CN105074925A - 半导体光检测装置 - Google Patents
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Abstract
半导体光检测装置(1)具备基体(3)、多个半导体光检测元件(10)、多个凸块电极(35)、以及多个虚设凸块(37)。多个半导体光检测元件(10)呈具有在第一方向上相互相对的一对第一边(13)和比一对第一边(13)更短且在与第一方向正交的第二方向上相互相对的一对第二边(15)的平面形状，且在并排的状态下相互相邻地配置在基体(3)上。多个凸块电极(35)分别配置在各半导体光检测元件(10)的一对第一边(13)侧，且将基体(3)与各半导体光检测元件(10)电性且机械性连接。多个虚设凸块(37)在各半导体光检测元件(10)的一对第二边(15)侧分别配置至少一个，且将基体(3)与各半导体光检测元件(10)机械性连接。
Description
技术领域
本发明涉及一种具备多个半导体光检测元件的半导体光检测装置。
背景技术
具备基体、配置在基体上的多个半导体光检测元件、以及将基体与各半导体光检测元件电性且机械性连接的多个凸块电极的半导体光检测装置已为人所知(例如参照专利文献1)。多个半导体光检测元件呈具有在第一方向上相互相对的一对第一边以及在与第一方向正交的第二方向上相互相对的一对第二边的平面形状。多个半导体光检测元件在并排的状态下相互相邻地配置在基体上。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2000-022120号公报(段落[0146])
发明内容
发明所要解决的问题
然而，在专利文献1所记载的半导体光检测装置中，有产生以下所述的问题点的担忧。基体与多个半导体光检测元件通过多个凸块电极固化而相互机械性连接。此时，有因凸块电极固化时所产生的凸块电极的收缩等因素而导致各半导体光检测元件的位置产生偏移的担忧。
在具有一对第二边比一对第一边短的平面形状的半导体光检测元件中，将连接对应的凸块电极的多个导体焊垫为了缩短直至该导体焊垫为止的配线来降低配线电容，而配置在一对第一边侧。此时，为了更加降低配线电容，而将多个导体焊垫配置于在第二方向上看距第二边较远的位置的情况。若多个导体焊垫即多个凸块电极配置在一对第一边侧，则有在这些凸块电极收缩时半导体光检测元件中的在第二边侧的位置偏移扩大的担忧。
本发明的目的在于提供一种以高的位置精度配置有多个半导体光检测元件的半导体光检测装置。
解决问题的技术手段
本发明的一个观点所涉及的半导体光检测装置具备：基体；多个半导体光检测元件，其呈具有在第一方向上相互相对的一对第一边以及比一对第一边更短且在与第一方向正交的第二方向上相互相对的一对第二边的平面形状，并且在并排的状态下相互相邻地配置在基体上；多个凸块电极，其分别配置在各半导体光检测元件的一对第一边侧，且将基体与各半导体光检测元件电性且机械性连接；以及多个虚设凸块，其在各半导体光检测元件的一对第二边侧分别配置至少一个，并将基体与各半导体光检测元件机械性连接。
在本发明的一个观点所涉及的半导体光检测装置中，虚设凸块在各半导体光检测元件的一对第二边侧分别配置至少一个。即便因多个凸块电极的收缩等因素使各半导体光检测元件将要产生位置偏移，由于虚设凸块分别配置在一对第二边侧，因此仍能够抑制在各半导体光检测元件产生位置偏移。因此，多个半导体光检测元件以高的位置精度配置。
可选地，各半导体光检测元件在第一方向上并排的状态下相互相邻。在各半导体光检测元件在第一方向上并排的状态下相互相邻地配置的情况下，有因半导体光检测元件彼此的干涉等因素而产生位置偏移的情况。然而，由于虚设凸块分别配置在一对第二边侧，因此在各半导体光检测元件在第一方向上并排的状态下相互相邻地配置的情况下，即便因半导体光检测元件彼此的干涉等因素使各半导体光检测元件将要产生位置偏移，也能够切实地抑制该位置偏移的产生。
可选地，多个虚设凸块以横跨相邻的多个半导体光检测元件的方式配置。在该情况下，在相邻的半导体光检测元件彼此，谋求多个虚设凸块的共有化。其结果，虚设凸块的个数相对少了，能够抑制成本的增加。
可选地，还具备：在第一边和第二边当中在相邻的多个半导体光检测元件中相互相邻的边侧，以横跨各半导体光检测元件的方式配置至少一个，并将基体与各半导体光检测元件机械性连接的虚设凸块。在该情况下，由于能够更进一步抑制在各半导体光检测元件产生位置偏移，因此多个半导体光检测元件以更高的位置精度配置。
本发明的另一观点所涉及的半导体光检测装置具备：基体；多个半导体光检测元件，其呈具有在第一方向上相互相对的一对第一边以及在与第一方向正交的第二方向上相互相对的一对第二边的平面形状，并且在第一方向上并排的状态下相互相邻地配置在基体上；多个凸块电极，其分别配置在各半导体光检测元件的一对第一边侧，并将基体与各半导体光检测元件电性且机械性连接；以及多个虚设凸块，其在相邻的多个半导体光检测元件中相互相邻的第一边侧，以横跨各半导体光检测元件的方式配置，并将基体与各半导体光检测元件机械性连接。
在本发明的另一观点所涉及的半导体光检测装置中，多个虚设凸块在相邻的多个半导体光检测元件中相互相邻的第一边侧，以横跨各半导体光检测元件的方式配置。即便因多个凸块电极的收缩等因素使各半导体光检测元件将要产生位置偏移，也由于虚设凸块分别在第一边侧以横跨各半导体光检测元件的方式配置，因此能够抑制在各半导体光检测元件产生位置偏移。因此，多个半导体光检测元件以高的位置精度配置。
可选地，在多个半导体光检测元件中，配置有由相同制造工序形成且连接多个凸块电极及多个虚设凸块的多个导体焊垫。在该情况下，连接凸块电极的导体焊垫和连接虚设凸块的导体焊垫的位置精度极高。因此，可以更高的位置精度配置多个半导体光检测元件。
可选地，多个凸块电极是焊料凸块，多个虚设凸块是熔点比多个凸块电极低的焊料凸块。在该情况下，凸块电极的固化比虚设凸块的固化更早开始，而虚设凸块处于熔融的状态，因此在各半导体光检测元件对准的状态下，凸块电极固化。因此，能够更进一步抑制在各半导体光检测元件产生位置偏移。
可选地，多个虚设凸块小于多个凸块电极。不仅凸块电极，虚设凸块也在固化时收缩。然而，由于虚设凸块小于凸块电极，因此虚设凸块的收缩率小，在收缩时作用于半导体光检测元件的力极小。因此，能够切实地抑制在各半导体光检测元件产生位置偏移。
可选地，各半导体光检测元件是可以取得以第二方向为长度方向的二维图像和进行TDI驱动的固体摄像元件。
发明的效果
根据本发明，能够提供一种以高的位置精度配置有多个半导体光检测元件的半导体光检测装置。
附图说明
图1是表示第一实施方式所涉及的半导体光检测装置的俯视图。
图2是用于说明第一实施方式所涉及的半导体光检测装置的截面结构的图。
图3是表示第一实施方式的变化例所涉及的半导体光检测装置的俯视图。
图4是表示第一实施方式的变化例所涉及的半导体光检测装置的俯视图。
图5是表示第一实施方式的变化例所涉及的半导体光检测装置的俯视图。
图6是表示第一实施方式的变化例所涉及的半导体光检测装置的俯视图。
图7是表示第一实施方式的变化例所涉及的半导体光检测装置的俯视图。
图8是表示第二实施方式所涉及的半导体光检测装置的俯视图。
图9是用于说明第二实施方式所涉及的半导体光检测装置的截面结构的图。
图10是表示第一实施方式的变化例所涉及的半导体光检测装置的俯视图。
图11是表示第二实施方式的变化例所涉及的半导体光检测装置的俯视图。
附图的说明：
1,2…半导体光检测装置，3…基体，5,7…导体焊垫，10…半导体光检测元件，13…第一边，15…第二边，25,27…导体焊垫，35…凸块电极，37…虚设凸块。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的实施方式详细说明。再者，在说明中，对相同要素或具有相同功能的要素使用相同符号，并省略重复的说明。
(第一实施方式)
参照图1和图2，说明第一实施方式所涉及的半导体光检测装置1的结构。图1是表示第一实施方式所涉及的半导体光检测装置的俯视图。图2是用于说明第一实施方式所涉及的半导体光检测装置的截面结构的图。
如图1和图2所示，半导体光检测装置1具备基体3和多个半导体光检测元件10。在本实施方式中，半导体光检测装置1具备2个半导体光检测元件10。
基体3是具有相互相对的主面3a、3b的基板。在主面3a，分别配置有多个导体焊垫5、7。主面3a是用于配置各半导体光检测元件10的面。即，各半导体光检测元件10配置在基体3的主面3a上。
各半导体光检测元件10具有相互相对的主面10a和主面10b。在各半导体光检测元件10中，在主面10a侧设置有光感应区域11。光感应区域11根据入射光而产生电荷。各半导体光检测元件10呈具有在第一方向上相互相对的一对第一边13、以及比一对第一边13更短且在与第一方向正交的第二方向上相互相对的一对第二边15的平面形状。在本实施方式中，采用长方形状作为所述平面形状。即，各第一边13相当于长边，各第二边15相当于短边。因此，第一方向是与短边平行的方向，第二方向是与长边平行的方向。
在本实施方式中，使用BT(Back-illuminatedThinning，背照式减薄型)-CCD(电荷耦合元件)作为半导体光检测元件10。所产生的电荷通过移位暂存器作为信号电荷传送，并被转换成与信号电荷对应的电压而输出。半导体光检测元件10通过TDI(TimeDelayIntegration，时间延迟积分)动作而在第一方向进行电荷传送。即，半导体光检测元件10是可以取得以第二方向为长度方向的二维图像和进行TDI驱动的固体摄像元件。半导体光检测装置1(半导体光检测元件10)对在第一方向上相对移动的被摄体进行摄影。
各半导体光检测元件10以主面10b侧成为光入射面的方式配置在基体3上。半导体光检测元件10的主面10a与基体3的主面3a相互相对。各半导体光检测元件10在第一方向上并排的状态下相互相邻地位于基体3的主面3a上。
各半导体光检测元件10分别具备多个导体焊垫25、27。各导体焊垫25、27配置在半导体光检测元件10的主面10a侧。各导体焊垫25是用于对半导体光检测元件10进行信号的输入输出的导体焊垫。各导体焊垫27是无助于信号向半导体光检测元件10的输入输出的导体焊垫。导体焊垫27是所谓的虚设(dummy)焊垫。各导体焊垫25、27通过相同制造工序而形成在半导体光检测元件10的主面10a侧。
多个导体焊垫25分别配置在半导体光检测元件10的一对第一边13侧。导体焊垫25沿着第一边13并排设置在每一第一边13侧。为了缩短配线距离，并降低配线电容，导体焊垫25配置在第二方向上看距第二边15较远的位置。在本实施方式中，在每一第一边13侧，设置有18(6×3)个导体焊垫25。
多个导体焊垫27分别配置在半导体光检测元件10的一对第二边15侧。在本实施方式中，沿着第二边15并排设置在每一第二边15侧。各导体焊垫27配置在与长方形状的角部对应的位置。在本实施方式中，在每一第二边15侧，设置有2个导体焊垫27。
配置在基体3的多个导体焊垫5以与半导体光检测元件10的多个导体焊垫25对应的方式规定其位置而设置。各导体焊垫5是用于对半导体光检测元件10进行信号的输入输出的导体焊垫。在本实施方式中，在基体3设置有72(18×4)个导体焊垫5。
配置在基体3的多个导体焊垫7以与半导体光检测元件10的多个导体焊垫27对应的方式规定其位置而设置。各导体焊垫7是无助于信号向半导体光检测元件10的输入输出的导体焊垫。导体焊垫7与导体焊垫27同样地是所谓的虚设焊垫。在本实施方式中，在基体3设置有8(4×2)个导体焊垫7。
半导体光检测装置1具备多个凸块电极35和多个虚设凸块37。各半导体光检测元件10分别通过多个凸块电极35与虚设凸块37而安装在基体3。即，各半导体光检测元件10通过倒装芯片接合而安装在基体3。
各凸块电极35将基体3与各半导体光检测元件10电性且机械性连接。各虚设凸块37将基体3与各半导体光检测元件10机械性连接。在本实施方式中，使用焊料凸块作为凸块电极35和多个虚设凸块37。作为焊料凸块，可以使用锡银铜合金(Sn-Ag-Cu)焊料。对于凸块电极35和多个虚设凸块37，除了可以使用焊料凸块以外，也可以使用金凸块、镍凸块、或铜凸块等凸块。
各凸块电极35将相互对应的导体焊垫5与导体焊垫25连接。即，多个凸块电极35对应于导体焊垫25而分别配置在半导体光检测元件10的一对第一边13侧。凸块电极35沿着第一边13而并排设置在每一第一边13侧。凸块电极35的个数与导体焊垫25(导体焊垫5)的个数相同。
各虚设凸块37将相互对应的导体焊垫7与导体焊垫27连接。即，多个虚设凸块37对应于导体焊垫27而分别配置在半导体光检测元件10的一对第二边15侧。虚设凸块37沿着第二边15而并排设置在每一第二边15侧。虚设凸块37的个数与导体焊垫27(导体焊垫7)的个数相同。各虚设凸块37无助于信号向半导体光检测元件10的输入输出。
如以上所述，在本第一实施方式中，虚设凸块37在各半导体光检测元件10的一对第二边15侧分别各配置有2个。即便因多个凸块电极35的收缩等因素而在各半导体光检测元件10将要产生位置偏移，也由于虚设凸块37分别配置在一对第二边15侧，因此能够抑制在各半导体光检测元件10产生位置偏移。因此，2个半导体光检测元件10以高的位置精度配置。
各半导体光检测元件10在第一方向上并排的状态下相互相邻。在该情况下，会有因半导体光检测元件10彼此的干涉等因素而产生位置偏移的情况。然而，如上所述，由于虚设凸块37分别配置在一对第二边15侧，因此即便因半导体光检测元件10彼此的干涉等因素而在各半导体光检测元件10将要产生位置偏移，也能够切实地抑制该位置偏移的产生。
各导体焊垫25与各导体焊垫27由相同制造工序形成。因此，连接凸块电极35的导体焊垫25与连接虚设凸块37的导体焊垫27的位置精度极高。因此，能够以更高的位置精度配置各半导体光检测元件10。
如上所述，各半导体光检测元件10是可以进行TDI驱动的固体摄像元件，在半导体光检测元件10间，被摄体的特定区域被相同像素行摄像。在该情况下，若各半导体光检测元件10产生位置偏移，则被摄体的特定区域在半导体光检测元件10间被不同的像素行摄像。因此，所取得的图像模糊，解析度劣化。然而，在本实施方式中，如上所述，由于各半导体光检测元件10在抑制位置偏移的状态下以高的位置精度配置，因此所取得的图像不会模糊，解析度不会劣化。
继而，参照图3～图7，说明第一实施方式的变化例所涉及的半导体光检测装置1的结构。图3～图7是表示第一实施方式的变化例所涉及的半导体光检测装置的俯视图。
在图3所示的变化例中，各虚设凸块37在每一对第二边15侧，各配置有1个。在本变化例中，各虚设凸块37配置在与位于长方形状的对角线上的一对角部对应的位置。
在图4所示的变化例中，各虚设凸块37也在每一对第二边15侧，各配置有1个。在本变化例中，各虚设凸块37配置在与第二边15的中央部对应的位置。
在图5所示的变化例中，各虚设凸块37在一方的第二边15侧每侧，各配置有1个，在另一方的第二边15侧每侧，各配置有2个。在本变化例中，配置在一方的第二边15侧的虚设凸块37配置在与该第二边15的中央部对应的位置。配置在另一方的第二边15侧每侧的各虚设凸块37配置在与长方形状的另一个第二边15侧的角部对应的位置。
在图3～图5所示的变化例中，也与所述第一实施方式同样地，能够抑制在各半导体光检测元件10产生位置偏移，从而2个半导体光检测元件10以高的位置精度配置。在任一个变化例中，虽然省略图示，但是连接各虚设凸块37的各导体焊垫7、27均配置在与虚设凸块37对应的位置。
在图6所示的变化例中，各虚设凸块37在一对第二边15侧每侧，以横跨相邻的半导体光检测元件10的方式配置。在本变化例中，也与所述第一实施方式同样地，能够抑制在各半导体光检测元件10产生位置偏移，使2个半导体光检测元件10以高的位置精度配置。由于在相邻的半导体光检测元件10彼此谋求虚设凸块37的共有化，因此虚设凸块37的个数相对少。由此，能够抑制成本的增加。在本变化例中，虽然省略图示，但是连接各虚设凸块37的各导体焊垫7、27也配置在与虚设凸块37对应的位置。
在图7所示的变化例中，多个虚设凸块37不仅配置在一对第二边15侧，也配置在第一边13侧。在本变化例中，2个虚设凸块37在第一边13侧以横跨相邻的半导体光检测元件10的方式配置。根据本变化例，能够更进一步抑制在各半导体光检测元件10产生位置偏移，从而2个半导体光检测元件10以高的位置精度配置。
(第二实施方式)
参照图8和图9，说明第二实施方式的半导体光检测装置2的结构。图8是表示第二实施方式的半导体光检测装置的俯视图。图9是用于说明第二实施方式的半导体光检测装置的截面结构的图。
如图8和图9所示，半导体光检测装置2与半导体光检测装置1同样地具备基体3和多个半导体光检测元件10。在本实施方式中，半导体光检测装置1具备2个半导体光检测元件10。
多个虚设凸块37在相邻的半导体光检测元件10中相互相邻的第一边13侧，以横跨各半导体光检测元件10的方式配置。在本第二实施方式中，2个虚设凸块37在第一边13侧，以横跨相邻的半导体光检测元件10的方式配置。
如以上所述，在本第二实施方式中，2个虚设凸块37在第一边13侧，以横跨相邻的半导体光检测元件10的方式配置。即便因多个凸块电极35的收缩等因素而使各半导体光检测元件10将要产生位置偏移，但是由于虚设凸块37分别在第一边13侧以横跨各半导体光检测元件10的方式配置，因此仍能够抑制在各半导体光检测元件10产生位置偏移。因此，2个半导体光检测元件10以高的位置精度配置。
图6和图7所示的各变化例在多个虚设凸块37在第一边13侧以横跨相邻的半导体光检测元件10的方式配置的方面，也相当于本第二实施方式的变化例。
以上，已针对本发明的实施方式进行说明，但是本发明并非一定限定在所述实施方式，在不偏离其主旨的范围内可进行各种变更。
凸块电极35与虚设凸块37可以使用相同的焊料凸块，也可以使用不同的焊料凸块。例如，也可以使用熔点比凸块电极35低的焊料凸块作为虚设凸块37。在该情况下，凸块电极35的固化比虚设凸块37的固化更早开始，而虚设凸块37处于熔融的状态。因此，在通过虚设凸块37的表面张力等而使各半导体光检测元件10对准的状态下，凸块电极35固化。其结果，能够更进一步抑制在各半导体光检测元件10产生位置偏移。
凸块电极35与虚设凸块37的大小也可以不同。例如，如图10和图11所示，虚设凸块37也可以小于凸块电极35。不仅凸块电极35，而且虚设凸块37也在固化时收缩。然而，由于虚设凸块37小于凸块电极35，因此虚设凸块37的收缩率相对较小，在收缩时作用至半导体光检测元件10的力极小。因此，能够切实地抑制在各半导体光检测元件10产生位置偏移。在虚设凸块37是熔点比凸块电极35低的焊料凸块的情况下，能够更切实地抑制在各半导体光检测元件10产生位置偏移。
各半导体光检测元件10在第一方向上并排的状态下相互相邻地位于基体3的主面3a上，但是并不限在此。例如，各半导体光检测元件10也可以在第二方向上并排的状态下相互相邻地位于基体3的主面3a上。在该情况下，一方的半导体光检测元件10的第二边15与另一方的半导体光检测元件10的第二边15相邻。
半导体光检测元件10的个数并不限在上述数，半导体光检测装置1、2也可以具备3个以上的半导体光检测元件10。凸块电极35和虚设凸块37的个数也并不限在所述数。
产业上的可利用性
本发明可以利用于具备多个半导体光检测元件的半导体光检测装置。
Claims (9)
1.一种半导体光检测装置，其特征在于：
具备：
基体；
多个半导体光检测元件，其呈具有在第一方向上相互相对的一对第一边以及比所述一对第一边更短且在与所述第一方向正交的第二方向上相互相对的一对第二边的平面形状，并且在并排的状态下相互相邻地配置在所述基体上；
多个凸块电极，其分别配置在各所述半导体光检测元件的所述一对第一边侧，并将所述基体与各所述半导体光检测元件电性且机械性连接；以及
多个虚设凸块，其在各所述半导体光检测元件的所述一对第二边侧分别配置至少一个，并将所述基体与各所述半导体光检测元件机械性连接。
2.如权利要求1所述的半导体光检测装置，其特征在于：
各所述半导体光检测元件在所述第一方向上并排的状态下相互相邻。
3.如权利要求1或2所述的半导体光检测装置，其特征在于：
所述多个虚设凸块以横跨相邻的所述多个半导体光检测元件的方式配置。
4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体光检测装置，其特征在于：
还具备：在所述第一边和所述第二边当中在相邻的所述多个半导体光检测元件中相互相邻的边侧，以横跨各所述半导体光检测元件的方式配置至少一个，并将所述基体与各所述半导体光检测元件机械性连接的虚设凸块。
5.一种半导体光检测装置，其特征在于：
具备：
基体；
多个半导体光检测元件，其呈具有在第一方向上相互相对的一对第一边以及在与所述第一方向正交的第二方向上相互相对的一对第二边的平面形状，并且在所述第一方向上并排的状态下相互相邻地配置在所述基体上；
多个凸块电极，其分别配置在各所述半导体光检测元件的所述一对第一边侧，并将所述基体与各所述半导体光检测元件电性且机械性连接；以及
多个虚设凸块，其在相邻的所述多个半导体光检测元件中相互相邻的所述第一边侧，以横跨各所述半导体光检测元件的方式配置，并将所述基体与各所述半导体光检测元件机械性连接。
6.如权利要求1至5中任一项所述的半导体光检测装置，其特征在于：
在所述多个半导体光检测元件中，配置有由相同制造工序形成且连接所述多个凸块电极与所述多个虚设凸块的多个导体焊垫。
7.如权利要求1至6中任一项所述的半导体光检测装置，其特征在于：
所述多个凸块电极是焊料凸块，
所述多个虚设凸块是熔点比所述多个凸块电极低的焊料凸块。
8.如权利要求1至7中任一项所述的半导体光检测装置，其特征在于：
所述多个虚设凸块小于所述多个凸块电极。
9.如权利要求1至8中任一项所述的半导体光检测装置，其特征在于：
各所述半导体光检测元件是可以取得以所述第二方向为长度方向的二维图像和进行TDI驱动的固体摄像元件。
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| US10748857B2 (en) * | 2018-09-11 | 2020-08-18 | Micron Technology, Inc. | Die features for self-alignment during die bonding |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030106987A1 (en) * | 2000-07-18 | 2003-06-12 | Nobuyuki Komaba | Photodetector array |
| US20050242380A1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-03 | J. Morita Manufacturing Corporation | Two dimensional image production method and system using solid-state image sensing device |
| CN101010807A (zh) * | 2004-09-02 | 2007-08-01 | 阿帕托佩克股份有限公司 | 制造晶片级摄像头模块的方法 |
| US20090108181A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-04-30 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodetector |
| US20120132817A1 (en) * | 2010-11-29 | 2012-05-31 | Stmicroelectronics S.R.I. | Encapsulated photomultiplier device of semiconductor material, for use, for example, in machines for performing positron-emission tomography |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06112463A (ja) * | 1992-09-25 | 1994-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその実装方法 |
| JP2853641B2 (ja) * | 1996-02-27 | 1999-02-03 | 日本電気株式会社 | 受光デバイス |
| JP3545247B2 (ja) | 1998-04-27 | 2004-07-21 | シャープ株式会社 | 二次元画像検出器 |
| JP2000278605A (ja) * | 1999-03-29 | 2000-10-06 | Canon Inc | 撮像装置および画像処理システム |
| JP2002026302A (ja) * | 2000-07-11 | 2002-01-25 | Canon Inc | 放射線撮像装置とその製造方法 |
| US20040012684A1 (en) | 2002-07-16 | 2004-01-22 | Fairchild Imaging | Image reconstruction techniques for charge coupled devices |
| JP2006222374A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 半導体チップ |
| JP2006287640A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像素子パッケージ、固体撮像素子実装基板、デジタルカメラ及び固体撮像素子パッケージの実装方法 |
| JP2007149851A (ja) | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Sony Computer Entertainment Inc | 配線基板、電子部品実装構造、および電子部品実装方法 |
| JP4997066B2 (ja) * | 2007-10-29 | 2012-08-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
| DE102008050840A1 (de) | 2008-10-08 | 2009-10-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Fertigung eines elektrischen Moduls, elektrisches Modul, Röntgenmesssystem sowie Computertomograh |
| JP5671849B2 (ja) * | 2010-06-24 | 2015-02-18 | 住友電気工業株式会社 | 受光素子アレイ、ハイブリッド型検出装置、および光学センサ装置 |
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030106987A1 (en) * | 2000-07-18 | 2003-06-12 | Nobuyuki Komaba | Photodetector array |
| US20050242380A1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-03 | J. Morita Manufacturing Corporation | Two dimensional image production method and system using solid-state image sensing device |
| CN101010807A (zh) * | 2004-09-02 | 2007-08-01 | 阿帕托佩克股份有限公司 | 制造晶片级摄像头模块的方法 |
| US20090108181A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-04-30 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodetector |
| US20120132817A1 (en) * | 2010-11-29 | 2012-05-31 | Stmicroelectronics S.R.I. | Encapsulated photomultiplier device of semiconductor material, for use, for example, in machines for performing positron-emission tomography |
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