JP5605821B2

JP5605821B2 - レーザアニール装置

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Publication number: JP5605821B2
Application number: JP2008153598A
Authority: JP
Inventors: 明松野
Original assignee: ワイエイシイフェトン株式会社
Priority date: 2008-06-11
Filing date: 2008-06-11
Publication date: 2014-10-15
Anticipated expiration: 2028-06-11
Also published as: JP2009302214A

Description

本発明は、レーザアニール装置に関し、特に、半導体基板に注入されたドーパントを活性化するためのレーザアニール装置に関する。

半導体基板内にイオン注入されたドーパントを活性化するためレーザアニール装置が用いられる。特許文献１には、半導体基板への侵入長が異なる２つのレーザ光を用い、半導体基板の所望の深さまでを熱処理する技術が開示されている。

特許文献２〜４には、２つのパルスレーザ光に時間差をつけて半導体基板に照射する技術が開示されている。
国際公開第２００７／１５３８８号パンフレット特開２００６−１００５６７号公報特開２００６−１５６７８４号公報特開２００７−１２３３００号公報

特許文献１の技術によれば、半導体基板への侵入長が異なる２つのレーザ光を用い、半導体基板の熱処理を行うことにより、半導体基板の所望の深さまで熱処理することができる。この技術を用いれば、例えば、シリコン基板の背面にドーパントを注入し、活性化する場合、シリコン基板の表面に形成された半導体装置の動作層の劣化を抑制しかつイオン注入されたドーパントを活性化させることができる。しかしながら、特許文献１の技術のように、２つのレーザ光を用い半導体基板内のドーパントの活性化させる場合、深い部分に注入されたドーパントの活性化率にバラツキが生じる場合がある。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、半導体基板への侵入長が異なる２つのレーザ光を用い半導体基板の熱処理を行うレーザアニール装置において、半導体基板内の深い部分に注入されたドーパントを安定して活性化できるレーザアニール装置を提供することを目的とする。

本発明は、半導体基板に注入されたドーパントを活性化するレーザアニール装置であって、波長が異なるレーザ光をそれぞれ出射する複数の連続発振レーザと、前記波長が異なるそれぞれのレーザ光を、前記半導体基板表面でのレーザビームスポットの中心位置が異なるように前記半導体基板に照射する光学系と、前記レーザビームスポットの中心位置間の相対位置関係を保持した状態で、前記レーザ光を前記半導体基板表面上で走査させる走査部と、を具備することを特徴とするレーザアニール装置である。本発明によれば、波長が異なるレーザ光の半導体基板への照射時間に差を設けることができる。これにより、半導体基板内のドーパントを安定して活性化することができる。

上記構成において、前記光学系は、前記レーザ光のうち前記半導体基板への侵入長が小さい第１レーザ光を、前記半導体基板への侵入長が大きい第２レーザ光より後に前記半導体基板に照射する構成とすることができる。この構成によれば、第２レーザ光が半導体基板の深い領域を加熱した後、半導体基板の表面付近が加熱される。このため、第１レーザ光の照射によって生じる半導体基板表面の温度上昇にともなう反射率、吸収係数の増加に起因し、半導体基板表面において第２レーザ光の反射または吸収が増加することを抑制し、効率よく半導体基板内のドーパントを活性化させることができる。

本発明は、半導体基板に注入されたドーパントを活性化するレーザアニール装置であって、波長が異なるレーザ光をそれぞれ出射する複数の連続発振レーザと、前記波長が異なるそれぞれのレーザ光を、前記半導体基板表面でのレーザビームスポットの中心位置が異なるように前記半導体基板に照射する光学系と、前記レーザビームスポットの中心位置間の相対位置関係を保持した状態で、前記レーザ光を前記半導体基板表面上で走査させる走査部と、を具備し、前記光学系は、前記レーザ光のうち第１レーザ光のレーザビームスポットが照射される第１領域の中心位置を、前記レーザ光のうち前記第１レーザ光より前記半導体基板への侵入長の大きい第２レーザ光のレーザビームスポットが照射される第２領域の中心位置を前記第１領域の中心位置の走査方向に投影した位置より後に、前記半導体基板に照射し、前記第１領域が前記半導体基板に照射された後に前記第２領域を前記半導体基板に照射しないことを特徴とするレーザアニール装置である。本発明によれば、波長が異なるレーザ光の半導体基板への照射時間に差を設けることができる。これにより、半導体基板内のドーパントを安定して活性化することができる。

上記構成において、前記第１レーザ光を出射する連続発振レーザは固体レーザの２倍波であり、前記第２レーザ光を出射する連続発振レーザは半導体レーザである構成とすることができる。

上記構成において、前記走査部は、前記第１および第２レーザ光を、前記半導体基板表面上の走査方向に走査させ、前記第１および第２レーザ光の前記半導体基板表面でのそれぞれのレーザビームスポットの中心位置を結ぶ方向が、前記走査方向に直交する方向に交差するように、前記第１および第２レーザ光を前記半導体基板表面に照射する構成とすることができる。この構成によれば、第１レーザ光および第２レーザ光の半導体基板への照射時間の差を簡単に設けることができる。

上記構成において、前記走査部は、ステージを回転させる第１走査部と、前記第１および第２レーザ光をステージの回転の半径方向に移動する第２走査部と、を有する構成とすることができる。

上記構成において、複数の連続発振レーザのうち少なくとも１つ連続発振レーザと同じ波長のレーザ光を出射する別の連続発振レーザを具備し、前記光学系は、前記少なくとも１つ連続発振レーザが出射するレーザ光と前記別の連続発振レーザが出射する別のレーザ光との前記半導体基板表面でのそれぞれのレーザビームスポットの中心位置を結ぶ方向が、前記レーザ光が前記半導体基板表面において走査される方向に対し交差するように前記レーザ光を前記半導体基板表面に照射する構成とすることができる。この構成によれば、レーザアニールのスループット向上が可能になる。

上記構成において、前記レーザ光の前記半導体基板表面でのレーザビームスポットの強度が前記レーザビームスポットの中心強度の１／ｅ^２となる径をビーム径としたとき、前記レーザ光の前記半導体表面でのそれぞれのレーザビームスポットの中心位置の間の距離は、ビーム径×０．７以下である構成とすることができる。

本発明によれば、波長が異なるレーザ光の半導体基板への照射時間に差を設けることができる。これにより、半導体基板内のドーパントの活性化が十分に可能となる。

以下、図面を参照に本発明の実施例について説明する。

図１は実施例１に係るレーザアニール装置の上面図、図２（ａ）は正面図、図２（ｂ）は側面図である。図１および図２を参照に、台座４４および４６上に一軸ステージ４０および回転ステージ４２が配置されている。回転ステージ４２は、カバー５２内に設けられ、複数のウエハ７０（半導体基板）を保持することができる。一軸ステージ４０上には、第１レーザ１０ａおよび１０ｂ、第２レーザ２０、光学系３０並びに筐体５０が配置されている。光学系３０および筐体５０はカバー５４で覆われている。回転ステージ４２はウエハ７０を図１の矢印のように回転させることができる。一軸ステージ４０はレーザ光を図２の矢印で示した一軸方向に走査することができる。回転ステージ４２と一軸ステージ４０とを用いることにより、レーザ光をウエハ７０内の任意の領域に照射することができる。このように、回転ステージ４２および一軸ステージ４０は、第１レーザ光１２ａ、１２ｂおよび第２レーザ光２２を、ウエハ７０表面の走査方向に走査させる走査部として機能する。回転ステージ４２は、ウエハ７０を保持するステージを回転させる第１走査部として機能し、一軸ステージ４０は、第１レーザ光１２ａ、１２ｂおよび第２レーザ光２２をウエハ７０を保持するステージの回転の半径方向に移動する第２走査部として機能する。

筐体５０は第１レーザ１０ａおよび１０ｂ、光学系３０を覆っている。第１レーザ１０ａおよび１０ｂは、連続発振のＹＶＯ_４レーザであり、第２高調波である第１レーザ光１２ａおよび１２ｂを出射する。第２レーザ２０は半導体レーザであり、第２レーザ光２２を出射する。

光学系３０は整形光学系１４ａ、１４ｂ、偏光ビームスプリッタ３２、導光部２４、整形光学系２６、ダイクロイックミラー３１、ミラー３４およびレンズ３８を有している。図３は、光学系３０における第１レーザ光１２ａおよび１２ｂ、並びに第２レーザ光２２の伝搬路を示す図である。図１から図３を参照に、第１レーザ１０ａおよび１０ｂから出射された第１レーザ光１２ａおよび１２ｂは、それぞれミラー３４により偏光方向がお互いに直交する状態で偏光ビームスプリッタ３２に入射する。図３の第１レーザ光１２ａは図の奥行き方向に偏光し、第１レーザ光１２ｂは上下方向に偏光している。偏光ビームスプリッタ３２は、第１レーザ光１２ａおよび１２ｂを合成し第１レーザ光１２とする。第１レーザ光１２はミラー３４で反射され、ダイクロイックミラー３１に入射する。一方、第２レーザ２０から出射された第２レーザ光２２は導光部２４、整形光学系２６およびレンズ３８を介しダイクロイックミラー３１に入射する。ダイクロイックミラー３１は、第１レーザ光１２と第２レーザ光２２とを合成する。第１レーザ光１２および第２レーザ光２２は、レンズ３８を介し半導体基板であるウエハ７０表面の照射位置７２に照射される。

制御部１００は、回転ステージ４２、一軸ステージ４０を制御し、第１レーザ光１２および第２レーザ光２２をウエハ７０表面の任意の領域を走査させることができる。また、第１レーザ１０ａ、１０ｂおよび第２レーザ２０を制御し、第１レーザ光１２ａ、１２ｂおよび第２レーザ光２２の強度を調整させることができる。

図４は、半導体基板であるウエハ７０表面の照射位置７２に照射されたレーザ光のレーザビームスポットを示す図である。図４を参照に、ウエハ７０の表面に、第１レーザ光１２ａおよび１２ｂのそれぞれのレーザビームスポット８０ａおよび８０ｂ、第２レーザ光２２のレーザビームスポット８２が図示されている。矢印９０はウエハ７０の回転方向を示している。中心位置８４ａ，８４ｂおよび８６はそれぞれレーザビームスポット８０ａ、８０ｂおよび８２の中心位置である。走査方向Ｓは中心位置８４ａを基準とした走査方向、直交方向Ｑは、走査方向Ｓに直交する方向である。中心位置８４ａおよび８４ｂと中心位置８６を走査方向Ｓに投影した距離を距離Ｄ１、中心位置８４ａおよび８４ｂの距離を距離Ｄ２とする。便宜上、距離Ｄ１およびＤ２の原点を中心位置８４ａとし、図４の右向きを距離Ｄ１の正の向き。図４の下向きを距離Ｄ２の正の向きとする。なお、図４では中心位置８４ａと中心位置８４ｂとを結んだ直線が、走査方向Ｓと直交しているように描かれているが、直交していなくともよい。回転ステージ４２、一軸ステージ４０は、レーザビームスポット８０ａ、８０ｂおよび８２の中心位置間の相対位置関係を保持した状態で、各レーザ光１２ａ、１２ｂおよび２２をウエハ７０表面上で走査させる。

図４のように、光学系３０が、連続発振光である第１レーザ光１２および第２レーザ光２２を、それぞれのレーザビームスポット８０および８２の中心位置が異なるようにウエハ７０に照射する。これにより、第１レーザ光１２と第２レーザ光２２とを時間差を設けウエハ７０表面に照射することができる。

半導体基板への侵入長が異なる第１レーザ光１２と第２レーザ光２２とを照射し半導体基板を熱処理することにより、特許文献１に記載のように半導体基板の深さ方向の温度分布を制御することができる。特に、半導体装置の能動層が形成された面と反対の面にイオン注入されたドーパントを活性化させる場合、能動層の温度は一定温度以下とすることが求められる。よって、第１レーザ光１２と第２レーザ光２２とを照射し半導体基板内の温度分布を制御することが好ましい。

図５は、シリコン基板にＰを３ＭｅＶのイオンエネルギーでイオン注入したウエハ７０をレーザアニール装置を用い熱処理した後のシート抵抗を示す図であり、距離Ｄ１に対するシート抵抗を示している。第１レーザ１０ａおよび１０ｂであるＹＶＯ_４レーザの波長は５３２ｎｍ、出力は１８Ｗ、第２レーザ２０である半導体レーザの波長は８０５ｎｍ、出力は１６Ｗ、距離Ｄ２は１０μｍ、走査速度は３００ｍ／分である。シート抵抗Ｒｓｐは走査方向Ｓに平行方向のシート抵抗、シート抵抗Ｒｓｑは走査方向に直交する方向Ｑのシート抵抗である。距離Ｄ１を０．０６２５ｍｍ間隔で振りウエハ７０を熱処理した。図５における距離Ｄ１の正負の定義は図４で定義したものと同一である。したがって、距離Ｄ１が正の領域では第２レーザ光２２は第１レーザ光１２ａおよび１２ｂより先に照射される。

図５を参照に、距離Ｄ１が０以上かつ０．１２５ｍｍ以下ではシート抵抗を測定することができた。一方距離Ｄ１が−０．０６２５ｍｍおよび０．１８２５ｍｍでは、シート抵抗が高すぎシート抵抗を測定することができなかった。このように、第２レーザ光２２を第１レーザ光１２ａおよび１２ｂより先に照射することにより、シリコン基板内のドーパントの活性化率を高くできることがわかった。

次に、上記理由について説明する。図６は、シリコン内への光の侵入長を波長に対し示した図である。侵入長とは光強度が１／ｅとなる距離である。図６を参照に、ＹＶＯ_４レーザの第２高調波光（第１レーザ光）の侵入長は約１μｍである。一方、半導体レーザ光（第２レーザ光）の侵入長は２０〜３０μｍである。先に侵入長の短い第１レーザ光が半導体基板に照射されると、半導体基板表面が溶融し、半導体基板表面が金属的になり反射率および吸収係数が増す。その結果、その後、第２レーザ光を半導体基板に照射しても半導体基板の表面で第２レーザ光が反射または吸収され、半導体基板の内部まで第２レーザ光が到達し難くなる。これにより、半導体基板の深い領域にあるドーパントの活性化が抑制されてしまう。

そこで、光学系３０は、半導体基板であるウエハ７０への侵入長が小さい第１レーザ光１２ａおよび１２ｂを半導体基板への侵入長が大きい第２レーザ光２２より後に半導体基板に照射する。これにより、第２レーザ光２２が半導体基板の深い領域を加熱した後、半導体基板の表面付近が加熱されるため、第２レーザ光２２が半導体基板の表面で反射または吸収されることを抑制し、効率よく半導体基板内のドーパントを活性化させることができる。

図５のように、距離Ｄ１は０〜０．１２５ｍｍが好ましい。走査速度は３００ｍ／分であるから、第１レーザ光１２ａおよび１２ｂと第２レーザ光２２との半導体基板への照射時間の差は２５μ秒以下であることが好ましい。

光学系３０は、第１レーザ光１２ａ、１２ｂおよび第２レーザ光２２の半導体基板表面でのレーザビームスポットの中心位置８４ａ、８４ｂおよび８６が走査方向Ｓに直交する方向Ｑに交差するように、第１および第２レーザ光をウエハ７０に照射する。これにより、第１レーザ光１２ａおよび１２ｂと第２レーザ光２２との半導体基板への照射時間の差を簡単に設けることができる。

このように、光学系３０は、第１レーザ光１２ａ、１２ｂおよび第２レーザ光２２を、半導体基板表面でのレーザビームスポットの中心位置が異なるように半導体基板に照射することにより、第１レーザ光１２ａおよび１２ｂと第２レーザ光２２との半導体基板への照射時間の差を設けることができる。

実施例１では、第１レーザ１０ａおよび１０ｂを２台用いているが、第１レーザは１台または３台以上でもよい。また、第１レーザとしてはＹＶＯ_４レーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＬＦレーザ等の固体レーザの２次高調波を用いることが好ましい。これにより、第１レーザ光として波長が５００ｎｍ程度のレーザ光を用いることができる。また、第２レーザ２０としては半導体レーザを用いることが好ましい。これにより、第２レーザ光として波長が８００ｎｍ程度の光を用いることができる。

次に、第２レーザを考えず、２つの第１レーザ光１２ａおよび１２ｂを考える。図７（ａ）〜図７（ｄ）は、それぞれ、第１レーザ光が1つの場合、図４において距離Ｄ２＝０．５×Ｂ（ビーム径）の場合、距離Ｄ２＝０．６×Ｂの場合および距離Ｄ２＝０．７×Ｂの場合のレーザビームスポット８０ａおよび８０ｂの光のパワー強度分布を鳥瞰図で示した図である。また、図８（ａ）〜図８（ｄ）は、それぞれ、第１レーザ光が1つの場合、距離Ｄ２＝０．５×Ｂの場合、距離Ｄ２＝０．６×Ｂの場合および距離Ｄ２＝０．７×Ｂの場合のパワー強度分布を等高線で示した図である。ここで、図７（ａ）および図８（ａ）を参照に、ビーム径Ｂは第１レーザ光１２ａまたは１２ｂの半導体基板表面でのレーザビームスポット８０ａまたは８０ｂの強度がレーザビームスポット８０ａまたは８０ｂの中心強度の１／ｅ^２となる径である。有効アニール範囲Ｒは、ビーム強度が一定以上となる範囲である。有効アニール範囲の外側間の範囲が外側有効アニール範囲Ｒｏである。レーザビームスポットにおいて、パワー強度の最大値がピーク強度Ｐｔである。ピーク強度Ｐｔとなる位置は、レーザビームスポットのほぼ中心位置である。

図７（ｂ）および図８（ｂ）を参照に、２つの第１レーザ光１２ａおよび１２ｂを用いそれぞれのレーザビームスポット８０ａおよび８０ｂの中心位置８４ａおよび８４ｂ距離Ｄ２を０．５×Ｂとすると、ピーク強度Ｐｔは大きくなり、外側有効アニール範囲Ｒｏも広くなる。図７（ｃ）および図８（ｃ）を参照に、距離Ｄ２を０．６×Ｂとすると、ピークが２つ現れる。ビーム中央部のビームパワー強度Ｐｃはピーク強度Ｐｔより小さくなる。外側有効アニール範囲Ｒｏはさらに広くなる。図７（ｄ）および図８（ｄ）を参照に、距離Ｄ２を０．７×Ｂとすると、ビーム中央部のビームパワー強度Ｐｃはさらに小さくなる。これにより、有効アニール範囲Ｒ１およびＲ２は２つに分かれる。外側の有効アニール範囲Ｒ１およびＲ２間の距離が外側有効アニール範囲Ｒｏであり、内側の有効アニール範囲Ｒ１およびＲ２間の距離が内側有効アニール範囲Ｒｉである。

図９は、パワー強度Ｐｔ、Ｐｃ、ビーム径で規格化した有効アニール範囲ＲｏおよびＲｉをビーム径Ｂで規格化したビームずらし量（距離Ｄ２）に対し示した図である。距離Ｄ２＝０の点はレーザ光が１つの場合を示しており、このときのパワー強度をＰ０、有効アニール範囲をＲ０とする。距離Ｄ２が大きくなると、外側有効アニール範囲Ｒｔは大きくなる。例えば距離Ｄ２が０．６の場合、ビーム強度ＰｔまたはＰｃはＰ０とほぼ同じである。一方、外側有効アニール範囲ＲｏはＲ０の３倍以上にある。このように、同一波長の第１レーザ光１２ａおよび１２ｂの半導体基板表面でのそれぞれのレーザビームスポットの中心位置８４ａおよび８４ｂを結ぶ方向が、走査方向Ｓに対し交差するように第１レーザ光１２ａおよび１２ｂを半導体基板表面に照射する。これにより、１台の第１レーザ１０ａまたは１０ｂを用い場合に比べ、３倍以上の有効アニール範囲Ｒを得られる。よって、レーザアニールのスループット向上が可能になる。

図９のように、ピーク強度Ｐｔとして、パワー強度Ｐ０を得るためには、距離Ｄ２は、ビーム径×０．７以下であることが好ましい。さらに、中央部のパワー強度ＰｃがＰ０のパワー強度を得るためには距離Ｄ２は、ビーム径×０．６以下であることが好ましい。さらに、距離Ｄ２はビーム径×０．５以下であることがより好ましい。

以上は、第２レーザ光２２を考えない場合について説明したが、実施例１のように、第２レーザ２０を用いてもよい。すなわち、レーザアニール装置は、第１レーザ１０ａおよび第２レーザ２０（複数の連続発振レーザ）のうち少なくとも１つの連続発振レーザ（第１レーザ１０ａ）と同じ波長のレーザ光を出射する別の連続発振レーザ（第１レーザ１０ｂ）を有していてもよい。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

図１は実施例１に係るレーザアニール装置の上面図である。図２（ａ）は実施例１に係るレーザアニール装置の正面図であり、図２（ｂ）は側面図（ステージ等不図示）である。図３は光学系の模式図である。図４は半導体基板表面のレーザビームスポットを示す上面図である。図５は距離Ｄ１に対するシート抵抗を示す図である。図６はシリコン内への光の侵入長を波長に対し示した図である。図７（ａ）から図７（ｄ）はパワー強度を示す鳥瞰図である。図８（ａ）から図８（ｄ）はパワー強度を示す上面図である。図９はビームずらし量に対する有効ビーム幅およびパワー強度を示す図である。

符号の説明

１０ａ、１０ｂ第１レーザ
１２ａ、１２ｂ第１レーザ光
２０第２レーザ
２２第２レーザ光
３０光学系
４０一軸ステージ
４２回転ステージ
７０ウエハ
８０ａ、８０ｂ第１レーザ光のレーザビームスポット
８２第２レーザ光のレーザビームスポット
８４ａ、８４ｂ第１レーザ光の中心位置
８６第２レーザ光の中心位置

Claims

半導体基板に注入されたドーパントを活性化するレーザアニール装置であって、
波長が異なるレーザ光をそれぞれ出射する複数の連続発振レーザと、
前記波長が異なるそれぞれのレーザ光を、前記半導体基板表面でのレーザビームスポットの中心位置が異なるように前記半導体基板に照射する光学系と、
前記レーザビームスポットの中心位置間の相対位置関係を保持した状態で、前記レーザ光を前記半導体基板表面上で走査させる走査部と、
を具備し、
前記光学系は、前記レーザ光のうち第１レーザ光のレーザビームスポットが照射される第１領域の中心位置を、前記レーザ光のうち前記第１レーザ光より前記半導体基板への侵入長の大きい第２レーザ光のレーザビームスポットが照射される第２領域の中心位置を前記第１領域の中心位置の走査方向に投影した位置より後に、前記半導体基板に照射し、前記第１領域が前記半導体基板に照射された後に前記第２領域を前記半導体基板に照射しないことを特徴とするレーザアニール装置。
前記第１レーザ光と前記第２レーザ光との前記半導体基板への照射時間の差は２５μ秒以下であることを特徴とする請求項１記載のレーザアニール装置。
前記第１レーザ光を出射する連続発振レーザは固体レーザの２倍波であり、
前記第２レーザ光を出射する連続発振レーザは半導体レーザであることを特徴とする請求項１または２記載のレーザアニール装置。
前記走査部は、前記第１および第２レーザ光を、前記半導体基板表面上の走査方向に走査させ、
前記第１および第２レーザ光の前記半導体基板表面でのそれぞれのレーザビームスポットの中心位置を結ぶ方向が、前記走査方向に直交する方向に交差するように、前記第１および第２レーザ光を前記半導体基板表面に照射することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載のレーザアニール装置。
前記走査部は、ステージを回転させる第１走査部と、前記第１および第２レーザ光をステージの回転の半径方向に移動する第２走査部と、を有することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載のレーザアニール装置。
前記複数の連続発振レーザのうち少なくとも１つ連続発振レーザと同じ波長のレーザ光を出射する別の連続発振レーザを具備し、
前記光学系は、前記少なくとも１つ連続発振レーザが出射するレーザ光と前記別の連続発振レーザが出射する別のレーザ光との前記半導体基板表面でのそれぞれのレーザビームスポットの中心位置を結ぶ方向が、前記レーザ光が前記半導体基板表面において走査される方向に対し交差するように前記レーザ光を前記半導体基板表面に照射することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載のレーザアニール装置。
前記レーザ光の前記半導体基板表面でのレーザビームスポットの強度が前記レーザビームスポットの中心強度の１／ｅ^２となる径をビーム径としたとき、
前記レーザ光の前記半導体基板表面でのそれぞれのレーザビームスポットの中心位置の間の距離は、ビーム径×０．７以下であることを特徴とする請求項６記載のレーザアニール装置。