CN105280528A - 用于处理基板的设备及方法 - Google Patents

Abstract

本发明构思的实施例提供了一种用于处理基板的设备及方法。所述设备包括：基板支撑单元，所述基板支撑单元用于支撑基板；以及液体供应单元，所述液体供应单元将处理液供应到基板支撑单元所支撑的基板上。所述液体供应单元包括：将处理液排放到基板上的喷嘴；将处理液供应到喷嘴的液体供应管线；安装在液体供应管线上的混合构件；在混合构件内形成的混合空间；以及连接到混合构件以将气体供应到混合空间的气体供应管线。所述混合构件包括：壳体，所述壳体在其内部形成有混合空间；以及流入孔，所述流入孔与壳体相通以使通过所述流入孔供应的气体在混合空间内与处理液混合以形成纳米级气泡。这样，这些气泡可被提供到各个图案之间的纳米级空间内。

Description

用于处理基板的设备及方法

技术领域

本发明构思涉及一种用于使用液体来处理基板的设备及方法。

背景技术

为了制造半导体装置或液晶显示装置，需要进行各种工艺过程(例如，光刻、刻蚀、除尘、离子注入和沉积过程)。在每一过程之前和之后，为去除在每一过程中生成的污染物和/或微粒，需要进行清洁过程。

清洁过程是将处理液供应到基板上以去除附着在基板上的污染物和/或微粒的过程。进行清洁过程的设备可以包括处理液喷嘴和超声喷嘴。图1为示出了进行清洁过程的普通设备的处理液喷嘴和超声喷嘴的剖视图。参见图1，处理液喷嘴2可以将处理液供应到基板上，而超声喷嘴4可以为供应到基板上的处理液提供超声波。使用该超声波可以在所提供的处理液中形成气泡。这些气泡在超声波下可以反复收缩和膨胀从而破灭，通过气泡破灭期间生成的激波可以将附着在基板上的微粒去除。

然而，由超声波形成的气泡的直径可能在几微米到几十微米的范围内。然而，在基板上可能形成有多个图案，各个图案之间的距离可能在几纳米到几十纳米的范围内。因此，超声波形成的气泡很难进入到各个图案之间的空间内。换言之，很难去除各个图案之间的空间内的微粒。

所提供的气泡可能是不稳定的，且这些气泡可能在进入到各个图案之间的空间之前就破灭了。

发明内容

本发明构思的实施例可以提供一种用于处理基板的设备及方法，能够提高清洁力以清洁附着到基板上的微粒。

本发明构思的实施例还可以提供一种用于处理基板的设备及方法，能够去除各个图案之间的纳米级空间内所附着的微粒。

一方面，用于处理基板的设备可以包括：基板支撑单元，所述基板支撑单元支撑基板；以及液体供应单元，所述液体供应单元将处理液供应到所述基板支撑单元所支撑的基板上。所述液体供应单元可以包括：将所述处理液排放到基板上表面的喷嘴；将所述处理液供应到所述喷嘴的液体供应管线；安装在所述液体供应管线上的混合构件，所述混合构件在其内部形成有混合空间；以及连接到所述混合构件以将气体供应到所述混合空间的气体供应管线。所述混合构件可以包括：壳体，所述壳体在其内部形成有混合空间；以及流入孔，所述流入孔与所述壳体相通以使通过所述流入孔供应的气体在所述混合空间内与所述处理液混合以形成纳米级气泡。

在实施例中，所述用于处理基板的设备可以进一步包括：安装在所述液体供应管线上的液体流速调节器，所述液体流速调节器控制处理液的第一流速；安装在所述气体供应管线上的气体流速调节器，所述气体流速调节器控制气体的第二流速；以及控制器，所述控制器控制所述液体流速调节器和所述气体流速调节器中的至少一个，以使所述第二流速大于所述第一流速。在实施例中，所述用于处理基板的设备可以进一步包括：从所述液体供应管线的某部分上分叉的排出管线，所述排出管线设置在所述处理液的供应方向上所述混合构件的下游；以及测量所述第一流速和所述第二流速的流速测量单元。在实施例中，所述用于处理基板的设备可以进一步包括：安装在所述液体供应管线上的供应阀，所述供应阀设置在所述处理液的供应方向上在所述排出管线分叉所在点的下游；和安装在所述排出管线上的排出阀。所述控制器可以根据从所述流速测量单元接收的数据控制所述供应阀和所述排出阀。在实施例中，如果接收的数据为正常状态，则所述控制器打开所述供应阀以打开所述液体供应管线；如果接收的数据为错误状态，则所述控制器打开所述排出阀以打开所述排出管线。所述正常状态是指气泡的直径等于或小于1微米，所述错误状态是指气泡的直径大于1微米。在实施例中，所述第一流速可以对应于第一压力，所述第二流速可以对应于第二压力。所述控制器可以控制所述液体流速调节器和所述气体流速调节器中的至少一个，以使所述第一压力与所述第二压力之差为100kpa或小于100kpa。

另一方面，用于处理基板的方法可以包括：将气体供应到处理液，以使所述处理液与所述气体相混合；然后，将混合有气体的处理液供应到基板上以处理所述基板。所述气体可以与所述处理液相混合以在所述处理液中形成纳米级气泡。

在实施例中，所述将气体供应到处理液可以包括：调节处理液的第一流速和气体的第二流速中的至少一个，以使所述第二流速大于所述第一流速。根据所述气泡的直径，可以将处理液供应到基板上或者将其收集起来。如果所述气泡的直径等于或小于预定尺寸，则将处理液供应到基板上；如果所述气泡的直径大于预定尺寸，则将处理液收集起来。在实施例中，所述预定尺寸可以为1微米。在实施例中，所述第一流速可以对应于第一压力，所述第二流速可以对应于第二压力。在实施例中，所述调节第一流速和第二流速中的至少一个可以包括：调节所述第一压力和所述第二压力中的至少一个，以使所述第一压力与所述第二压力之差为100kpa或小于100kpa。

附图说明

参照附图和详细描述，本发明构思将变得更加显而易见。

图1为示出了进行清洁过程的普通设备的处理液喷嘴和超声喷嘴的剖视图；

图2为示出了根据本发明构思的示例性实施例所述的用于处理基板的设备的俯视图；

图3为示出了图2的基板处理设备的剖视图；

图4为示出了图3的液体供应单元的液体供应构件的剖视图；

图5和图6为示出了使用图4的液体供应构件供应处理液的过程的剖视图；

图7为使用图4的液体供应构件供应处理液的过程的流程图。

具体实施方式

下文将参照附图详细描述本发明构思，其中，在附图中示出了本发明构思的示例性实施例。通过下文中将参照附图进行详细描述的示例性实施例，本发明构思的优势和特征以及实现本发明构思的方法将是显而易见的。然而，应该注意的是，本发明构思不限于下述示例性实施例，其也可以以其他多种不同形式来实施。因此，下述示例性实施例仅用于公开本发明构思，并让本领域技术人员了解本发明构思的类型。在附图中，本发明构思的实施例不限于本文所提供的具体实施例，为清楚起见，这些实施例可以进行放大。

本文所使用的术语仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限定本发明构思。如本文所使用的单数形式的术语“一个”和“该/所述”还包含复数形式，除非上下文清楚指出并非如此。如本文所使用的术语“和/或”包括所列出的相关项目中的任意一个或多个、或者它们的所有组合。应当理解的是，当某元件被描述为“连接到”或“结合到”另一元件时，可以是该元件直接连接到、或直接结合到另一元件，也可以存在中介元件。

相似地，应当理解的是，当某元件(例如层、区域或基板)被描述为“在(另一元件)上”时，可以是指该元件直接在另一元件上，也可以存在中介元件。与此相反，术语“直接”则意味着没有中介元件。还应当理解的是，在该说明书中所使用的术语“包括”和/或“含有”是指存在所述的特征、整体、步骤、操作、元件、和/或组件，但是不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件、和/或以上的组合。

此外，具体实施方式中的实施例将通过作为本发明构思的理想示例性附图的剖视图来进行描述。相应地，可以根据制作工艺和/或允许的误差调整示例性附图的形状。因此，本发明构思的实施例不限于示例性附图中所示出的具体形状，还可以包括根据制作工艺所形成的其他形状。附图中示例说明的区域具有常规属性，能够用于描述元件的具体形状。因此，这些具体形状不能被解释为限制本发明构思的范围。

还应当理解的是，虽然本文可能使用术语“第一”、“第二”、“第三”等描述各元件，但是这些元件不应受限于这些术语。这些术语仅用于将某元件与另一元件相区分。因此，在不脱离本发明构思教导的情况下，一些实施例中的第一元件可在另一实施例中被称为第二元件。本文所解释和所示出的本发明构思的各方面的示例性实施例包括它们的互补性对应元件(complementarycounterpart)。在整个说明书中，相同的附图标记或相同的参考编号表示相同的元件。

此外，参照典型示例性附图的剖视图和/或俯视图对示例性实施例进行了描述。相应地，例如由于制作工艺和/或公差而形成的不同于附图形状的各种变型是可以预见的。因此，示例性实施例不应该被理解为限制本文所示区域的形状，而应该还包括例如源于制作工艺的形状的各种变型。例如，示出为矩形的刻蚀区域通常还具有圆形或弯曲的特征。因此，附图中示出的区域本质上是示意性的，它们的形状并不旨在示出装置的区域的实际形状，而且也不旨在限制示例性实施例的范围。

用清洁液对基板上形成的薄层进行清洁的过程被描述为本实施例的一个例子。例如，所述薄层可以由诸如铬(Ge)的材料形成。然而，本发明构思的实施例不限于该清洁过程。在其他实施例中，本发明构思的实施例可以应用到显影过程和刻蚀过程所使用的各种液体中。

在下文中，本发明构思的实施例将参照图2-7进行详细描述。

图2为示出了根据本发明构思的示例性实施例所述的用于处理基板的设备的俯视图。参见图2，用于处理基板的设备1可以包括索引模块10和过程处理模块20。索引模块10可以包括装载口120和传输框架140。装载口120、传输框架140和过程处理模块20可以依次设置在一条直线上。下文中，设置有装载口120、传输框架140和过程处理模块20的方向可以被限定为第一方向12，在俯视图中，垂直于第一方向12的方向可以被限定为第二方向14，而垂直于由第一方向12和第二方向14所限定的平面的方向可以被限定为第三方向16。

接收基板W的载体130可以被稳定地放置在装载口120上。可以提供多个装载口120，而且多个装载口120可以沿着第二方向14设置在一条直线上。根据过程处理模块20的处理效率和封装条件，可以增加或减少装载口120的数量。在载体130中可以形成有多个用于接收基板W的插槽(未示出)，这样，接收在插槽中的基板W能够与地面平行放置。前开式晶圆盒(FOUP)可以被用作载体130。

过程处理模块20可以包括缓冲单元220、传输腔室240和处理腔室260。传输腔室240可以设置为其轴向与第一方向12平行。处理腔室260可以设置在传输腔室240的两侧。分别设置在传输腔室240的一侧和另一侧的处理腔室260可以关于传输腔室240对称。可以在传输腔室240的一侧提供多个处理腔室260。某些处理腔室260可以沿着传输腔室240的轴向进行布置。某些处理腔室260可以依次堆叠。换言之，处理腔室260可以在传输腔室240的一侧以A×B矩阵的形式进行布置。这里，“A”表示设置在沿着第一方向12的直线上的处理腔室260的数量，“B”表示堆叠在沿着第三方向16的直线上的处理腔室260的数量。如果在传输腔室240的一侧提供了四个或六个处理腔室260，则处理腔室260可以以2×2或3×2矩阵形式进行布置。处理腔室260的数量可以增加或减少。在其他实施例中，处理腔室260可以只提供在传输腔室240的某一侧。在又一实施例中，处理腔室260可以布置在传输腔室240的一侧和/或两侧的单独一层中。

缓冲单元220可以设置在传输框架140与传输腔室240之间。缓冲单元220可以提供一空间，基板W在传输腔室240与传输框架140之间相互传输之前停留在该空间中。在缓冲单元220中可以提供有用于放置基板W的插槽(未示出)。在缓冲单元220中可以提供有多个插槽，并且缓冲单元220的多个插槽可以沿着第三方向16彼此间隔开。缓冲单元220可以具有面向传输框架140的开放侧以及面向传输腔室240的开放侧。

传输框架140可以在缓冲单元220与稳定放置在装载口120上的载体130之间传输基板W。在传输框架140中可以提供有索引轨道142和索引机械手144。索引轨道142可以提供为其轴向与第二方向14平行。索引机械手144可以安装在索引轨道142上，并且可以沿着索引轨道142在第二方向14上线性移动。索引机械手144可以包括基部144a、本体144b和索引臂144c。基部144a可以安装为沿着索引轨道142可移动。本体144b可以连接到基部144a。本体144b可以提供为沿着第三方向16在基部144a上可移动。此外，本体144b可以提供为在基部144a上可旋转。索引臂144c可以连接到本体144b，这样索引臂144c相对于本体144b可向前或向后移动。可以提供多个索引臂144c，且多个索引臂144c可以彼此独立驱动。多个索引臂144c可以依次堆叠并且在第三方向16上彼此间隔开。可以使用至少一个索引臂144c将基板W从过程处理模块20传输到载体130，而且可以使用至少一个其他索引臂144c将基板W从载体130传输到过程处理模块20。这样，当使用索引机械手144将基板W载入或卸载时，有可能防止从没有经历处理过程的基板W上产生的微粒附着到基板W上。

传输腔室240可以在缓冲单元220与处理腔室260之间、以及各个处理腔室260之间传输基板W。在传输腔室240中可以提供有导轨242和主机械手244。导轨242可以设置为其轴向与第一方向12平行。主机械手244可以安装在导轨242上，并且可以在导轨242上沿着第一方向12线性移动。主机械手244可以包括基部244a、本体244b和主体臂244c。基部244a可以安装为沿着导轨242可移动。本体244b可以连接到基部244a。本体244b可以提供为沿着第三方向16在基部244a上可移动。此外，本体244b可以提供为在基部244a上可旋转。主体臂244c可以连接到本体244b，以便其相对于本体244b可向前或向后移动。可以提供多个主体臂244c，且多个主体臂244c可以彼此独立驱动。多个主体臂244c可以依次堆叠并且在第三方向16上彼此间隔开。

在每个处理腔室260中可以提供有用于在基板W上进行清洁过程的基板处理设备300。基板处理设备300可以根据清洁过程的类型具有不同的结构。或者，处理腔室260的基板处理设备300可以具有相同的结构。可选地，处理腔室260可以被分成多组。在这种情况下，相同组中的基板处理设备300可以具有相同的结构，而分别包括在不同组中的基板处理设备300则可以具有彼此不同的结构。

图3为示出了图2的基板处理设备的剖视图。参见图3，基板处理设备300可以包括壳体320、自旋头340、提升单元360和液体供应单元。壳体320可以具有顶端开放的筒形。壳体320可以包括内收集容器322和外收集容器326。收集容器322、326可以分别收集处理过程中所使用的不同处理液。内收集容器322可以具有围绕自旋头340的环形形状，而外收集容器326可以具有围绕内收集容器322的环形形状。内收集容器322的内侧空间322a和内收集容器322与外收集容器326之间的空间326a可以各自作用为内收集容器322和外收集容器326的入口，处理液从这些入口流入。在一些实施例中，这些入口可以设置在彼此不同的高度上。收集管线322b、326b可以各自连接到收集容器322、326的底面上。流入到收集容器322、326中的处理液可以通过收集管线322b、326b被提供到外部处理液再生系统(未示出)以便回收利用。

自旋头340可以在处理期间支撑基板W并使基板W旋转。自旋头340可以相当于基板支撑单元。自旋头340可以包括本体342、支撑销344、卡盘销346和支撑轴348。从俯视图观察时，本体342可以具有基本为圆形的上表面。通过驱动部件349可旋转的支撑轴348可以固定连接到本体342的底面。

可以提供多个支撑销344。多个支撑销344可以布置在本体342上表面的边缘部上，并且可以从本体342的上表面向上突出。多个支撑销344可以以预定距离彼此间隔开。多个支撑销344可以以环形形状布置。多个支撑销344可以支撑基板W底面的边缘部，这样，基板W可以以预定距离与本体342上表面间隔开。

可以提供多个卡盘销346。卡盘销346可以设置为比支撑销344更加偏离本体342的中心。卡盘销346可以从本体342上表面向上突出。当自旋头340旋转时，卡盘销346可以支撑基板W的侧壁以防止基板W在给定位置横向偏离。卡盘销346可以在等候位置和支撑位置之间沿本体342的径向线性移动。等候位置与本体342中心之间的距离可以大于支撑位置与本体342中心之间的距离。当基板W装载到自旋头340上或从自旋头340上卸载下来时，卡盘销346可以放置在等候位置。当在基板W上进行处理过程时，卡盘销346可以放置在支撑位置。卡盘销346在支撑位置时可以与基板W的侧壁接触。

壳体320可以在上下方向上通过提升单元360线性移动。壳体320可以在上下方向上移动以改变壳体320相对于自旋头340的相对高度。提升单元360可以包括支架362、移动轴364和驱动单元366。支架362可以固定安装在壳体320的外侧壁上，并且移动轴364可以固定安装在支架362上。移动轴364可以在上下方向上通过驱动单元366移动。当基板W放置在自旋头340上或从自旋头240上脱离时，壳体320可以下降，这样，自旋头340可以从壳体320向上突出。此外，可以在处理过程中调整壳体320的高度以便使供应到基板W的处理液可以根据处理液类型进入到预定的相应的收集容器322、326中。在其他实施例中，提升单元360可以使自旋头340在上下方向上移动。

液体供应单元可以包括喷射构件380和液体供应构件400。喷射构件380可以将处理液喷射到由自旋头340所支撑的基板W上。喷射构件380可以包括支撑轴386、臂382和喷嘴390。支撑轴386可以设置在壳体320的一侧。支撑轴386可以具有杆状，其轴向平行于上下方向。支撑轴386可以通过驱动单元388旋转。或者，支撑轴386可以通过驱动单元388在水平方向上线性移动。臂382可以支撑喷嘴390。臂382可以与支撑轴386的顶端相结合。支撑轴386可以旋转，这样臂382可以摇摆。喷嘴390可以固定连接到臂382的端部的底面上。喷嘴390可以随着支撑轴386摇摆。喷嘴390可以在处理位置和待命位置之间摇摆移动。这里，处理位置可以是面向由自旋头340所支撑的基板W的位置，而待命位置可以是设置在处理位置之外的其他位置。例如，处理液可以是纯水(例如去离子水)。

液体供应构件400可以将处理液供应到喷嘴390。液体供应构件400可以供应含有气泡的处理液。图4为示出了图3的液体供应单元的液体供应构件的剖视图。液体供应构件400可以包括液体供应管线410、混合构件420、气体供应管线430、流速调节单元、流速测量单元、排出管线460和控制器500。液体供应管线410可以将液体供应罐416中存储的处理液供应到喷嘴390。液体供应管线410可以将液体供应罐416连接到喷嘴390。

混合构件420可以将处理液与气体相混合。混合构件420可以将处理液与气体相混合以在处理液中形成气泡。混合构件420可以包括壳体422和流入孔426。壳体422可以安装在液体供应管线410上。壳体422的内部可以提供有混合空间。通过混合空间可以将处理液供应到喷嘴390。流入孔426可以设置在壳体422的一侧上。通过气体供应管线430供应的气体可以通过流入孔426供应到混合空间内。流入孔426可以具有中空的筒形。流入孔426的内径可以朝着壳体422逐渐收缩。

气体供应管线430可以将气体供应罐436提供的气体供应到混合空间内。气体供应管线430可以将气体供应罐436连接到流入孔426。

流速调节单元可以调节处理液的第一流速和气体的第二流速。流速调节单元可以包括液体流速调节器440a和气体流速调节器440b。液体流速调节器440a可以调节通过液体供应管线410所供应的处理液的第一流速。液体流速调节器440a可以安装在液体供应管线410上。气体流速调节器440b可以调节通过气体供应管线430所供应的气体的第二流速。气体流速调节器440b可以安装在气体供应管线430上。例如，液体流速调节器440a和气体流速调节器440b可以是阀。

流速测量单元可以测量第一流速和第二流速。流速测量单元可以包括液体测量器450a和气体测量器450b。液体测量器450a可以测量通过液体供应管线410所供应的处理液的第一流速。液体测量器450a可以安装在液体供应管线410上。液体测量器450a可以位于液体供应管线410上的混合构件420与液体流速调节器440a之间。液体测量器450a可以测量通过液体流速调节器440a调节的处理液的第一流速。气体测量器450b可以测量通过气体供应管线430所供应的气体的第二流速。气体测量器450b可以安装在气体供应管线430上。气体测量器450b可以位于气体供应管线430上的混合构件420与气体流速调节器440b之间。气体测量器450b可以测量通过气体流速调节器440b调节的气体的第二流速。在一些实施例中，第一流速可以对应于处理液的压力，而第二流速可以对应于气体的压力。

排出管线460可以收集液体供应管线410所供应的处理液。排出阀462可以安装在排出管线460上。排出阀462可以打开或关闭排出管线460。排出管线460可以从液体供应管线410上分叉开。排出管线460在液体供应管线410上分叉的所在点可以设置在处理液的供应方向上混合构件420的下游。排出管线460分叉点的下游部分的液体供应管线410上可以安装有供应阀412。供应阀412可以提供或中断混合构件420中形成的含有气泡的处理液。

控制器500可以控制流速调节单元、供应阀412和排出阀462，以使处理液具有纳米级气泡。控制器500可以根据从流速测量单元接收的数据来控制流速调节单元、供应阀412和排出阀462。控制器500可以控制液体流速调节器440a和气体流速调节器440b中的至少一个，以便使气体的第二流速大于处理液的第一流速。控制器500可以将从液体测量器450a、气体测量器450b接收的数据与预定范围值相对比，从而控制供应阀412和排出阀462。如果接收的数据为正常状态，则控制器500可以打开供应阀412以供应含有气泡的处理液。如果接收的数据为错误状态，则控制器500可以打开排出阀462以收集含有气泡的处理液。本文中，正常状态是指处理液中气泡的直径等于或小于预定尺寸，而错误状态是指气泡的直径大于预定尺寸。在实施例中，预定尺寸可以为1微米。控制器500可以控制液体流速调节器440a和气体流速调节器440b中的至少一个，以这种方式，使第一流速与第二流速之差可以为100kpa或小于100kpa。

下文中，描述了使用上述液体供应构件400将处理液供应到喷嘴的过程。图5和图6为示出了使用图4的液体供应构件400供应处理液的过程的剖视图，图7为示出了使用图4的液体供应构件供应处理液的过程的流程图。参见图5-7，控制器500可以控制液体流速调节器440a，从而在喷嘴390位于待命位置的条件下以预定流速供应处理液。之后，控制器500可以控制气体流速调节器440b以预定流速供应气体。如果从流速测量单元接收的数据在预定范围值内，则控制器500可以控制排出阀462关闭排出管线460，并且可以控制供应阀412打开液体供应管线410。然后，将喷嘴390移动到处理位置，随后可以将含有直径为1微米或小于1微米的纳米级气泡的处理液供应到基板W的上表面。

根据本发明构思的实施例，可以在处理液中形成纳米级气泡，并且这些气泡的尺寸相当于或者小于基板上形成的各个图案之间的空间的尺寸。因此，这些气泡可以将进入到各个图案之间纳米级空间的微粒去除。

此外，根据本发明构思的实施例，纳米级气泡的尺寸可以小于超声波形成的气泡的微米级尺寸，因而降低了浮力对本发明构思的气泡的影响。结果是，纳米级气泡在处理液中的停留时间可以长于微米级气泡在处理液中的停留时间，并且纳米级气泡可以在停留时间内去除附着到基板上的微粒。

再者，根据本发明构思的实施例，纳米级气泡的尺寸可以小于超声波形成的气泡的微米级尺寸，因而纳米级气泡可以比超声波形成的气泡具有更强的范德华力。结果是，可以提高清洁过程中的清洁力。

进一步地，根据本发明构思的实施例，纳米级气泡可以具有相同性质的电荷。因此，各个纳米级气泡之间可以作用有排斥力，以防止因纳米级气泡相互结合而导致这些纳米级气泡尺寸增加。

虽然本发明构思已经参照示例性实施例进行了说明，但对本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本发明构思的精神和范围下可以做出各种改变或变型。因此，应当理解的是，上述实施例不是限制性的，而是说明性的。因此，本发明构思的保护范围应当由权利要求及其等价置换的最宽准许的解释来确定，而不应当由前述说明来限制或限定。

Claims (11)

1.一种用于处理基板的设备，其特征在于，所述设备包括：

基板支撑单元，所述基板支撑单元支撑基板；以及

液体供应单元，所述液体供应单元将处理液供应到所述基板支撑单元所支撑的基板上，

其中，所述液体供应单元包括：

将所述处理液排放到基板上表面的喷嘴；

将所述处理液供应到所述喷嘴的液体供应管线；

安装在所述液体供应管线上的混合构件，所述混合构件在其内部形成有混合空间；以及

连接到所述混合构件以将气体供应到所述混合空间的气体供应管线，

其中，所述混合构件包括：

壳体，所述壳体在其内部形成有所述混合空间；和

流入孔，所述流入孔与所述壳体相通以使通过所述流入孔供应的气体在所述混合空间内与所述处理液混合以形成纳米级气泡。

2.根据权利要求1所述的用于处理基板的设备，其特征在于，进一步包括：

安装在所述液体供应管线上的液体流速调节器，所述液体流速调节器控制所述处理液的第一流速；

安装在所述气体供应管线上的气体流速调节器，所述气体流速调节器控制所述气体的第二流速；以及

控制器，所述控制器控制所述液体流速调节器和所述气体流速调节器中的至少一个，以使所述第二流速大于所述第一流速。

3.根据权利要求2所述的用于处理基板的设备，其特征在于，进一步包括：

从所述液体供应管线的某部分上分叉的排出管线，所述排出管线设置在所述处理液的供应方向上所述混合构件的下游；以及

测量所述第一流速和所述第二流速的流速测量单元。

4.根据权利要求3所述的用于处理基板的设备，其特征在于，进一步包括：

安装在所述液体供应管线上的供应阀，所述供应阀设置在所述处理液的供应方向上在所述排出管线分叉所在点的下游；和

安装在所述排出管线上的排出阀，

其中，所述控制器根据从所述流速测量单元接收的数据控制所述供应阀和所述排出阀。

5.根据权利要求4所述的用于处理基板的设备，其特征在于，

如果接收的数据为正常状态，所述控制器打开所述供应阀以打开所述液体供应管线；

如果接收的数据为错误状态，所述控制器打开所述排出阀以打开所述排出管线，

其中，所述正常状态是指气泡的直径等于或小于1微米，

所述错误状态是指气泡的直径大于1微米。

6.根据权利要求2-5任一项所述的用于处理基板的设备，其特征在于，

所述第一流速对应于第一压力，

所述第二流速对应于第二压力，

其中，所述控制器控制所述液体流速调节器和所述气体流速调节器中的至少一个，以使所述第一压力与所述第二压力之差为100kpa或小于100kpa。

7.一种用于处理基板的方法，其特征在于，所述方法包括：

将气体供应到处理液，以使所述处理液与所述气体相混合；然后，

将混合有气体的处理液供应到基板上以处理所述基板；

其中，所述气体与所述处理液相混合以在所述处理液中形成纳米级气泡。

8.根据权利要求7所述的用于处理基板的方法，其特征在于，所述将气体供应到处理液包括：

调节处理液的第一流速和气体的第二流速中的至少一个，以使所述第二流速大于所述第一流速。

9.根据权利要求8所述的用于处理基板的方法，其特征在于，如果所述气泡的直径等于或小于预定尺寸，则将处理液供应到基板上；

如果所述气泡的直径大于预定尺寸，则将处理液收集起来。

10.根据权利要求9所述的用于处理基板的方法，其特征在于，所述预定尺寸为1微米。

11.根据权利要求8-10任一项所述的用于处理基板的方法，其特征在于，所述第一流速对应于第一压力，

所述第二流速对应于第二压力，

其中，所述调节第一流速和第二流速中的至少一个包括：

调节所述第一压力和所述第二压力中的至少一个，以使所述第一压力与所述第二压力之差为100kpa或小于100kpa。