CN105097643B - 浅沟槽隔离结构的形成方法 - Google Patents

Abstract

一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成浅沟槽；在所述浅沟槽的底部和侧壁形成衬氧化层；在形成所述衬氧化层之后，进行清洗工艺；在所述清洗工艺之后，对所述衬氧化层进行高温退火处理；采用绝缘材料填充满所述浅沟槽。采用所述浅沟槽隔离结构的形成方法形成的浅沟槽隔离结构中，位于浅沟槽隔离结构周边的半导体衬底不出现孔洞，所述浅沟槽隔离结构的隔离性能提高，并提高了相应芯片的良率。

Description

浅沟槽隔离结构的形成方法

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种浅沟槽隔离结构的形成方法。

背景技术

在集成电路制作中，形成在半导体衬底上的元件必须与其他元件隔离，因此，隔离技术是一种重要技术。随着半导体制作技术的进步，浅沟槽隔离(Shallow TrenchIsolation，STI)技术已经逐渐取代了如局部硅氧化法(LOCOS)等传统半导体器件隔离技术。

现有浅沟槽隔离结构的形成方法一般包括：在半导体衬底上形成垫氧化层(PadOxide)和硬掩膜层，所述硬掩膜层通常可以采用氮化硅，再蚀刻所述硬掩膜层、垫氧化层和半导体衬底形成浅沟槽；之后采用热氧化工艺在浅沟槽的底部及侧壁形成衬氧化层(LinerOxide)，并在所述衬氧化层上形成用于填充浅沟槽的绝缘层；接着进行化学机械研磨(CMP)平坦化各结构表面，以所述硬掩膜层作为研磨终止层，留下平坦的表面，最后再将所述硬掩膜层和垫氧化层去除。

然而，如图1所示电镜照片，经检验发现，当采用现有形成方法在半导体衬底100上形成的浅沟槽隔离结构101时，浅沟槽隔离结构101周边的半导体衬底100出现了孔洞(Void)102。一旦浅沟槽隔离结构周边出现孔洞，就可能导致浅沟槽隔离结构相应的隔离作用失效，最终导致相应的芯片失效。经进一步检验，采用现有形成方法形成的浅沟槽隔离结构中，其周边半导体衬底出现孔洞的概率高达60％，并且最终导致整个晶圆上的芯片良率下降0.6％～1.7％。

为此，亟需一种新的浅沟槽隔离结构的形成方法，以防止浅沟槽隔离结构周边的半导体衬底出现孔洞，从而防止相应的芯片失效。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种浅沟槽隔离结构的形成方法，以形成绝缘性能好，并且周边半导体衬底不出现孔洞的浅沟槽隔离结构，从而提高相应芯片的良率。

为解决上述问题，本发明提供一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底表面形成浅沟槽；

在所述浅沟槽的底部和侧壁形成衬氧化层；

在形成所述衬氧化层之后，进行清洗工艺；

在所述清洗工艺之后，对所述衬氧化层进行高温退火处理；

采用绝缘材料填充满所述浅沟槽。

可选的，所述清洗工艺包括：采用硫酸和双氧水的混合溶液清洗所述衬氧化层。

可选的，所述清洗工艺还包括：在采用硫酸和双氧水的混合溶液清洗所述衬氧化层之后，先采用氨水、双氧水和去离子水的混合溶液清洗所述衬氧化层，再采用盐酸、双氧水和去离子水的混合溶液清洗所述衬氧化层。

可选的，所述硫酸的质量浓度为98％，所述双氧水的质量浓度为30％，所述硫酸和所述双氧水的体积比为1:4～1:7。

可选的，所述硫酸和双氧水的混合溶液采用的温度范围为120℃～130℃。

可选的，所述硫酸和双氧水的混合溶液采用的清洗时间为5min～10min。

可选的，所述氨水、双氧水和去离子水的混合溶液采用的温度范围为30℃～40℃。

可选的，所述盐酸、双氧水和去离子水的混合溶液采用的温度范围为20℃～25℃。

可选的，在形成所述浅沟槽之后，且在形成所述衬氧化层之前，还包括对所述浅沟槽表面进行清洗的步骤。

可选的，所述高温退火处理采用的退火温度为1050℃～1150℃。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

本发明的技术方案中，在浅沟槽表面形成衬氧化层之后，对所述衬氧化层进行清洗，从而去除衬氧化层形成过程中产生的不稳定氧化物，防止所述不稳定氧化物与后续的酸溶液反应，保证最终形成的浅沟槽隔离结构周边的半导体衬底不出现孔洞，提高浅沟槽隔离结构的质量，最终提高相应芯片的良率。

进一步，在采用第一步骤清洗所述衬氧化层，使所述不稳定氧化物生成氧化物之后，生成的所述氧化物位于衬氧化层表面，并采用第二步骤清洗去除所述氧化物，从而使衬氧化层表面更加平坦，进一步提高后续形成的浅沟槽隔离结构的质量。

进一步，在采用第二步骤清洗去除所述氧化物之后，采用第三步骤清洗去除金属离子等杂质，使所述衬氧化层所处的环境更加干净，保证最终形成的浅沟槽隔离结构的性能进一步提高。

附图说明

图1是现有方法形成的浅沟槽隔离结构电镜照片；

图2至图5是本发明实施例提供的浅沟槽隔离结构的形成方法各步骤对应剖面结构示意图。

具体实施方式

正如背景技术所述，现有浅沟槽隔离结构的形成方法所形成的浅沟槽隔离结构中，位于浅沟槽隔离结构周边的半导体衬底易出现孔洞。经实验发现，所述孔洞在刚刚采用绝缘材料填充浅沟槽时并不会出现，而是出现在硬掩膜层被去除之后。

经分析，位于浅沟槽隔离结构周边的半导体衬底出现孔洞的原因如下：在蚀刻半导体衬底形成浅沟槽后，通常会采用酸溶液清洗浅沟槽，由于酸溶液的清洗作用会导致浅沟槽表面带有半导体材料的离子(例如Si⁺)，所述清洗之后，通常接着在所述浅沟槽表面形成衬氧化层，在形成所述衬氧化层的过程中，氧气与位于所述半导体材料的离子下方的半导体衬底发生反应，形成氧化物(例如SiO₂)，即所述衬氧化层，而所述半导体材料的离子会与衬氧化层中的氧化物反应，形成不稳定氧化物(例如SiO)，不稳定氧化物集中位于浅沟槽侧壁上方周边，在隔离结构形成后，再采用酸溶液去除硬掩膜层时，不稳定氧化物会被酸溶液溶解，造成对所述衬氧化层的腐蚀，并进一步导致所述衬氧化层下方的半导体衬底被腐蚀，最终造成位于浅沟槽隔离结构周边的半导体衬底出现孔洞。

为此，本发明提供一种新的浅沟槽隔离结构的形成方法，所述形成方法在浅沟槽表面形成衬氧化层之后，并不直接进行高温热退火处理，而是先进行清洗处理，以清除位于所述衬氧化层表面的不稳定氧化物，防止位于浅沟槽隔离结构周边的半导体衬底出现孔洞，提高浅沟槽隔离结构的质量，并且提高相应芯片的良率。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

本发明实施例提供一种浅沟槽隔离结构的形成方法，请结合参考图2至图5。

请参考图2，提供半导体衬底200，并在半导体衬底200上形成垫氧化层210，在垫氧化层210上形成硬掩膜层220。

本实施例中，半导体衬底200材质可以是单晶硅或多晶硅，半导体衬底200也可以是绝缘层上硅结构、硅锗化合物结构或硅镓化合物结构等。

本实施例中，垫氧化层210的材料可以为二氧化硅。垫氧化层210的厚度可以为例如具体可以为垫氧化层210可以通过热氧化工艺生长形成。所述热氧化工艺可以是快速热氧化工艺(rapid thermal oxidation，RTO)，或者是采用氧气的传统退火工艺(annealing process)。

本实施例中，硬掩膜层220的材料可以为氮化硅或者碳氮化硅等，并且硬掩膜层220可以为单层结构也可以为多层结构。硬掩膜层220的厚度可以为100nm～200nm，例如具体可以为150nm。硬掩膜层220可以通过沉积方法或外延生长法在垫氧化层210上形成。所述沉积方法可以是化学气相沉积法(CVD)或者是低压化学气相沉积法(low pressure CVD，LPCVD)沉积等。

请参考图3，在半导体衬底200表面形成浅沟槽201。

本实施例中，浅沟槽201的具体形成过程可以包括：在硬掩膜层220上旋涂光刻胶层(未示出)，并通过曝光显影形成沟槽图案(即在硬掩膜层220上形成图案化的光刻胶层)；以所述光刻胶层为掩模，蚀刻硬掩膜层220和垫氧化层210形成开口(未示出)，所述开口的底部露出半导体衬底200表面；以具有所述开口的硬掩膜层220和垫氧化层210为掩模，沿所述开口蚀刻半导体衬底200形成浅沟槽201。

本实施例中，可以通过反应离子刻蚀工艺(reactive ion etching，RIE)或高密度等离子体(high density plasma，HDP)刻蚀工艺蚀刻硬掩膜层220、垫氧化层210和半导体衬底200。相应刻蚀工艺采用的气体可以是溴化氢、氦、氧以及六氟化碳的混合气体。其中溴化氢的流量可以是27sccm～33sccm，具体可以是30sccm；氦氧混合气体的流量可以是34sccm～40sccm，具体可以是37sccm；六氟化硫的流量可以是5sccm～7sccm，具体可以是6sccm。刻蚀的压力可以是10mTorr～20mTorr，具体可以是15mTorr；刻蚀时采用的功率可以是1100w～1300w，具体可以是1200w；刻蚀电压可以是136V～164V，具体可以是150V；刻蚀的时间可以是50s～65s，具体例如60s。浅沟槽201的深度可通过刻蚀时间来控制。所述深度可以根据实际需要选择，例如浅沟槽201的深度可以是300nm至500nm之间，具体可以是400nm。

请继续参考图3，进行清洗工艺，对浅沟槽201进行清洗。

本实施例中，对浅沟槽201进行清洗可以分四步，第一步，采用硫酸和双氧水的混合溶液进行清洗，以去除有机物。第二步，采用氢氟酸溶液进行清洗，以去除半导体表面的自然氧化层。第三步，采用氨水、双氧水和去离子水的混合溶液进行清洗，以去除颗粒物。第四步，采用盐酸、双氧水和去离子水的混合溶液进行清洗，以去除金属离子。

需要特别说明的是，虽然上述清洗步骤能够清洗去除有机物、自然氧化层、颗粒物和金属离子等浸染物，但是，却同时产生了半导体材料的离子(本实施例中为硅离子，Si⁺)。所述半导体材料的离子可能是由于上述某种酸溶液(硫酸、氢氟酸或盐酸)在清洗过程中与半导体衬底200发生反应产生的。

正如本说明书前面的分析，所述硅离子会导致后续形成的浅沟槽隔离结构周边的半导体衬底200出现孔洞。并且，所述半导体材料的离子通常集中在图3虚线圈202所示位置，即浅沟槽201与垫氧化层210相接触的位置，而最终半导体衬底200形成孔洞的地方也是在这些位置。

需要特别说明的是，虽然研发人员试图在形成浅沟槽201之后，并且在形成衬氧化层230之前，就清洗去除所述半导体材料的离子，但是经过多次实验，仍然无法起到良好的效果，即最终形成的浅沟槽隔离结构周边的半导体衬底200仍然出现孔洞。这可能是由于半导体材料的离子与半导体衬底200之间具有较强的吸引作用力(硅离子与硅衬底之间的作用力较强)，通常清洗方法无法将所述半导体材料的离子去除。

为此本实施例后续在衬氧化层形成之后，再次进行清洗工艺，从而避免半导体衬底200形成孔洞，请继续参考本说明书后续内容。

请参考图4，在对浅沟槽201进行清洗之后，在浅沟槽201底部和侧壁上形成衬氧化层230。

本实施例中，衬氧化层230的材质可以为氧化硅、氮氧化硅或它们的组合。衬氧化层230的厚度可以为形成衬氧化层230可以使浅沟槽201的拐角圆滑化(corner rounding)，通过上述刻蚀工艺形成的浅沟槽201表面通常较粗糙，通过形成衬氧化层230可以使浅沟槽201表面恢复平坦(修复前述刻蚀工艺给浅沟槽201表面带来的表面损伤)，并且形成衬氧化层230还能够为后续的填充步骤提供保护。

衬氧化层230可以采用热氧化工艺(thermal oxidation process)或化学气相沉积工艺(CVD)形成，也可以采用现场蒸汽生长工艺形成。形成材质为氮氧化硅的衬氧化层230具体可以包括：先后执行氨气的快速热氮化工艺和氧化亚氮的快速氧化工艺，其中，所述氨气的快速热氮化工艺的工艺参数包括温度为700℃～1100℃，压强为10Torr～500Torr，时间为5s～90s，氨气的流量为1sccm～10sccm。形成在衬氧化层230中氮的质量百分比可以为0.3％～10％。衬氧化层230中含有氮可以增强衬氧化层230抗蚀刻性能。

在本发明的其它实施例中，形成衬氧化层的过程也可以包括：先在浅沟槽表面形成第一衬氧化层，第一衬氧化层厚度较小，然后去除第一衬氧化层(可通过氢氟酸去除)，从而使浅沟槽表面变得平坦，并增大浅沟槽的开口直径，之后再在浅沟槽表面形成第二衬氧化层，由于经过第一衬氧化层的形成和去除过程，因此，第二衬氧化层质量更好，表面更加平坦。

请继续参考图4，在形成所述衬氧化层230之后，进行清洗工艺，以对衬氧化层230进行清洗。

正如前面所述，在形成浅沟槽201之后，并且在形成衬氧化层230之前，很难将所述半导体材料的离子去除。

但是，在形成衬氧化层230的过程中，氧气除了与浅沟槽201表面(包括底部和侧壁)的半导体原子(本实施例中为硅原子)发生氧化还原反应之外，所述半导体材料的离子(Si⁺)也与氧气反应，生成不稳定氧化物。由于所述半导体材料的离子集中位于图3虚线圈202所示位置，因而所述不稳定氧化物也集中位于图3虚线框所示位置。并且，原先所述半导体材料的离子位于浅浅沟槽201表面，所生成的不稳定氧化物也位于衬氧化层230表面(或者说，氧气是“钻”到半导体材料的离子下方与浅沟槽201表面的半导体原子反应)。

因此，与现有方法不同的，本发明实施例在形成衬氧化层230之后，增加一次清洗工艺。从而使所述不稳定氧化物被氧化生成(稳定的)氧化物(本实施例中为二氧化硅)，并且此时的氧化物位于衬氧化层230表面，可以被清洗去除，并且哪怕清洗生成的氧化物不被去除，也不会造成后续衬氧化层230及其下方的半导体衬底200被酸溶液腐蚀的现象。

本实施例中，所述清洗工艺可以包括三个步骤。

第一个步骤，采用硫酸和双氧水的混合溶液清洗衬氧化层230。

具体的，所述硫酸的质量浓度为98％，所述双氧水的质量浓度为30％，所述硫酸和所述双氧水的体积比为1:4～1:7。具体的，所述硫酸和所述双氧水的体积比可以为1:5。所述混合溶液具有很高的氧化能力，能够将所述不稳定氧化物氧化成(稳定的)氧化物，这样，无论所生成的氧化物是否被冲洗掉，后续在采用酸溶液去除硬掩膜层220时，相应位置的衬氧化层230及其下方的半导体衬底200都不会被腐蚀。因此，就可以避免隔离结构周边的半导体衬底200出现孔洞现象。此外，所述硫酸和所述双氧水的混合溶液还能够清洗去除有机物。

所述硫酸和所述双氧水的混合溶液采用的温度范围为120℃～130℃。如果温度低于120℃，则所述溶液对所述不稳定氧化物以及有机物的去除效果不好，而如果温度高于130℃，可能导致混合溶液与其它层结构发生反应。

所述硫酸和双氧水的混合溶液采用的清洗时间为5min～10min。如果清洗时间小于5min，对所述离子去除不完全，而如果清洗时间太长，不利于提高工艺效率。

第二个步骤，采用氨水、双氧水和去离子水的混合溶液清洗衬氧化层230。氨水、双氧水和去离子水的混合溶液采用的温度范围为30℃～40℃。所述氨水的质量浓度为29％，所述双氧水的质量浓度为30％。所述氨水、所述双氧水和所述去离子水的体积比可以为1:2:45～1:2:55。具体的，所述氨水、所述双氧水和所述去离子水的体积比可以为1:2:50。所述氨水、所述双氧水和所述去离子水的混合溶液能够去除颗粒物，因此，当所述不稳定氧化物被氧化生成氧化物时，通常呈微小颗粒，因此可通过此步骤冲洗去除。通过采用此第二步骤，本实施例去除了位于衬氧化层230表面的所述氧化物，从而使衬氧化层230表面更加平坦，进一步提高后续形成的浅沟槽隔离结构的质量。

所述氨水、双氧水和去离子水的混合溶液采用的温度范围为30℃～40℃。如果温度低于30℃，则所述溶液对颗粒物去除效果不好，而如果温度高于40℃，可能导致混合溶液与其它结构发生反应，并且造成能源的浪费。

所述氨水、双氧水和去离子水的混合溶液采用的清洗时间为5min～10min。如果清洗时间小于5min，对所述颗粒物去除不完全，而如果清洗时间太长，不利于提高工艺效率。

第三个步骤，采用盐酸、双氧水和去离子水的混合溶液清洗衬氧化层230。盐酸、双氧水和去离子水的混合溶液采用的温度范围为20℃～25℃。所述盐酸的质量浓度为36％，所述双氧水的质量浓度为30％，所述盐酸、所述双氧水和所述去离子水的体积比可以为1:1:45～1:1:55，具体的，所述盐酸、所述双氧水和所述去离子水的体积比可以为1:1:50。所述盐酸、双氧水和去离子水的混合溶液能够去除金属离子。通过采用此第三步骤，本实施例进一步去除金属离子，使衬氧化层230所处的环境更加干净。

所述盐酸、双氧水和去离子水的混合溶液采用的温度范围为20℃～25℃。如果温度低于20℃，则所述溶液对金属离子去除效果不好，影响后续薄膜的生长和薄膜的质量，而如果温度高于25℃，可能导致混合溶液与其它结构发生反应，并且造成能源的浪费。

所述盐酸、双氧水和去离子水的混合溶液采用的清洗时间为5min～10min。如果清洗时间小于5min，对所述金属离子去除不完全，而如果清洗时间太长，不利于提高工艺效率。

本实施例中，所述清洗工艺去除前了道清工艺残留的不稳定氧化物，但同时会对衬氧化层230的厚度有一定的影响，通常衬氧化层230的厚度会减小约0.2A～0.5A。不过，从最后的电性参数和良率来看，衬氧化层230厚度减小的影响完全可以忽略。

本实施例中，上述三个清洗步骤通常不宜调换，这是因为，首先采用第一步骤氧化不稳定氧化物，并同时去除半导体衬底200表面的有机物，因为如果有机物会遮盖在半导体衬底200表面，就会使其它杂质难以去除；然后再去除颗粒和金属离子等杂质。

本实施例中，同时采用了上述三个步骤进行清洗，不仅去除了(所述半导体材料的离子形成的)不稳定氧化物，而且还能够再次去除有机物、颗粒物和金属离子等，使衬氧化层230所处的环境更加干净，保证最终形成的浅沟槽隔离结构的性能进一步提高。但是，在本发明的其它实施例中，也可以仅进行上述第一步骤的清洗，而省略后两个步骤的清洗。此时，所述形成方法仍然能够保证形成的浅沟槽隔离结构周边不出现孔洞。

请继续参考图4，在对衬氧化层230进行清洗之后，对衬氧化层230进行高温退火处理。

由于后续填充浅沟槽201通常采用高密度等离子体(HDP)沉积，在HDP淀积(尤其是深亚微米级)过程中，为了防止没有填满浅沟槽201，就将浅沟槽201开口封住，而产生空洞，通常采用边淀积边蚀刻的“回刻”工艺，如果不进行高温处理使衬氧化层230结构致密化，则在高密度等离子体沉积过程中，会对衬氧化层230造成表面损伤。

本实施例中，高温退火处理采用的退火温度可以为1050℃～1150℃，具体可以为1100℃。具体过程可以为：将所述半导体衬底200暴露于在真空或惰性气体环境中，原位对所述半导体衬底200执行退火工艺。本实施例中所述惰性气体为氮气，时间为115min～125min，具体可以为120min。所述高温退火处理可以在氧化炉或快速热退火装置中进行，本实施例中形成所述衬垫氧化层210和进行所述高温退火处理可以在同一氧化炉中进行。

请参考图5，采用绝缘材料填充满浅沟槽201，形成浅沟槽隔离结构203。

在浅沟槽201内填充的绝缘材料可以是氧化硅，可以通过高密度等离子体化学气相沉积工艺(HDP-CVD)进行填充。在填充完绝缘材料后，可以对浅沟槽隔离结构203表面进行化学机械抛光(CMP)，以去除多余的绝缘材料，从而使浅沟槽隔离结构203上表面与硬掩膜层220上表面齐平，如图5所示。

本实施例在填充满浅沟槽201形成浅沟槽隔离结构203之后，还可以对浅沟槽隔离结构203进行退火处理。这是因为，高密度等离子体沉积形成的膜致密性不是很好，通过高温退火可以增加膜的致密性，使浅沟槽隔离结构203的隔离性能更好。

需要说明的是，图中虽未显示，但是，在填充满浅沟槽201之后，还可以采用磷酸去除硬掩膜层220，并采用氢氟酸去除垫氧化层210。所述磷酸刻蚀工艺中使用的磷酸溶液的温度可以为150℃至200℃。

为了将硬掩膜层220全部去除，通常，所述磷酸刻蚀工艺要进行约200％的过刻蚀。如果此时衬氧化层230表面存在不稳定氧化物，不稳定氧化物在150℃至200℃的温度条件下，易与所述磷酸发生反应，使相应位置的衬氧化层230被腐蚀，并进一步导致衬氧化层230相应位置下方的半导体衬底200被腐蚀，造成在浅沟槽隔离结构203周边的半导体衬底200形成孔洞。

而本实施例中，由于前述清洗工艺已经将相应的不稳定氧化物清洗去除，因此在去除硬掩膜层220和垫氧化层210的过程中，不会对隔离结构及其周边的半导体衬底200造成任何影响，保证最终形成的浅沟槽隔离结构203质量良好，提高相应芯片的良率。经过检验，采用本发明实施例的方案能够使相应芯片的良率提高0.6％～1.7％。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (9)

1.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底表面形成浅沟槽；

在形成浅沟槽之后、形成衬氧化层之前，采用酸溶液清洗浅沟槽，在此过程中生成半导体材料的离子；

在所述浅沟槽的底部和侧壁形成衬氧化层，在形成衬氧化层的过程中，先前的清洗过程中所形成的半导体材料的离子与氧气反应，生成不稳定氧化物；

在形成所述衬氧化层之后，进行清洗工艺，使得不稳定氧化物被氧化生成稳定的氧化物，清洗去除稳定的氧化物，所述清洗工艺包括：采用硫酸和双氧水的混合溶液清洗所述衬氧化层；

在所述清洗工艺之后，对所述衬氧化层进行高温退火处理；

采用绝缘材料填充满所述浅沟槽。

2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述清洗工艺还包括：在采用硫酸和双氧水的混合溶液清洗所述衬氧化层之后，先采用氨水、双氧水和去离子水的混合溶液清洗所述衬氧化层，再采用盐酸、双氧水和去离子水的混合溶液清洗所述衬氧化层。

3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述硫酸的质量浓度为98％，所述双氧水的质量浓度为30％，所述硫酸和所述双氧水的体积比为1:4～1:7。

4.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述硫酸和双氧水的混合溶液采用的温度范围为120℃～130℃。

5.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述硫酸和双氧水的混合溶液采用的清洗时间为5min～10min。

6.如权利要求2所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述氨水、双氧水和去离子水的混合溶液采用的温度范围为30℃～40℃。

7.如权利要求2所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述盐酸、双氧水和去离子水的混合溶液采用的温度范围为20℃～25℃。

8.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，在形成所述浅沟槽之后，且在形成所述衬氧化层之前，还包括对所述浅沟槽表面进行清洗的步骤。

9.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述高温退火处理采用的退火温度为1050℃～1150℃。