CN105199397A - 一种可固化的有机聚硅氧烷组合物及半导体器件 - Google Patents
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Abstract
为了克服现有技术的耐硫化性能较差的缺陷，本发明提供了一种可固化的有机聚硅氧烷组合物及半导体器件，其在固化状态下，在温度25℃，湿度60％RH条件下的拉伸强度为2-8Mpa，断裂伸长率为35％-100％，折射率为等于或超过1.45，所述组合物包括：(A)包括R1 3SiO1/2单元、R2 2SiO2/2单元和R3SiO3/2单元的有机聚硅氧烷；(B)支化聚有机氢化硅氧烷，粘度为300-4000mPa·s，其中，每分子具有平均至少三个与硅键合的氢原子和至少一个芳族基团，所述芳族基团的含量大于10mol％；(C)用量足以促进该组合物固化的氢化硅烷化催化剂。与现有技术相比，本发明不仅保持有良好的耐冷热冲击性能、较高的折射率、较强的硬度，而且还具有优良的耐硫化性能和防潮性能。
Description
技术领域
本发明涉及一种有机硅组合物，特别涉及一种可固化的有机聚硅氧烷组合物，以及使用所述组合物固化构成的半导体器件。
背景技术
有机硅聚合物的基本结构单元是由硅氧链节构成，侧链则通过硅原子与其他各种有机基团相连。与其他高分子材料相比，有机硅聚合物具有如下突出性能：1.耐温特性，有机硅产品是以硅氧(Si－O)键为主链结构的，所以有机硅产品的热稳定性高，高温下(或辐射照射)分子的化学键不断裂、不分解。2.耐候性，有机硅产品的主链为－Si－O－，具有比其他高分子材料更好的热稳定性以及耐辐照和耐候能力，自然环境下具有较长的使用寿命。3.电气绝缘性能，有机硅产品都具有良好的电绝缘性能，其介电损耗、耐电压、耐电晕、体积电阻系数和表面电阻系数等均在绝缘材料中名列前茅，而且它们的电气性能受温度和频率的影响很小。因此，基于上述良好的综合性能，作为有机硅产品的一种，有机聚硅氧烷被广泛应用于LED光伏产业上。
专利申请公布号CN103342816A公开了一种可固化的有机聚硅氧烷组合物，应用在LED灯封装上，具有如下优点：极佳的粘结性、较强的硬度、优良的抗冷热冲击能力、透明度高等优点。
通常，LED灯封装件包括发光元件和LED支架，所述发光元件被固定在所述LED支架上，所述LED支架通常由金属基体构成，并在所述金属基体上设有镀银层，所述镀银层用于对发光元件光线的聚光或散光。将有机聚硅氧烷组合物涂布在所述发光元件和LED支架的镀银层上，并进行固化，即基本完成了对LED灯的封装。然而，现有技术中，LED灯封装件在长期使用过程中，环境空气中的硫会渐渐侵蚀到镀银层，导致该银层硫化变黑，进而导致光衰严重；此外，在潮湿环境中，空气中的水分逐渐渗透，也会导致发光元件出现问题，严重影响了LED灯的使用寿命。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是在保持良好的硬度性能、高折射率的前提下，克服现有技术的耐硫化性能和防潮性能较差的缺陷，提供一种耐硫化时间长和防潮性能优异的可固化的有机聚硅氧烷组合物。
为解决上述技术问题，本发明还提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括发光元件和固定所述发光元件的支架，其中，所述发光元件上涂布有本发明所述的可固化的有机聚硅氧烷组合物的固化物。
本发明提供的可固化的有机聚硅氧烷组合物，其在固化状态下，在温度25℃，湿度60％RH条件下的拉伸强度为2-8Mpa，断裂伸长率为35％-100％，折射率为等于或超过1.45，所述组合物包括：
(A)包括R1 3SiO1/2单元、R2 2SiO2/2单元和R3SiO3/2单元的有机聚硅氧烷，R1选自相同或不相同的链烯基、不含芳烃且不含脂肪族不饱和键的单价取代或未取代的烃基，R2选自相同或不相同的链烯基、芳族基团、不含芳烃且不含脂肪族不饱和键的单价取代或未取代的烃基，R3是芳族基团，其中，芳族基团的含量大于10mol％，链烯基的含量大于0.1mol/100g；
(B)支化聚有机氢化硅氧烷，粘度为300-4000mPa·s，其中，每分子具有平均至少三个与硅键合的氢原子和至少一个芳族基团，所述芳族基团的含量大于10mol％；
(C)用量足以促进该组合物固化的氢化硅烷化催化剂。
其中，所述组分(A)的分子结构是支链结构。组分(A)中的链烯基可用乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基和己烯基为代表，最优选为乙烯基。所述组分(A)中的不含芳烃且不含脂肪族不饱和键的单价取代或未取代的烃基，可包括下述基团：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基或类似的烷基，氯代甲基、3-氯丙基或类似的卤代烷基，最优选为甲基。所述组分(A)中的芳族基团可用苯基、甲苯基、二甲苯基和萘基为代表，以及苯乙基、苯丙基等类似的苯烷基，最优选为苯基。为了进一步提高本发明组合物获得的固化体的折射率，所述芳族基团的含量优选大于20mol％。为了进一步提高所述组分(A)和组分(B)的反应性，所述链烯基的含量优选为0.1-0.4mol/100g；本发明对在组分(A)在25℃下的粘度没有特别限制，可以为10-1000000mPa·s，优选为100-100000mPa·s。
所述(A)更优选为由上述R1 3SiO1/2单元、R2 2SiO2/2单元和R3SiO3/2单元组成。作为本发明的优选实施方式之一，所述(A)具有下述平均单元分子式，
(R3SiO3/2)a1(R2 2SiO2/2)a2(R1 3SiO1/2)a3，
其中R1选自相同或不相同的链烯基、单价取代或未取代的烷基，R2选自相同或不相同的链烯基、单价取代或未取代的烷基和芳族基团，R3是芳族基团。其中，0.1<a1<0.8，0.1<a2<0.6，0.02<a3<0.5，且a1+a2+a3＝1。R1中的链烯基可用乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基和己烯基为代表，最优选为乙烯基。所述R1中的单价取代或未取代的烷基，可包括下述基团：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基或类似的烷基，最优选为甲基。所述R1中的芳族基团可用苯基、甲苯基、二甲苯基和萘基为代表，以及苯乙基、苯丙基等类似的苯烷基，最优选为苯基。
所述(A)可进一步优选具有下述平均单元分子式，
(R3SiO3/2)a1(R21 2SiO2/2)a21(R21R22SiO2/2)a22(R1 3SiO1/2)a3，
其中R1选自前述的相同或不相同的链烯基、单价取代或未取代的烷基，R21是苯基，R22是单价取代或未取代的烷基，可包括下述基团：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基或类似的烷基，最优选为甲基。R3是前述的芳族基团，可用苯基、甲苯基、二甲苯基和萘基为代表，以及苯乙基、苯丙基等类似的苯烷基，最优选为苯基。0.1<a1<0.8，0.1<a21<0.4，0<a22<0.2，0.02<a3<0.5，且a1+a21+a22+a3＝1。
所述组分(B)为支化聚有机氢化硅氧烷，分子结构是支链结构。所述组分(B)作为交联剂而发生作用，本发明中，支链结构组分(B)中的SiH与支链结构组分(A)中的链烯基发生加成反应(氢化硅烷化)，由此形成交联的网状结构。所述组分(B)中的与硅键合的氢原子与组分(A)中的链烯基的摩尔量之比为0.9-2.0。组分(B)的粘度为300-4000mPa·s，在该粘度范围内的组分(B)与本发明的其他组分所组成的组合物，其固化后具有耐硫化时间长和优异的防潮性能，组分(B)的粘度进一步优选为1000-3000mPa·s。所述(B)组分包括R4 3SiO1/2单元和R5SiO3/2单元，其中R4选自相同或不相同的不含芳烃且不含脂肪族不饱和键的单价取代或未取代的烃基和氢原子，R5是芳族基团。组分(B)中的不含芳烃且不含脂肪族不饱和键的单价取代或未取代的烃基，可包括下述基团：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基或类似的烷基，氯代甲基、3-氯丙基或类似的卤代烷基，最优选为甲基。组分(B)中的芳族基团可用苯基、甲苯基、二甲苯基和萘基为代表，以及苯乙基、苯丙基等类似的苯烷基，最优选为苯基。本发明中，对所述组分(A)和和组分(B)的含量比例关系没有特别限制，例如组分(A)和组分(B)的重量比可以为1:99-99:1，更优选重量比为20:80-80:20。因组分(A)和组分(B)均是相似的支链结构，则任意的重量比形成的组合物性质类似，只要满足组分(B)中的与硅键合的氢原子与组分(A)中的链烯基发生足够的反应即可，例如组分(B)中的与硅键合的氢原子与组分(A)中的链烯基的摩尔量之比优选为0.9-2.0。
所述(B)组分更优选为由所述R4 3SiO1/2单元和R5SiO3/2单元组成。作为本发明的优选实施方式之一，所述(B)具有下述平均单元分子式，
(R5SiO3/2)b1(R4 3SiO1/2)b3，
其中R4选自前述相同或不相同的单价取代或未取代的烷基、羟基和氢原子，R5是前述芳族基团，可用苯基、甲苯基、二甲苯基和萘基为代表，以及苯乙基、苯丙基等类似的苯烷基，最优选为苯基，0.5<b1<0.9，0.1<b3<0.5，且b1+b3＝1。
所述(B)可进一步优选具有下述平均单元分子式，
(R5SiO3/2)b1(R4 3SiO1/2)b31(R4 2HSiO1/2)b32，
其中R4是单价取代或未取代的烷基，可包括下述基团：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基或类似的烷基，氯代甲基、3-氯丙基或类似的卤代烷基，最优选为甲基，R5是苯基，0.5<b1<0.9，0<b31<0.4，0.1<b32<0.5，且b1+b31+b32＝1。
本发明的组合物中，还可进一步包括组分(A’)，所述组分(A’)包括R1 3SiO1/2单元和R3SiO3/2单元，R1选自相同或不相同的链烯基、不含芳烃且不含脂肪族不饱和键的单价取代或未取代的烃基，R3是芳族基团，芳族基团的含量大于10mol％，链烯基的含量大于0.1mol/100g。其中，所述链烯基、不含芳烃且不含脂肪族不饱和键的单价取代或未取代的烃基、羟基和芳族基团均与前述定义相同。组分(A)在25℃下粘度小于15000mPa·s，组分(A’)在25℃下粘度大于15000mPa·s，组分(A’)和(A)的重量份比为100：(20-500)。
所述(A’)更优选为由所述R1 3SiO1/2单元和R3SiO3/2单元组成，作为本发明的优选实施方式之一，所述(A’)具有下述平均单元分子式，
(R3SiO3/2)a’1(R1 3SiO1/2)a’3，
其中R1选自前述的相同或不相同的链烯基、单价取代或未取代的烷基和羟基，R3是前述的芳族基团，0.1<a’1<0.9，0.1<a’3<0.9，且a’1+a’3＝1。
本发明中，组分(C)是促使组分(A)和(A’)中的链烯基与组分(B)中的Si键合的H原子发生氢化硅烷化反应的催化剂。换句话说，组分(C)是促进组合物固化的触媒。其中，本发明对催化剂种类没有特别限定，本领域的常用催化剂均可，例如铂类催化剂、铑类催化剂或钯类催化剂，本发明优选为铂类催化剂。具体实例包括：铂黑、氯铂酸、氯铂酸的醇溶液、铂-链烯基硅氧烷络合物、铂-烯烃络合物等，优选为铂-链烯基硅氧烷络合物，本发明采用具有四甲基乙烯基二硅氧烷作为配位基的铂催化剂。对组分(C)的用量没有特别限制，其用量需足以促进该组合物固化反应即可。
本发明的可固化的有机聚硅氧烷组合物中，还可包括组分(D)加成反应抑制剂，其作用是为了延长本发明的可固化的有机聚硅氧烷组合物的储存期，加成反应抑制剂是一种带有温度依赖性的物质，加热到一定程度时迅速失去其抑制性，而使得组合物发生固化反应。组分(D)的加成反应抑制剂的种类重量和添加量没有特别限制，可使用本领域常规抑制剂，添加量可视需要添加，例如，本发明中组分(D)为乙炔基环己醇，添加量为组分(A)和(B)总重量的0.05％。
本发明中，对组分(A)-(C)的制备方法没有特别限定，可采用本领域常规方式制备获得，或商购获得。
本发明中，可通过将必要组分(A)-(C)混合，并视需要添加组分(A’)、(D)以及其他添加剂如无机填料、颜料、阻燃剂和耐热剂等，从而制备可固化的有机聚硅氧烷组合物。本发明中，提供一种半导体器件，包括发光元件和固定所述发光元件的支架，将上述混合后的组合物涂布在所述发光元件的支架上，进行固化。固化时间和温度可以变化，例如，首先可在100℃-150℃下保持0.5-2个小时进行一次固化，然后在150℃-200℃下保持2-4个小时进行二次固化。形成在温度25℃，湿度60％RH条件下的拉伸强度为2-8Mpa，断裂伸长率为35％-100％，折射率为等于或超过1.45的固化体，优选超过1.5。相比之下，常规的有机聚硅氧烷组合物难以形成拉伸强度和断裂伸长率及折射率均保持上述良好性能的固化物，且具有耐硫化时间长和优异防潮性能的优点。
拉伸强度和断裂伸长率的测量方法：将得到的组合物脱泡后，制备2mm厚度的薄片，在100℃下保持1h，然后在150℃下保持3h固化后，将片加工成哑铃状，在25℃，60％RH的条件下利用万能材料试验机测试其拉伸强度和断裂伸长率。
本发明的有益效果：与现有技术相比，本发明的可固化的有机聚硅氧烷组合物及其固化的半导体器件，不仅保持有良好的耐冷热冲击性能、较高的折射率、较强的硬度，而且还具有耐硫化时间长和优异的防潮性能。
附图说明
图1是本发明一实施例提供的半导体器件封装剖面示意图；
说明书附图中的附图标记如下：
1、LED支架；2、发光元件；3、电极；4、结合线；5、可固化的有机聚硅氧烷组合物的固化体。
具体实施方式
为了使本发明所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步的详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
合成实施例1
将苯基三甲氧基硅烷68.3g加入烧瓶，依次去离子水15g以及浓度为质量百分比37％的浓盐酸15g，70℃反应5分钟，快速加入甲基苯基二甲氧基硅烷12.0g和二苯基二甲氧基硅烷9.3g，70℃回流60分钟，加入四甲基二乙烯基二硅氧烷14.0g继续回流60分钟，倒入分液漏斗，分去酸水层，有机层水洗到中性pH，倒入烧瓶，加入去离子水1g，70℃回流60min，真空水泵减压蒸馏浓缩，减压除去溶剂和低沸点物质，得到以下结构树脂：
(PhSiO3/2)0.58(Ph2SiO)0.09(PhCH3SiO)0.10[(CH3)2(CH2＝CH)SiO1/2]0.23(A1)
该组分为在25℃下粘度为10000mPa·s的有机硅聚硅氧烷，苯基含量在40％，且乙烯基摩尔含量在0.25摩尔/100g的有机硅树脂。
合成实施例2
将苯基三甲氧基硅烷70.4g加入烧瓶，依次去离子水15g以及浓度为质量百分比37％的浓盐酸15g，快速加入二苯基二甲氧基硅烷15.6g，70℃回流60分钟,加入四甲基二乙烯基二硅氧烷13.8g继续回流60分钟，倒入分液漏斗，分去酸水层，有机层水洗到中性pH，倒入烧瓶，加入去离子水1g，70℃回流60min，真空水泵减压蒸馏浓缩，减压除去溶剂和低沸点物质，得到以下结构树脂：
(PhSiO3/2)0.61(Ph2SiO)0.16[(CH3)2(CH2＝CH)SiO1/2]0.23(A2)
该组分为在25℃下粘度为11000mPa·s的有机硅聚硅氧烷，苯基含量在45％，且乙烯基摩尔含量在0.25摩尔/100g
合成实施例3
将苯基三甲氧基硅烷77.3g加入烧瓶，依次去离子水15g以及浓度为质量百分比37％的浓盐酸15g，70℃反应5分钟加入四甲基二乙烯基二硅氧烷10g和六甲基二硅氧烷10g继续回流60分钟，倒入分液漏斗，分去酸水层，有机层水洗到中性pH，倒入烧瓶，加入去离子水1g，70℃回流60min，真空水泵减压蒸馏浓缩，减压除去溶剂和低沸点物质，得到以下结构树脂：
(PhSiO3/2)0.76[(CH3)3SiO1/2]0.10[(CH3)2(CH2＝CH)SiO1/2]0.14(A’)
该组分为在25℃下粘度为20000mPa·s的有机硅聚硅氧烷，苯基含量在40％，且乙烯基摩尔含量在0.15摩尔/100g
合成实施例4
将苯基三甲氧基硅烷60.3g加入烧瓶，依次去离子水15g以及浓度为质量百分比37％的浓盐酸15g，70℃反应5分钟加入四甲基二硅氧烷15g和六甲基二硅氧烷12g继续回流180分钟，倒入分液漏斗，分去酸水层，有机层水洗到中性pH，倒入烧瓶，加入去离子水1g，70℃回流60min，真空水泵减压蒸馏浓缩，减压除去溶剂和低沸点物质，得到以下结构树脂：
(PhSiO3/2)0.53[(CH3)3SiO1/2]0.16[(CH3)2HSiO1/2]0.31(B1)
该组分为在25℃下粘度为4000mPa·s的有机硅化合物，其氢的摩尔含量在0.37摩尔/100g，苯基含量在30％
合成实施例5
将苯基三甲氧基硅烷55.3g加入烧瓶，依次去离子水15g以及浓度为质量百分比37％的浓盐酸15g，70℃反应5分钟加入四甲基二硅氧烷16.2g和六甲基二硅氧烷14.4g继续回流60分钟，倒入分液漏斗，分去酸水层，有机层水洗到中性pH，倒入烧瓶，加入去离子水1g，70℃回流60min，真空水泵减压蒸馏浓缩，减压除去溶剂和低沸点物质，得到以下结构树脂：
(PhSiO3/2)0.49[(CH3)3SiO1/2]0.22[(CH3)2HSiO1/2]0.29(B2)
该组分为在25℃下粘度为300mPa·s的有机硅化合物，其氢的摩尔含量在0.35摩尔/100g，苯基含量在30％
合成实施例6
将苯基三甲氧基硅烷57.1g加入烧瓶，依次去离子水15g以及浓度为质量百分比37％的浓盐酸15g，70℃反应5分钟加入四甲基二硅氧烷15.6g和六甲基二硅氧烷13.6g继续回流120分钟，倒入分液漏斗，分去酸水层，有机层水洗到中性pH，倒入烧瓶，加入去离子水1g，70℃回流60min，真空水泵减压蒸馏浓缩，减压除去溶剂和低沸点物质，得到以下结构树脂：
(PhSiO3/2)0.50[(CH3)3SiO1/2]0.23[(CH3)2HSiO1/2]0.29(B3)
该组分为在25℃下粘度为2000mPa·s的有机硅化合物，其氢的摩尔含量在0.35摩尔/100g，苯基含量在30％
合成实施例7
将苯基三甲氧基硅烷75.3g加入烧瓶，依次去离子水15g以及浓度为质量百分比37％的浓盐酸15g，70℃反应5分钟加入四甲基二硅氧烷14.2g和六甲基二硅氧烷12.4g继续回流300分钟，倒入分液漏斗，分去酸水层，有机层水洗到中性pH，倒入烧瓶，加入去离子水1g，70℃回流60min，真空水泵减压蒸馏浓缩，减压除去溶剂和低沸点物质，得到以下结构树脂：
(PhSiO3/2)0.56[(CH3)3SiO1/2]0.16[(CH3)2HSiO1/2]0.28(B4)
该组分为在25℃下粘度为5000mPa·s的有机硅化合物，其氢的摩尔含量在0.34摩尔/100g，苯基含量在30％
合成实施例8
将苯基三甲氧基硅烷49.5g加入烧瓶，依次去离子水15g以及浓度为质量百分比37％的浓盐酸15g，70℃反应5分钟加入四甲基二硅氧烷16.4g和六甲基二硅氧烷14.1g继续回流60分钟，倒入分液漏斗，分去酸水层，有机层水洗到中性pH，倒入烧瓶，加入去离子水1g，70℃回流60min，真空水泵减压蒸馏浓缩，减压除去溶剂和低沸点物质，得到以下结构树脂：
(PhSiO3/2)0.48[(CH3)3SiO1/2]0.21[(CH3)2HSiO1/2]0.31(B5)
该组分为在25℃下粘度为100mPa·s的有机硅化合物，其氢的摩尔含量在0.39摩尔/100g，苯基含量在30％
实践实施例1-8
将合成实施例1～8制备的树脂(A)(B)以及
(C)加成反应催化剂：氯铂酸的辛醇溶液(铂浓度为5wt％)；
(D)抑制剂：2-苯基-3-丁炔-2-醇。
按照表1所示的组合进行混合(各组成按质量份数计)，得到本发明组合物。
图1所示的半导体器件LED灯通过如下方式封装，提供一固定有发光元件2的支架1，其中所述发光元件2通过结合线4(通常为金线)与电极3相连接，将本发明的上述可固化有机聚硅氧烷组合物5涂布在固定有发光元件2的支架1上，进行固化。
通过下述方法来评测得到的组合物的各物化性能。将结果记录于表1。
【硬度】
将得到的组合物脱泡后，取10g在100℃下保持1h，然后在150℃下保持3h固化后，在25℃，60％RH的条件下使用邵氏D型硬度计取三个点测量硬度值，并记录平均值。
【折射率】
通过Abbe折射仪在25℃下测量有机聚硅氧烷固化物，光源利用589nm的可见光。
【拉伸强度和断裂伸长率】
将得到的组合物脱泡后，制备2mm厚度的薄片，在100℃下保持1h并150℃下保持3h固化后，将片加工成哑铃状，在25℃，60％RH的条件下利用万能材料试验机测试其拉伸强度和断裂伸长率。
【耐硫化】
将得到的组合物脱泡后，在150℃除湿2h后的恩瑞5050支架(无芯片金线)上点胶，在100℃下保持1h，然后150℃下保持3h固化后，将支架悬挂在装有2g硫粉的250ml的试剂瓶中，在90℃下烘烤，观察支架中镀银层是否变黑，记录支架变黑的时间。
【5050白光SMD(单色光)防潮】
将得到的组合物脱泡后，在150℃除湿2h后的恩瑞5050白光支架(有芯片金线)上点胶，在100℃下1h，然后150℃下保持3h固化后，将灯珠置于60℃，60％RH条件下保持52h，取出后放置15-30min，过五温区回流焊，最高温270℃，过三次，查看有无出现死灯状况。
表一
由表1的结果可知，通过本发明，将含有支链结构的(A)组分，特别是含有R13SiO1/2单元、R22SiO2/2单元和R3SiO3/2单元的(A)组分，与含有支链结构的、并且粘度范围在300-4000mPa·s的(B)组分组成组合物，可以得到加热固化后硬度高，同时耐硫化时间长、防潮性能优异，并且能应用于LED封装中5050白光支架的组合物。从表1中看出，(B)组分粘度范围在300-4000mPa·s、测试拉伸强度在2MPa以上、且同时断裂伸长率在40％以上的实施例，与(B)组分粘度范围在300-4000mPa·s之外、拉伸强度和断裂伸长率没有同时保持在2MPa以上和40％以上的比较例相比，其在耐硫化时间和防潮性能方面均具有突出的优异效果。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (11)
1.一种可固化的有机聚硅氧烷组合物，其特征在于，其在固化状态下，在温度25℃，湿度60％RH条件下的拉伸强度为2-8Mpa，断裂伸长率为35％-100％，折射率为等于或超过1.45，所述组合物包括：
(A)包括R1 3SiO1/2单元、R2 2SiO2/2单元和R3SiO3/2单元的有机聚硅氧烷，R1选自相同或不相同的链烯基、不含芳烃且不含脂肪族不饱和键的单价取代或未取代的烃基，R2选自相同或不相同的链烯基、芳族基团、不含芳烃且不含脂肪族不饱和键的单价取代或未取代的烃基，R3是芳族基团，其中，芳族基团的含量大于10mol％，链烯基的含量大于0.1mol/100g；
(B)支化聚有机氢化硅氧烷，粘度为300-4000mPa·s，其中，每分子具有平均至少三个与硅键合的氢原子和至少一个芳族基团，所述芳族基团的含量大于10mol％；
(C)用量足以促进该组合物固化的氢化硅烷化催化剂。
2.根据权利要求1所述的一种可固化的有机聚硅氧烷组合物，其特征在于，所述(B)组分包括R4 3SiO1/2单元和R5SiO3/2单元，其中R4选自相同或不相同的不含芳烃且不含脂肪族不饱和键的单价取代或未取代的烃基和氢原子，R5是芳族基团。
3.根据权利要求1所述的一种可固化的有机聚硅氧烷组合物，其特征在于，还包括组分(A’)，所述组分(A’)包括R1 3SiO1/2单元和R3SiO3/2单元，R1选自相同或不相同的链烯基、不含芳烃且不含脂肪族不饱和键的单价取代或未取代的烃基，R3是芳族基团，芳族基团的含量大于10mol％，链烯基的含量大于0.1mol/100g，其中，组分(A)在25℃下粘度小于15000mPa·s，组分(A’)在25℃下粘度大于15000mPa·s，组分(A’)和(A)的重量份比为100：(20-500)。
4.根据权利要求1所述的一种可固化的有机聚硅氧烷组合物，其特征在于，所述组分(B)中的与硅键合的氢原子与组分(A)中的链烯基的摩尔量之比为0.9-2.0。
5.根据权利要求1所述的一种可固化的有机聚硅氧烷组合物，其特征在于，组分(A)和(B)的含量比例关系为1:99-99:1。
6.根据权利要求1所述的一种可固化的有机聚硅氧烷组合物，其特征在于，所述(A)具有下述平均单元分子式，
(R3SiO3/2)a1(R2 2SiO2/2)a2(R1 3SiO1/2)a3，
其中R1选自相同或不相同的链烯基、单价取代或未取代的烷基，R2选自相同或不相同的链烯基、单价取代或未取代的烷基和芳族基团，R3是芳族基团，0.1<a1<0.8，0.1<a2<0.6，0.02<a3<0.5，且a1+a2+a3＝1。
7.根据权利要求1所述的一种可固化的有机聚硅氧烷组合物，其特征在于，所述(A)具有下述平均单元分子式，
(R3SiO3/2)a1(R21 2SiO2/2)a21(R21R22SiO2/2)a22(R1 3SiO1/2)a3，
其中R1选自相同或不相同的链烯基、单价取代或未取代的烷基，R21是苯基，R22是单价取代或未取代的烷基，R3是芳族基团，0.1<a1<0.8，0.1<a21<0.4，0<a22<0.2，0.02<a3<0.5，且a1+a21+a22+a3＝1。
8.根据权利要求2所述的一种可固化的有机聚硅氧烷组合物，其特征在于，所述(B)具有下述平均单元分子式，
(R5SiO3/2)b1(R4 3SiO1/2)b3，
其中R4选自相同或不相同的单价取代或未取代的烷基和氢原子，R5是芳族基团，0.5<b1<0.9，0.1<b3<0.5，且b1+b3＝1。
9.根据权利要求2所述的一种可固化的有机聚硅氧烷组合物，其特征在于，所述(B)具有下述平均单元分子式，
(R5SiO3/2)b1(R4 3SiO1/2)b31(R4 2HSiO1/2)b32，
其中R4是单价取代或未取代的烷基，R5是苯基，0.5<b1<0.9，0<b31<0.4，0.1<b32<0.5，且b1+b31+b32＝1。
10.根据权利要求3所述的一种可固化的有机聚硅氧烷组合物，其特征在于，所述(A’)具有下述平均单元分子式，
(R3SiO3/2)a’1(R1 3SiO1/2)a’3，
其中R1选自相同或不相同的链烯基、单价取代或未取代的烷基，R3是芳族基团，0.1<a’1<0.9，0.1<a’3<0.9，且a’1+a’3＝1。
11.一种半导体器件，包括发光元件和固定所述发光元件的支架，其特征在于，所述发光元件上涂布有权利要求1-9任一项所述的可固化的有机聚硅氧烷组合物的固化物。
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