CN105280842B - 用于在oled制程中量测子像素偏移量的方法 - Google Patents

Abstract

本公开提供一种用于在OLED制程中量测子像素偏移量的方法，包括以下步骤：将OLED材料透过掩模板上的镂空部蒸镀到基板上的显示屏单元，显示屏单元包含有效区域和该有效区域外围的外围测量区域，所述OLED材料在该有效区域内形成多个有效子像素，在该外围测量区域内形成多个虚设子像素；及利用UV光使OLED材料的至少部分所述虚设子像素受激发光并测量该虚设子像素相对于所对应位于该基板上的发光单元预定位置的偏移量。

Description

用于在OLED制程中量测子像素偏移量的方法

技术领域

本公开总地涉及一种量测OLED的基板上子像素偏移量的方法，具体而言，涉及用于在OLED制程中量测其基板上子像素偏移量的方法。

背景技术

随着OLED制造的高分辨率与高产量的趋势,对于镀膜精准度的要求越来越高,因此，如何准确快速的进行镀膜的偏移量的测量及对于偏移量的补偿对于实现上述要求至关重要。

图1、2分别示出了利用镀膜设备进行OLED子像素镀膜的主视图和俯视图。镀膜设备包括蒸发源1、金属框架2、掩模板3及玻璃基板4，掩模板3例如为高精度金属掩模板(FineMetal Mask，FMM)，其上具有镂空部31，并固定在金属框架2上，蒸镀前，将玻璃基板4与掩模板3对位设置，即，使玻璃基板4上的发光单元41的预设位置与镂空部31相对应，蒸发盛有OLED材料的蒸发源1，使OLED材料经由掩模板3上的镂空部31沉积在玻璃基板4的发光单元41上，形成RGB等子像素P，如图3、4所示。接着，以同样的方式，利用其它布局的掩模板在玻璃基板4上堆叠形成多层结构，以分别形成三层子像素。直到OLED制程完全结束，对玻璃基板4通电，使其发光，观察通电后发光单元41与OLED材料的蒸镀的子像素之间是否存在偏移，并测量偏移量。

接着，通过移动玻璃基板4或掩模板3进行该偏移量的补偿，以避免再次发生偏移。

然而，上述偏移测量步骤必须在OLED制程完全结束后对玻璃基板4通电，才能进行，因此，即使检测并补偿偏移，实际上偏移的蒸镀层已经严重影响了后续制程，无法对大批量生产出的存在缺陷的基板进行弥补，因此无法使用。

因此，现在的偏移测量方法只能在制程完成后才能发现、测量偏移量，导致制程效率降低，浪费原料，使得废品率提升。

因此，需要一种量测OLED的基板上子像素偏移量的方法，以及早的发现镀膜偏移,提高制程效率、产品合格率。

在所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

公开了一种用于在OLED制程中量测子像素偏移量的方法，以及早的发现镀膜偏移,提高制程效率、产品合格率。

本公开的额外方面和优点将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将从描述中变得显然，或者可以通过本公开的实践而习得。

根据本公开的一个方面，一种用于在OLED制程中量测子像素偏移量的方法，包括以下步骤：将OLED材料透过掩模板上的镂空部蒸镀到基板上的显示屏单元，显示屏单元包含有效区域和该有效区域外围的外围测量区域，所述OLED材料在该有效区域内形成多个有效子像素，在该外围测量区域内形成多个虚设子像素；及利用UV光使OLED材料的至少部分所述虚设子像素受激发光并测量该虚设子像素相对于所对应位于该基板上的发光单元预定位置的偏移量。

附图说明

通过参照附图详细描述其示例实施方式，本公开的上述和其它特征及优点将变得更加明显。

图1示出利用现有的镀膜设备进行镀膜的主视图。

图2示出利用现有的镀膜设备进行镀膜的俯视图。

图3示出在基板上形成子像素的主视图。

图4示出在基板上形成子像素的俯视图。

图5示出OLED显示屏单元及其周围的外围测量区域的示意图。

图6示出观察到的外围测量区域内的子像素偏移示意图。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中，为了清晰，夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。

所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本公开的各方面。

实施方式1

请一并参照图5及图6，本实施方式提供一种用于在OLED制程中量测子像素偏移量的方法，用于测量镀膜形成的子像素与相应的发光单元之间的偏移量，包括以下步骤：

步骤1：将OLED材料透过掩模板3上的镂空部31蒸镀到基板4上形成多个子像素，使子像素与基板4上的发光单元41相对应以形成OLED显示屏单元43。如图5，OLED显示屏单元43包括有效区域A1和有效区域A1外围的外围测量区域A2，形成在有效区域A1内的子像素定义为有效子像素P1，形成在外围测量区域A2内子像素定义的形成虚设子像素P2，有效子像素P1和虚设子像素P2的分布情况相同；及

步骤2：请参照图6，图6是图5中外围测量区域A2的部分放大图，例如是区域A2-1的放大图。其中R、G、B分别表示红、绿、蓝OLED材料实际蒸镀于基板外外围测量区域A2虚设子像素P2的位置，而r、g、b则表示预定红、绿、蓝发光单元的位置，虚设子像素的面积大于发光单元的面积。利用UV光使OLED材料的红色虚设子像素R受激发光，观察并测量红色虚设子像素R相对于所对应的红色发光单元r预定位置的偏移量D1，而外围测量区域A2内的虚设子像素P2的偏移量与有效区域内A1的有效子像素P1的偏移量D2一致，偏移量D2与掩模板3相对于基板4的偏移量D3一致，因此，通过观察并测量偏移量D1，即可确定偏移量D3。

本实施方式中，是利用配备UV光源的测量显微镜观察虚设子像素P2图像，UV光源是通过光纤的方式传递并照射于基板4上的外围测量区域A2处，该UV光照射范围在0.5mm以内。可在外围测量区域A2内的多处区域进行测量，例如图5所示的有效区域A1外围的多个圈出的测量部分A2-1、A2-2……。对于每个块状单元的外围区域的量测位置及量测点的数量并不限制。图6示出观察到的外围测量区域A2内的虚设子像素P2偏移示意图。其中，以预定红色发光单元r的偏移为例，预定红色发光单元r的发光单元的中心为O1，蒸镀形成有机材料的虚设子像素R的中心为O2，图中示出了中心O1与O2的偏移量D1，该偏移量D1包括预定发光单元的中心O1与虚设子像素R的中心O2在X,Y方向的横向偏移和纵向偏移ΔX和ΔY。用同样的方式可测量OLED显示屏单元43的外围测量区域中多个虚设子像素R的偏移量，进而求出有效区域内A1的有效子像素R的平均偏移量D2，并根据该平均偏移量得知基板或掩模板的平均偏移量D3。

另外，确定偏移量D3后，还可进一步执行步骤3：将所测量的偏移量数值反馈给OLED制程的镀膜设备,该镀膜设备根据该偏移量数值调整基板4或掩模板3的位置，或者基板4与掩模板3的位置均加以调整，使二者对齐，以达到偏移补偿的目的。

上述的子像素偏移量的方法，是利用UV光通过激发并观察有效区域外围的外围测量区域内的OLED材料的子像素位置，从而确定子像素的偏移量。因此，无需等待电路制程完成后再对基板上的发光单元通电使其发光，即可提前获得子像素的偏移量。

实务中，掩模板3为固定在金属外框2上，整体重量较重，不便于移动，因此，在本优选实施方式中，镀膜设备的补偿动作是调整基板4，从而使得掩模板3上的镂空部31与基板4上的发光单元41对齐。

实施方式2

本实施方式与实施方式1大致相同，区别之处在于：实施方式1是测量一个OLED显示屏单元43的外围测量区域中多个虚设子像素的偏移量D1，进而得到掩模板3相对于基板4的偏移量D3，并进行补偿调整；实施方式2所测量的外围测量区则不限定于一个OLED显示屏单元43的外围测量区域。通常一个掩模板3可以涵盖多个OLED显示屏单元43，因而为了求得更精确的掩模板3相对于基板4的偏移量D3，实施方式2可在多个OLED显示屏单元43的外围测量区域中测量多个虚设子像素的偏移量D1。在本优选实施方式中，例如是选择分布在掩模板3上、下、左及右侧的多个OLED显示屏单元43的外围测量区域进行量测，如此可以得到更精确的平均偏移量D1，使得掩模板3相对于基板4的偏移量调整更为准确。

关于偏移量的测量方式与实施方式1相同，故不在此赘述。

本公开的OLED制程中量测子像素偏移量的方法可在每次蒸镀形成一层子像素膜后实施，从而能及时发现并补偿偏移。

综上所述，本公开是通过激发并观察有效区域外围的外围测量区域内的OLED材料的子像素，并依据该子像素的偏移确定掩模板相对于基板的偏移量，因此，本公开可以在OLED制程中实施，不必如现有技术那样，必须等到OLED基板蒸镀以及后续电路制程完全完成后，对基板通电来检测偏移量。因此，本公开能够及早的发现并补偿镀膜偏移,提高制程效率、产品合格率，且本公开的方法易于操作，量测精度高。

以上具体地示出和描述了本公开的示例性实施方式。应该理解，本公开不限于所公开的实施方式，相反，本公开意图涵盖包含在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等效布置。

Claims (10)

1.一种用于在OLED制程中量测子像素偏移量的方法，包括以下步骤：

将OLED材料透过掩模板上的镂空部蒸镀到基板上的显示屏单元，显示屏单元包含有效区域和该有效区域外围的外围测量区域，所述OLED材料在该有效区域内形成多个有效子像素，在该外围测量区域内形成多个虚设子像素；及

利用UV光使OLED材料的至少部分所述虚设子像素受激发光并测量该虚设子像素相对于所对应位于该基板上的发光单元预定位置的偏移量。

2.如权利要求1所述的量测子像素偏移量的方法，其中，所述多个虚设子像素的面积大于所述发光单元的面积。

3.如权利要求1所述的量测子像素偏移量的方法，其中，该偏移量包括横向偏移量和纵向偏移量。

4.如权利要求3所述的量测子像素偏移量的方法，其中，该横向偏移量是指虚设子像素的中心相对于所对应的发光单元的中心在横向的偏移量，该纵向偏移量是指虚设子像素的中心相对于所对应的发光单元的中心在纵向的偏移量。

5.如权利要求1所述的量测子像素偏移量的方法，其中，利用配备UV光源的测量显微镜观察所述虚设子像素图像，并测量所述偏移量。

6.如权利要求5所述的量测子像素偏移量的方法，其中，该UV光源是通过光纤的方式传递并照射于OLED基板上。

7.如权利要求1所述的量测子像素偏移量的方法，还包括：

将所测量的虚设子像素的偏移量数值反馈给OLED制程的镀膜设备,该镀膜设备根据该偏移量数值调整该基板或该掩模板的位置，使该基板与掩模板对齐。

8.如权利要求1所述的量测子像素偏移量的方法，其中，该基板包括多个显示屏单元，且所述偏移量测量更包括测量不同显示屏单元外围测量区域的多个虚设子像素相对于其所对应的该基板上的发光单元预定位置的偏移量。

9.如权利要求8所述的量测子像素偏移量的方法，其中，在多个外围测量区域内的多个位置分别测量偏移量，并计算平均偏移量，该平均偏移量作为调整该掩模板相对于该基板的偏移量。

10.如权利要求1-9中任一项所述的量测子像素偏移量的方法，其中，在测量偏移量之前未完成基板上的电路制程。