CN105051901B - 显示设备 - Google Patents

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Abstract

一种显示设备(1)，所述显示设备具有至少一个半导体本体和操控电路(54)，所述半导体本体具有带有设为用于产生辐射的有源区域(20)并且形成多个像素(2a，2b)的半导体层序列(2)，其中操控电路(54)具有多个开关(55)，所述开关分别设为用于控制至少一个像素(2a，2b)；在操控电路和半导体本体之间设置有第一金属化层和与第一金属化层电绝缘的第二金属化层；第一金属化层和/或第二金属化层与至少一个像素导电地连接；并且第一金属化层和第二金属化层彼此重叠地设置成，使得操控电路在显示设备的俯视图中在与像素中的一个像素重叠或在两个相邻的像素之间设置的每个部位处由至少一个金属化层覆盖。

Description

显示设备
技术领域
提出一种显示设备。
背景技术
对于基于发光二极管的显示设备，能够将各个发光二极管安装在载体上，在所述载体中集成操控电路。然而，由发光二极管放射的并且在载体中吸收的辐射能够造成故障和退化现象。
发明内容
待实现的目的是，提出一种显示设备，其特征在于高的可靠性和寿命稳定性。
所述目的此外通过根据本发明的显示设备来实现。设计方案和适当方案是下面描述的主题。
根据显示设备的至少一个实施方式，显示设备具有至少一个半导体本体。半导体本体具有半导体层序列，所述半导体层序列具有设为用于产生辐射的有源区域并且形成多个像素。在有源区域中产生的辐射的峰值波长例如位于紫外的、可见的或红外的光谱范围中。有源区域例如设置在第一半导体层和第二半导体层之间，其中第一半导体层和第二半导体层适当地具有彼此不同的传导类型。在制造显示设备时，半导体本体的像素能够从共同的半导体层序列得出。也就是说，半导体层、尤其半导体本体的各个像素的有源区域在其材料组成及其层厚度方面除了由制造引起的发生在横向方向上的超过半导体晶片的波动是相同的。
横向方向理解为平行于半导体层序列的半导体层的主延伸平面伸展的方向。
根据显示设备的至少一个实施方式，显示设备具有操控电路。操控电路具有多个开关，所述开关分别设为用于控制至少一个像素。
优选地，每个像素配设有至少一个开关、尤其刚好一个开关。在显示设备运行时，每个像素能借助于所配设的开关来操控。因此，能够同时操控多个像素，尤其同时操控所有像素以发射辐射。例如，借助于开关形成用于像素的有源矩阵操控电路。
根据显示设备的至少一个实施方式，显示设备具有载体。在载体上设置有至少一个半导体本体。载体例如包含半导体材料、例如硅或锗，或陶瓷、例如氮化铝、氧化铝或氮化硼。
根据显示设备的至少一个实施方式，操控电路集成到载体中。在该情况下，适合于载体的尤其有半导体材料、例如硅。“集成到载体中”在本文中表示操控电路的至少一个子区域、例如开关的半导体区域由载体形成。
根据显示设备的至少一个实施方式，操控电路设置在至少一个半导体本体和载体之间。在该情况下，载体尤其用于半导体层序列的机械稳定进而能够与其电子特性无关地选择。操控电路例如借助于沉积在半导体本体上的层形成。例如，操控电路能够具有多晶半导体材料、尤其多晶硅。为了至少一个半导体本体和载体之间的机械连接，在操控电路和载体之间能够至少局部地设置有连接层。
根据显示设备的至少一个实施方式，显示设备在操控电路和半导体本体之间具有第一金属化层。第一金属化层能够与像素导电地连接、尤其分别与像素的第一半导体层导电地连接。换言之，第一金属化层实现用于第一半导体层的接合层的功能。与此不同地，第一金属化层能够与像素电绝缘。因此，在该情况下，第一金属化层不实现电功能。第一金属化层尤其设置在载体和半导体本体之间。
根据显示设备的至少一个实施方式，显示设备在操控电路和半导体本体之间具有第二金属化层。第二金属化层例如邻接于半导体本体、尤其邻接于第二半导体层。第二金属化层尤其与第一金属化层电绝缘。第一金属化层例如沿竖直方向、即沿垂直于半导体层序列的半导体层的主延伸平面伸展的方向至少局部地设置在操控电路和第二金属化层之间。第二金属化层尤其设置在载体和半导体本体之间。
第一金属化层和/或第二金属化层能够对于在有源区域中在运行时产生的辐射构成为是反射性的。优选地，反射率对于在有源区域中产生的辐射为至少50％、特别优选至少70％。因此，第一金属化层和/或第二金属化层实现镜层的功能，所述镜层将朝向操控电路的方向放射的辐射转向。第一金属化层和/或第二金属化层还能够单层地或多层地构成。
根据显示设备的至少一个实施方式，第一金属化层和/或第二金属化层与至少一个像素导电地连接。
根据显示设备的至少一个实施方式，第一金属化层和第二金属化层彼此重叠地设置，使得操控电路在显示设备的俯视图中在与像素中的一个像素重叠的每个部位处或在两个相邻的像素之间设置的每个部位处由至少一个金属化层覆盖。尤其，在有源区域和操控电路之间不存在直接的光学路径。也就是说，由有源区域放射的辐射不能够直接地、即不能够在之前没有在第一金属化层和/或第二金属化层上反射的情况下进入到操控电路和可能进入到载体中。然而，在载体的边缘区域中、例如横向地在至少一个半导体本体之外，载体能够局部地露出。
在显示设备的至少一个实施方式中，显示设备具有至少一个半导体本体，所述半导体本体具有半导体层序列，所述半导体层序列具有设为用于产生辐射的有源区域并且形成多个像素。此外，显示设备具有操控电路，其中操控电路具有多个开关，所述开关分别设为用于控制至少一个像素。在操控电路和半导体本体之间设置有第一金属化层和与第一金属化层电绝缘的第二金属化层。第一金属化层和/或第二金属化层与至少一个像素导电地连接。第一金属化层和第二金属化层彼此重叠地设置，使得操控电路在显示设备的俯视图中在与像素中的一个像素重叠的每个部位处或在两个相邻的像素之间设置的每个部位处由至少一个金属化层覆盖。
借助于重叠设置的金属化层能够避免，在有源区域中产生的并且朝向操控电路的方向放射的辐射在其中吸收并且造成故障或退化现象。
根据显示设备的至少一个实施方式，第一金属化层和第二金属化层与至少一个像素导电地连接。
根据显示设备的至少一个实施方式，第一金属化层或第二金属化层形成用于多个像素、尤其用于显示设备的所有像素的共同的接触部。例如，第一金属化层为多个像素形成共同的电接触部并且像素的第二半导体层借助于第二金属化层分别与开关中的一个开关导电地连接或反之。
根据显示设备的至少一个实施方式，第二金属化层邻接于半导体层序列并且在两个相邻的像素之间分开。因此，第二金属化层限定载流子在运行时经由第二半导体层注入到有源区域中的区域。换言之，第二金属化层划分为多个彼此间隔开的区域，其中尤其每个像素与刚好一个子区域相关联。
根据显示设备的至少一个实施方式，第二金属化层在显示设备的俯视图中完全地由至少一个半导体本体遮盖。换言之，第二金属化层的各个区域沿横向方向在任何部位都不超出分别配属的半导体本体。
根据显示设备的至少一个实施方式，第一金属化层为每个像素分别具有留空部。尤其，第二金属化层在留空部中导电地与操控电路的所配设的开关连接。在显示设备的俯视图中，留空部与分别所配属的像素重叠并且尤其也与第二金属化层完全地重叠。因此，留空部沿横向方向不延伸超出像素。换言之，第一金属化层仅在由第二金属化层覆盖的部位处留空。尤其，第一金属化层在显示设备的俯视图中完全地覆盖像素之间的中间空间。
根据显示设备的至少一个实施方式，留空部具有环形的边缘，例如边缘具有圆形的或椭圆形的基本形状。
根据显示设备的至少一个实施方式，在载体上设置有分别具有多个像素的多个半导体本体。在制造显示设备时，各个半导体本体能够顺序地或同时地安置在载体上。在相邻的半导体本体之间的间距能够大于在半导体本体的相邻的像素之间的间距。
根据显示设备的至少一个实施方式，第一金属化层和第二金属化层彼此重叠地设置，使得载体在显示设备的俯视图中在与半导体本体中的一个半导体本体重叠的每个部位处或在两个相邻的半导体本体之间设置的每个部位处由至少一个金属化层覆盖。因此，在相邻的半导体本体之间的区域中不存在从半导体本体的有源区域到载体的直接的光学路径。
根据显示设备的至少一个实施方式，有源区域设置在第一半导体层和第二半导体层之间，其中半导体层序列具有至少一个凹部，所述凹部从半导体层序列的朝向操控电路的后侧穿过有源区域延伸进入到第一半导体层中并且设为用于电接触第一半导体层。尤其，第一金属化层在凹部中与第一半导体层导电地连接。借助于第一金属化层，第一半导体层能够从半导体层序列的朝向操控电路的一侧电接触。尤其在第一半导体层在所有像素之上连续地伸展的设计方案中，唯一一个凹部对于整个半导体本体已经能够是足够的。然而，也能够设有多个凹部。例如，在半导体本体中的凹部的数量至少与半导体本体的像素的数量同样大。这不仅能够应用在第一半导体层经由第一金属化层与开关连接的设计方案中，而且也能够应用在第一金属化层连续地在像素之上伸展的设计方案中。尤其，在各个像素的横向扩展相对大的情况下，每像素两个或更多个凹部也能够是适当的。因此，简化沿横向方向将载流子均匀地压入到像素的有源区域中。
根据显示设备的至少一个实施方式，像素从半导体本体的背离操控电路的辐射出射面电接触。尤其，像素的第一半导体层从辐射出射面电接触。例如，在半导体本体上设置有接合层。接合层能够形成用于半导体本体的多个或所有第一半导体层的共同的接触部。在该实施方式中，能够弃用穿过有源区域的用于接触第一半导体层的凹部。接合层适当地对于在有源区域中产生的辐射是透明的或至少半透明的。例如，接合层包含TCO(transparent conductive oxide，透明导电氧化物)材料，例如铟锡氧化物(ITO)或氧化锌。
根据显示设备的至少一个实施方式，移除用于半导体层序列的生长衬底。尤其，完全地或至少局部地移除或者完全地或至少局部地打薄用于半导体层序列的生长衬底。载体机械地稳定半导体层序列，使得为此不再需要生长衬底。优选地，显示设备完全不具有生长衬底。因此，能够降低在显示设备运行时在相邻的像素之间的光学串扰的风险。然而，与此不同地，将生长衬底仅打薄至预设的剩余厚度也能够是足够的。
根据显示设备的至少一个实施方式，有源区域在半导体本体的多个像素之上、尤其在所有像素之上连续地延伸。因此，有源区域连续地构成并且必要时仅通过至少一个凹部中断。因此，不需要用于将各个像素的有源区域分开的附加的制造步骤。
根据显示设备的至少一个实施方式，有源区域划分为多个区段，所述区段分别形成像素，其中区段由共同的半导体层序列得出。在相邻的像素之间的划分例如能够分别借助于沟槽形成，所述沟槽至少将有源区域分开。尤其，沟槽能够将整个半导体层序列分开。借助于划分为区段，能够简单地实现在相邻的像素之间的载流子注入的分离。此外，能够继续减少光学串扰。
替选地，沟槽也能够仅在第一半导体层中构成。也就是说，沟槽不分开有源区域。借助于这种沟槽能够改进像素之间的光学分离，而不将有源区域分开。
根据显示设备的至少一个实施方式，在半导体层序列的背离操控电路的一侧上设置有辐射转换元件。
辐射转换元件尤其设为用于，将在有源区域中产生的具有第一峰值波长的辐射的至少一部分转换为具有不同于第一峰值波长的第二峰值波长的次级辐射。
根据显示设备的至少一个实施方式，辐射转换元件在多个像素之上连续地延伸。
根据显示设备的至少一个实施方式，辐射转换元件具有多个区段，所述区段分别与至少一个像素相关联。例如，各三个或更多个像素能够组合成三色单元，所述三色单元设为用于产生在红色的、绿色的和蓝色的光谱范围中的辐射。这种显示设备适合于全色地显示不运动的或运动的图像。
显示设备的制造能够在晶片复合件中进行，其中多个显示设备通过分割晶片、例如通过锯割或借助于激光分离法得到。尤其在将半导体本体固定在载体上之后才分割为显示设备。
附图说明
其他的特征、设计方案和适当方案结合附图从在下文中对实施例的描述中得出。
附图示出：
图1A和1B示出显示设备的第一实施例的示意剖视图(图1A)和相应的俯视图(图1B)；
图2和3示出显示设备的第二或第三实施例的示意剖视图；以及
图4示出显示设备的第四实施例的示意剖视图。
相同的、相同类型的或起相同作用的元件在附图中设有相同的附图标记。
附图和在附图中示出的元件彼此间的大小关系不视作为合乎比例的。更确切地说，为了更好的可示性和/或为了更好的理解能够夸大地示出个别元件和尤其层厚度。
具体实施方式
在图1A中示出显示设备1的第一实施例的示意剖视图。显示设备具有多个像素，所述像素并排地、尤其矩阵状地设置。为了简化的示出，在附图中示出显示设备的具有第一像素2a和第二像素2b的局部。
显示设备1具有带有半导体层序列2的半导体本体。半导体本体沿竖直方向在辐射出射面29和与辐射出射面相对置的后侧27之间延伸。半导体层序列具有设为用于产生辐射的有源区域20。有源区域设置在第一导电类型的第一半导体层21和与第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层22之间。例如，第一半导体层能够n型导电地构成并且第二半导体层能够p型导电地构成或反之。在半导体层序列2中构成多个凹部25，所述凹部从后侧27穿过第二半导体层22和有源区域20延伸进入到第一半导体层21中。尤其，凹部在第一半导体层中终止。
有源区域20能够设为用于产生在可见的光谱范围中、在紫外的光谱范围中或在红外的光谱范围中的辐射。尤其，有源区域能够具有量子阱结构、例如多量子阱结构。
半导体层序列2、尤其有源区域20优选具有III-V族化合物半导体材料。半导体材料尤其能够包含由Ga、Al和In构成的组中的至少一种III族元素和由N、P和As构成的组中的至少一种V族元素。
III-V族化合物半导体材料尤其适合于在紫外光谱范围中(AlxInyGa1-x-yN)经过可见光谱范围(尤其对于蓝色至绿色辐射为AlxInyGa1-x-yN，或尤其对于黄色至红色辐射为AlxInyGa1-x-yP)直到红外光谱范围中(AlxInyGa1-x-yAs)的辐射产生。在此分别适用的是0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1，其中尤其x≠1，y≠1，x≠0和/或y≠0。借助尤其出自上述材料体系的III-V族化合物半导体材料，此外，能够在产生辐射时实现高的内部量子效率。
显示设备1还具有载体5，在所述载体上设置并且固定有半导体层序列2。在载体5中集成有具有多个开关55的操控电路54，所述开关例如能够构成为单个晶体管或构成为具有多个晶体管和一个或多个电容器的电路。在载体5的朝向半导体层序列2的主面50上构成有第一连接面51。第一连接面设为用于与像素2a、2b的第一半导体层21导电地连接。第一连接面构成为连续的面。此外，在载体的该主面上构成有多个第二连接面52。第二连接面分别设为用于在开关55和半导体本体2的相关联的像素之间的导电的连接。
在显示设备1的俯视图中，在相邻的第二连接面52之间分别构成有绝缘区域53。绝缘区域将载体5与第一金属化层51绝缘。在载体5中还构成有引线57，经由所述引线，显示设备的像素能够经由电控制电路来操控。
载体5例如能够构成为硅载体，其中开关55例如能够以CMOS(ComplementaryMetal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)技术构成。除了开关55以外，载体也能够具有用于操控显示设备1的其他电子部件，例如移位寄存器或可编程逻辑模块。
除了对像素2a、2b的电操控以外，载体5也用于半导体层序列2的机械稳定。用于半导体层序列的优选外延沉积的生长衬底为此不再需要进而能够在制造显示设备时移除。
具有半导体层序列2的半导体本体经由连接层7与载体5机械地以及尤其也导热地连接，使得在运行中产生的余热能够有效地经由载体引出。对于制造连接层适合的例如是焊接、例如借助焊膏的焊接、银烧结、直接接合法或通过接触突出部(Bumps)的接触，其中在各个接触突出部之间能够构成有用于提高机械稳定性的底部填充材料(underfill)。对于连接层7尤其适合的是金属，例如金、银、铜、镍、锡或具有至少一种所述材料的金属合金，例如金-锡、铜-银-锡、铟-锡或镍-锡。
为了半导体层序列2的像素2a、2b与载体5电连接，在半导体层序列2和载体5之间设置有第一金属化层31和第二金属化层32。第一金属化层31延伸穿过凹部25并且电接触第一半导体层21。相应地，第二金属化层32电接触第二半导体层22并且直接邻接于第二半导体层。金属化层优选构成为对于在有源区域20中产生的辐射是反射性的。例如，银的特征在于在可见的和紫外的光谱范围中的特别高的反射率。替选地，也能够应用另一金属，例如铝、镍、金、铑或钯或具有至少一种所述材料的金属合金，例如银钯合金或Au:Ge。金属化层31、32也能够多层地构成。
在显示设备1的俯视图中，第一金属化层31和第二金属化层32彼此重叠地设置，使得具有操控电路54的载体5的主面50沿横向方向在与像素2a、2b重叠的每个部位处或在两个相邻的像素之间设置的每个部位处由至少一个金属化层覆盖。因此，在第一金属化层和第二金属化层中的例如用于像素的电接触引导或限定的中断相对于彼此错开地设置。借助这种设置能够实现，对具有操控电路的载体也在各个像素的尤其借助于有源矩阵操控电路的单独的可操控性的情况下相对于在显示设备1运行时由有源区域20朝向载体5的方向放射的辐射进行保护。所述辐射由至少一个金属化层沿横向方向连续地、即在每个部位上阻止进入到载体5中，并且还能够至少部分地朝向辐射出射面的方向转向。因此避免，载体5、尤其在有源区域之下并且沿横向方向在有源区域之间经受所产生的辐射。由此，使由辐射引起的故障或操控电路54的退化的风险最小化。
第一金属化层31具有多个留空部310。在留空部中构成贯通接触部320，经由所述贯通接触部，相应的像素的第二金属化层32与相关的第二连接面52导电地连接。在显示设备的俯视图中，贯通接触部310完全地由第二金属化层32遮盖。留空部310优选环形地构成。已证实的是，由此使半导体本体2未由连接层7机械支撑的面积最小化。因此，例如相对于线形的留空部减小了形成裂缝的风险。显而易见，对于留空部也考虑其他的几何基本形状，例如多边形的、例如矩形的、尤其正方形的或六边形的基本形状。
在示出的实施例中，第二金属化层32为每个像素2a、2b形成与相关的开关55的第二连接面52的导电的连接。第一半导体层21连续地借助于第一金属化层31电接触，使得第一金属化层形成用于显示设备的所有像素2a、2b的共同的接触部并且直接与引线57连接。
共同的接触部能够在一个或多个部位处与引线57连接或直接从显示设备1中引出。
在第一金属化层31和第二金属化层32之间设置有第一绝缘层41，例如氧化硅层。绝缘层用于在第一金属化层31和第二金属化层32之间的电绝缘以及第一金属化层与第二半导体层22和有源区域20在凹部25的区域中的电绝缘。半导体层序列2的、尤其有源区域20的侧面由第二绝缘层42覆盖。侧面能够如在图1A中示出的那样具有正的侧面角。在此情况下，半导体层序列的横向扩展朝向载体的方向增加。但是，替选地，也能够设有负的侧面角。
在显示设备1运行时，像素2a、2b能够经由开关55彼此独立地并且尤其同时地运行。因此，与像素成行地且成列地与接触导线连接的设计方案不同地，能够提高像素的数量，而为此在预设的重复频率的情况下不必减少每像素的开关时间。因此，为了像素的相同的亮度，不必提高穿过像素的电流。虽然像素的单独的可操控性，借助于如所描述的重叠的金属化层确保，在运行中所产生的辐射不能进入到载体5中并且在那造成操控电路54的损坏或故障。
在示出的实施例中，半导体层序列2在像素2a、2b之上连续地延伸。因此，有源区域20构成为连续的区域。在所述实施例中，像素的横向扩展基本上经由第二金属化层32的横向尺寸得出。因此，第二金属化层的通过在像素之间的中断部彼此分开的区域确定像素的形状。像素能够如在图1B中示出的那样具有正方形的基本形状。但是，与此不同地，也能够应用其他的基本形状，尤其至少局部弯曲的或多边形的、例如三角形的、矩形的或六边形的基本形状。
在像素2a、2b的第二金属化层32的区域之间的中断部的区域中，第一金属化层31在显示设备1的俯视图中连续地伸展，使得载体5的主面50在像素之间在任何部位都不可见。因此，有效地阻止在运行中产生的辐射进入到具有操控电路54的载体5中。
第一连接面51和第二连接面52的设计方案与第一金属化层31和贯通接触部320的设计方案是对称的，使得第一连接面51与第一金属化层并且第二连接面与贯通接触部能够以简单的方式在制造时经由连接层7彼此连接。
凹部25的数量能够与像素的大小和第一半导体层的横向传导率相关地在大的范围中变化。因此，与示出的实施例不同地，每个像素不必具有自身的凹部25或甚至多个自身的凹部25。更确切地说，多个并排设置的像素也能够具有共同的凹部25。在极端情况下，单个凹部能够对于整个显示设备是足够的。
各个像素2a、2b的边长能够在大的范围中变化。例如，边长能够在1μm和1mm之间，其中包含边界值。对于像素化的前照灯的构成方案，例如对于机动车辆中的适应性前灯照明系统(adaptive front lighting system,AFS)，边长例如优选在20μm和150μm之间，其中包含边界值。对于投影显示，边长优选在1μm和5μm之间，其中包含边界值。
相邻的像素之间的不发射的间距能够在0.5μm和20μm之间，其中包含边界值。
在半导体层序列的辐射出射面29上构成有辐射转换元件6。在示出的实施例中，辐射转换元件构成为连续的元件，所述元件具有多个区段6a、6b。每个像素与刚好一个区段相关联。在相邻的区段之间分别构成有分离连接片61。借助于分离连接片，能够将区段6a、6b光学地彼此隔离。因此，提高在像素2a、2b之间的光学分离。尤其，与转换元件的厚度和/或与转换元件中的散射中心的密度相关地，也能够弃用分离连接片。
对于设为用于示出全色的静止的或运动的图像的显示设备1，区段6a、6b能够设为用于产生具有带有彼此不同的峰值波长的次级波长的辐射。例如能够借助于三个区段6a、6b形成用于产生在红色的、绿色的和蓝色的光谱范围中的三重色。显而易见，也可考虑的是，辐射转换元件6不连续地构成并且将辐射转换元件以机械地彼此分离的单个区段的形式施加到相应的像素2a、2b上。
辐射转换元件6能够以预制的形式固定在辐射出射面29上或直接构成在辐射出射面上。此外，辐射转换元件例如能够借助于陶瓷颗粒、量子点或有机分子形成。其能够嵌入到基质材料中，例如聚合物基质材料，例如硅树脂或环氧化物或具有硅树脂或环氧化物的杂化材料。替选地，辐射转换元件也能够形成为陶瓷的辐射转换元件，其中设为用于辐射转换的颗粒例如仅通过烧结形成陶瓷或借助于其他材料组合成陶瓷。
为像素化的前照灯也能够相同类型地构成辐射转换元件6的区段6a、6b。例如，区段能够设为用于在有源区域20中产生的蓝色辐射到黄色光谱范围中的次级辐射的辐射转换，使得对于肉眼而言放射呈现白色的光。
替选地，辐射转换元件6能够构成为连续的元件，所述元件延伸超过像素2a、2b。辐射转换元件尤其能够一件式地构成。
与所描述的实施例不同地，第二金属化层32也能够构成为用于像素2a、2b的共同的接触部。在该情况下，像素经由第一金属化层31分别与相关的开关导电地连接。
因此，在所描述的实施例中，第一金属化层和第二金属化层不仅用于电接触像素、而且也用于对具有操控电路54的载体5相对于由有源区域20和辐射转换元件6放射的辐射进行连续的保护。
与所描述的实施例不同地，操控电路54也能够与载体5分开地构成。例如，操控电路能够借助于一个或多个设置在具有半导体层序列2的至少一个半导体本体和载体之间的层形成。在将具有半导体层序列的半导体本体固定在载体5上之前，例如能够借助于沉积法，如借助于PECVD(等离子体增强化学气相沉积)将层沉积在具有半导体层序列2的半导体本体上。例如，操控电路54能够具有多晶半导体材料、例如多晶硅。为了制造半导体材料，能够沉积无定形材料并且随后再结晶。与无定形半导体材料相比，多晶的或单晶的半导体材料能够具有大幅提高的载流子移动性。例如，通过无定形硅的再结晶能够实现为用于单晶材料的值的一半或更多的载流子迁移率。因此，通过使用多晶半导体材料来代替无定形半导体材料，能够简化地构成操控电路中的开关，所述开关也能够切换为了产生辐射在显示设备的像素中所需要的电流。再结晶例如能够借助于激光束来进行，所述激光束在扫描法中在无定形的层的表面之上引导。能够整面地或仅局部地进行再结晶。也能够在多级工艺中进行再结晶。能够放弃用于将载体与集成到载体中的操控电路固定的调整的接合。
在该情况下，替选于半导体材料，也能够将电绝缘的材料、例如陶瓷应用于载体。在该情况下，连接层7设置在操控电路54和载体5之间并且也能够电绝缘地构成。金属化层31、32设置在半导体本体2和操控电路之间进而对操控电路相对于在半导体本体中产生的并且朝向操控电路的方向放射的辐射进行保护。
在图2中示意地示出的第二实施例基本上对应于结合图1A和1B描述的第一实施例。与其不同地，将相邻的像素2a、2b借助于沟槽26彼此分离。沟槽从辐射出射面29至少穿过有源区域、优选穿过整个半导体层序列2延伸。有源区域20b的在沟槽26之间设置的区段20a、20b分别形成像素2a、2b。像素2a、2b能够借助于沟槽简化地以光学地并且电学地彼此分离。为了像素的纯光学的分离，沟槽也能够仅从辐射出射面29延伸进入到第一半导体层21中，而不分开有源区域20。因此，沟槽也能够在例如结合图1A和1B描述的连续的第一半导体层21中应用。
沟槽26的侧面由第二绝缘层42覆盖。沟槽能够是未填充的或是用填充材料填充的。填充材料对于在有源区域20中产生的辐射能够可穿透地、吸收性地或反射性地构成。借助吸收性的或反射性的填充材料，能够提高在相邻的像素之间的光学分离。作为用于沟槽的透明的或吸收性的填充材料例如适合的是介电材料、例如聚合物材料。作为反射性的材料能够应用金属层或用反射性的颗粒、例如氧化钛填充的塑料。在将介电材料用作填充材料时，也能够弃用在沟槽26的侧面上的第二绝缘层42。
此外，与在图1A和1B中示出的实施例不同地，像素2a具有多个用于接触第一半导体层21的凹部25。每像素多个凹部尤其适合于具有相对大的像素2a、2b的显示设备，例如在用于像素化的前照灯的显示设备中。
在图3中示出的第三实施例基本上对应于结合图1A和1B描述的第一实施例。与此不同地，第一半导体层21的电接触经由设置在辐射出射面29上的接合层33来进行。接合层对于在运行中所产生的辐射是可穿透的。例如，接合层包含TCO材料、例如ITO或氧化锌。接合层33与载体的引线57连接并且形成用于第一半导体层的共同的接触部。而第一金属化层31不用于电接触像素，而是附加地设为用于，对具有操控电路54的载体5连同第二金属化层32连续地相对于在显示设备1运行时发射的辐射进行屏蔽。在本实施例中，如结合图2所描述的那样，在相邻的像素之间也能够分别构成有沟槽。此外，如结合图1A和1B所描述的那样，在接合层33上设置有辐射转换元件。
在图4中示出的第四实施例基本上对应于结合图1A和1B描述的第一实施例。与此不同地，在载体5上并排地设置有多个半导体本体2。为了简化的视图，在图中仅示出具有留空部310和贯通接触部320的金属化层31、32和半导体本体2的边缘。显示设备示例性地具有四个分别具有6个像素2a、2b的半导体本体2。然而，每半导体本体的像素的数量以及半导体本体的数量能够在大的范围中变化。第一金属化层31大面积地、尤其在相邻的像素2a、2b之间和在相邻的半导体本体2之间遮盖载体5。第一金属化层31的留空部310由第二金属化层32完全地遮盖，使得在半导体本体2之下和在半导体本体2之间在有源区域20和具有操控电路54的载体之间不存在直接的光学路径。仅在载体的不预期通过辐射造成对功能性的损害性的损伤的区域中，例如在半导体本体2的靠外的边缘之外，载体5能够构成为不具有两个金属化层。
在制造显示设备1时，半导体本体2能够连续地固定在载体5上。在此，载体能够在晶片复合件中存在，所述晶片复合件随后分割成显示设备。在相邻的半导体本体2之间的间距尤其能够在0.5μm和100μm之间，其中包含边界值。尤其，在一个半导体本体2之内的相邻的像素之间的间距能够与相邻的半导体本体之间的间距同样大。
本申请要求德国专利申请10 2013 102 667.2的优先权，其公开内容在此通过参引结合于此。
本发明不受根据实施例进行的描述限制。更确切地说，本发明包括每个新的特征以及特征的任意组合，这尤其是包含在实施例中的特征的任意组合，即使所述特征或所述组合本身并未详尽在实施例中说明时也如此。

Claims (20)

1.一种显示设备(1)，所述显示设备具有至少一个半导体本体和操控电路(54)，所述半导体本体具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有设为用于产生辐射的有源区域(20)并且形成多个像素(2a，2b)，
其中
-所述操控电路(54)具有多个开关(55)，所述开关分别设为用于控制至少一个像素(2a，2b)；
-在所述操控电路和所述半导体本体之间设置有第一金属化层(31)和与所述第一金属化层电绝缘的第二金属化层(32)；
-至少一个所述第一金属化层和至少一个所述第二金属化层与至少一个所述像素导电地连接；并且
-所述第一金属化层和所述第二金属化层彼此重叠地设置，使得在所述显示设备的俯视图中，所述操控电路(i)在与所述像素中的一个像素重叠的每个部位上和(ii)在两个相邻的像素之间设置的每个部位上由所述金属化层中的至少一个覆盖。
2.根据权利要求1所述的显示设备，
其中所述第一金属化层和所述第二金属化层与所述像素中的至少一个像素导电地连接。
3.根据权利要求1所述的显示设备，
其中所述第一金属化层或所述第二金属化层形成用于多个像素的共同的接触部。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的显示设备，
其中所述第二金属化层邻接于所述半导体层序列并且在两个相邻的像素之间是分开的。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的显示设备，
其中在所述显示设备的俯视图中，所述第二金属化层完全由至少一个所述半导体本体遮盖。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的显示设备，
其中所述第一金属化层为每个像素分别具有留空部，在所述留空部中，所述第二金属化层与所述操控电路的所配设的所述开关导电地连接。
7.根据权利要求6所述的显示设备，
其中所述留空部具有环形的边缘。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的显示设备，
其中所述显示设备具有载体(5)，在所述载体上设置有至少一个所述半导体本体。
9.根据权利要求8所述的显示设备，
其中所述操控电路集成到所述载体中。
10.根据权利要求8所述的显示设备，
其中所述操控电路设置在至少一个所述半导体本体和所述载体之间。
11.根据权利要求10所述的显示设备，
其中所述操控电路在所述半导体本体上沉积。
12.根据权利要求10所述的显示设备，
其中所述操控电路具有多晶半导体材料。
13.根据权利要求8所述的显示设备，
其中在所述载体上设置有分别具有多个像素(2a，2b)的多个半导体本体(2)。
14.根据权利要求13所述的显示设备，
其中所述第一金属化层和所述第二金属化层彼此重叠地设置，使得在所述显示设备的俯视图中，所述载体在与所述半导体本体中的一个半导体本体重叠的每个部位上或在两个相邻的半导体本体之间设置的每个部位上由至少一个所述金属化层覆盖。
15.根据权利要求8所述的显示设备，
其中用于所述半导体层序列的生长衬底(28)被移除，并且所述载体使所述半导体层序列机械地稳定。
16.根据权利要求1至3中任一项所述的显示设备，
其中
-所述有源区域(20)设置在第一半导体层(21)和第二半导体层(22)之间；并且
-所述半导体层序列(2)具有至少一个凹部(25)，所述凹部从所述半导体层序列(2)的朝向所述操控电路的后侧(27)穿过所述有源区域(20)延伸进入到所述第一半导体层(21)中并且设为用于电接触所述第一半导体层(21)。
17.根据权利要求1至3中任一项所述的显示设备，其中所述像素从背离所述操控电路的辐射出射面(29)被电接触。
18.根据权利要求1至3中任一项所述的显示设备，
其中所述有源区域在多个像素之上连续地延伸。
19.根据权利要求1至3中任一项所述的显示设备，
其中所述有源区域划分为多个区段(20a，20b)，所述区段分别形成像素，其中所述区段由共同的所述半导体层序列得出。
20.根据权利要求1至3中任一项所述的显示设备，
其中在所述半导体层序列的背离所述操控电路的一侧上设置有辐射转换元件(6)。
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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012112302A1 (de) * 2012-12-14 2014-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung
DE102014115319A1 (de) 2014-10-21 2016-04-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung
DE102015108532A1 (de) * 2015-05-29 2016-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung mit einer Mehrzahl getrennt voneinander betreibbarer Bildpunkte
DE102015108545A1 (de) * 2015-05-29 2016-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102015111574A1 (de) * 2015-07-16 2017-01-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Anordnung sowie Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Anordnung
US10412369B2 (en) 2015-07-31 2019-09-10 Dell Products, Lp Method and apparatus for compensating for camera error in a multi-camera stereo camera system
US10032757B2 (en) * 2015-09-04 2018-07-24 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Projection display system
US10304811B2 (en) * 2015-09-04 2019-05-28 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Light-emitting diode display panel with micro lens array
DE102015115812A1 (de) * 2015-09-18 2017-03-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement sowie Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
DE102015119353B4 (de) 2015-11-10 2024-01-25 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
CN105470359B (zh) * 2015-12-31 2018-05-08 天津三安光电有限公司 具有内嵌式电极结构的高功率led结构及其制备方法
DE102016100351B4 (de) 2016-01-11 2023-07-06 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement, Leuchtvorrichtung und Autoscheinwerfer
JP6428730B2 (ja) * 2016-08-24 2018-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
FR3055948B1 (fr) * 2016-09-15 2018-09-07 Valeo Vision Procede de montage d'un composant electroluminescent matriciel sur un support
US11094208B2 (en) * 2016-09-30 2021-08-17 The Boeing Company Stereo camera system for collision avoidance during aircraft surface operations
DE102016220915A1 (de) 2016-10-25 2018-04-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil
WO2018169968A1 (en) * 2017-03-16 2018-09-20 Invensas Corporation Direct-bonded led arrays and applications
CN107105141B (zh) * 2017-04-28 2019-06-28 Oppo广东移动通信有限公司 图像传感器、图像处理方法、成像装置和移动终端
DE102018118079A1 (de) 2017-10-09 2019-04-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlichtquelle, betriebsverfahren und spektrometer
DE102017124307A1 (de) * 2017-10-18 2019-04-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
KR102588293B1 (ko) * 2017-12-14 2023-10-11 엘지디스플레이 주식회사 발광 소자, 마이크로 디스플레이 장치
US11749790B2 (en) * 2017-12-20 2023-09-05 Lumileds Llc Segmented LED with embedded transistors
US11169326B2 (en) 2018-02-26 2021-11-09 Invensas Bonding Technologies, Inc. Integrated optical waveguides, direct-bonded waveguide interface joints, optical routing and interconnects
DE102018107628B4 (de) * 2018-03-29 2022-09-29 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierende vorrichtung
DE102018118355A1 (de) * 2018-07-30 2020-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und optoelektronisches Halbleiterbauteil
US20220199879A1 (en) 2019-04-23 2022-06-23 Kyocera Corporation Micro-led board and display device
US11762200B2 (en) 2019-12-17 2023-09-19 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Bonded optical devices
CN115868034B (zh) * 2020-05-15 2024-03-29 亮锐有限责任公司 具有可配置的发射强度空间分布的发光器件
DE102021201131A1 (de) * 2021-02-08 2022-08-11 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches halbleiterbauelement mit einer goldschicht im randbereich

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102550013A (zh) * 2009-09-30 2012-07-04 欧司朗光电半导体有限公司 用于摄影机的照明装置以及用于使其工作的方法
CN102576783A (zh) * 2009-07-30 2012-07-11 3M创新有限公司 像素化led
CN104011864A (zh) * 2011-12-22 2014-08-27 欧司朗光电半导体有限公司 显示设备和用于制造显示设备的方法
CN104854696A (zh) * 2012-12-14 2015-08-19 欧司朗光电半导体有限公司 显示设备和用于制造显示设备的方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5893721A (en) 1997-03-24 1999-04-13 Motorola, Inc. Method of manufacture of active matrix LED array
JP2002141492A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Canon Inc 発光ダイオードディスプレイパネル及びその製造方法
CA2418387C (en) * 2003-02-04 2008-06-03 Magneto-Inductive Systems Limited Passive inductive switch
JP2009175198A (ja) * 2008-01-21 2009-08-06 Sony Corp Ｅｌ表示パネル及び電子機器
JP5992662B2 (ja) * 2008-02-29 2016-09-14 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ モノリシックなオプトエレクトロニクス半導体ボディおよびその製造方法
DE102008011848A1 (de) * 2008-02-29 2009-09-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
US8008683B2 (en) * 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
DE102008062933B4 (de) * 2008-12-23 2021-05-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische Projektionsvorrichtung
KR101106151B1 (ko) 2009-12-31 2012-01-20 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR101142965B1 (ko) * 2010-09-24 2012-05-08 서울반도체 주식회사 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
KR101039610B1 (ko) 2010-10-12 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
US9019440B2 (en) * 2011-01-21 2015-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5966412B2 (ja) 2011-04-08 2016-08-10 ソニー株式会社 画素チップ、表示パネル、照明パネル、表示装置および照明装置
US8497146B2 (en) * 2011-08-25 2013-07-30 Micron Technology, Inc. Vertical solid-state transducers having backside terminals and associated systems and methods

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102576783A (zh) * 2009-07-30 2012-07-11 3M创新有限公司 像素化led
CN102550013A (zh) * 2009-09-30 2012-07-04 欧司朗光电半导体有限公司 用于摄影机的照明装置以及用于使其工作的方法
CN104011864A (zh) * 2011-12-22 2014-08-27 欧司朗光电半导体有限公司 显示设备和用于制造显示设备的方法
CN104854696A (zh) * 2012-12-14 2015-08-19 欧司朗光电半导体有限公司 显示设备和用于制造显示设备的方法

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