CN105093747B - 低温多晶硅阵列基板的修补方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种低温多晶硅阵列基板的修补方法。该方法使用激光照射低温多晶硅阵列基板发生漏光、亮点缺陷的像素，使对应位于缺陷像素区域内的有机平坦层(5)碳化，从而使缺陷像素成为暗点，不必像现有技术那样将位于缺陷像素区域内的金属线路打断或熔接，既操作简便，又能够对漏光、亮点缺陷进行有效修补，提升低温多晶硅液晶显示面板的修补成功率，利于提高低温多晶硅液晶显示面板的良品率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种低温多晶硅阵列基板的修补方法。
背景技术
液晶显示面板通常是由一彩膜基板(Color Filter，CF)、一薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)以及一配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。按照液晶的取向方式不同，目前主流市场上的液晶显示面板可以分为以下几种类型：垂直配向(Vertical Alignment，VA)型、扭曲向列(Twisted Nematic，TN)或超扭曲向列(SuperTwisted Nematic，STN)型、平面转换(In-Plane Switching，IPS)型、及边缘场开关(FringeField Switching，FFS)型，其中FFS型的液晶显示面板能够在宽视角的前提下，具有高的透光效率，实现高品质显示。
近年来，以低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)作为阵列基板内薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的半导体层的液晶显示面板在中高端小尺寸产品中获得了越来越多的应用，多个知名品牌的智能手机、平板电脑等产品均使用LTPS液晶显示面板。LTPS可以通过准分子激光退火(Excimer Laser Annealing，ELA)等制程方式制得。LTPS具有较高的电子迁移率，能够使液晶显示面板具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率、低功耗等优点。
但LTPS液晶显示面板，尤其是LTPS阵列基板的制程较复杂，良品率相对较低，其中以LTPS液晶显示面板出现漏光、亮点缺陷较为常见。
现有技术对LTPS液晶显示面板出现漏光、亮点缺陷进行修补主要有两种方式：第一种方式是将阵列基板内对应位于缺陷区域的金属线路打断或熔接，但该第一种方式不易操作，修补成功率也较低；第二种方式是将彩膜基板内对应位于缺陷区域的彩色色阻层进行碳化处理，易造成修补面积过大，碳化黑点过于明显，反而影响液晶显示面板的显示品质。
发明内容
本发明的目的在于提供一种低温多晶硅阵列基板的修补方法，其操作简便，能够对漏光、亮点缺陷进行有效修补，提升低温多晶硅液晶显示面板的修补成功率，利于提高低温多晶硅液晶显示面板的良品率。
为实现上述目的，本发明提供一种低温多晶硅阵列基板的修补方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一制作完成的低温多晶硅阵列基板，检测所述低温多晶硅阵列基板发生漏光、亮点缺陷的像素；
所述低温多晶硅阵列基板包括TFT层、及覆盖所述TFT层的有机平坦层；
步骤2、使用激光照射所述低温多晶硅阵列基板发生漏光、亮点缺陷的像素，使对应位于缺陷像素区域内的有机平坦层碳化，从而使缺陷像素成为暗点。
所述有机平坦层的材料为亚克力系光阻。
所述步骤2中使用的激光的波长为1030nm。
所述激光的脉冲能量为3～200uJ/shot，操作频率为2～50pps。
所述低温多晶硅阵列基板还包括玻璃基板、设于所述玻璃基板上的遮光层、覆盖所述遮光层与玻璃基板的缓冲层、设于所述有机平坦层上的公共电极、设于所述公共电极与有机平坦层上的钝化层、及设于所述钝化层上的像素电极；
所述TFT层设于缓冲层上。
所述TFT层具体包括设于缓冲层上的低温多晶硅半导体层、覆盖所述低温多晶硅半导体层与缓冲层的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的栅极、覆盖所述栅极与栅极绝缘层的层间绝缘层、以及设于所述层间绝缘层上的源极与漏极；所述源极、漏极分别通过一贯穿层间绝缘层与栅极绝缘层的过孔接触低温多晶硅半导体层；
所述像素电极通过贯穿有机平坦层的过孔接触所述漏极。
所述缓冲层、栅极绝缘层、层间绝缘层、及钝化层的材料均为氧化硅、氮化硅、或二者的组合。
所述栅极、源极、及漏极的材料均为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。
所述公共电极与像素电极的材料均为ITO。
本发明的有益效果：本发明提供的一种低温多晶硅阵列基板的修补方法，通过使用激光照射低温多晶硅阵列基板发生漏光、亮点缺陷的像素，使对应位于缺陷像素区域内的有机平坦层碳化，从而使缺陷像素成为暗点，不必像现有技术那样将位于缺陷像素区域内的金属线路打断或熔接，既操作简便，又能够对漏光、亮点缺陷进行有效修补，提升低温多晶硅液晶显示面板的修补成功率，利于提高低温多晶硅液晶显示面板的良品率。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为本发明低温多晶硅阵列基板的修补方法的流程图；
图2为本发明低温多晶硅阵列基板的修补方法的步骤1的示意图；
图3为本发明低温多晶硅阵列基板的修补方法的步骤2在进行过程中的示意图；
图4为本发明低温多晶硅阵列基板的修补方法的步骤2完成之后的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1，本发明提供一种低温多晶硅阵列基板的修补方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一制作完成的低温多晶硅阵列基板，检测所述低温多晶硅阵列基板发生漏光、亮点缺陷的像素。
具体地，所述低温多晶硅阵列基板可以但不限于为FFS型的低温多晶硅阵列基板。如图2所示，以FFS型的低温多晶硅阵列基板为例，所述低温多晶硅阵列基板包括玻璃基板1、设于所述玻璃基板1上的遮光层2、覆盖所述遮光层2与玻璃基板1的缓冲层3、设于所述缓冲层3上的TFT层4、覆盖所述TFT层4的有机平坦层5、设于所述有机平坦层5上的公共电极6、设于所述公共电极6与有机平坦层5上的钝化层7、及设于所述钝化层7上的像素电极8。
所述TFT层4包括设于缓冲层3上的低温多晶硅半导体层41、覆盖所述低温多晶硅半导体层41与缓冲层3的栅极绝缘层42、设于所述栅极绝缘层42上的栅极43、覆盖所述栅极43与栅极绝缘层42的层间绝缘层44、以及设于所述层间绝缘层44上的源极451与漏极452。所述源极451、漏极452分别通过一贯穿层间绝缘层44与栅极绝缘层42的过孔接触低温多晶硅半导体层41。所述像素电极8通过贯穿有机平坦层5的过孔接触所述漏极452。
进一步地，所述有机平坦层5的材料为亚克力系光阻。
所述缓冲层3、栅极绝缘层42、层间绝缘层44、及钝化层7的材料均为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、或二者的组合。
所述栅极43、源极451、及漏极452的材料均为钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)、铜(Cu)中的一种或多种的堆栈组合。
所述公共电极6与像素电极8的材料均为铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)。
步骤2、如图3、图4所示，使用激光照射所述低温多晶硅阵列基板发生漏光、亮点缺陷的像素，使对应位于缺陷像素区域内的有机平坦层5碳化变黑，从而使缺陷像素成为暗点，完成对漏光、亮点缺陷的修补。
具体地，该步骤2所使用的激光的波长为1030nm，所述激光的脉冲能量为3～200uJ/shot，操作频率为2～50pps，保证所述激光足以使对应位于缺陷像素区域内的有机平坦层5碳化。
相比于现有技术，上述方法不必将位于缺陷像素区域内的金属线路打断或熔接，既操作简便，又能够对漏光、亮点缺陷进行有效修补，提升低温多晶硅液晶显示面板的修补成功率，利于提高低温多晶硅液晶显示面板的良品率。
综上所述，本发明的低温多晶硅阵列基板的修补方法，通过使用激光照射低温多晶硅阵列基板发生漏光、亮点缺陷的像素，使对应位于缺陷像素区域内的有机平坦层碳化，从而使缺陷像素成为暗点，不必像现有技术那样将位于缺陷像素区域内的金属线路打断或熔接，既操作简便，又能够对漏光、亮点缺陷进行有效修补，提升低温多晶硅液晶显示面板的修补成功率，利于提高低温多晶硅液晶显示面板的良品率。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。
Claims (7)
1.一种低温多晶硅阵列基板的修补方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一制作完成的低温多晶硅阵列基板，检测所述低温多晶硅阵列基板发生漏光、亮点缺陷的像素；
所述低温多晶硅阵列基板包括TFT层(4)、及覆盖所述TFT层(4)的有机平坦层(5)；
步骤2、使用激光照射所述低温多晶硅阵列基板发生漏光、亮点缺陷的像素，使对应位于缺陷像素区域内的有机平坦层(5)碳化，从而使缺陷像素成为暗点；
所述步骤2中使用的激光的波长为1030nm；
所述激光的脉冲能量为3～200uJ/shot，操作频率为2～50pps。
2.如权利要求1所述的低温多晶硅阵列基板的修补方法，其特征在于，所述有机平坦层(5)的材料为亚克力系光阻。
3.如权利要求1所述的低温多晶硅阵列基板的修补方法，其特征在于，所述低温多晶硅阵列基板还包括玻璃基板(1)、设于所述玻璃基板(1)上的遮光层(2)、覆盖所述遮光层(2)与玻璃基板(1)的缓冲层(3)、设于所述有机平坦层(5)上的公共电极(6)、设于所述公共电极(6)与有机平坦层(5)上的钝化层(7)、及设于所述钝化层(7)上的像素电极(8)；
所述TFT层(4)设于缓冲层(3)上。
4.如权利要求3所述的低温多晶硅阵列基板的修补方法，其特征在于，所述TFT层(4)具体包括设于缓冲层(3)上的低温多晶硅半导体层(41)、覆盖所述低温多晶硅半导体层(41)与缓冲层(3)的栅极绝缘层(42)、设于所述栅极绝缘层(42)上的栅极(43)、覆盖所述栅极(43)与栅极绝缘层(42)的层间绝缘层(44)、以及设于所述层间绝缘层(44)上的源极(451)与漏极(452)；所述源极(451)、漏极(452)分别通过一贯穿层间绝缘层(44)与栅极绝缘层(42)的过孔接触低温多晶硅半导体层(41)；
所述像素电极(8)通过贯穿有机平坦层(5)的过孔接触所述漏极(452)。
5.如权利要求4所述的低温多晶硅阵列基板的修补方法，其特征在于，所述缓冲层(3)、栅极绝缘层(42)、层间绝缘层(44)、及钝化层(7)的材料均为氧化硅、氮化硅、或二者的组合。
6.如权利要求4所述的低温多晶硅阵列基板的修补方法，其特征在于，所述栅极(43)、源极(451)、及漏极(452)的材料均为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。
7.如权利要求4所述的低温多晶硅阵列基板的修补方法，其特征在于，所述公共电极(6)与像素电极(8)的材料均为ITO。
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