CN105111603A - 钼酸铜纳米棒复合电子封装材料 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种钼酸铜纳米棒复合电子封装材料，属于结构材料技术领域。本发明钼酸铜纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：钼酸铜纳米棒65-80％、聚丙乙烯5-7％、聚苯乙烯5-7％、烷基聚氧乙烯醚0.05-0.5％、乙酰丙酮钛3-8％、聚乙烯蜡3-7％、水3-6％，钼酸铜纳米棒的直径为25-100nm、长度为0.5-3μm。本发明提供的钼酸铜纳米棒复合电子封装材料具有热膨胀系数低、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好及制备温度低等特点，在电子封装领域具有良好的应用前景。

Description

钼酸铜纳米棒复合电子封装材料
技术领域
本发明属于结构材料技术领域，具体涉及一种钼酸铜纳米棒复合电子封装材料。
背景技术
电子封装材料作为封装技术的重要组成部分，为电子设备提供保护、支撑、组装、绝缘、散热等功能，在电子设备等领域具有重要的应用，无机非金属、金属及高分子材料可以作为电子封装材料。
国家发明专利“一种TiB2/Si-Al电子封装复合材料及制备方法”(国家发明专利号：ZL201210527903.6)公开了以硼化钛、Si-Al合金作为主要原料，通过混料、熔炼、熔铸、喷射沉积成形及热等静压五个过程，在Ar气气氛中于580-620℃、压强150-170MPa、保压4h制备出了TiB2/Si-Al电子封装复合材料。国家发明专利“金属硅粉末及其制造方法、球状二氧化硅粉末与树脂组合物”(国家发明专利号：ZL200810087986.5)公开了一种可以应用于电子封装材料的金属硅粉末、球状二氧化硅和树脂组合物。
国家发明专利“太阳能电池封装用乙烯-醋酸乙烯共聚物胶膜及制备方法”(国家发明专利申请号：200810020329.9)以乙烯-乙酸乙烯树脂为主要原料，加入氧化铝、氧化镁、氧化铍、氮化铝和碳化硅等导热填料、2,5-二甲基-2,5-双(叔丁基过氧)己烷及p-(4-羟基-3,5二叔丁基苯基)丙酸正十八碳醇酯，制备出了一种用于封装太阳能电池的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物封装材料。
在现有技术中，传统的无机非金属、金属电子封装材料虽然具有强度高、热膨胀系数小、耐老化性能好等特点，但是存在难于加工、制备温度高等缺点；高分子电子封装材料存在热膨胀系数大、耐老化性能差的缺点。而高质量的电子设备对封装材料要求热膨胀系数低、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好等综合性能。因此，单一的传统材料难以满足电子封装材料的性能要求。
发明内容
本发明的目的是为了解决以上问题，提供钼酸铜纳米棒作为主要原料，引入聚丙乙烯、聚苯乙烯、烷基聚氧乙烯醚、乙酰丙酮钛、聚乙烯蜡和水等成分，以期得到具有热膨胀系数低、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好及制备温度低的钼酸铜纳米棒复合电子封装材料。
本发明所提供的钼酸铜纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：
钼酸铜纳米棒65-80％、聚丙乙烯5-7％、聚苯乙烯5-7％、烷基聚氧乙烯醚0.05-0.5％、乙酰丙酮钛3-8％、聚乙烯蜡3-7％、水3-6％。
本发明所述钼酸铜纳米棒的直径为25-100nm、长度为0.5-3μm。
本发明所提供的钼酸铜纳米棒的具体制备方法如下：
以钼酸钠、乙酸铜作为原料，水为溶剂，其中钼酸钠与乙酸铜的摩尔比为1:1，将钼酸钠、乙酸铜与水均匀混合后置于反应容器内并密封，于温度120-180℃、保温12-36h，其中钼酸钠与乙酸铜的重量不大于水重量的50％。
本发明所提供的钼酸铜纳米棒复合电子封装材料的具体制备方法如下：
按照质量比例称取钼酸铜纳米棒、聚丙乙烯、聚苯乙烯、烷基聚氧乙烯醚、乙酰丙酮钛、聚乙烯蜡和水，然后通过机械搅拌将原料混合均匀，并置于磨具中冲压成型，在80-120℃、保温24-72h，自然冷却后得到了钼酸铜纳米棒复合电子封装材料。
与现有技术相比，本发明具有以下技术效果：
1、本发明以钼酸铜纳米棒、聚丙乙烯、聚苯乙烯、烷基聚氧乙烯醚、乙酰丙酮钛、聚乙烯蜡和水作为原料，可以制备出无机非金属纳米材料与高分子材料复合形成的电子封装材料，这种复合电子封装材料具有耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好、热膨胀系数小、导热系数高等特点。
2、本发明钼酸铜纳米棒复合电子封装材料的制备温度为80-120℃，显著低于无机非金属和金属电子封装材料的制备温度，制备过程简单，降低了能耗，减少了制备成本。
3、本发明采用的钼酸铜纳米棒稳定性好、无毒和无污染，聚丙乙烯、聚苯乙烯、烷基聚氧乙烯醚、乙酰丙酮钛和聚乙烯蜡都是批量生产的原料，可以实现钼酸铜纳米棒复合电子封装材料的制备。
附图说明
图1为实施例1制备的钼酸铜纳米棒复合电子封装材料的SEM图像；
从图可以看出钼酸铜纳米棒复合电子封装材料由纳米棒和无规则颗粒构成，纳米棒的直径为25-100nm、长度为0.5-3μm。
具体实施方式
以下结合具体实施例详述本发明，但本发明不局限于下述实施例。
实施例1
确定钼酸铜纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：
实施例2
确定钼酸铜纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：
实施例3
确定钼酸铜纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：
实施例4
确定钼酸铜纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：
实施例5
确定钼酸铜纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：
实施例6
确定钼酸铜纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：
实施例7
确定钼酸铜纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：
实施例8
确定钼酸铜纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：
本发明实施例1到实施例8所得钼酸铜纳米棒复合电子封装材料的特征参数如表1所示：
表1

Claims (2)

1.一种钼酸铜纳米棒复合电子封装材料，其特征在于：以质量百分比计，该电子封装材料的配方如下：
2.如权利要求1所述一种钼酸铜纳米棒复合电子封装材料，其特征在于：所述钼酸铜纳米棒的直径为25-100nm、长度为0.5-3μm。
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