JP2015213161A - 有用層を移転するための方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 62
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 35
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 5
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 2
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 claims 1
- 239000003190 viscoelastic substance Substances 0.000 claims 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 abstract description 19
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 50
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 8
- 235000019687 Lamb Nutrition 0.000 description 5
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 5
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 229920005830 Polyurethane Foam Polymers 0.000 description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000011496 polyurethane foam Substances 0.000 description 4
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 3
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 230000010070 molecular adhesion Effects 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 InGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002998 adhesive polymer Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
- H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68363—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving transfer directly from an origin substrate to a target substrate without use of an intermediate handle substrate
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- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
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Abstract
【解決手段】脆弱面2と第1の基板1の表面との間に有用層3を形成するように第1の基板1内に軽量種を注入することによって脆弱面2を形成するステップと、第1の基板1の表面に支持体4を貼り付けて、2つの露出した側面S1、S2を有する破砕されるべき組立体5を形成するステップと、破砕されるべき組立体5を熱脆弱化処理するステップと、脆弱面2に沿って第1の基板1内で破砕波を起動及び自立伝搬させるステップと、を含む。破砕されるべき組立体5の側面S1、S2の少なくとも1つが接触ゾーン全体にわたって破砕波の起動及び/又は伝搬中に放出される音響振動を捕獲し消散させるのに適した吸収素子6a、6bに密着している。
【選択図】図4
Description
ステップa)で、脆弱面2と第1の基板の表面との間に有用層3を形成するように第1の基板1に軽量種を注入することよって脆弱面2を形成するステップ。
ステップb)で、第1の基板1の表面に支持体4を貼り付けて、2つの露出した側面S1、S2を有する破砕されるべき組立体5を形成するステップ。
ステップc)で、破砕されるべき組立体5を熱脆弱化処理するステップ。
ステップd)で、脆弱面2に沿って第1の基板1内で破砕波を起動及び自立伝搬させるステップ。
脆弱面と第1の基板の表面との間に有用層を形成するように第1の基板へ軽量種を注入することによって脆弱面を形成するステップと、
第1の基板の表面に支持体を貼り付け、2つの露出した側面を有する破砕されるべき組立体を形成するステップと、
破砕されるべき組立体を熱脆弱化処理するステップと、
脆弱面に沿って第1の基板内で破砕波を起動及び自立伝搬させるステップと、
を含む支持体に有用層を移転するための方法を提案する。
音響振動は、メイン周波数を有し、吸収素子は、このメイン周波数の音響波を捕獲し消散させるように選択される。
接触ゾーンは、破砕されるべき組立体の側面の一部の範囲にわたって延在する。
接触ゾーンは、破砕波起動ゾーンに面する破砕されるべき組立体の側面に位置する。
破砕波の起動は、熱脆弱化処理ステップ中に得られる。
破砕波の起動は、脆弱面における機械的力の印加によって得られる。
吸収素子は、熱処理ステップの後に、及び破砕波起動ステップの前に機械的力の印加によって、破砕されるべき組立体の側面に密着して配置される。
第1及び第2の吸収素子は、破砕されるべき組立体の側面のそれぞれに置かれる。
破砕されるべき組立体の側面と吸収素子間の密着は、破砕されるべき組立体と吸収素子との間に置かれた膜によって得られる。
膜は、接着剤から形成される。
膜は、5GPa未満の低いヤング率を有する非接着剤から形成される。
破砕されるべき組立体の側面と吸収素子間の密着は、吸収素子への圧力の印加によって得られる。
破砕されるべき組立体の側面及び吸収素子は、0.5nm未満の表面粗さを有し、破砕されるべき組立体の側面と吸収素子間の密着は、それらの直接組立によって得られる。
吸収素子は、0.01を超える高い損失係数を有する材料から作られる。
吸収素子は、1mmを超える厚さを有する。
酸化したシリコンウェーハから形成された第1の基板1に5x1016種/cm2のドーズ量で、水素種を注入するステップと、
シリコンウェーハから形成された支持体4を貼り付けるステップと、
破砕波が自発的に起動している4時間の間に、400°Cで実行される熱脆弱化処理をするステップと、
によって得られる。
吸収素子と破砕されるべき組立体5との間に粘着性フィルム、例えば、高分子接着剤を使用すること。
吸収素子と破砕されるべき組立体5との間に5GPa未満の低いヤング率を有する非粘着性フィルム、例えば、エラストマーなどを使用すること。この場合、密着は、組立体に圧縮力をかけることによって達成されてもよい。
吸収素子6a、6bと破砕されるべき組立体5との間に静電的な粘着性フィルムを使用すること。
接触ゾーンが非常にわずかな粗さ(典型的には0.5nm未満)を有するように前もって調製された、分子付着による吸収素子6a、6bの組立体。
接触ゾーンに材料層を堆積させ、次いでこの層が吸収素子6a、6bを形成する。
2 脆弱面
3 有用層
4 支持体
5 組立体
6a 吸収素子
6b 吸収素子
7 細片
8a 支持体
8b 支持体
9 圧電素子
10 発電機
11 圧電センサ
12 吸収素子
L ブレード
Claims (21)
- 以下の主ステップ、すなわち、
脆弱面(2)と第1の基板(1)の表面との間に有用層(3)を形成するように、前記第1の基板(1)内に軽量種を注入することによって前記脆弱面(2)を形成するステップと、
前記第1の基板(1)の前記表面に支持体(4)を貼り付けて、2つの露出した側面(S1、S2)を有する破砕されるべき組立体(5)を形成するステップと、
破砕されるべき前記組立体(5)を熱脆弱化処理するステップと、
前記脆弱面(2)に沿って前記第1の基板(1)内で破砕波を起動及び自立伝搬させるステップと、
を含む、前記支持体(4)上に前記有用層(3)を移転する方法において、
破砕されるべき前記組立体(5)の前記側面(S1、S2)の少なくとも1つが、接触ゾーン全体にわたって、前記破砕波の前記起動及び/又は伝搬中に放出される音響振動を捕獲し消散させるのに適した吸収素子(6a、6b)に密着していることを特徴とする方法。 - 前記音響振動がメイン周波数を有し、前記吸収素子(6a、6b)がこのメイン周波数の音響波を捕獲し消散させるように選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記接触ゾーンが、破砕されるべき前記組立体の前記側面(S1、S2)の一部の範囲にわたって延在する、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記接触ゾーンが、前記破砕波起動ゾーンに面する破砕されるべき前記組立体(5)の前記側面(S1、S2)に位置する、請求項3に記載の方法。
- 前記熱脆弱化処理が30分〜8時間で150°C〜600°Cである、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記破砕波の前記起動が前記熱脆弱化処理ステップ中に得られる、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記破砕波の前記起動が前記脆弱面における機械的力の印加によって得られる、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記吸収素子(6a、6b)が、前記熱処理ステップの後に、及び機械的力の印加による前記破砕波の起動ステップの前に、破砕されるべき前記組立体(5)の前記側面(S1、S2)に密着して配置される、請求項7に記載の方法。
- 前記破砕波の起動及び伝搬ステップの後に、前記吸収素子(6a、6b)が除去される、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。
- 第1及び第2の吸収素子(6a、6b)が、破砕されるべき前記組立体(5)の前記側面(S1、S2)のそれぞれに置かれる、請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法。
- 破砕されるべき前記組立体(5)の前記側面(S1)が、前記第1の基板(1)の前記側面で、前記第1の基板(1)の音響インピーダンスと整合する音響インピーダンスを有する前記第1の吸収素子(6a)に密着している、請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法。
- 破砕されるべき前記組立体(5)の前記側面(S2)が、前記支持体(4)の前記側面で、前記支持体(4)の音響インピーダンスと整合する音響インピーダンスを有する前記第2の吸収素子(6b)に密着している、請求項1〜11のいずれか一項に記載の方法。
- 破砕されるべき前記組立体(5)の前記側面(S1、S2)と前記吸収素子(6a、6b)間の前記密着が、破砕されるべき前記組立体(5)と前記吸収素子(6a、6b)との間に置かれる膜(7a、7b)を介して得られる、請求項1〜12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記膜(7a、7b)が接着剤から形成される、請求項13に記載の方法。
- 前記膜が、破砕されるべき前記組立体(5)の前記側面(S1、S2)及び前記吸収素子(6a、6b)に静電的に付着する、請求項13に記載の方法。
- 前記膜が、5GPa未満の低いヤング率を有する非接着剤から形成される、請求項13に記載の方法。
- 破砕されるべき前記組立体(5)の前記側面(S1、S2)と前記吸収素子(6a、6b)間の前記密着が、前記吸収素子(6a、6b)に圧力を印加することによって得られる、請求項1〜16のいずれか一項に記載の方法。
- 破砕されるべき前記組立体(5)の前記側面(S1、S2)及び前記吸収素子(6a、6b)が、0.5nm未満の表面粗さを有し、破砕されるべき前記組立体(5)の前記側面(S1、S2)と前記吸収素子(6a、6b)間の前記密着が、それらの直接組立によって得られる、請求項1〜17のいずれか一項に記載の方法。
- 前記吸収素子(6a、6b)が0.01を超える高い損失係数を有する材料から作られる、請求項1〜18のいずれか一項に記載の方法。
- 前記吸収素子(6a、6b)が粘弾性の材料、複合材料、又はサンドイッチ構造から形成される、請求項1〜19のいずれか一項に記載の方法。
- 前記吸収素子(6a、6b)が1mmを超える厚さを有する、請求項1〜20のいずれか一項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1453400A FR3020175B1 (fr) | 2014-04-16 | 2014-04-16 | Procede de transfert d'une couche utile |
FR1453400 | 2014-04-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015213161A true JP2015213161A (ja) | 2015-11-26 |
JP6481202B2 JP6481202B2 (ja) | 2019-03-13 |
Family
ID=51726593
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015076933A Active JP6481202B2 (ja) | 2014-04-16 | 2015-04-03 | 有用層を移転するための方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9589830B2 (ja) |
EP (1) | EP2933828B1 (ja) |
JP (1) | JP6481202B2 (ja) |
KR (1) | KR102333997B1 (ja) |
CN (1) | CN105023876B (ja) |
DK (1) | DK2933828T3 (ja) |
FR (1) | FR3020175B1 (ja) |
SG (1) | SG10201503005RA (ja) |
TW (1) | TWI648765B (ja) |
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JP7500911B2 (ja) | 2019-03-15 | 2024-06-18 | ソイテック | キャリア基板へ有用層を移転するためのプロセス |
JP7510434B2 (ja) | 2019-03-15 | 2024-07-03 | ソイテック | キャリア基板へ有用層を移転するためのプロセス |
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FR3093858B1 (fr) | 2019-03-15 | 2021-03-05 | Soitec Silicon On Insulator | Procédé de transfert d’une couche utile sur un substrat support |
FR3093860B1 (fr) | 2019-03-15 | 2021-03-05 | Soitec Silicon On Insulator | Procédé de transfert d’une couche utile sur un substrat support |
FR3108440A1 (fr) | 2020-03-23 | 2021-09-24 | Soitec | Procédé de préparation d’une couche mince |
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JP5704602B2 (ja) | 2011-03-17 | 2015-04-22 | リンテック株式会社 | 薄型半導体装置の製造方法および脆質部材用支持体 |
-
2014
- 2014-04-16 FR FR1453400A patent/FR3020175B1/fr active Active
-
2015
- 2015-04-02 EP EP15162329.5A patent/EP2933828B1/en active Active
- 2015-04-02 DK DK15162329.5T patent/DK2933828T3/en active
- 2015-04-03 JP JP2015076933A patent/JP6481202B2/ja active Active
- 2015-04-14 US US14/686,229 patent/US9589830B2/en active Active
- 2015-04-15 CN CN201510177940.2A patent/CN105023876B/zh active Active
- 2015-04-15 TW TW104112125A patent/TWI648765B/zh active
- 2015-04-16 KR KR1020150054032A patent/KR102333997B1/ko active IP Right Grant
- 2015-04-16 SG SG10201503005RA patent/SG10201503005RA/en unknown
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JP7510434B2 (ja) | 2019-03-15 | 2024-07-03 | ソイテック | キャリア基板へ有用層を移転するためのプロセス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR3020175A1 (fr) | 2015-10-23 |
TW201611085A (zh) | 2016-03-16 |
CN105023876A (zh) | 2015-11-04 |
EP2933828A1 (en) | 2015-10-21 |
JP6481202B2 (ja) | 2019-03-13 |
SG10201503005RA (en) | 2015-11-27 |
CN105023876B (zh) | 2019-05-17 |
US9589830B2 (en) | 2017-03-07 |
EP2933828B1 (en) | 2016-10-19 |
FR3020175B1 (fr) | 2016-05-13 |
KR102333997B1 (ko) | 2021-12-02 |
TWI648765B (zh) | 2019-01-21 |
US20150303098A1 (en) | 2015-10-22 |
KR20150119822A (ko) | 2015-10-26 |
DK2933828T3 (en) | 2017-01-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180216 |
|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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