CN105074875A - 激光退火装置、半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明所涉及的激光退火装置的特征在于，具有：载置台，其载置被加热物；第1激光元件，其放射第1连续激光；第1光学系统，其将该第1连续激光向该被加热物引导，在该被加热物上形成第1照射区域；第2激光元件，其放射与该第1连续激光相比波长较短的第2连续激光；第2光学系统，其将该第2连续激光向该被加热物引导，在该被加热物上形成第2照射区域；以及系统控制器，其以下述方式使该第1照射区域和该第2照射区域进行扫描，即，针对该被加热物的各部分，在该第2照射区域进行扫描前，该第1照射区域的至少一部分进行扫描。

Description

激光退火装置、半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及下述激光退火装置以及使用该激光退火装置的半导体装置的制造方法，该激光退火装置例如在导入到衬底中的杂质的扩散及活性化中使用。
背景技术
为了使通过离子注入等而导入到半导体衬底中的杂质进行扩散及活性化，有时对半导体衬底实施激光退火。在专利文献1中，公开了下述激光退火装置，即，具有：脉冲振荡激光元件，其放射脉冲激光；以及连续(或者不连续)振荡激光元件，其放射辅助进行退火的近红外激光。该激光退火装置通过近红外激光照射使衬底表面温度达到稳定状态，然后照射脉冲激光。由此，充分地确保光穿透长度和热扩散长度，使存在于衬底深处的杂质活性化。
专利文献1：日本特开2011－119297号公报
专利文献2：日本特开2009－302214号公报
专利文献3：国际公开WO2007/015388号公报
发明内容
对于激光退火处理，优选使激光的照射区域高速地进行扫描，并且对被加热物充分地进行加热。但是，在专利文献1公开的技术中，由于使用脉冲激光对被加热物进行加热，因此存在下述问题，即，如果使照射区域进行高速扫描，则产生未被加热的部分。
本发明就是为了解决上述问题而提出的，其目的在于，提供一种激光退火装置以及半导体装置的制造方法，该激光退火装置能够使照射区域进行高速扫描，并且对被加热物充分地进行加热
本申请的发明所涉及的激光退火装置的特征在于，具有：载置台，其载置被加热物；第1激光元件，其放射第1连续激光；第1光学系统，其将该第1连续激光向该被加热物引导，在该被加热物上形成第1照射区域；第2激光元件，其放射与该第1连续激光相比波长较短的第2连续激光；第2光学系统，其将该第2连续激光向该被加热物引导，在该被加热物上形成第2照射区域；以及系统控制器，其以下述方式使该第1照射区域和该第2照射区域进行扫描，即，针对该被加热物的各部分，在该第2照射区域进行扫描前，该第1照射区域的至少一部分进行扫描。
本申请的发明所涉及的半导体装置的制造方法的特征在于，对被加热物照射第1连续激光，形成该第1连续激光所照射的区域即第1照射区域，并且对该被加热物照射与该第1连续激光相比波长较短的第2连续激光，形成该第2连续激光所照射的区域即第2照射区域，使该第1照射区域和该第2照射区域以下述方式进行扫描，即，针对该被加热物的各部分，在该第2照射区域进行扫描前，该第1照射区域的至少一部分进行扫描。
通过后面的内容，使本发明的其他特征明确。
发明的效果
根据本发明，通过连续激光的使用以及预加热的实施，从而能够使照射区域进行高速扫描，并且对被加热物充分地进行加热。
附图说明
图1是本发明的实施方式1所涉及的激光退火装置的正视图。
图2是被加热物的局部剖视图。
图3是表示第1照射区域和第2照射区域的扫描方法的俯视图。
图4是表示被加热物的温度变化及吸收系数的变化的图。
图5是表示退火处理中的被加热物深度方向的温度分布的图。
图6是表示照射范围的扫描速度依赖性的图。
图7是表示使用本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的制造方法的情况下的被加热物的温度变化的图。
图8是表示使用脉冲激光的情况下的被加热物的温度变化的图。
图9是表示扫描方法的例子的图。
图10是表示扫描方法的例子的图。
图11是存储器的剖视图。
图12是表示激光元件的例子的表。
图13是本发明的实施方式2所涉及的激光退火装置的正视图。
图14是表示第1照射区域、第2照射区域、以及第3照射区域的配置的俯视图。
图15是表示本发明的实施方式3所涉及的第1照射区域、第2照射区域、以及第3照射区域的俯视图。
图16是表示本发明的实施方式3所涉及的激光退火装置的变形例的俯视图。
图17是表示本发明的实施方式4所涉及的第1照射区域、第2照射区域、以及第3照射区域的俯视图。
图18是表示实施方式4所涉及的激光退火装置的变形例的俯视图。
图19是表示实施方式4所涉及的激光退火装置的其他变形例的俯视图。
图20是表示图18的情况下的被加热物的温度变化及吸收系数的变化的图。
图21是表示图18的情况下的被加热物深度方向的温度分布的图。
图22是表示本发明的实施方式5所涉及的第1照射区域及第2照射区域的俯视图。
图23是表示本发明的实施方式5所涉及的激光退火装置的变形例的俯视图。
图24是本发明的实施方式6所涉及的激光退火装置的正视图。
图25是表示本发明的实施方式6所涉及的第1照射区域、第2照射区域、以及第4照射区域的俯视图。
图26是表示第1照射区域、第2照射区域、以及第4照射区域的扫描导致的被加热物的温度变化及吸收系数的变化的图。
图27是表示被加热物深度方向的温度分布的图。
图28是表示本发明的实施方式6所涉及的退火装置的变形例的俯视图。
具体实施方式
参照附图，对本发明的实施方式所涉及的激光退火装置、以及半导体装置的制造方法进行说明。对相同的或相对应的结构要素标注相同的标号，有时省略说明的重复。
实施方式1
图1是本发明的实施方式1所涉及的激光退火装置的正视图。该激光退火装置具有搭载被加热物的载置台10。载置台10与载置台控制器12连接。载置台控制器12与系统控制器14连接。载置台控制器12接收来自系统控制器14的指令，使载置台10的位置变化。
系统控制器14与第1直流电源16a和第2直流电源16b连接。系统控制器14对第1直流电源16a和第2直流电源16b的接通/断开进行控制。第1直流电源16a与第1激光元件18a连接。第1激光元件18a从第1直流电源16a接受直流电压的供给，放射第1连续激光。第1连续激光的波长例如是808nm。在第1连续激光所及之处，形成有第1光学系统20a。第1光学系统20a将第1连续激光向被加热物引导，在被加热物上形成第1照射区域。所谓第1照射区域，是指被加热物中的被第1连续激光照射的区域。
第2直流电源16b与第2激光元件18b连接。第2激光元件18b从第2直流电源16b接受直流电压的供给，放射与第1连续激光相比波长较短的第2连续激光。第2连续激光的波长例如是532nm。在第2连续激光所及之处，形成有第2光学系统20b。第2光学系统20b将第2连续激光向被加热物引导，在被加热物上形成第2照射区域。所谓第2照射区域，是指被加热物中的被第2连续激光照射的区域。
图2是被加热物50的局部剖视图。被加热物50由穿通型IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)形成。简单地对被加热物50的制造工艺进行说明。首先，在N型半导体衬底52的上表面侧，形成P+扩散层54、N+扩散层56、被氧化膜58覆盖的栅极电极60、以及发射极电极62。发射极电极62例如使用铝。然后，对半导体衬底52的下表面侧进行研磨，以使半导体衬底52的厚度例如为100μm。然后，利用离子注入等，向半导体衬底52的下表面侧注入N+缓冲层64的杂质和P+集电极层66的杂质。
在本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的制造方法中，使用激光退火装置，使被加热物50的下表面侧的杂质扩散及活性化。图3是表示第1照射区域和第2照射区域的扫描方法的俯视图。首先，在载置台10上载置被加热物50。在图3中，被加热物50的集电极层66显露于表面。之后，使第1照射区域100和第2照射区域102沿箭头方向进行扫描。该扫描通过从系统控制器14接收到了指令的载置台控制器12使载置台10移动而实现。
对第1照射区域100和第2照射区域102以下述方式进行扫描，即，针对被加热物50的各部分，在第2照射区域102进行扫描前，第1照射区域100的至少一部分进行扫描。此外，第1照射区域100的扫描方向的宽度、第2照射区域102的扫描方向的宽度例如分别为100μm、50μm，但是并不特别地限定于此。
系统控制器14以下述方式使第1照射区域100和第2照射区域102进行扫描，即，第1照射区域100和第2照射区域102的扫描速度为50～1000[m/min]。此外，也可以通过利用系统控制器14使第1光学系统20a和第2光学系统20b移动，而不使载置台10移动，从而对第1照射区域100和第2照射区域102进行扫描。
图4是表示被加热物的温度变化及吸收系数的变化的图。温度及吸收系数的测定点例如是图3的P1所示的部位。在测定点正上方由第1照射区域进行扫描的时间表示为“第1连续激光”，在测定点正上方由第2照射区域进行扫描的时间表示为“第2连续激光”。如果第1照射区域进行扫描，则被加热物的吸收系数增高。并且，由于在被加热物的吸收系数增高了的部位由第2照射区域进行扫描，因此与仅由第2照射区域进行扫描的情况相比，能够使测定点所达到的温度较高。
图5是表示退火处理中的被加热物深度方向的温度分布的图。可知，在使第1照射区域和第2照射区域进行扫描的情况下，与仅使第2照射区域进行扫描的情况相比，能够以高温进行退火。
根据本发明的实施方式1所涉及的激光退火装置和半导体装置的制造方法，由于使用第1连续激光和第2连续激光，因此能够提高第1照射区域和第2照射区域的扫描速度。图6是表示照射范围的扫描速度依赖性的图。如果使用连续激光，则即使扫描速度上升，也没有照射遗漏，但是，如果使用脉冲激光，则在扫描速度上升的情况下，会产生照射遗漏。通过使用连续激光，能够提高第1照射区域和第2照射区域的扫描速度，而不发生照射遗漏。
图7是表示使用本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的制造方法的情况下的被加热物的温度变化的图。测定点例如是图3的P1所示的部位。测定点的温度变为最大的时刻是第2照射区域扫描测定点的时刻。在该时刻前，在俯视观察时第2照射区域主要是在测定点上方进行扫描，在该时刻后，在俯视观察时第2照射区域主要是在测定点下方进行扫描。扫描速度是400[m/min]。由于在达到温度峰值后直至下一个温度峰值即将出现为止恢复为大致常温，因此被测定物在加热后迅速地散热，几乎不蓄热。因此，被加热物的上表面温度维持较低的值。
图8是表示使用脉冲激光的情况下的被加热物的温度变化的图。使照射区域的扫描速度与使用连续光的情况相比较慢，以在被加热物上不产生照射不均。扫描速度是4.2[m/min]。由于在从达到温度峰值后直至下一个温度峰值即将出现为止不恢复为常温，因此被加热物蓄热。因此，被加热物的上表面温度为较高的值。
如上所述，通过使用连续激光，由此能够使第1照射区域和第2照射区域进行高速扫描，而不产生照射不均。并且，通过使第1照射区域和第2照射区域进行高速扫描，从而能够使下表面的温度充分高，使缓冲层64和集电极层66的杂质扩散及活性化，并且抑制上表面的温度上升。通过将上表面的温度保持得较低，从而能够不使衬底上表面侧的扩散层等产生变化，并且确保由铝形成的发射极电极62的可靠性。
根据本发明的实施方式1所涉及的激光退火装置和半导体装置的制造方法，针对被加热物的各部分，通过第1照射区域的扫描，使(相对于第2连续激光的)吸收系数提高，然后使第2照射区域进行扫描。因此，与仅使第2照射区域进行扫描的情况相比，能够进行高温的退火处理。在本发明的实施方式1中，由于使第1照射区域和第2照射区域的扫描高速化，因此难以将被加热物设置为高温。因此，通过利用第1照射区域进行的预加热，从而预先提高被加热物的吸收系数是重要的。
也可以通过系统控制器14，针对使第1照射区域和第2照射区域扫描后的区域的1/2～2/3部分，再次使第1照射区域和第2照射区域进行扫描。图9是表示针对使第1照射区域和第2照射区域扫描后的区域的1/2部分再次使第1照射区域和第2照射区域进行扫描的俯视图。图10是表示针对使第1照射区域和第2照射区域扫描后的区域的2/3部分再次使第1照射区域和第2照射区域进行扫描的俯视图。如果以上述方式，针对使第1照射区域和第2照射区域扫描后的部分的一部分再次利用第1照射区域和第2照射区域进行扫描，则能够无遗漏地对被加热物照射激光，因此能够对被加热物的下表面均匀地进行加热。
也可以通过系统控制器14，以下述方式使第1照射区域和第2照射区域进行扫描，即，与已经使第1照射区域和第2照射区域扫描后的区域不重叠，且与该区域无间隙。在该情况下，由于能够缩短用于对被加热物整体进行扫描的扫描距离，因此能够在较短的时间内进行处理。
本发明的激光退火装置和半导体装置的制造方法优选用于在上表面和下表面形成了扩散层的被加热物的某一个面的退火。作为在上表面和下表面形成扩散层、对下表面侧实施热处理的被加热物，存在IGBT、MOSFET、或者二极管等。
但是，也可以将仅在上表面或下表面的一方形成有扩散层的被加热物作为加热对象。作为仅在上表面存在扩散层的被加热物，存在存储器、微型计算机、或者功率分立器件(powerdiscrete)等。图11是存储器的剖视图。简单地对存储器的制造工艺进行说明。首先，在半导体衬底150的上表面形成阱扩散层152、元件分离部154、栅极电极156。然后，通过离子注入等，将作为源极漏极的扩散层158的杂质导入半导体衬底150。
然后，通过本发明的实施方式1所涉及的激光退火装置，对半导体衬底150的上表面进行加热，使作为源极漏极的扩散层158的杂质扩散及活性化。在激光退火后，形成由铝等构成的金属配线，根据半导体装置的用途，对晶片背面侧进行研磨。此外，在本发明的实施方式1中，被加热物的材料例如是Si、SiC、或者GaN，但是并不特别地限定于它们。
然而，为了使半导体装置(被加热物)细小化，有时将源极漏极的扩散层形成得较浅。根据本实施方式的实施方式1所涉及的激光退火装置，由于能够进行短时间且高温的退火处理，因此能够抑制杂质的扩散，得到较浅的扩散层。
只要第1连续激光的波长大于第2连续激光的波长，则对第1连续激光和第2连续激光的波长不特别地限定。例如，能够适当地选择图12所示的各激光元件。
可以使第1连续激光和第2连续激光相对于被加热物垂直地入射，也可以倾斜地入射。另外，也可以通过使该入射角逐渐变化，从而对第1照射区域和第2照射区域进行扫描。此外，这些变形还能够应用于下面的实施方式所涉及的激光退火装置及半导体装置的制造方法中。
实施方式2
由于本发明的实施方式2所涉及的激光退火装置和半导体装置的制造方法与实施方式1的相同点较多，因此以与实施方式1的不同点为中心进行说明。图13是本发明的实施方式2所涉及的激光退火装置的正视图。该激光退火装置具有与系统控制器14连接的第3直流电源16c。
第3直流电源16c与第3激光元件18c连接。第3激光元件18c从第3直流电源16c接受直流电压的供给，放射与第2连续激光相比波长较长的第3连续激光。第3光学系统20c将第3连续激光向被加热物引导，在被加热物上形成第3照射区域。所谓第3照射区域，是指被加热物中的被第3连续激光照射的区域。
图14是表示第1照射区域100、第2照射区域102、以及第3照射区域200的配置的俯视图。系统控制器14以下述方式使第3照射区域200进行扫描，即，针对被加热物的各部分，在第2照射区域102进行扫描后，第3照射区域200进行扫描。
有时，由于第2照射区域102的扫描或者此前的工序，在被加热物上产生结晶缺陷等损伤。通过在第2照射区域102之后使第3照射区域200进行扫描，能够实现该损伤的恢复。如上所述，通过利用波长较长的激光实施激光退火处理中的最后的加热，使被加热物的损伤恢复。为了得到该效果，激光不限定于连续光，也可以是脉冲光。在下面的实施方式中也是同样的。
实施方式3
由于本发明的实施方式3所涉及的激光退火装置和半导体装置的制造方法与实施方式2的相同点较多，因此以与实施方式2的不同点为中心进行说明。图15是表示本发明的实施方式3所涉及的第1照射区域100、第2照射区域102、以及第3照射区域200的俯视图。形成有第1照射区域100的一部分和第2照射区域102的一部分重叠的重复区域300。形成有第2照射区域102的一部分和第3照射区域200的一部分重叠的重复区域302。
重复区域300、302通过第1激光元件18a、第1光学系统20a、第2激光元件18b、第2光学系统20b、第3激光元件18c、以及第3光学系统20c的相对位置的调整而形成。具体地说，缩短第1激光元件18a和第2激光元件18b之间的间隔，或者对第1光学系统20a、以及第2光学系统20b的焦距进行调整，而形成重复区域300。重复区域302也是同样的。由于形成有重复区域300、302，因此与实施方式2的情况相比，能够缩短扫描方向的宽度。因此，能够缩短激光退火所需的时间。
图16是表示本发明的实施方式3所涉及的激光退火装置的变形例的俯视图。在不需要被加热物的损伤恢复的情况下，也可以如图16所示，省略第3照射区域。
实施方式4
由于本发明的实施方式4所涉及的激光退火装置和半导体装置的制造方法与实施方式3的相同点较多，因此以与实施方式3的不同点为中心进行说明。图17是表示本发明的实施方式4所涉及的第1照射区域100、第2照射区域102、以及第3照射区域200的俯视图。第2照射区域102的扫描方向的宽度大于第1照射区域100的扫描方向的宽度。因此，由于能够使利用波长较短的第2连续激光进行的加热时间较长，因此能够至被加热物的深处为止，加热至高温。
图18是表示实施方式4所涉及的激光退火装置的变形例的俯视图。如该变形例所示，能够省略用于被加热物的损伤恢复的第3照射区域。图19是表示实施方式4所涉及的激光退火装置的其他变形例的俯视图。如该变形例所示，也可以省略第3照射区域，并且使第1照射区域100的一部分和第2照射区域102的一部分重叠。图20是表示图18的情况下的被加热物的温度变化及吸收系数的变化的图。通过使利用第2连续激光进行的加热时间较长，能够使测定点所达到的温度较高。图21是表示图18的情况下的被加热物深度方向的温度分布的图。
实施方式5
由于本发明的实施方式5所涉及的激光退火装置和半导体装置的制造方法与实施方式1的相同点较多，因此以与实施方式1的不同点为中心进行说明。图22是表示本发明的实施方式5所涉及的第1照射区域100、以及第2照射区域102的俯视图。第1照射区域100的扫描方向的宽度大于第2照射区域102的扫描方向的宽度。由此，能够使与第1照射区域100相关的被加热物的吸收系数稳定地上升。并且，第1照射区域100的一部分与第2照射区域102相比向扫描方向后方扩展。由此，还能够实现被加热物的损伤恢复。
图23是表示本发明的实施方式5所涉及的激光退火装置的变形例的俯视图。通过使第1照射区域100的扫描方向的宽度与第2照射区域102的扫描方向的宽度相比较长，能够实现充分的预加热、以及被加热物的损伤恢复。
实施方式6
由于本发明的实施方式6所涉及的激光退火装置和半导体装置的制造方法与实施方式1的相同点较多，因此以与实施方式1的不同点为中心进行说明。图24是本发明的实施方式6所涉及的激光退火装置的正视图。系统控制器14与第4直流电源16d连接。第4直流电源16d与第4激光元件18d连接。第4激光元件18d从第4直流电源16d接受直流电压的供给，放射与第1连续激光相比波长较短的第4连续激光。第4光学系统20d将第4连续激光向被加热物引导，在被加热物上形成第4照射区域。所谓第4照射区域，是指被加热物中的被第4连续激光照射的区域。
图25是表示第1照射区域100、第2照射区域102、以及第4照射区域600的俯视图。系统控制器14以下述方式使第4照射区域600进行扫描，即，针对被加热物的各部分，在第2照射区域102进行扫描后，第4照射区域600进行扫描。
通过使用多个放射与第1连续激光相比波长较短的激光的激光元件，能够使被加热物的加热时间较长。图26是表示通过第1照射区域、第2照射区域、以及第4照射区域的扫描而实现的被加热物的温度变化和吸收系数的变化的图。与实施方式1相比，通过增加第4照射区域，能够使被加热物的下表面所达到的温度较高。图27是表示被加热物深度方向的温度分布的图。图28是表示本发明的实施方式6所涉及的退火装置的变形例的俯视图。第1照射区域100的一部分与第2照射区域102及第4照射区域600相比向扫描方向后方扩展。因此，能够使由于第2照射区域102及第4照射区域600的扫描而产生的损伤恢复。
能够对上述的实施方式1～6所涉及的激光退火装置和半导体装置的制造方法的特征适当地进行组合。
标号的说明
10载置台，12载置台控制器，14系统控制器，16a第1直流电源，16b第2直流电源，16c第3直流电源，16d第4直流电源，18a第1激光元件，18b第2激光元件，18c第3激光元件，18d第4激光元件，20a第1光学系统，20b第2光学系统，20c第3光学系统，20d第4光学系统，50被加热物，100第1照射区域，102第2照射区域，200第3照射区域，300、302重复区域，600第4照射区域。

Claims (13)

1.一种激光退火装置，其特征在于，具有：
载置台，其载置被加热物；
第1激光元件，其放射第1连续激光；
第1光学系统，其将所述第1连续激光向所述被加热物引导，在所述被加热物上形成第1照射区域；
第2激光元件，其放射与所述第1连续激光相比波长较短的第2连续激光；
第2光学系统，其将所述第2连续激光向所述被加热物引导，在所述被加热物上形成第2照射区域；以及
系统控制器，其以下述方式使所述第1照射区域和所述第2照射区域进行扫描，即，针对所述被加热物的各部分，在所述第2照射区域进行扫描前，所述第1照射区域的至少一部分进行扫描。
2.根据权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于，具有：
第3激光元件，其放射与所述第2连续激光相比波长较长的第3连续激光；以及
第3光学系统，其将所述第3连续激光向所述被加热物引导，在所述被加热物上形成第3照射区域，
所述系统控制器以下述方式使所述第3照射区域进行扫描，即，针对所述被加热物的各部分，在所述第2照射区域进行扫描后，所述第3照射区域进行扫描。
3.根据权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于，具有：
第4激光元件，其放射与所述第1连续激光相比波长较短的第4连续激光；以及
第4光学系统，其将所述第4连续激光向所述被加热物引导，在所述被加热物上形成第4照射区域，
所述系统控制器以下述方式使所述第4照射区域进行扫描，即，针对所述被加热物的各部分，在所述第2照射区域进行扫描后，所述第4照射区域进行扫描。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的激光退火装置，其特征在于，
对所述第1激光元件、所述第1光学系统、所述第2激光元件、以及所述第2光学系统进行配置，以使所述第1照射区域的一部分和所述第2照射区域的一部分重叠。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的激光退火装置，其特征在于，
所述第2照射区域的扫描方向的宽度比所述第1照射区域的扫描方向的宽度长。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的激光退火装置，其特征在于，
所述第1照射区域的扫描方向的宽度比所述第2照射区域的扫描方向的宽度长。
7.根据权利要求6所述的激光退火装置，其特征在于，
所述第1照射区域的一部分与所述第2照射区域相比向扫描方向后方扩展。
8.根据权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于，
所述系统控制器针对使所述第1照射区域和所述第2照射区域扫描后的区域的1/2～2/3的部分，再次使所述第1照射区域和所述第2照射区域进行扫描。
9.根据权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于，
所述系统控制器以下述方式使所述第1照射区域和所述第2照射区域进行扫描，即，与已经使所述第1照射区域和所述第2照射区域扫描后的区域不重叠，且与该区域无间隙。
10.根据权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于，
所述系统控制器以使扫描速度为50～1000[m/min]的方式，使所述第1照射区域和所述第2照射区域进行扫描。
11.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
对被加热物照射第1连续激光，形成所述第1连续激光所照射的区域即第1照射区域，并且对所述被加热物照射与所述第1连续激光相比波长较短的第2连续激光，形成所述第2连续激光所照射的区域即第2照射区域，使所述第1照射区域和所述第2照射区域以下述方式进行扫描，即，针对所述被加热物的各部分，在所述第2照射区域进行扫描前，所述第1照射区域的至少一部分进行扫描。
12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述被加热物上，形成与所述第2连续激光相比波长较长的第3激光所照射的第3照射区域，以下述方式使所述第3照射区域进行扫描，即，针对所述被加热物的各部分，在所述第2照射区域进行扫描后，所述第3照射区域进行扫描。
13.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述被加热物的上表面和下表面形成扩散层，
所述第1照射区域和所述第2照射区域对所述上表面或所述下表面进行扫描，
所述第1照射区域和所述第2照射区域的扫描速度为50～1000[m/min]。
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