CN105023876A - 转移有用层的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种转移有用层的方法，具体涉及将有用层(3)转移到支撑体(4)上的方法，所述方法包括以下主要步骤：-以在脆化面(2)和第一基板(1)的表面之间形成有用层(3)的方式，通过在第一基板(1)中植入轻物质而形成脆化面(2)；-将支撑体(4)施加到第一基板(1)的表面上，以形成待断裂组件(5)，所述组件具有两个暴露侧(S1,S2)；-对所述待断裂的组件(5)进行热脆化处理；-沿着脆化面(2)在所述第一基板(1)中引发破裂波并且其自身维持传播。所述待破裂组件(5)的所述侧(S1,S2)中的至少一侧在接触区上方与吸收元件(6a,6b)紧密接触，所述吸收元件(6a,6b)适于捕获和耗散在破裂波的引发和/或传播过程中发出的声振动。

Description

转移有用层的方法
技术领域
本发明涉及用于将有用层转移到支撑基板上的方法。
背景技术
从现有技术已知图1所示的将有用层3转移到支撑基板4上的方法，该方法包括以下主要步骤：
-步骤a)中，以在脆化面2和第一基板1的表面之间形成有用层(3)的方式，通过在第一基板1中植入轻物质(light species)而形成脆化面2；
-步骤b)中，将所述支撑体4施加到所述第一基板1的表面上，以形成待断裂的组件5，所述组件具有两个暴露侧S1,S2；
-步骤c)中，对所述待断裂组件5进行热脆化处理；
-步骤d)中，沿着所述脆化面2在所述第一基板1中引发破裂波并且其自身维持传播。
在该方法过程中，植入的物质引起微腔的发生。热脆化处理的作用在于促进这些微腔的合并和对其加压。在单独热处理的作用下，或者通过额外的外部力，破裂波的引发和自维持传播能够使有用层3通过从脆化面2处的脱离而转移。
尤其是记载于文献WO2005043615和WO2005043616中名称为“Smart CutTM”的该方法，特别可用于制造绝缘体上硅基板。在该情况下，第一基板1和支撑体4由硅晶片形成，并且第一基板1和支撑体4中的一个或另一个经过表面氧化。
这些绝缘体上硅基板必须符合非常精确的规格。这尤其适用于有用层3的平均厚度和厚度均匀性。对于将在该有用层3中或之上形成的半导体装置的正确运行而言，要求符合这些规格。
在某些情况下，这些半导体装置的结构要求规定绝缘体上硅基板具有非常低平均厚度的有用层3(例如小于50nm，或甚至小于10nm)，和在基板(其标准化直径通常为200mm、300mm或甚至对于下一代为450mm)表面上高度恒定的厚度均匀性。因此在晶片的整个表面上预期的厚度均匀性可以为至多1％，相当于通常为+/0.1nm～+/-1nm的变化最大值。
关于“Smart Cut”法，通常施加对有用层3进行修整(finishing)的补充步骤，例如进行蚀刻或表面光滑化热处理以试图实现期望的规格水平。
本发明的申请人已经观察到破裂步骤后在有用层3的厚度方向上存在变化，具有相当特异的曲线(profile)。事实上，这些厚度变化呈现为周期性图案的形式，其尺寸为纳米级，或者甚至为半纳米级，其波长为毫米级，或者甚至为厘米级。周期性图案可以在整个有用层上显现，或者仅在一部分上显现。因此该周期性图案沿着绝缘体上硅晶片的有用层的直径在厚度变化曲线(以埃计)上是可见的，所述晶片的直径为300mm，根据图2所示的现有技术的Smart CutTM法通过实线获得。
使用常规修整技术(蚀刻、牺牲氧化、热软化处理)难以校正该特定的厚度不均匀性曲线。因此，在应用修整步骤后该周期性图案导致有用层3的厚度不均匀性，当后者显著时，这使得不能达到所需的均匀性水平。
发明内容
本发明的一个目的在于提出将有用层转移到支撑基板上的方法，该有用层具有周期性厚度变化的图案，该厚度变化的尺寸得以减小。
本发明的申请人进行的研究已经发现，即该周期性图案的来源在于待破裂组件中的破裂波和声振动之间遭遇的相互作用。
更准确地说，本申请的发明人发现破裂波的引发和/或传播容易引起该组件振动。这些兰姆波振动在与基板尺寸相当的距离上无显著衰减地传播，速度大于自维持破裂波的速度。在待破裂组件的末端上他们被反射一次或多次，这有助于在破裂波的传播过程中维持所述组件中的这种声振动。关于本发明，发明人因而已经发现这些声振动对破裂波的调制是在所述方法的最后在有用层上观察到的周期性厚度变化图案的成因。
为了实现上述目的，本发明的主题提出了将有用层转移到支撑体上的方法，所述方法包括以下步骤：
-以在脆化面和第一基板的表面之间形成有用层的方式，通过在第一基板中植入轻物质而形成脆化面；
-将所述支撑体施加到所述第一基板的表面上，以形成待破裂组件，所述组件具有两个暴露侧；
-对所述待破裂组件进行热脆化处理；
-沿着所述脆化面在所述第一基板中引发破裂波并且其自身维持传播。
根据本发明，所述待破裂组件的所述暴露侧中的至少一侧在接触区上方与吸收元件紧密接触，所述吸收元件适于捕获和耗散在破裂波的引发和/或传播过程中发出的声振动。
由于发出的声振动中的至少一些被吸收元件吸收，这些声振动与破裂波之间的相互作用更少，并且有用层具有的厚度变化的周期性图案在尺寸上减少。
根据本发明的其他优点和非限制性特征如下所述，其可以单独或组合：
-声振动具有主频率，并且所述吸收元件被选择来捕获和耗散该主频率处的声振动；
-接触区在所述待破裂组件的所述侧的区间的一部分上方延伸；
-所述接触区位于所述待破裂组件的面向所述破裂波引发区的一侧上方；
-破裂波的引发在所述热脆化处理步骤的过程中获得；
-破裂波的引发通过在所述脆化面施加机械力而获得；
-在所述热处理步骤之后和在通过施加机械力进行破裂波引发步骤之前，将所述吸收元件安置来与所述待破裂组件的所述侧紧密接触；
-将第一吸收元件和第二吸收元件设置在所述待破裂组件的各一侧；
-所述待破裂组件的所述侧与所述吸收元件之间的紧密接触借助设置在所述待破裂组件和所述吸收元件之间的膜而获得；
-所述膜由粘合性材料形成；
-所述膜由具有小于5GPa的低杨氏模量的非粘合性材料形成；
-所述待破裂组件的所述侧与所述吸收元件之间的紧密接触通过在所述吸收元件上施加压力而获得；
-所述待破裂组件的所述侧和所述吸收元件具有小于0.5nm的表面粗糙度；所述待破裂组件的所述侧与所述吸收元件之间的紧密接触通过其直接组装而获得；
-所述吸收元件由具有大于0.01的高损耗因子的材料制成；
-所述吸收元件的厚度大于1mm。
附图说明
参照附图按照本发明的非限制性具体实施方式的描述会更好地理解本发明，其中：
-图1显示根据现有技术的将有用层转移到支撑体上的方法；
-图2显示现有技术(实线)和本发明的方法(虚线)的直径为300mm的绝缘体上硅晶片的厚度变化曲线(以埃计)。
-图3显示待评价的吸收元件的表征测试台；
-图4显示本发明的第一实施方式；
-图5显示本发明的第二实施方式；
-图6显示本发明的第三实施方式。
具体实施方式
为了简化下述描述，对于在所述方法或现有技术的方法的不同具体实施方式中相同的元件或执行相同功能的元件使用相同的标记。
如上所述，本发明申请人进行的研究已经发现，即通过现有技术的Smart Cut法转移的有用层3的厚度变化的周期性图案的来源在于待破裂组件中的破裂波的自维持传播和声振动之间遭遇的相互作用。根据破裂波穿过的材料的瞬时约束状态，破裂波事实上垂直地偏离其传播面。
术语“自维持破裂波”应理解为是指破裂一旦在引发区引发，无需施加额外的外部力即可自发地传播，并且在脆化面的整个范围上使得有用层完全从第一基板1脱离。
在热脆化处理的过程中，能量在脆化面中例如以那里发展出的微腔内的压力的形式被吸收。在引发破裂时，能量被释放，引起破裂前锋自发地传播，导致自维持破裂波的形成。
本申请的发明人由此发现，通过为待破裂组件装备压电传感器，声振动呈现为兰姆波的形式。兰姆波(Lamb wave)是由晶片的表面导引在材料的薄晶片中传播的机械波，几乎没有衰减。
发明人还在其实验过程中观察到，这些波的特征性数量由获得破裂波的参数确定。因此，举例而言，当现有技术的层转移方法通过下述过程获得时：
-在由氧化硅晶片形成的第一基板1中植入氢物质，剂量为5×1016物质/cm2；
-施加由硅晶片形成的支撑体4；
-在破裂波自发引发的过程中在400℃进行热脆化处理4小时。
测得的声振动主要是A0-模式兰姆波，主频率为2MHz。
在第二实例中，当将该热脆化处理替换为在350℃退火2小时并且通过在引发区施加外部机械力导致引发破裂，测得的声振动主要是A0-模式兰姆波，主频率为100kHz。
在任何情况下，基于现有技术的方法在本发明开发过程中进行的研究确定，在待破裂组件5中在破裂波的引发和/或自维持传播过程中发出声振动，并且这些声振动是有用层3的周期性厚度变化图案的起因。
因此本发明提出通过在破裂组件5(包括设置在第1基板表面上的支撑体4)的至少一侧S1,S2上提供吸收元件6a,6b来减少周期性厚度变化图案的尺寸，所述吸收元件6a,6b适于捕获和耗散在破裂波的引发和/或自维持传播过程中发出的声振动，如图4所示。
因此，通过限制待破裂组件中声振动的发展，本发明减少了有用层3的厚度变化的周期性图案的尺寸。
以非常通用的方式，使用吸收元件来削弱振动的发展是非常广泛的。此外，许多形式和类型的该元件可以适合于包括本发明的主题的应用。
为使吸收元件6a,6b适于捕获待破裂组件中发出的振动，可能有益的是限制在待破裂组件5和吸收元件6a,6b之间的接触区中的振动波的反射。
为实现该目的，吸收元件6a,6b可以以其具有与其上设置有该吸收元件的第一基板1和/或支撑体4的声阻抗匹配的声阻抗的方式选择。如果第一基板1和支撑基板4不是相同类型，并且在其中待破裂组件5的所述侧S1布置有第一吸收元件6a和所述侧S2设置有第二吸收元件6b的情况下，第一吸收元件6a会具有与第一基板1的声阻抗匹配的声阻抗，第二吸收元件6b会具有与支撑体4的声阻抗匹配的声阻抗。
此外，吸收元件6a,6b必须优选与待破裂组件5的所述侧S1、S2紧密接触，从而有效地将晶片的机械形变向吸收体传递。术语“紧密接触”理解为是指接触水平(即接触表面与总表面的比例)必须高，例如大于70％。可以实行不同的手段来实现该紧密接触。尤其是可以提到以下手段：
-在吸收元件和待破裂组件5之间使用粘合性膜，例如聚合物粘合剂；
-在吸收元件和待破裂组件5之间使用具有小于5GPa的低杨氏模量的非粘合性膜，例如弹性体。在此情况下，紧密接触可以通过使组件承受压缩力而实现；
-在吸收元件6a,6b和待破裂组件5之间使用静电粘合性膜；
-通过分子粘合来组装吸收元件6a,6b，事先将接触区准备成具有非常小的粗糙度(通常小于0.5nm)；
-在接触区上沉积材料层，该层然后形成吸收元件6a,6b。
此外，吸收元件6a,6b必须具有确保合适地耗散所捕获的声振动的特征。
通常而言，刚性吸收元件必须具有足以耗散声振动的厚度，然后在吸收元件的厚度上发生吸收。
作为选择，吸收元件6a,6b必须选择成具有粘弹性，并且具有大于0.01的高损耗因子。然后声振动的能量通过粘滞摩擦被有效地耗散。这可以包括例如，聚氨酯泡沫(40％密度)、硅聚合物或复合材料，如含有高密度分散颗粒的聚合物基质，或者由粘弹性材料和刚性材料的连续堆叠层而形成的复合材料(已知名称为“构造三明治”或“约束层阻尼”)。
合适的吸收元件的选择必须通过在测试台上容易执行的有限次的测试来确定，所述测试台如图3所示。在该图中，将代表形成待破裂组件的材料的材料的条带7(宽度为数cm，长度为约10cm)的末端例如保持在两个支撑体8a和8b上。该条带在第一末端设置有与发电机10连接的压电元件9，能够将具有确定特征的声振动施加至所述条带7。所述条带7在其另一末端上还设置有能够测量传播的声振动的特征的压电传感器11。所述带的主表面能够容纳待评价吸收元件12。
因此可以容易地确定待评价吸收元件12的吸收和耗散特征。通过发电机10施加具有受控形状、频率和振幅的信号，在布置有待评价吸收元件12的所述条带7中产生声波。将表示在所述条带7中传播的声波的信号记录在传感器11中。然后可以根据频率表示待评价吸收元件12的吸收系数，其定义为测得信号的振幅与施加信号的振幅之比。
使用该测试台，非常容易确定待评价吸收元件12的吸收和耗散特征。
具体而言，由前可见，在待破裂组件5中发展出的声振动具有取决于实行的层转移方法参数(植入物质的类型和剂量，热脆化处理的温度和持续时间、破裂引发方法等)的主频率。显然吸收元件必须选择成捕获和耗散该主频率处的声波。
吸收元件6a,6b优选位于待破裂组件的暴露侧S1,S2的各一侧，并且接触区在这些侧的每侧的整个范围上方延伸。由此确保了发出的声振动的最大化吸收。
然而，为了简化本发明的方法，也可以将吸收元件6a,6b定位在待破裂组件5的单个暴露侧S1,S2。在该情况下，可以有效将其定位在第一基板1侧上，通常，在转移有用层3之后，其被再加工和再利用作为在新的层转移方法中的第一基板。第一基板1可以最终布置有吸收元件6a。
无论吸收元件6a,6b是否施加至待破裂组件5的一个和/或另一个暴露侧S1,S2，接触区可以仅在待破裂组件5的暴露侧S1,S2的一部分范围上方延伸。这对于简化在该方法的吸收元件6a,6b的最后去除是有利的。接触区可以具有至少等于有用层3的厚度变化的周期性图案的波长量级的主尺寸(根据形状为长度或直径)，例如1mm～100mm以上。因此可以决定将该接触区设置来面向破裂波引发区。当发出声振动时，则声振动被捕获和吸收。在通过施加外力导致引发的情况下，引发区对应于待破裂组件5上该力的冲击点。当破裂引发是自发的时，后者通常位于待破裂组件5的特定区，这可以通过实验和根据实施层转移方法的执行条件而事先确定。
作为选择，吸收元件6a,6b和待破裂组件5的暴露表面S1,S2之间的接触区可以位于待破裂组件5的边缘，从而使当声振动在待破裂组件5的末端反射时捕获声振动。
一旦确定吸收元件6a,6b的特征，即可根据多个实施方式实施本发明，现将参照图4～6来描述所述多个实施方式。
在第一步a)，如图4所示，通过在第一基板1中植入轻物质而形成脆化面。第一基板1可以由硅或任何其他材料、半导体等制造。这可以包括例如锗、氮化镓、钽酸锂或蓝宝石。层可以通过沉积或通过热处理设置在所述表面上。这可以包括二氧化硅层，其通过对硅晶片进行热氧化或通过SiGe、InGaN、AlGaN、Ge等任意类型的外延沉积而获得。
就轻物质而言，这些可以是适于使第一基板1在其脆化面脆化的任何物质。尤其是这可以包括氢和/或氦物质。
脆化面与第一基板的表面一起限定有用层3。
然后在第二步b)，将支撑体4施加到第一基板1的表面上以形成待破裂组件5。可以由硅晶片组成，或可以是由任何形状的其他材料(例如蓝宝石或玻璃)制造的基板。如同第一基板1，支撑体4可以布置有任何类型的表面层。
将支撑体施加到第一基板的表面可以通过任何直接组装方法实行：通过分子粘合，通过热压缩，通过静电粘合，等等。支撑体4的施加还可以对应于将材料沉积在第一基板1的表面上，沉积层形成支撑体4。
其后在以下步骤c)中并且根据本发明的第一实施方式，将吸收元件6a,6b安置来与待破裂组件5的暴露侧S1,S2紧密接触。如之前所述，吸收元件6a,6b可以布置有粘合性膜或非粘合性膜(图4中未示出)以增强紧密接触。
紧密接触还可以通过在具有低于大气压的压力的环境中以部分真空建立接触来增强。由此限制在待破裂组件5的暴露侧S1,S2和吸收元件6a,6b之间的界面处出现气泡。
其后在以下步骤d)中，对布置有一个或多个吸收元件6a,6b的待破裂组件5施加热脆化处理。如之前所说明，该热处理将第一基板1在其脆化面2脆化，并且为破裂波(一旦引发)供应足够的能量，从而以自维持方式传播。该热处理通常为在150℃～600℃进行30分钟～8小时，例如在400℃进行4小时。
在第一替代性实施方式中，热处理自身足以引发破裂波。在热处理最后，有用层3完全从第一基板1脱离。
在第二替代性实施方式中，在热处理过程中或在热处理之后施加外力，从而引发破裂波。该外力为机械来源或任何其他来源。例如，其可以是通过激光实施的局部加热，或通过超声波提供能量。
在施加热处理的过程中，可以可选地对待破裂组件5和吸收元件6a,6b施加压力，从而增加其接触表面并将该组件置于紧密接触条件下。可以通过其中放置有该组件的设备施加该压力。
与实施的替代性实施方式无关，破裂波一旦引发，就以自维持方式传播，从而使有用层2脱离并将其转移至支撑体4上，如图4中的步骤b所示。
根据本发明，在破裂波引发和/或传播过程中发出的声振动被吸收元件6a,6b捕获或吸收。因此，限制了这些声振动与破裂波的相互作用，并且有用层具有厚度变化尺寸减少的周期性图案。
在这点上，如虚线所示，图2将通过本发明的应用获得的沿着直径为300mm的绝缘体上硅的直径的厚度变化曲线(以埃计)显示为虚线，吸收元件由厚度为3mm的聚氨酯泡沫构成，并且经由PVDC膜附着。厚度变化的尺寸小于0.1nm。可以将该曲线与同一图2中的实线曲线相比，在实线曲线中在相同条件下获得但是不应用吸收元件6a,6b的厚度变化大于0.3nm。
在该方法的最后的步骤f)(未显示)，除去吸收元件6a,6b，具体而言，除去位于支撑体4的S2侧上的吸收元件。
在该除去步骤之前，或优选在其之后，可以施加能够完成最终结构体的制造的任何修整步骤(热光滑化处理、通过牺牲氧化或通过蚀刻进行薄化，等等)。
在结构体的第二实施方式中，如图5所示，在将支撑体4施加至第一基板1的表面的步骤b)之前将吸收元件6a,6b放置成与第一基板1和支撑体4的各暴露侧S1,S2紧密接触。
根据第三并且是特别有利的实施方式，如图6所示，在热脆化处理的步骤d)之后或在破裂波引发和传播步骤之前，将吸收元件6a,6b放置成与待破裂元件的暴露侧S1,S2紧密接触。
在该情况下，在热处理之后，一旦将吸收元件6a,6b定位，通过施加外力，例如通过在脆化面2应用刀片L而引起破裂波的引发。
该第三实施方式具有不将吸收元件6a,6b暴露于热脆化处理的优点，暴露会导致使吸收元件劣化的相反的情况，或者使得他们在该方法最后更难以除去。
通过限制有用层3的厚度变化的周期性图案的尺寸，本发明可特别应用于制造包含在修整后厚度小于50nm或10nm的有用层3的结构体。事实上，对于该厚度而言，与本发明检测出的周期性曲线相关的厚度变化(为纳米级)的贡献是显著的。当有用层3所源自的第一基板1具有显著尺寸(200mm、300mm、450mm)时(对于该尺寸而言破裂波传播和声振动效应更显著)，本发明也是特别有用的。
本发明还涉及制造绝缘体上硅晶片，然后由氧化硅晶片形成第一基板1，从硅晶片形成支撑体4。
因此，后述实例说明了应用于制造这种类型的绝缘体上硅的本发明。
在第一实例中，吸收元件6a,6b由非常厚的硅晶片(1cm)形成，该晶片的一侧布置有20微米的杨氏模量小于5GPa的(非粘合性)弹性体膜。在弹性体膜侧上将吸收元件6a,6b连接在待破裂元件5的各暴露侧S1,S2，后者已经进行过热脆化处理。施加在所述组件的暴露表面上的压力提供了吸收元件6a,6b和待破裂组件5之间的紧密接触。由于待破裂元件5和吸收元件6a,6b由相同材料形成，并且弹性体层足够薄以至是声学上透明的，因此确保了待破裂元件5和吸收元件6a,6b之间的声阻抗的匹配。发出的声振动在大量吸收元件6a,6b中耗散。
外力，例如将刀片插入脆化面中，引发破裂波及其自维持传播。在除去保持吸收元件6a,6b的紧密接触的压力后，后者毫无困难地被除去，结构体不经任何温度处理。
在第二实例中，事先制备厚的裸硅晶片，即没有前述实例的弹性体膜，以具有粗糙度小于0.5nm的表面。然后在将支撑体4施加至第一基板1的表面的步骤之前通过分子粘合将他们组装至第一硅基板，并组装至硅支撑体4。在该实例的情况下，继续该方法，在由于500℃加热1小时构成的热处理步骤过程中获得破裂波的引发。
破裂后，通过在粘合界面中引入刀片而从第一基板1和支撑体4的暴露侧S1,S2除去吸收元件6a,6b。在该实例中，吸收元件6a,6b暴露至热脆化处理。因为不使用容易遭受温度劣化的膜来建立紧密接触，从而使这成为可能。
在第三实例中，吸收元件6a,6b由PVDC膜形成，其上静电粘合有约3mm的聚氨酯泡沫层(具有约40％的密度)。吸收元件6a,6b具有与第一基板1和支撑体4相同的尺寸。根据与第一实例相同的顺序，至少一个吸收元件静电附着至待破裂组件5的至少一个暴露侧S1,S2。
PVDC膜确保吸收元件6a,6b各自与第一基板1和支撑体4之间的紧密接触。尽管如此，结合强度保持为较低，从而使得在破裂步骤之后，容易除去吸收元件6a,6b。此外，具有大于0.01的高损耗因子的聚氨酯泡沫特别适于耗散所捕获的声振动。数个mm的相对较低厚度，足以显著地减少有用层3的厚度变化的周期性曲线的尺寸。
在最后的实例中，吸收元件6a,6b由夹心构造形成，所述夹心构造例如包括包含以重复的方式的厚度为约100微米的第一粘合性聚合物膜和同样为约100微米的铝金属片的10～20个连续堆叠层。堆叠体具有1～5mm的总厚度。吸收元件6a,6b经定位成通过吸收元件6a,6b的表面聚合物层与待破裂组件5的暴露侧S1,S2紧密接触。该吸收元件6a,6b具有远高于0.01的高损耗因子，由相对刚性的铝片引起的声振动事实上引起聚合物膜的剪切。吸收元件6a,6b的该特定构造导致特别有效地耗散传递的声功率。因此，有用层的厚度变化的周期性图案的尺寸尤为减少。
本发明显然不限于所述实施方式，并且可以在不超出权利要求限定的本发明的范围的情况下提供替代性实施方式。

Claims (21)

1.将有用层(3)转移到支撑体(4)上的方法，所述方法包括以下主要步骤：
-在第一基板(1)中植入轻物质而形成脆化面(2)，以此在脆化面(2)和第一基板(1)的表面之间形成有用层(3)；
-将所述支撑体(4)施加到所述第一基板(1)的表面上，以形成待破裂组件(5)，所述待破裂组件(5)具有两个暴露侧(S1,S2)；
-对所述待破裂组件(5)进行热脆化处理；
-沿着所述脆化面(2)在所述第一基板(1)中引发破裂波并且该破裂波自身维持传播；
所述方法的特征在于，所述待破裂组件(5)的所述暴露侧(S1,S2)中的至少一侧在接触区上方与吸收元件(6a,6b)紧密接触，所述吸收元件(6a,6b)适于捕获和耗散在所述破裂波的引发和/或传播过程中发出的声振动。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述声振动具有主频率，并且所述吸收元件(6a,6b)被选择来捕获和耗散该主频率处的声波。
3.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述接触区在所述待破裂组件的所述侧(S1,S2)的区间的一部分上方延伸。
4.如权利要求3所述的方法，其中，所述接触区位于所述待破裂组件(5)的面向破裂波引发区的所述侧(S1,S2)上方。
5.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述热脆化处理为在150℃～600℃进行30分钟～8小时。
6.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述破裂波的引发在所述热脆化处理步骤的过程中获得。
7.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述破裂波的引发通过在所述脆化面中施加机械力而获得。
8.如权利要求7所述的方法，其中，在所述热处理步骤之后和在通过施加机械力进行破裂波引发步骤之前，将所述吸收元件(6a,6b)安置来与所述待破裂组件(5)的所述侧(S1,S2)紧密接触。
9.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述破裂波引发和传播步骤之后，除去所述吸收元件(6a,6b)。
10.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，将第一吸收元件和第二吸收元件(6a,6b)设置在所述待破裂组件(5)的所述侧(S1,S2)的各一侧。
11.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述第一基板(1)的一侧上使所述待破裂组件(5)的所述侧(S1)与所述第一吸收元件(6a)紧密接触，所述第一吸收元件(6a)具有与所述第一基板(1)的声阻抗匹配的声阻抗。
12.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述支撑体(4)的一侧上使所述待破裂组件(5)的所述侧(S2)与所述第二吸收元件(6b)紧密接触，所述第二吸收元件(6b)具有与所述支撑体(4)的声阻抗匹配的声阻抗。
13.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述待破裂组件(5)的所述侧(S1,S2)与所述吸收元件(6a,6b)之间的紧密接触借助设置在所述待破裂组件(5)和所述吸收元件(6a,6b)之间的膜(7a,7b)而获得。
14.如权利要求13所述的方法，其中，所述膜(7a,7b)由粘合性材料形成。
15.如权利要求13所述的方法，其中，所述膜静电附着至所述待破裂组件(5)的所述侧(S1,S2)和所述吸收元件(6a,6b)。
16.如权利要求13所述的方法，其中，所述膜由具有小于5GPa的低杨氏模量的非粘合性材料形成。
17.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述待破裂组件(5)的所述侧(S1,S2)与所述吸收元件(6a,6b)之间的紧密接触通过在所述吸收元件(6a,6b)上施加压力而获得。
18.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述待破裂组件(5)的所述侧(S1,S2)和所述吸收元件(6a,6b)具有小于0.5nm的表面粗糙度；所述待破裂组件(5)的所述侧(S1,S2)与所述吸收元件(6a,6b)之间的紧密接触通过其直接组装而获得。
19.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述吸收元件(6a,6b)由具有大于0.01的高损耗因子的材料制成。
20.如权利要求20所述的方法，其中，所述吸收元件(6a,6b)由粘弹性材料或复合材料或夹心构造形成。
21.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述吸收元件(6a,6b)的厚度大于1mm。
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