间的静电电容。
这种电极3例如可以由金属覆膜构成,所述金属覆膜是在Cr(铬)、Ni(镍)等底层上层叠了将Au(金)或Au作为主成分的合金而成的。
以上,对电极3的结构进行了说明。在振动元件1中,在振动元件1的俯视时,形成有第2激励电极32和第1引出电极36的第2电极部35b重叠的部分(区域R)。在将第1激励电极31的面积设为S1,将重叠部分(区域R)的面积设为S2时,S1、S2满足(S2/S1)≤0.1的关系。由此,能够充分地缩小重叠部分(区域R),能够使不必要寄生振荡更远离振动元件1的共振频率。因此,成为能够稳定地发挥优异的振动特性的振动元件1。
具体而言,根据发明者们的推测,认为重叠部分(区域R)形成与原本的振动区域(由第1激励电极31和第2激励电极32夹持的区域)不同的振动区域,从该重叠部分(区域R)产生不必要寄生振荡。并且,表现出重叠部分(区域R)越大则不必要寄生振荡的频率越接近共振频率的趋势,因此,在本发明中,通过满足(S2/S1)≤0.1的关系,而充分地缩小重叠部分(区域R)的面积S2,由此使不必要寄生振荡更远离振动元件1的共振频率。
作为不必要寄生振荡与共振频率之间的频率差没有特别限定,优选为1000ppm以上。由此,成为能够充分地稳定发挥优异的振动特性振动元件1。另外,当为(S2/S1)>0.1时,重叠部分(区域R)的面积过大,产生共振频率附近的不必要寄生振荡,无法稳定地发挥优异的振动特性。
在振动元件1中,只要满足(S2/S1)≤0.1的关系就没有特别限定,但是更优选满足(S2/S1)≤0.07的关系,进一步优选满足(S2/S1)≤0.05的关系。由此,能够更显著地发挥上述作用。
接着,根据实验结果证明能够通过满足(S2/S1)≤0.1的关系而使不必要寄生振荡充分地远离共振频率。关于该实验中使用的振动元件1的基板2的尺寸,长度(X轴方向的长度)×宽度(Z’轴方向的长度)×厚度(Y’轴方向的长度)为1.8mm×1.0mm×0.050mm。并且,关于振动部21的尺寸,长度×宽度×厚度为1.0mm×0.9mm×0.002mm。并且,关于第2激励电极32的尺寸,长度×宽度×厚度为0.36mm×0.28mm×0.000085mm。并且,关于第1激励电极31的尺寸,长度×宽度×厚度为0.18mm×0.14mm×0.000085mm。并且,制造出第1激励电极31相对于第2激励电极32向Z’轴方向偏移的4种样品1~4。按照样品1、样品2、样品3、样品4的顺序,第1激励电极31位于+Z’轴侧。关于这4种样品,分别求出(S2/S1)、不必要寄生振荡与共振频率之间的频率差Δf。在下述的表1中表示该结果。另外,关于各样品1~4,表1中所示的数值表示10个样品的平均值。
【表1】
S1 | S2 | S2/S1 | Δf | |
样本1 | 0.025 | 0.0025 | 0.10 | 1021 |
样本2 | 0.025 | 0.003 | 0.13 | 957 |
样本3 | 0.025 | 0.010 | 0.40 | 838 |
样本4 | 0.025 | 0.017 | 0.67 | 506 |
根据表1可知满足(S2/S1)≤0.1的关系的样品,即仅样品1满足Δf≥1000ppm,不必要寄生振荡充分地远离共振频率。根据以上的实验结果,证明能够通过满足(S2/S1)≤0.1的关系,而使不必要寄生振荡充分地远离共振频率。
并且,上述的第1激励电极31和第2激励电极32的外缘38b、39b之间的分离距离D2(即,重叠部分(区域R)的Z’轴方向的长度)没有特别限定,但是优选为20μm以下,更优选为10μm以下。由此,由于能够进一步缩短重叠部分(区域R)内的第2电极部35b的长度,因此能够减小第1引出电极36的电阻。这里,由于当使分离距离D2为0(零)时,不形成重叠部分(区域R),因此从使不必要寄生振荡远离共振频率的方面考虑最优选,但是从振动元件1的制造上的方面考虑,优选分离距离D2不是0(零)。
在振动元件1的制造上,认为第1激励电极31和第2激励电极32的形成位置会从规定位置偏离,假设在振动元件1的俯视时,在第1激励电极31的外缘38b相比第2激励电极32的外缘39b向+Z’轴侧伸出时,振动元件1的振动特性会大幅度地发生变化,并且其性能也会大幅度地恶化。因此,即使第1激励电极31和第2激励电极32的形成位置从规定位置偏离,为了不使第1激励电极31的外缘38b相比第2激励电极32的外缘39b向+Z’轴侧伸出,也优选分离距离D2不是0(零)。
并且,将振动部21的厚度t(mm)以t(mm)=1670(m/s)/振动频率(kHz),的方式进行基准化。并且,如表2所示,将使用相同的电极尺寸的振动频率的下限值设为F1,将上限值设为F2,将下限与上限的中心频率设为F3。并且,设为1670/F1=t1,1670/F2=t2,1670/F3=t3,将振动部21的厚度基准化。
【表2】
No.1 | No.2 | No.3 | No.4 | No.5 | No.6 | |
F1(MHz) | 80 | 110 | 130 | 150 | 170 | 190 |
F2(MHz) | 110 | 130 | 150 | 170 | 190 | 210 |
F3(MHz) | 95 | 120 | 140 | 160 | 180 | 200 |
t1(mm) | 0.021 | 0.015 | 0.013 | 0.011 | 0.01 | 0.009 |
t2(mm) | 0.015 | 0.013 | 0.011 | 0.01 | 0.009 | 0.008 |
t3(mm) | 0.018 | 0.014 | 0.012 | 0.01 | 0.009 | 0.008 |
a(mm) | 0.82 | 0.7 | 0.62 | 0.55 | 0.48 | 0.43 |
b(mm) | 0.59 | 0.51 | 0.45 | 0.39 | 0.35 | 0.32 |
a/t1 | 39.3 | 46.1 | 48.3 | 49.4 | 48.9 | 48.9 |
a/t2 | 54 | 54.5 | 55.7 | 56 | 54.6 | 54.1 |
b/t1 | 28.3 | 33.6 | 35 | 35 | 35.6 | 36.4 |
b/t2 | 38.9 | 39.7 | 40.4 | 39.7 | 39.8 | 40.2 |
并且,在将第1激励电极31的沿着X轴方向的长度设为a(mm)时,a由振动频率决定。设为t3=t,如图3所示,优选a和t满足(-1049×t+57)≤(a/t)≤(-64.4×t+57)的关系。并且,在将第1激励电极31的沿着Z’轴方向的长度设为b(mm)时,b由振动频率决定。设为t3=t,如图4所示,b和t优选满足(-823×t+42)≤(b/t)≤(-120×t+42)的关系。通过满足这些关系,可得到能够稳定地发挥优异的振动特性的振动元件1。
另外,当(a/t)和(b/t)都小于上述下限值时,因t的值会使第1激励电极31的面积变得过小,如后所述,在将振动元件1装入振荡器100的情况下,存在难以满足振荡器100的可变特性的情况。另一方面,当(a/t)和(b/t)都超过上述上限值时,因t的值会在共振频率附近产生不必要寄生振荡,存在无法得到能够稳定地发挥优异的振动特性的振动元件1的情况。
接着,根据实验结果证明能够通过使(a/t)和(b/t)都满足上述的关系,而使不必要寄生振荡充分地远离振动元件1的共振频率。在该实验中,使用除了第1激励电极31的大小(a、b的值)以外与上述的样品1相同条件的振动元件1,制造出第1激励电极31的大小(a、b的值)不同的7种样品5~11。接着,关于这7种样品分别求出不必要寄生振荡与共振频率之间的频率差Δf。下述表3表示该结果。另外,关于各样品5~11,表3所示的数值表示10个样品的平均值。
【表3】
a(mm) | b(mm) | a/t | b/t | Δf(ppm) | |
样本5 | 0.50 | 0.35 | 47 | 33 | 1700 |
样本6 | 0.50 | 0.40 | 47 | 37 | 1450 |
样本7 | 0.55 | 0.39 | 51 | 36 | 1400 |
样本8 | 0.50 | 0.45 | 47 | 42 | 1300 |
样本9 | 0.55 | 0.44 | 51 | 41 | 1350 |
样本10 | 0.60 | 0.43 | 56 | 40 | 1300 |
样本11 | 0.55 | 0.49 | 51 | 46 | 1100 |
根据表3,证明出能够通过使(a/t)和(b/t)都满足上述的关系,而使不必要寄生振荡充分地远离振动元件1的共振频率。
以上,对振动元件1进行了说明。在本实施方式的振动元件1中,通过在基板2的+Y’轴侧形成凹陷部而形成振动部21,此外,厚壁部23由相对于振动部21位于+X轴侧的第1厚壁部24和位于+Z’轴侧的第2厚壁部25构成,但是作为振动元件1也可以采用将其翻转这样的结构。即,通过在基板2的-Y’轴侧形成凹陷部而形成振动部21,此外,厚壁部23也可以由相对于振动部21位于+X轴侧的第1厚壁部24和位于-Z’轴侧的第2厚壁部25构成。即使采用这种结构,也能够发挥与本实施方式相同的效果(特别是能够使倾斜部24a、25a的宽度变窄的效果)。
接着,对本发明的第1实施方式的振动元件1的变形例1~变形例8进行说明。
以下,以与上述的第1实施方式之间的差异点为中心进行说明,关于相同的事项省略其说明。并且,对相同结构标注相同标号。
[变形例1]
首先,对本发明的第1实施方式的振动元件1的变形例1进行说明。
图5是示出本发明的变形例1的振动元件的简要结构的示意俯视图。
变形例1的振动元件1a与第1实施方式中说明的振动元件1在构成第1引出电极36a的第2电极部35ba的配置位置上不同。与第1实施方式中说明的振动元件1的第2电极部35b的配置位置相比,第2电极部35ba配置在第1激励电极31的+X轴侧的端部侧。
即使是这样的配置结构,也能够发挥与上述的第1实施方式相同的效果。
[变形例2]
接着,对本发明的第1实施方式的振动元件1的变形例2进行说明。
图6是示出本发明的变形例2的振动元件的简要结构的示意俯视图。
变形例2的振动元件1b与第1实施方式中说明的振动元件1在构成第1引出电极36b的第2电极部35bb的配置位置上不同。与第1实施方式中说明的振动元件1的第2电极部35b的配置位置相比,第2电极部35bb配置在第1激励电极31的-X轴侧的端部侧。
即使是这样的配置结构,也能够发挥与上述的第1实施方式相同的效果。
[变形例3]
接着,对本发明的第1实施方式的振动元件1的变形例3进行说明。
图7是示出本发明的变形例3的振动元件的简要结构的示意俯视图。
变形例3的振动元件1c与第1实施方式中说明的振动元件1在第1激励电极31c的形状上不同。与第1实施方式中说明的振动元件1的第1激励电极31相比,第1激励电极31c在俯视时,四角的外缘部38分别由与X轴方向和Z’轴方向相交方向的直线连结,形成为八边形。
通过采用这种第1激励电极31c形状,由于除去了不贡献振动的四角的电极部,因此能够在维持等价串联电容C1的状态下,缩小在与第2激励电极32之间产生的等价并联电容C0。因此,能够得到发挥与上述的第1实施方式相同效果并且电容比γ较小的振动元件1c。
[变形例4]
接着,对本发明的第1实施方式的振动元件1的变形例4进行说明。
图8是示出本发明的变形例4的振动元件的简要结构的示意俯视图。
变形例4的振动元件1d与第1实施方式中说明的振动元件1在第1激励电极31d的形状上不同。与第1实施方式中说明的振动元件1的第1激励电极31相比,第1激励电极31d在俯视时,其四角的外缘部38d分别为与X轴方向和Z’轴方向相交的方向的圆弧状的曲线,形成为大致椭圆形状。
通过采用这种第1激励电极31d形状,由于除去了不贡献于振动的四角的电极部,因此能够在维持等价串联电容C1的状态下,缩小在与第2激励电极32之间产生的等价并联电容C0。因此,能够得到发挥与上述的第1实施方式相同的效果并且电容比γ较小的振动元件1d。
[变形例5]
接着,对本发明的第1实施方式的振动元件1的变形例5进行说明。
图9是示出本发明的变形例5的振动元件的简要结构的示意俯视图。
变形例5的振动元件1e与第1实施方式中说明的振动元件1在第1激励电极31e的形状上不同。与第1实施方式中说明的振动元件1的第1激励电极31相比,第1激励电极31e在俯视时形成为椭圆形状。
通过采用这种第1激励电极31e形状,由于除去了不贡献振动的四角的电极部,因此能够在维持了等价串联电容C1的状态下,缩小在与第2激励电极32之间产生的等价并联电容C0。因此,能够得到发挥与上述的第1实施方式相同的效果并且电容比γ较小的振动元件1e。
[变形例6]
接着,对本发明的第1实施方式的振动元件1的变形例6进行说明。
图10是示出本发明的变形例6的振动元件的简要结构的示意俯视图。
变形例6的振动元件1f与第1实施方式中说明的振动元件1在第1激励电极31f的形状上不同。与第1实施方式中说明的振动元件1的第1激励电极31相比,第1激励电极31f在俯视时形成为圆形。
通过采用这种第1激励电极31f形状,能够得到发挥与上述的第1实施方式相同的效果的振动元件1f。
[变形例7]
接着,对本发明的第1实施方式的振动元件1的变形例7进行说明。
图11是示出本发明的变形例7的振动元件的简要结构的示意俯视图。
变形例7的振动元件1g与第1实施方式中说明的振动元件1在第1引出电极36g的形状上不同。与第1实施方式中说明的振动元件1的第1引出电极36相比,第1引出电极36g的第1电极部35ag的X轴方向的宽度L1g较短,第2电极部35bg形成为从第1激励电极31的+Z’轴侧的端部与+X轴侧的端部交叉的角部向倾斜方向(+Z’轴方向与+X轴方向之间的方向)延伸。
通过采用这种第1引出电极36g形状,能够应对伴随着高频化的第1激励电极31和第2激励电极32或基板2的小型化。因此,能够得到发挥与上述的第1实施方式相同的效果并且小型的振动元件1g。
[变形例8]
接着,对本发明的第1实施方式的振动元件1的变形例8进行说明。
图12是示出本发明的变形例8的振动元件的简要结构的示意俯视图。
变形例8的振动元件1h与第1实施方式中说明的振动元件1在衬垫电极33h、34h的配置位置上不同。与第1实施方式中说明的振动元件1的衬垫电极33、34相比,衬垫电极33h配置在基板2的+Z’轴侧,衬垫电极34h配置在基板2的-Z’轴侧,在俯视时,形成为衬垫电极33h与衬垫电极34h不重叠。
通过采用这种衬垫电极33h、34h的配置,能够抑制衬垫电极33h与衬垫电极34h之间的静电电容。因此,能够得到发挥与上述的第1实施方式相同的效果并且电容比γ较小的振动元件1h。
[第2实施方式]
接着,对本发明的振动元件的第2实施方式进行说明。
图13是示出本发明的第2实施方式的振动元件的简要结构的示意俯视图。
以下,关于第2实施方式的振动元件,以与上述的第1实施方式之间的差异点为中心进行说明,关于相同的事项,省略其说明。
关于本发明的第2实施方式的振动元件,除了厚壁部结构不同之外,与上述的第1实施方式相同。另外,对与上述的第1实施方式相同的结构标注相同标号。
如图13所示,在本实施方式的振动元件1i中,厚壁部123具有第1厚壁部124以及被配置成沿着振动部121的+Z’轴侧的外缘延伸到振动部121的-X轴侧的外缘的第2厚壁部125。因此,厚壁部123成为沿着振动部121的大致L字状。没有沿着振动部121的-X轴侧的外缘与-Z’轴侧的外缘形成厚壁部123,振动部121的-X轴侧的外缘与-Z’轴侧的外缘从厚壁部123露出。这样,通过使厚壁部123为大致L字状,而能够实现振动元件1i的小型化,并且能够提高振动元件1i(振动部121)的刚性,能够有效地防止不必要寄生振荡的产生。
即使是这种第2实施方式,也能够发挥与上述的第1实施方式相同的效果。
[第3实施方式]
接着,对本发明的振动元件的第3实施方式进行说明。
图14是示出本发明的第3实施方式的振动元件的简要结构的示意俯视图。
以下,关于第3实施方式的振动元件,以与上述的第1实施方式之间的差异点为中心进行说明,关于相同的事项,省略其说明。
关于本发明的第3实施方式的振动元件,除了厚壁部的结构不同之外,与上述的第1实施方式相同。另外,对与上述的第1实施方式相同的结构标注相同标号。
如图14所示,在本实施方式的振动元件1j中,厚壁部223除了具有第1厚壁部224和第2厚壁部225,还具有沿着振动部221的-X轴侧的外缘配置的、与第2厚壁部225连接的第3厚壁部226。因此,厚壁部223成为沿着振动部221的大致U字状。在俯视时,没有沿着振动部221的-Z’轴侧的外缘形成厚壁部223,振动部221的-Z’轴侧的外缘从厚壁部223露出。这样,通过使厚壁部223为大致U字状,能够实现振动元件1j的小型化,并且能够进一步提高振动元件1j(振动部221)的刚性,能够有效地防止不必要寄生振荡的产生。
第3厚壁部226具有:与振动部221的-X轴侧的外缘相连设置、厚度朝向-X轴方向渐增的倾斜部(残留部)226a以及与倾斜部226a的-X轴方向侧的端缘连接的、厚度大致恒定的厚壁部主体226b。
即使是这种第3实施方式,也能够发挥与上述的第1实施方式相同的效果。
[第4实施方式]
接着,对本发明的振动元件的第4实施方式进行说明。
图15是示出本发明的第4实施方式的振动元件的简要结构的示意俯视图。
以下,关于第4实施方式的振动元件,以与上述的第1实施方式之间的差异点为中心进行说明,关于相同的事项,省略其说明。
关于本发明的第4实施方式的振动元件,除了厚壁部的结构不同之外,与上述的第1实施方式相同。另外,对与上述的第1实施方式相同的结构标注相同标号。
如图15所示,在本实施方式的振动元件1k中,厚壁部323除了具有第1厚壁部324和第2厚壁部325,还具有沿着振动部321的-Z’轴侧的外缘配置的、与第1厚壁部324连接的第4厚壁部327。因此,厚壁部323成为沿着振动部321的大致U字状,振动部321的-X轴侧的外缘从厚壁部323露出。这样,通过使厚壁部323为大致U字状,能够实现振动元件1k的小型化,并且能够进一步提高振动元件1k(振动部321)的刚性,能够有效地防止不必要寄生振荡的产生。
第4厚壁部327具有:与振动部321的-Z’轴侧的外缘相连设置的、厚度朝向-Z’轴方向渐增的倾斜部(残留部)327a以及与倾斜部327a的-Z’轴方向侧的端缘连接的、厚度大致恒定的厚壁部主体327b。
即使是这种第4实施方式,也能够发挥与上述的第1实施方式相同的效果。
[第5实施方式]
接着,对本发明的振动元件的第5实施方式进行说明。
图16是示出本发明的第5实施方式的振动元件的简要结构的示意俯视图。以下,关于第5实施方式的振动元件,以与上述的第1实施方式之间的差异点为中心进行说明,关于相同的事项省略其说明。
关于本发明的第5实施方式的振动元件,除了厚壁部的结构不同以外,与上述的第1实施方式相同。另外,对与上述的第1实施方式相同的结构标注相同标号。
如图16所示,在本实施方式的振动元件1l中,厚壁部423除了具有第1厚壁部424、第2厚壁部425,还具有:第3厚壁部426,其沿着振动部421的-X轴侧的外缘配置,与第2厚壁部425连接;以及第4厚壁部427,其沿着振动部421的-Z’轴侧的外缘配置,与第1厚壁部424连接。因此,厚壁部423成为沿着振动部421的整个外周的大致口字状,振动部421的外缘没有从厚壁部423露出。这样,通过使厚壁部423成为大致口字状,能够进一步提高振动元件1L(振动部421)的刚性,能够有效地防止不必要寄生振荡的产生。
第3厚壁部426具有:倾斜部(残留部)426a,其与振动部421的-X轴侧的外缘相连设置,厚度朝向-X轴方向渐增;以及厚壁部主体426b,其与倾斜部426a的-X轴方向侧的端缘连接,厚度大致恒定。
第4厚壁部427具有:倾斜部(残留部)427a,其与振动部421的-Z’轴侧的外缘相连设置,厚度朝向-Z’轴方向渐增;以及厚壁部主体427b,其与倾斜部427a的-Z’轴方向侧的端缘连接,厚度大致恒定。
即使是这种第5实施方式,也能够发挥与上述的第1实施方式相同的效果。
[第6实施方式]
接着,对本发明的振动元件的第6实施方式进行说明。
图17示出本发明的第6实施方式的振动元件的简要结构,图17的(a)是振动元件的示意俯视图,图17的(b)是图17的(a)中的P-P线的示意剖面图,图17的(c)是图17的(a)中的Q-Q线的示意剖面图。
以下,关于第6实施方式的振动元件,以与上述的第1实施方式之间的差异点为中心进行说明,关于相同的事项,省略其说明。
关于本发明的第6实施方式的振动元件,除了振动部的结构不同之外,与上述的第1实施方式相同。另外,对与上述的第1实施方式相同的结构标注相同标号。
如图17所示,在本实施方式的振动元件1m中,通过在基板502的两主面上形成凹陷部,而形成振动部521。换言之,厚壁部523的正面(+Y’轴方向侧的主面)被设置为相比振动部521的正面(+Y’轴方向侧的主面)向+Y’轴方向侧突出,厚壁部523的背面(-Y’轴方向侧的主面)被设置为相比振动部521的背面(-Y’轴方向侧的主面)向-Y’轴方向侧突出。这样,通过在基板502的两主面上形成凹陷部而形成振动部521,例如,与上述的第1实施方式相比,能够使凹陷部的蚀刻深度变浅。因此,能够更高精度地进行蚀刻,能够更高精度地得到基板502的外形形状。
即使是这种第6实施方式,也能够发挥与上述的第1实施方式相同的效果。
<振子>
接着,对使用了上述的振动元件1的振子(本发明的振子)进行说明。
图18是示出本发明的振子的优选的实施方式的示意剖面图。
图18所示的振子10具有上述的振动元件1和收容振动元件1的封装4。
(封装)
封装4具有:箱状的基底41,其具有在上表面开放的凹部43;以及板状的盖42,其封住凹部43的开口且与基底41接合。并且,在用盖42封住凹部43而形成的收纳空间S中收纳振动元件1。收纳空间S也可以为减压(真空)状态,也可以封入氮气、氦气、氩气等惰性气体。
作为基底41的结构材料没有特别限定,但是可以使用氧化铝等各种陶瓷。并且,作为盖42的结构材料没有特别限定,但是也可以为与基底41的结构材料和线膨胀系数近似的构件。例如,在将基底41的结构材料设为上述这样的陶瓷的情况下,优选为柯伐合金等合金。另外,基底41与盖42的接合没有特别限定,例如,可以经由粘接剂进行接合,也可以利用缝焊等进行接合。
在基底41的凹部43的底面形成有内部端子44、45。并且,在基底41的下表面形成有多个外部安装端子46、47。内部端子44经由形成于基底41的贯通电极(未图示)而与外部安装端子46电连接,内部端子45经由形成于基底41的贯通电极(未图示)而与外部安装端子47电连接。
只要作为内部端子44、45、外部安装端子46、47的结构分别具有导电性,就没有特别限定,例如,可以由在Cr(铬)、W(钨)等金属化层(底层)上层叠了Ni(镍)、Au(金)、Ag(银)、Cu(铜)等各覆膜的金属覆膜构成。
关于在收容空间S内收容的振动元件1,将其正面朝向基底41侧,在形成有衬垫电极33的区域中,通过导电性粘接剂51而被固定于基底41。导电性粘接剂51被设置为与内部端子44和衬垫电极33接触。由此,通过导电性粘接剂51将内部端子44和衬垫电极33电连接。通过使用导电性粘接剂51在一个部位(一点)支撑振动元件1,能够抑制例如因基底41和基板2的热膨胀率的差而导致在振动元件1上产生的应力。
作为导电性粘接剂51只要具有导电性和粘接性就不特别限定,例如,可以使用使导电性填料分散到硅系、环氧系、丙烯酸系、聚酰亚胺系、双马来酰亚胺系等粘接剂中得到的导电性粘接剂。
振动元件1的衬垫电极34经由键合线52而与内部端子45电连接。如上所述,由于衬垫电极34与衬垫电极33对置配置,因此在振动元件1被固定于基底41的状态下,衬垫电极34位于导电性粘接剂51的正上方的位置。因此,能够抑制在引线键合时施加给衬垫电极34的振动(超声波振动)的泄漏,能够更可靠地进行键合线52对衬垫电极34的连接。另外,在本实施方式中,利用导电性粘接剂51将基板2的形成有衬垫电极33的一侧固定于基底41,但是也可以将形成有衬垫电极34的一侧固定于基底41。
<振荡器>
接着,对应用了本发明的振子10(振动元件1)的振荡器(本发明的振荡器)进行说明。
图19是示出振荡器的优选的实施方式的示意剖面图。
图19所示的振荡器100具有振子10以及用于驱动振动元件1的IC芯片110。以下,关于振荡器100,以与上述的振子10之间的差异点为中心进行说明,关于相同的事项,省略其说明。
如图19所示,在振荡器100中,在基底41a的凹部43a固定有IC芯片110。IC芯片110经由键合线130而与形成于凹部43a的底面的多个内部端子120电连接。对于多个内部端子120,存在与内部端子44、45连接的情况和与外部安装端子46、47连接的情况。IC芯片110具有用于控制振动元件1的驱动的振荡电路。当利用IC芯片110驱动振动元件1时,能够获取规定的频率的信号。
例如,振荡器100为电压控制型振荡器,以下详细地进行说明。
一般而言,电压控制型振荡器由振动元件1、IC部件110等振荡电路部以及包含作为电子部件的可变电容二极管的控制电压端子等构成,作为重要的形式存在利用控制电压使振动元件1的振荡频率可变的频率可变范围。由于该频率可变范围是传送通信设备等需要的APR(绝对频率可变范围)与频率容许偏差(频率常温偏差、频率温度特性、因电源电压的频率变动、因负载的频率变动、因回流的频率变动、因经时变化的频率变动)的和,因此,关于电压控制型振荡器,振荡器自身补偿因振荡器的外部环境或振荡电路条件的变化造成的频率变化量。因此,由于取得较宽的频率可变范围能够缓和因制造或设计引起的频率容许偏差,因此在提高电压控制型振荡器的制造成品率的方面非常重要。
这里,电压控制型振荡器的频率可变敏感度S由下述式(1)表示。
S=-△CL/(2×γ×C0×(1+CL/C0)2)···(1)
这里,△CL为负载电容变化,γ为电容比(C0/C1),C0为等价并联电容,CL为负载电容。
根据式(1),如果由振荡电路构成的负载电容CL恒定,则频率可变敏感度S由振动元件1的等价并联电容C0和电容比γ决定,特别是电容比γ的影响较大。因此,通过使用电容比γ较小的振动元件1,能够增大电压控制型振荡器的频率可变敏感度S,能够得到频率可变量较大的电压控制型振荡器。
并且,降低了振动元件1的共振频率附近的不必要寄生振荡的产生,因此具有可得到S/N比良好的电压控制型振荡器的效果。
<电子设备>
接着,对应用了本发明的振子10(振动元件1)的电子设备(本发明的电子设备)进行说明。
图20是示出应用了本发明的电子设备的便携式(或者笔记本型)的个人计算机的结构的立体图。在该图中,个人计算机1100由具有键盘1102的主体部1104和具有显示部1000的显示单元1106构成,显示单元1106经由铰链构造部可转动地支撑于主体部1104。这种个人计算机1100内设有作为过滤器、共振器、基准时钟等发挥功能的振子10(振动元件1)。
图21是示出应用了本发明的电子设备的移动电话(也包含PHS)的结构的立体图。在该图中,移动电话1200具有多个操作按钮1202、听筒口1204和话筒口1206,在操作按钮1202和听筒口1204之间配置有显示部1000。这种移动电话1200内设有作为过滤器、共振器等发挥功能的振子10(振动元件1)。
图22是示出应用了本发明的电子设备的数码照相机的结构的立体图。另外,该图简单地表示出与外部设备之间的连接。这里,普通的照相机利用被摄体的光像来使银盐照片胶卷感光,而数码照相机1300利用CCD(ChargeCoupledDevice:电荷耦合器件)等拍摄元件将被摄体的光像进行光电转换,生成拍摄信号(图像信号)。
在数码照相机1300的壳体(主体)1302的背面设置有显示部1000,采用根据CCD的拍摄信号进行显示的结构,显示部1000作为将被摄体显示为电子图像的取景器发挥功能。并且,在壳体1302的正面侧(图中背面侧)设置有包含光学透镜(拍摄光学系统)或CCD等受光单元1304。
当摄影者确认在显示部1000上显示的被摄体图像,并按下快门按钮1306时,该时间点的CCD的拍摄信号被传送并保存到存储器1308。并且,在该数码照相机1300中,在壳体1302的侧面设置有视频信号输出端子1312和数据通信用的输入输出端子1314。并且,如图所示,根据需要,视频信号输出端子1312与电视监视器1330连接,数据通信用的输入输出端子1314与个人计算机1340连接。此外,采用如下的结构:通过规定的操作,将保存在存储器1308中的拍摄信号输出到电视监视器1330或个人计算机1340。在这种数码照相机1300中内设有作为过滤器、共振器等发挥功能的振子10(振动元件1)。
另外,具有本发明的振动元件的电子设备除了可以应用于图20的个人计算机(便携式个人计算机)、图21的移动电话、图22的数码照相机,还可以应用于例如喷墨式排出装置(例如喷墨打印机)、笔记本型个人计算机、电视机、视频摄像机、录像机、汽车导航装置、寻呼机、电子笔记本(也包含带通信功能的笔记本)、电子词典、计算器、电子游戏设备、文字处理器、工作站、电视电话、防犯用电视监视器、电子望远镜、POS终端、医疗设备(例如电子体温计、血压计、血糖计、心电图测量装置、超声波诊断装置、电子内窥镜),鱼群探测仪、各种测定设备、计量仪器类(例如,汽车、航空机、船舶的计量仪器类)、飞行模拟器等。
<移动体>
接着,对应用了本发明的振子10(振动元件1)的移动体(本发明的移动体)进行说明。
图23是简要地示出作为本发明的移动体的一例的汽车的立体图。在汽车1400上搭载振子10(振动元件1)。振子10可以广泛应用于无匙进入装置、防盗器、汽车导航系统、汽车空调、刹车防抱死系统(ABS)、安全气囊、轮胎检测系统(TPMS:TirePressureMonitoringSystem)、发动机控制单元、混合动力汽车和电动汽车的电池监视器、车体姿势控制系统等电子控制单元(ECU:electroniccontrolunit)。
以上,根据图示的实施方式对本发明的振动元件1、1a~1m、振子10、振荡器100、电子设备和移动体进行了说明,但是本发明并不限于此,可以将各部分的结构置换成具有相同的功能的任意的结构。并且,在本发明中也可以添加其他任意的结构。并且,也可以适当组合上述的各实施方式。
Claims (13)
1.一种振动元件,其特征在于,
所述振动元件包含:
基板,其包含彼此处于正背关系的第1主面和第2主面;
第1激励电极,其设置于所述第1主面;
第2激励电极,其设置于所述第2主面;以及
第1引出电极,其设置于所述第1主面,与所述第1激励电极连接,
所述第1引出电极包含:第1电极部;以及第2电极部,其从所述第1电极部沿第1方向延伸,与所述第1激励电极连接,
所述第2电极部的与所述第1方向交叉的第2方向的宽度比所述第1电极部窄,
在设所述第1激励电极的面积为S1,俯视时所述第2电极部与所述第2激励电极的重叠部分的面积为S2时,满足(S2/S1)≤0.1。
2.根据权利要求1所述的振动元件,其特征在于,
所述重叠部分的沿着所述第1方向的长度为20μm以下。
3.根据权利要求1或2所述的振动元件,其特征在于,
在俯视时,所述第1激励电极配置在所述第2激励电极的范围内。
4.根据权利要求1或2所述的振动元件,其特征在于,
在设所述基板的厚度为t,所述第1激励电极的沿着所述第2方向的长度为a时,满足(-1049×t+57)≤(a/t)≤(-64.4×t+57)。
5.根据权利要求3所述的振动元件,其特征在于,
在设所述基板的厚度为t,所述第1激励电极的沿着所述第2方向的长度为a时,满足(-1049×t+57)≤(a/t)≤(-64.4×t+57)。
6.根据权利要求1或2所述的振动元件,其特征在于,
在设所述基板的厚度为t,所述第1激励电极的沿着所述第1方向的长度为b时,满足(-823×t+42)≤(b/t)≤(-120×t+42)。
7.根据权利要求3所述的振动元件,其特征在于,
在设所述基板的厚度为t,所述第1激励电极的沿着所述第1方向的长度为b时,满足(-823×t+42)≤(b/t)≤(-120×t+42)。
8.根据权利要求4所述的振动元件,其特征在于,
在设所述基板的厚度为t,所述第1激励电极的沿着所述第1方向的长度为b时,满足(-823×t+42)≤(b/t)≤(-120×t+42)。
9.根据权利要求5所述的振动元件,其特征在于,
在设所述基板的厚度为t,所述第1激励电极的沿着所述第1方向的长度为b时,满足(-823×t+42)≤(b/t)≤(-120×t+42)。
10.一种振子,其特征在于,所述振子具有:
权利要求1或2所述的振动元件;以及
封装,其收容所述振动元件。
11.一种振荡器,其特征在于,所述振荡器具有:
权利要求1或2所述的振动元件;以及
电路,其驱动所述振动元件。
12.一种电子设备,其特征在于,
所述电子设备具有权利要求1或2所述的振动元件。
13.一种移动体,其特征在于,
所述移动体具有权利要求1或2所述的振动元件。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110176913A (zh) * | 2018-02-20 | 2019-08-27 | 精工爱普生株式会社 | 振动元件、振子、振荡器、电子设备以及移动体 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6760430B1 (ja) * | 2019-03-27 | 2020-09-23 | 株式会社大真空 | 水晶振動デバイス |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0629772A (ja) * | 1992-07-09 | 1994-02-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電振動子 |
WO2013027381A1 (ja) * | 2011-08-22 | 2013-02-28 | セイコーエプソン株式会社 | 振動素子、振動子、電子デバイス、及び電子機器 |
CN102957394A (zh) * | 2011-08-18 | 2013-03-06 | 精工爱普生株式会社 | 振动元件、振子、电子装置、电子设备、移动体及振动元件的制造方法 |
CN102957396A (zh) * | 2011-08-19 | 2013-03-06 | 精工爱普生株式会社 | 振动元件、振子、电子装置、电子设备及移动体 |
JP2013207536A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Seiko Epson Corp | 振動素子、振動子、電子デバイス、および電子機器 |
CN103368518A (zh) * | 2012-03-27 | 2013-10-23 | 精工爱普生株式会社 | 振动元件、振子、电子器件、电子设备以及移动体 |
CN103475329A (zh) * | 2012-06-06 | 2013-12-25 | 精工爱普生株式会社 | 振动元件及其制造方法、振子、电子器件、电子设备 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10321640A (ja) | 1997-05-16 | 1998-12-04 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2001024470A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-01-26 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 超高周波atカット水晶振動子 |
JP2003198300A (ja) | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Seiko Epson Corp | 圧電振動片の製造方法、圧電振動片の電極形成用マスク、圧電振動片、圧電振動子及び圧電発振器 |
JP2006005676A (ja) * | 2004-06-17 | 2006-01-05 | Epson Toyocom Corp | 水晶振動子とその製造方法 |
JP2006311015A (ja) | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Seiko Epson Corp | 圧電振動片及び圧電振動子 |
JP4967707B2 (ja) | 2006-05-01 | 2012-07-04 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電振動子およびその製造方法 |
JP5104867B2 (ja) | 2007-08-03 | 2012-12-19 | 株式会社大真空 | 圧電振動子 |
JP5340788B2 (ja) | 2008-09-29 | 2013-11-13 | 日本電波工業株式会社 | 水晶振動片及び水晶振動子 |
JP5428735B2 (ja) | 2009-10-14 | 2014-02-26 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電デバイス |
JP5446941B2 (ja) | 2010-01-29 | 2014-03-19 | 株式会社大真空 | 圧電振動片 |
JP5796355B2 (ja) | 2011-06-03 | 2015-10-21 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電振動素子、圧電振動子、電子デバイス、及び電子機器 |
TW201251157A (en) | 2011-06-03 | 2012-12-16 | Seiko Epson Corp | Piezoelectric vibration element, manufacturing method for piezoelectric vibration element, piezoelectric vibrator, electronic device, and electronic apparatus |
JP2014007693A (ja) * | 2012-06-27 | 2014-01-16 | Seiko Epson Corp | 振動素子、振動子、電子デバイス、電子機器、及び移動体 |
JP6015010B2 (ja) | 2012-01-27 | 2016-10-26 | セイコーエプソン株式会社 | 振動素子、振動子、発振器および電子機器 |
JP6179104B2 (ja) | 2013-01-18 | 2017-08-16 | セイコーエプソン株式会社 | 振動素子、振動子、発振器、電子機器および移動体 |
-
2014
- 2014-07-17 JP JP2014146541A patent/JP2016025408A/ja not_active Withdrawn
-
2015
- 2015-07-10 CN CN201510404180.4A patent/CN105281700B/zh active Active
- 2015-07-16 US US14/801,071 patent/US9793875B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0629772A (ja) * | 1992-07-09 | 1994-02-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電振動子 |
CN102957394A (zh) * | 2011-08-18 | 2013-03-06 | 精工爱普生株式会社 | 振动元件、振子、电子装置、电子设备、移动体及振动元件的制造方法 |
CN102957396A (zh) * | 2011-08-19 | 2013-03-06 | 精工爱普生株式会社 | 振动元件、振子、电子装置、电子设备及移动体 |
WO2013027381A1 (ja) * | 2011-08-22 | 2013-02-28 | セイコーエプソン株式会社 | 振動素子、振動子、電子デバイス、及び電子機器 |
CN103368518A (zh) * | 2012-03-27 | 2013-10-23 | 精工爱普生株式会社 | 振动元件、振子、电子器件、电子设备以及移动体 |
JP2013207536A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Seiko Epson Corp | 振動素子、振動子、電子デバイス、および電子機器 |
CN103475329A (zh) * | 2012-06-06 | 2013-12-25 | 精工爱普生株式会社 | 振动元件及其制造方法、振子、电子器件、电子设备 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110176913A (zh) * | 2018-02-20 | 2019-08-27 | 精工爱普生株式会社 | 振动元件、振子、振荡器、电子设备以及移动体 |
CN110176913B (zh) * | 2018-02-20 | 2023-07-04 | 精工爱普生株式会社 | 振动元件、振子、振荡器、电子设备以及移动体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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