CN105070239B - 一种液晶显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种液晶显示面板；本发明的液晶显示面板针对阵列基板外围的每个测试端子均设置了一个开关电路，通过该开关电路实现在需要释放测试端子上的静电时，将所有测试端子与公共电极线连接，通过公共电极线将静电释放掉；增强了测试端子的抗ESD能力，提升了液晶显示面板的使用寿命。

Description

一种液晶显示面板

【技术领域】

本发明涉及液晶显示器技术领域，特别是涉及一种液晶显示面板。

【背景技术】

目前小尺寸大多采用GOA设计(Color filter On Array，彩膜层直接形成在阵列基板上)，在OLB(Out lead bonding，引线焊接)端子区左右两端均设计有外围测试Pad(端子)。外围测试端子主要包含提供给Gate(栅极)边控制信号的测试端子，如提供VGH(薄膜晶体管的开启电压)/VGL(薄膜晶体管的关闭电压)/VDD(器件内部电压)/CKV等信号的测试端子；给面板提供Vcom(面内公共电压)的测试Pad；以及源极驱动芯片相关的测试Pad。

这些测试Pad主要用途为Cell Test(液晶显示面板测试)使用，以及后期分析测试使用；因测试Pad裸露在外面，且数量多、Pad大，存在较大的ESD(Electro-Staticdischarge，静电放电)风险，尤其是在Cell(液晶显示面板)切割，模组Bonding(压焊)等制程中容易被ESD击伤。

针对Pad的ESD保护回路设计，目前采用两个同向二极体，其中一个接VSS(公共电压)，一个接VGG(栅极电压)；具体地，如图1所示，液晶显示面板外围的OLB端子区10和panel(面板)可视区20；OLB端子区10包括：提供VGH的测试端子101、提供VCOM的测试端子102，提供VDD的测试端子103、提供CKV的测试端子104等等；其中每个测试端子均设置ESD保护回来，图1所示每个测试端子均设置两个二级管，其中二级管201接VSS(公共电压)，二级管202接VGG。

当外界ESD过大，往往会击伤ESD保护回路；ESD可能产生在任意测试端子之间(例如测试端子101和测试端子102)，若该两测试端子之间无直接的相关电路，唯一共同使用的是VSS(公共电压)/VGG线相连接，静电放电电流会先经由某部份的电路跑到VSS/VGG线上，再由VSS/VGG连接线(通过过孔)跑到另一只测试端子。

由于VSS/VGG线路往往较长，产生的杂散寄生电阻电容相对较大，这些寄生电阻电容会延迟ESD电流传导，来不及渲泄的ESD电流便会进入到panel(面板)内部的array(阵列)，另外panel内部TFT switch(薄膜晶体管开关)在布局上一般都以最小尺寸来做，也不会考虑ESD的布局方式；因此panel内部电路更易被此种ESD电流所损伤。

综上可知，现有液晶显示面板外围的测试端子抗ESD能力低，从而会导致液晶显示面板内部电路被ESD电流损伤，降低液晶显示面板的使用寿命。

因此，有必要提供一种液晶显示面板，以解决现有技术所存在的问题。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种液晶显示面板，以解决现有液晶显示面板外围的测试端子抗ESD能力低的技术问题。

为解决上述技术问题，本发明构造了一种液晶显示面板，包括：

阵列基板，包括：多条数据线、多条扫描线、公共电极线和多个像素单元；

所述数据线，用于传输数据信号；

所述扫描线，用于传输扫描信号；

所述公共电极线，用于传输公共信号；

所述像素单元，由所述数据线和所述扫描线交错构成，且根据所述扫描信号和所述数据信号进行画面显示；

设置在所述阵列基板外围的多个测试端子；所述测试端子与所述阵列基板中对应的电极线电性连接，用于输入对应的控制信号给所述阵列基板，以实现对所述阵列基板进行测试；

每个所述测试端子均对应一个开关电路，所述开关电路具有第一连接端、第二连接端和第三连接端；所述第一连接端与所述测试端子电性连接，所述第二连接端与所述阵列基板中对应的电极线电性连接，所述第三连接端与所述公共电极线电性连接；

所述开关电路，用于：

在需要释放静电时，控制所述第一连接端与所述第三连接端不导通，所述第一连接端与所述第三连接端导通。

在本发明的液晶显示面板中，所述开关电路，还用于：

在不需要释放静电时，控制所述第一连接端与所述第三连接端不导通，所述第一连接端与所述第二连接端导通。

在本发明的液晶显示面板中，所述开关电路包括：第一开关管和第二开关管；

所述第一开关管具有第一输入端、第一输出端和用于接收第一控制信号的第一控制端；

所述第二开关管具有第二输入端、第二输出端和用于接收第二控制信号的第二控制端；

所述第一输入端和所述第二输入端分别与所述第一连接端电性连接，所述第一输出端与所述第二连接端电性连接，所述第二输出端与所述第三连接端电性连接；

所述第一开关管，用于在需要释放静电时，根据所述第一控制信号关闭，以使所述第一连接端与所述第二连接端不导通；在不需要释放静电时，根据所述第一控制信号开启，以使所述第一连接端与所述第二连接端导通；

所述第二开关管，用于在需要释放静电时，根据所述第二控制信号开启,以使所述第一连接端与所述第三连接端导通；在不需要释放静电时，根据所述第二控制信号关闭，以使所述第一连接端与所述第三连接端不导通。

在本发明的液晶显示面板中，所述第一开关管，用于在所述第一控制端没有第一控制信号输入时，关闭；在所述第一控制端有第一控制信号输入时，开启；

所述第二开关管，用于在所述第二控制端没有第二控制信号输入时，关闭；在所述第二控制端有第二控制信号输入时，开启。

在本发明的液晶显示面板中，所述第一开关管为N沟道增强型场效应晶体管，所述第二开关管为N沟道耗尽型场效应晶体管。

在本发明的液晶显示面板中，所述第一开关管，用于在所述第一控制端没有第一控制信号输入时，开启；在所述第一控制端有第一控制信号输入时，关闭；

所述第二开关管，用于在所述第二控制端没有第二控制信号输入时，开启；在所述第二控制端有第二控制信号输入时，关闭。

在本发明的液晶显示面板中，第一开关管为N沟道耗尽型场效应晶体管，所述第二开关管为N沟道增强型场效应晶体管。

在本发明的液晶显示面板中，所述第一开关管，用于在所述第一控制信号处于高电平时开启，所述第一控制信号处于低电平时关闭；

所述第二开关管，用于在所述第二控制信号处于高电平时开启，所述第二控制信号处于低电平时关闭。

在本发明的液晶显示面板中，所述阵列基板包括：

用于形成薄膜晶体管栅极和所述扫描线的第一金属层；

用于形成所述数据线和薄膜晶体管源极、漏极的第二金属层；

所述第二连接端通过所述第一金属层或者第二金属层上的走线与阵列基板内对应电极线电性连接；

所述走线具有预备熔断区，

所述预备熔断区，用于在需要针对所述测试端子进行静电保护时，被激光照射进行熔化，断开所述走线，从而断开第二连接端与阵列基板内对应电极线的电性连接。

在本发明的液晶显示面板中，所述第二连接端通过所述第一金属层上的走线与阵列基板内对应电极线电性连接；

所述第二金属层上还设有辅助走线；

所述走线具有第一预备熔接区和第二预备熔接区，所述第一预备熔接区和所述第二预备熔接区分别位于所述预备熔断区的两侧；

所述辅助走线具有与第一预备熔接区对应的第三预备熔接区，与所述第二预备熔接区对应的第四预备熔接区域，以及位于所述第三预备熔接区域和第四预备熔接区域之间的中间走线；

所述第三预备熔接区，用于在所述走线断开后，且需要使用所述测试端子的情况下，被激光照射进行熔化，以使所述中间走线的一端与所述第一预备熔接区电性连接；

所述第四预备熔接区，用于在所述走线断开后，且需要使用所述测试端子的情况下，被激光照射进行熔化，以使得所述中间走线的另一端与所述第二预备熔接区电性连接。

本发明提供了一种液晶显示面板，本发明针对面板外围的每个测试端子均设置了一个开关电路，通过该开关电路实现了：在需要释放测试端子上的静电时，将所有测试端子与公共电极线连接，通过公共电极线将静电释放掉；因所有测试端子均连在公共电极线上，不存在任意测试端子之间的ESD放电模式，如果有静电产生时，直接通过公共电极线释放，增强其抗ESD能力；避免了ESD电流对面板内电流的损伤，提升了液晶显示面板的使用寿命。

进一步地，本发明的开关电路还可以实现，在不需要释放静电时，控制所述第一连接端与所述第三连接端不导通，所述第一连接端与所述第二连接端导通，以使得所述测试端子可以正常工作，这样就可以利用测试端子对液晶显示面板进行测试和故障分析等；另外，在此情况下如果测试端子有静电，那么需要击穿开关电路才可以击伤面板内的电路，进一步提升了测试端子的抗ESD能力；

可见本发明的液晶显示面板可以使得测试端子在释放静电的模式和正常工作模式之间切换，因此，本发明的液晶显示面板与现有大尺寸的液晶显示面板相比，可以保留测试端子，以便后期可以利用测试端子对液晶显示面板进行测试和故障分析，提高故障分析的效率。

【附图说明】

图1为现有针对测试端子设计的静电保护回路的示意图；

图2为本发明实施例提供的一种液晶显示面板的示意图；

图3为本发明实施例提供的一种开关电路的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的另一种开关电路的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的一种利用激光切断走线来隔离静电的示意图；

图6为本发明实施例提供的一种在走线切断后通过辅助走线恢复测试端子与电极线连接的示意图。

【具体实施方式】

以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。

本实施例提供了一种液晶显示面板，如图2所示，包括：

阵列基板30，包括：多条数据线301、多条扫描线302、公共电极线303和多个像素单元304；本实施例中阵列基板30可以为GOA基板；

所述数据线301，用于传输数据信号；

所述扫描线302，用于传输扫描信号；

所述公共电极线303，用于传输公共信号；

所述像素单元304，由所述数据线301和所述扫描线302交错构成，且根据所述扫描信号和所述数据信号进行画面显示；具体地，如图2所示，本实施例中像素单元304包括：TFT(薄膜晶体管)3041、电容3042以及像素电极(图中未示意出)；TFT的栅极与扫描线302连接，用于接收扫描信号，TFT的源极与数据线301连接，用于接收数据信号；漏极与电容3042连接；TFT用于根据扫描信号将源极的数据信号通过漏极传递到电容3042；

设置在所述阵列基板30外围的多个测试端子31；所述测试端子31与所述阵列基板30中对应的电极线电性连接，用于输入对应的控制信号给所述阵列基板，以实现对所述阵列基板进行测试；

本实施例中阵列基板30外围的各个测试端子31可以提供不同的控制信号给阵列基板30，以进行面板测试，如图2所示，测试端子可以包括：提供给Gate边控制信号的测试端子，如提供VGH(薄膜晶体管的开启电压)/VGL(薄膜晶体管的关闭电压)/VDD(器件内部电压)/CKV等信号的测试端子，给面板提供面内公共电压Vcom的测试端子等等；

每个所述测试端子31均对应一个开关电路32，所述开关电路32具有第一连接端321、第二连接端322和第三连接端323；所述第一连接端321与所述测试端子31电性连接，所述第二连接端322与所述阵列基板30中对应的电极线电性连接，所述第三连接端323与所述公共电极线电性303连接；

所述开关电路32，用于：

在需要释放静电时，控制所述第一连接端321与所述第三连接端323不导通，所述第一连接端321与所述第三连接端323导通。

本实施例的液晶显示面板，可以通过面板内的公共电极释放掉测试端子31输入的静电电流；由于测试端子301均连在公共电极线303上，不存在任意测试端子之间的ESD放电模式，提高了测试端子31抗ESD能力。

考虑到后期还需要利用测试端子301对面板进行测试，本实施例中开关电路32，还用于在需要对面板进行测试时，也即不需要释放静电时，控制所述第一连接端321与所述第三连接端323不导通，所述第一连接端321与所述第二连接端322导通。

在所述第一连接端321与所述第三连接端323不导通，所述第一连接端321与所述第二连接端322导通情况下，测试端子31可以正常工作，其可以提供对应的控制信号给阵列基板30进行测试；此时，如果有静电，静电需要击穿开关电路后，才能击伤阵列基板30内的电路，相当于增加了抗静电能力。

下面介绍本实施例中开关电路32的具体结构，为了方便介绍本实施例中开关电路32的结构，从多个测试端子31中选取一个测试端子对应的开关电路32为例，来介绍本实施例的开关电路32，其余测试端子对应的开关电路类似；如图3所示，开关电路32包括：第一开关管324和第二开关管325；

所述第一开关管324具有第一输入端324a、第一输出端324b和用于接收第一控制信号的第一控制端324c；

所述第二开关管325具有第二输入端325a、第二输出端325b和用于接收第二控制信号的第二控制端325c；

所述第一输入端324a和所述第二输入端325a分别与所述第一连接端321电性连接，所述第一输出端324b与所述第二连接端322电性连接，所述第二输出端345b与所述第三连接端323电性连接；

所述第一开关管324，用于在需要释放静电时，根据所述第一控制信号关闭，以使所述第一连接端321与所述第二连接端322不导通；在不需要释放静电时，根据所述第一控制信号开启，以使所述第一连接端321与所述第二连接端22导通；

所述第二开关管325，用于在需要释放静电时，根据所述第二控制信号开启,以使所述第一连接端321与所述第三连接端323导通；在不需要释放静电时，根据所述第二控制信号关闭，以使所述第一连接端321与所述第三连接端323不导通。

本实施例中第一开关管324可以根据第一控制信号来控制自身开启或者关闭；具体地，所述第一开关管324，用于在所述第一控制端324c没有第一控制信号输入时，关闭；在所述第一控制端324c有第一控制信号输入时，开启；本实施例第一控制信号可以为电压信号；

如图4所示，第一开关管324可以为N沟道增强型MOSFET场效应晶体管，该晶体管在VGS>VGS(th)时导通，其中VGS为栅极电压，VGS(th)为晶体管开启电压；

本实施例中第二开关管325可以根据第二控制信号来控制自身开启或者关闭，具体地，所述第二开关管端325，用于在所述第二控制端325c没有第二控制信号输入时，关闭；在所述第二控制端325c有第二控制信号输入时，开启；优选地，第二控制信号可以为电压信号；

如图4所示，第二开关管可以为N沟道耗尽型MOSFET场效应晶体管，该晶体管在其栅极没有电压输入时开启，在栅极电压达到一定值后关闭。

为了便于控制和节省成本，本实施例中第一控制信号和第二控制信号可以为同一个控制信号，例如为同一个电压信号VC，参考图4；

如图4所示，在不使用测试端子31(即需要释放静电)时，不对MOSFET 324、MOSFET325的栅极加载电压信号，此时MOSFET 324截止，MOSFET325导通，使得第一连接端321与第三连接端323导通，第一连接端321与第二连接端322不导通；

进而外围所有测试端子31连接至公共电极线303，如果有静电，可通过公共电极线303快速释放静电，增强了抗静电能力，避免静电击伤阵列基板内的电路；另外，由于MOSFET324截止，静电需要在将MOSFET 324击穿后，才可以击伤阵列基板内的电路，进一步增强了测试端子抗静电能力。

如图4所示，当需要使用测试端子31进行测试(即不需要释放静电)时，对MOSFET324、MOSFET325的栅极加载电压信号，此时MOSFET 324导通，MOSFET325截止，使得第一连接端321与第三连接端323截止，第一连接端321与第二连接端322导通；

进而外围所有测试端子31正常连接，可提供对应的控制信号给阵列基板进行相关测试；另外，此时如果有静电，那么静电需要在将MOSFET 324、MOSFET325击穿后，才能击伤阵列基板内的电路，进一步增强了测试端子抗静电能力。

优选地，本实施例中第一开关管324，用于在所述第一控制端324c没有第一控制信号输入时，开启；在所述第一控制端有第一控制信号输入时，关闭；所述第二开关管325，用于在所述第二控制端325c没有第二控制信号输入时，开启；在所述第二控制端有第二控制信号输入时，关闭。

此时第一开关管324可以为N沟道耗尽型场效应晶体管，第二开关管325可以为N沟道增强型场效应晶体管，类似于图4。

在不使用测试端子31(即需要释放静电)时，对MOSFET324、MOSFET325的栅极加载电压信号，此时MOSFET 324截止，MOSFET325导通，使得第一连接端321与第三连接端323导通，第一连接端321与第二连接端322不导通；外围所有测试端子31连接至公共电极线303进行静电释放；

当需要使用测试端子31进行测试(即不需要释放静电)时，不对MOSFET 324、MOSFET325的栅极加载电压信号，此时MOSFET 324导通，MOSFET325截止，使得第一连接端321与第三连接端323截止，第一连接端321与第二连接端322导通；外围所有测试端子31正常连接，可提供对应的控制信号给阵列基板进行相关测试。

优选地，在另一实施例中，所述第一开关管324，用于在所述第一控制信号处于高电平时开启，所述第一控制信号处于低电平时关闭；

所述第二开关管325，用于在所述第二控制信号处于高电平时开启，所述第二控制信号处于低电平时关闭。

应当理解的是，虽然上述是以N沟道的场效应晶体管为例来介绍本实施例中开关电路，但是在其他实施例中可以采用P沟道的场效应晶体管来实现开关电路。

为进一步提升测试端子31抗静电能力，本实施例在上述描述的液晶显示面板的基础上，还进行了如下改进，参考图5：

所述阵列基板30包括：

用于形成薄膜晶体管3041栅极和所述扫描线302的第一金属层；

用于形成所述数据线301和薄膜晶体管3041源极、漏极的第二金属层；

所述第二连接端321通过所述第一金属层或者第二金属层上的走线305与对应的电极线电性连接；

所述走线305具有预备熔断区3051，

所述预备熔断区3051，用于在需要针对所述测试端子进行静电保护时，被激光照射进行熔化，以断开所述测试端子31与阵列基板30内对应电极线的电性连接。

本实施例中走线305可以为第一金属层M1或者第二金属层M2上的金属走线，该金属走线上某段走线可以为预备熔断区3051。

在需要静电释放时，如果通过上述开关电路实现测试端子31与公共电极线303连接的方式释放静电达不到预期效果的情况下，例如静电过大公共电极线303不能够快速释放掉静电的情况下，应用本实施例的液晶显示面板，技术人员可以进一步采用激光对预备熔断区3051进行照射，切断走线305，以断开测试端子31与面板内电极线的电性连接，从而将测试端子31与面板隔离，避免静电击伤面板内的电路，进一步增加测试端子31的抗静电能力。

考虑到在采用激光切断走线305后，后期还需要采用测试端子31对面板进行测试或者分析，因此，本实施例可以在阵列基板中另一个金属层上设置辅助走线，通过辅助走线实现第二连接端重新与面板内电极线连接；具体地，如图6所示：

在所述第二连接端322通过所述第一金属层上的走线305与对应阵列基板30内对应电极线电性连接的情况下，所述第二金属层上还设有辅助走线306；

所述走线305具有第一预备熔接区3052和第二预备熔接区3053，所述第一预备熔接区3052和所述第二预备熔接区3053分别位于所述预备熔断区3051的两侧；

所述辅助走线306具有与第一预备熔接区3052对应的第三预备熔接区3061，与所述第二预备熔接区3053对应的第四预备熔接区域3062，以及位于所述第三预备熔接区域3061和第四预备熔接区域3062之间的中间走线3063；

所述第三预备熔接区3061，用于在所述走线305断开后，且需要使用所述测试端子31的情况下，被激光照射进行熔化，以使所述中间走线3063的一端与所述第一预备熔接区3052电性连接；

所述第四预备熔接区3062，用于在所述走线305断开后，且需要使用所述测试端子31的情况下，被激光照射进行熔化，以使得所述中间走线3063的另一端与所述第二预备熔接区3053电性连接。

应用本实施例的液晶显示面板，在用激光将走线305切断之后，如果后期需要使用测试端子31时，可以通过其他金属层上的辅助走线306恢复测试端子31与面板内对应电极线的电性连接，从而使得后期可以利用测试端子31进行测试或者故障分析等，在提升了测试端子31抗静电能力同时，还可以满足后期测试或者分析的需求。

综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (8)

1.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：

阵列基板，包括：多条数据线、多条扫描线、公共电极线和多个像素单元；

所述数据线，用于传输数据信号；

所述扫描线，用于传输扫描信号；

所述公共电极线，用于传输公共信号；

所述像素单元，由所述数据线和所述扫描线交错构成，且根据所述扫描信号和所述数据信号进行画面显示；

设置在所述阵列基板外围的多个测试端子；所述测试端子与所述阵列基板中对应的电极线电性连接，用于输入对应的控制信号给所述阵列基板，以实现对所述阵列基板进行测试；

每个所述测试端子均对应一个开关电路，所述开关电路具有第一连接端、第二连接端和第三连接端；所述第一连接端与所述测试端子电性连接，所述第二连接端与所述阵列基板中对应的电极线电性连接，所述第三连接端与所述公共电极线电性连接；

所述开关电路，用于：

在需要释放静电时，控制所述第一连接端与所述第二连接端不导通，所述第一连接端与所述第三连接端导通；

在不需要释放静电时，控制所述第一连接端与所述第三连接端不导通，所述第一连接端与所述第二连接端导通；

所述开关电路包括：第一开关管和第二开关管；

所述第一开关管具有第一输入端、第一输出端和用于接收第一控制信号的第一控制端；

所述第二开关管具有第二输入端、第二输出端和用于接收第二控制信号的第二控制端；

所述第一输入端和所述第二输入端分别与所述第一连接端电性连接，所述第一输出端与所述第二连接端电性连接，所述第二输出端与所述第三连接端电性连接；

所述第一开关管，用于在需要释放静电时，根据所述第一控制信号关闭，以使所述第一连接端与所述第二连接端不导通；在不需要释放静电时，根据所述第一控制信号开启，以使所述第一连接端与所述第二连接端导通；

所述第二开关管，用于在需要释放静电时，根据所述第二控制信号开启,以使所述第一连接端与所述第三连接端导通；在不需要释放静电时，根据所述第二控制信号关闭，以使所述第一连接端与所述第三连接端不导通。

2.如权利要1所述的液晶显示面板，其特征在于，

所述第一开关管，用于在所述第一控制端没有第一控制信号输入时，关闭；在所述第一控制端有第一控制信号输入时，开启；

所述第二开关管，用于在所述第二控制端没有第二控制信号输入时，关闭；在所述第二控制端有第二控制信号输入时，开启。

3.如权利要求2所述的液晶 显示面板，其特征在于，所述第一开关管为N沟道增强型场效应晶体管，所述第二开关管为N沟道耗尽型场效应晶体管。

4.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，

所述第一开关管，用于在所述第一控制端没有第一控制信号输入时，开启；在所述第一控制端有第一控制信号输入时，关闭；

所述第二开关管，用于在所述第二控制端没有第二控制信号输入时，开启；在所述第二控制端有第二控制信号输入时，关闭。

5.如权利要求4所述的液晶显示面板，其特征在于，第一开关管为N沟道耗尽型场效应晶体管，所述第二开关管为N沟道增强型场效应晶体管。

6.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，

所述第一开关管，用于在所述第一控制信号处于高电平时开启，所述第一控制信号处于低电平时关闭；

所述第二开关管，用于在所述第二控制信号处于高电平时开启，所述第二控制信号处于低电平时关闭。

7.如权利要求1-6任一项所述的液晶显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括：

用于形成薄膜晶体管栅极和所述扫描线的第一金属层；

用于形成所述数据线和薄膜晶体管源极、漏极的第二金属层；

所述第二连接端通过所述第一金属层或者第二金属层上的走线与阵列基板内对应电极线电性连接；

所述走线具有预备熔断区，

所述预备熔断区，用于在需要针对所述测试端子进行静电保护时，被激光照射进行熔化，断开所述走线，从而断开第二连接端与阵列基板内对应电极线的电性连接。

8.如权利要求7所述的液晶显示面板，其特征在于，

所述第二连接端通过所述第一金属层上的走线与阵列基板内对应电极线电性连接；

所述第二金属层上还设有辅助走线；

所述走线具有第一预备熔接区和第二预备熔接区，所述第一预备熔接区和所述第二预备熔接区分别位于所述预备熔断区的两侧；

所述辅助走线具有与第一预备熔接区对应的第三预备熔接区，与所述第二预备熔接区对应的第四预备熔接区域，以及位于所述第三预备熔接区域和第四预备熔接区域之间的中间走线；

所述第三预备熔接区，用于在所述走线断开后，且需要使用所述测试端子的情况下，被激光照射进行熔化，以使所述中间走线的一端与所述第一预备熔接区电性连接；

所述第四预备熔接区，用于在所述走线断开后，且需要使用所述测试端子的情况下，被激光照射进行熔化，以使得所述中间走线的另一端与所述第二预备熔接区电性连接。