CN105060883A - 磁控溅射用高致密度bnt靶材的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种磁控溅射用高致密度BNT靶材的制备方法:以Bi2O3、Na2CO3和TiO2为原料,按BNT靶材的分子式Bi0.5Na0.5TiO3进行配料;先经一次球磨,于700~900℃预烧,再向原料中外加0.5~1wt%的塑化剂PVA,进行二次球磨;经烘干、过筛后,压制成型为陶瓷生坯,再经排胶后于950~1100℃烧结,制成BNT靶材。本发明首次采用固相法制备,烧结前/后靶材的直径为100mm/76mm,收缩率为24%,体密度为5.59g/cm3。
Description
技术领域
本发明属于电子信息材料与元器件领域,特别涉及一种磁控溅射用BNT靶材的制备方法。
背景技术
压电材料作为一种功能材料,在机械能和电能的转换中起着重要的作用,尤其是薄膜压电材料具有能量转换效率高,适于微型化,与半导体集成电路工艺兼容等优点成为微传感器中广泛采用的材料。其中,铅基薄膜是一种优良的铁电薄膜材料,压电性能优异,已广泛地应用于电子、光、热、声学等领域。但是,铅的化合物及其蒸汽损害人体健康,污染环境,为此科学家们正在探索对环境友好,且对人体无害的新型无铅材料。不过,目前的无铅材料在性能上还有些欠缺,暂时无法完全取代传统铅基材料,因此对无铅压电材料的研究具有十分重要的意义。
钛酸铋钠Bi0.5Na0.5TiO3(BNT)是A位复合离子钙钛矿型铁电体,室温时属三角晶系,居里温度为320℃。BNT具有铁电性强、压电性能佳、声学性能好等优良特征,目前受到广泛研究,被认为是最有可能取代传统铅基材料的无铅压电材料,因而极具吸引力。
发明内容
本发明的目的,在于克服目前无铅压电陶瓷材料在性能上尚存缺陷、暂时无法完全取代传统铅基材料的不足,提供一种磁控溅射用高致密度BNT靶材的制备方法。
本发明通过如下技术方案予以实现。
一种磁控溅射用高致密度BNT靶材的制备方法,具体步骤如下:
(1)配料
BNT靶材的分子式为Bi0.5Na0.5TiO3,以Bi2O3、Na2CO3和TiO2为原料,按照Bi0.5Na0.5TiO3中各元素的摩尔质量比将原料进行混合;
(2)一次球磨
将步骤(1)混合后的原料置于球磨罐中,加入去离子水和氧化锆磨球,球磨4~8小时;
(3)预烧
将步骤(2)一次球磨后的粉料烘干,放入马弗炉中进行预烧,预烧温度为700~900℃,保温时间为2~4小时,形成BNT主晶相;
(4)二次球磨
在步骤(3)预烧后的粉料中外加0.5~1wt%的塑化剂PVA、去离子水和氧化锆磨球,球磨10~14小时;
(5)过筛
将步骤(4)二次球磨后的粉料予以烘干后过40~200目筛;
(6)压制成型
将步骤(5)过筛后的粉料放入模具中,压制成直径为50~100mm的陶瓷生坯;
(7)排胶
将步骤(6)成型后的陶瓷生坯放入低温炉中进行排胶,排胶温度600~800℃;
(8)烧结
将步骤(7)排胶完成后的生坯进行烧结,烧结温度为950~1100℃,保温时间为3~5小时。
所述步骤(1)的原料Bi2O3、Na2CO3和TiO2的纯度在99%以上。
所述步骤(2)或(4)的粉料、去离子水和磨球的体积配比约为1:1:1。
所述步骤(7)的排胶温度为700℃。
所述步骤(8)的烧结温度1100℃,保温时间为4小时。
本发明的磁控溅射用高致密度BNT靶材,首次采用固相法制备,烧结前/后靶材的直径为100mm/76mm,收缩率为24%,体密度为5.59g/cm3。
具体实施方式
下面结合具体实施例进一步阐述本发明,应理解,这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的保护范围。
实施例1
1.制备原料为纯度在99%以上的Bi2O3、Na2CO3和TiO2,按照BNT靶材的分子式Bi0.5Na0.5TiO3中各元素的摩尔质量比将原料进行混合,其中Bi2O3为57.49克,Na2CO3为11.89克,TiO2为35.85克。
2.将上述三种原料按照原料、去离子水和磨球的体积比为1:1:1混合,进行一次球磨,球磨时间为6小时。
3.一次球磨后,将粉料烘干,放入中温马弗炉中进行预烧,预烧温度为800℃,升温时间为2小时,保温时间为3小时。
4.预烧完成后,向粉料中外加0.75wt%PVA,按照原料、去离子水和磨球的体积比为1:1:1混合,进行二次球磨,球磨时间为12小时。
5.二次球磨完成后,将粉料于100℃烘干,过80目筛。
6.将过筛之后的粉料放入模具中压制成型,生坯直径为100mm。
7.将压制成型后的陶瓷生坯放入低温炉中进行排胶,排胶温度为700℃。
8.将排胶完成后的生坯进行烧结,烧结温度为1100℃,升温速率为10℃/min,保温时间为4小时。
烧结后BNT靶材的直径为76mm,收缩率为24%,体密度为5.59g/cm3。
实施例2~4
实施例2~4的制备方法基本与实施例1相同,其具体主要工艺参数与检测数据详见表1.
表1
Claims (5)
1.一种磁控溅射用高致密度BNT靶材的制备方法,具体步骤如下:
(1)配料
BNT靶材的分子式为Bi0.5Na0.5TiO3,以Bi2O3、Na2CO3和TiO2为原料,按照Bi0.5Na0.5TiO3中各元素的摩尔质量比将原料进行混合;
(2)一次球磨
将步骤(1)混合后的原料置于球磨罐中,加入去离子水和氧化锆磨球,球磨4~8小时;
(3)预烧
将步骤(2)一次球磨后的粉料烘干,放入马弗炉中进行预烧,预烧温度为700~900℃,保温时间为2~4小时,形成BNT主晶相;
(4)二次球磨
在步骤(3)预烧后的粉料中外加0.5~1wt%的塑化剂PVA、去离子水和氧化锆磨球,球磨10~14小时;
(5)过筛
将步骤(4)二次球磨后的粉料予以烘干后过40~200目筛;
(6)压制成型
将步骤(5)过筛后的粉料放入模具中,压制成直径为50~100mm的陶瓷生坯;
(7)排胶
将步骤(6)成型后的陶瓷生坯放入低温炉中进行排胶,排胶温度600~800℃;
(8)烧结
将步骤(7)排胶完成后的生坯进行烧结,烧结温度为950~1100℃,保温时间为3~5小时。
2.根据权利要求1所述的磁控溅射用高致密度BNT靶材的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)的原料Bi2O3、Na2CO3和TiO2的纯度在99%以上。
3.根据权利要求1所述的磁控溅射用高致密度BNT靶材的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)或(4)的粉料、去离子水和磨球的体积配比约为1:1:1。
4.根据权利要求1所述的磁控溅射用高致密度BNT靶材的制备方法,其特征在于,所述步骤(7)的排胶温度为700℃。
5.根据权利要求1所述的磁控溅射用高致密度BNT靶材的制备方法,其特征在于,所述步骤(8)的烧结温度1100℃,保温时间为4小时。
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