CN104987860A - 共掺型与分掺型ZnInS/ZnS双发射量子点的制备方法 - Google Patents
共掺型与分掺型ZnInS/ZnS双发射量子点的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104987860A CN104987860A CN201510444553.0A CN201510444553A CN104987860A CN 104987860 A CN104987860 A CN 104987860A CN 201510444553 A CN201510444553 A CN 201510444553A CN 104987860 A CN104987860 A CN 104987860A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- zns
- znins
- preparation
- type
- presoma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本发明公开了一种共掺型与分掺型ZnInS/ZnS双发射量子点的制备方法,包括白光发射ZnInS:Ag/ZnS/ZnS:Mn/ZnS与ZnInS:Ag&Mn/ZnS/ZnS/ZnS纳米材料的制备;其中,采用核壳结构合成ZnInS:Ag/ZnS/ZnS:Mn/ZnS纳米材料,包括如下步骤:(1)颜色可调ZnInS:Ag核的制备;(2)第一摩尔层ZnS包核;(3)Mn离子的吸附与第二、三摩尔层的包核;ZnInS:Ag&Mn/ZnS/ZnS/ZnS纳米材料的制备是把步骤(3)中Mn前驱体的注入时机提前到步骤(1)中S前驱体注入之前。本发明采用是单锅热注入法,过程简单、容易操作、原料供给方便、原料价格低廉,在一般的化学实验室均能完成,易于推广。
Description
技术领域
本发明涉及一种白光发射ZnInS:Ag/ZnS/ZnS:Mn/ZnS与ZnInS:Ag&Mn/ZnS/ZnS/ZnS量子点的制备,属于化学及纳米材料技术领域。
背景技术
近年来,荧光半导体纳米材料(量子点)由于其独特的量子限域效应以及优异的光学特性而倍受关注。相比于传统的荧光染料,量子点具有发射波长尺寸可调、发射峰半宽很窄、荧光强度强、荧光稳定性好、表面可选择地修饰自由官能团等优势,可以在照明设备、激光、生物标记以及太阳能电池等方面得到广泛的应用。但是量子点在过去几十年的发展中主要集中Cd类量子点,虽然其制备方法已十分成熟,但是,由于其自身的毒性,大大限制了它的实际应用。另一方面,量子点主要集中在单色量子点的制备,随着技术的发展,新型量子点需求越来越明显,比如QLED对于高效白光量子点的需要。
目前,含In量子点由于自身的无毒性,高的量子产率,有望代替镉类量子点成为一种新型的荧光材料。这类量子点包括Ⅲ-Ⅴ,Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ、Ⅱ-Ⅲ-Ⅵ,和掺杂型材料。含铟量子点已经成功合成,但离实际运用还有一定的距离。虽然含铟量子点虽然有着很大的光谱调节范围,但在各个发光区域量子产率有着很大的差异,尤其在蓝绿光区域,很少有报道超过10%的量子产率。为了进一步提高含In量子点的应用,发展一种在蓝绿光区域具有比较好的量子产率是十分必要的。另一方面更,在整个量子点体系中,甚至包括已发展成熟的Cd累量子点,对于荧光的调节,一般都是一个峰位的移动,来获得所需的颜色。最近,开始有报道通过两个峰的调节,来获得相应的颜色,但只局限于两个峰的强度,峰位的移动性又受到了限制。因此发展一种双峰可以灵活调控的量子点也是十分必要的。
发明内容
为了丰富含In量子点的种类,同时获得颜色可调并在蓝绿光区域高的量子产率,然后在此基础上发展合成具有灵活调控的白光发射量子点,本发明的目的是提供一种共掺型与分掺型ZnInS/ZnS双发射量子点的制备方法。本发明制备了白光发射ZnInS:Ag/ZnS/ZnS:Mn/ZnS与ZnInS:Ag&Mn/ZnS/ZnS/ZnS纳米材料,其中ZnInS:Ag核可以提供比较高的蓝绿光(QY≈10%),并且可以通过调节Zn/In,Mn/Ag的比值来获得白光。
为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种共掺型与分掺型ZnInS/ZnS双发射量子点的制备方法,包括白光发射ZnInS:Ag/ZnS/ZnS:Mn/ZnS与ZnInS:Ag&Mn/ZnS/ZnS/ZnS纳米材料的制备;
其中,采用核壳结构合成ZnInS:Ag/ZnS/ZnS:Mn/ZnS纳米材料,包括如下步骤:
(1)颜色可调ZnInS:Ag核的制备:在氮气环境下向DDT和OAm中加入Ag+,Zn2+,In3+,然后加热到230℃,S前驱体注入,之后在220℃保持15Min,最后退火至100℃,进行ZnS第一摩尔层包壳;
(2)第一摩尔层ZnS包核:将Zn前驱体加入到退火后的ZnInS:Ag核溶液中,然后升温到230℃,S前驱体注入,之后在该温度下保持10Min,等待Mn离子的吸附与第二摩尔层与第三摩尔层的包敷;
(3)Mn离子的吸附与第二、三摩尔层的包核:在第一摩尔层ZnS包核进行10Min后,Mn前驱体注入,之后升温到260℃保持5Min,然后降温到100℃,Zn前驱体加入,之后升温到230,S前驱体注入,之后在该温度下保持15Min,到此量子点生长完成;
ZnInS:Ag&Mn/ZnS/ZnS/ZnS纳米材料的制备是把上述步骤(3)中Mn前驱体的注入时机提前到步骤(1)中S前驱体注入之前,其他同上述步骤。
进一步的,步骤(1)中,DDT,OAm,Ag+,Zn2+,In3+的投料比为:2mL:3mL:0.01mmol:0.1mmmol:0.1mmmol。
进一步的,所述的Ag+,Zn2+,In3+分别来自AgNO3,Zn(OA)2,In(OA)3。
进一步的,所述S前驱体的制备方法为:将S溶于OAm中,然后加热到50℃,在超声条件下使其溶解,最后加入ODE稀释,配成S前躯体溶液;S,OAm,ODE的投料比为1mmol:1mL:1mL。
进一步的,所述Zn的前驱体制备方法为:将Zn(OA)2溶于OAm与ODE的混合液中,然后在在温度为50℃的条件下,搅拌两个小时,使其溶解;Zn(OA)2,OAm,ODE的投料比2mmol:4mL:1mL。
进一步的,所述Mn的前驱体制备方法为:Mn(OA)2溶于OAm中,然后在氮气保护下加热到50℃,使其溶解,配成Mn前躯体溶液;Mn(OA)2,OAm的投料比为0.1mmmol:10mL。
进一步的,通过调节Zn/In的比例来调节光谱从497nm到631nm,调节范围为0.14~2。
进一步的,通过调节Mn/Ag两种掺杂离子的比例来对两个峰的强度进调节,调节范围为0~0.67。
本发明的有益效果是:
本发明提供的制备白光发射ZnInS:Ag/ZnS/ZnS:Mn/ZnS与ZnInS:Ag&Mn/ZnS/ZnS/ZnS量子点,所需设备简单、容易操作、原料供给方便、原料价格低廉,在一般的化学实验室均能完成,易于推广;所制备的ZnInS:Ag核,通过调节Zn与In阳离子比例,几乎可以覆盖整个可见光区(497nm~631nm).所制备的ZnInS:Ag/ZnS/ZnS:Mn/ZnS白光量子点具有灵活的调控能力,其蓝光部分峰位可以通过调节Zn/In比来微调,并且可以通过调节Ag/Mn的比来调节两个峰强相对强度(~490nm与580nm),其白光量子产率可以达到~12%.对比ZnInS:Ag&Mn/ZnS/ZnS/ZnS结构的量子点,ZnInS:Ag/ZnS/ZnS:Mn/ZnS结构更有利于Mn的能量转移。
附图说明
图1为ZnInS:Ag/ZnS/ZnS:Mn/ZnS(A)与ZnInS:Ag&Mn/ZnS/ZnS/ZnS(B)制备量子点的制备流程图;
图2为在不同Zn/In比例下的PL图,其中插图为其在365nm荧光灯下的照片;
图3为ZnInS:Ag/ZnS/ZnS:Mn/ZnS在不同Mn/Ag比例下的PL图;
图4为两种结构下荧光变化的比较;
图5为两种结构的EPR谱;
图6为图5中第三个峰的放大图片。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作更进一步的说明。
实施例
本实施例中所使用的AgNO3,Zn(OA)2,In(OA)3,Mn(OA)2,S粉等原材料均为分析纯试剂,溶剂为油胺(OAm),配体为DDT,所用的玻璃仪器使用前用去离子水润洗三遍后真空干燥。按照下述步骤制备量子点:
1、S前驱体的制备:10mmol S溶于10ML OAm中,然后加热到50℃,在超声条件下使其溶解,最后加入10MLODE稀释,配成0.5mmol/ML的S前躯体溶液;
2、Zn前驱体的制备:8mmol Zn(OA)2溶于16ML OAm与4MLODE的混合液中,然后在在温度为50℃的条件下,搅拌两个小时,使其溶解;
3、Mn前驱体的制备:0.1mmmol Mn(OA)2溶于10ML OAm中,然后在氮气保护下加热到50℃,使其溶解,配成0.001mmol/ML的Mn前躯体溶液。
4、制备白光发射ZnInS:Ag/ZnS/ZnS:Mn/ZnS量子点,包括如下步骤:
(1)颜色可调ZnInS:Ag核的制备:在氮气环境下向4ML DDT和6MLOAm中加入AgNO3(加入量0.02mmol),Zn(OA)2(加入量0.2mmol),In(OA)3(加入量0.2mmol),然后加热到230℃,1ML 0.5mmol/ML的S前驱体注入,之后220℃保持15Min,最后退火至100℃,进行ZnS第一摩尔层包壳。
(2)第一摩尔层ZnS包核:0.75ML 0.4mmol/ML的Zn前驱体加入到退火后的Ag:ZnInS核溶液中,然后升温到230℃,1ML 0.5mmol/ML的S前驱体注入,之后该温度下保持10Min,等待Mn离子的吸附与第二摩尔层与第三摩尔层的包敷。
(3)Mn离子的吸附与第二、三摩尔层的包核:在第一摩尔层ZnS包核进行10Min后,1ML 0.01mmol/ML的Mn前驱体缓慢滴入,之后升温到260℃保持5Min,然后降温到100℃,1.25ML 0.4mmol/ML的Zn前驱体加入,之后升温到230,1ML 0.5mmol/ML的S前驱体注入,之后该温度下保持15Min,到此量子点生长完成,等降温到室温后,用甲苯与甲醇1:3的混合液进行提纯,最后分散在甲苯中。
(4)ZnInS:Ag&Mn/ZnS/ZnS/ZnS结构量子点的制备把步骤(3)Mn前驱体的注入时机提前到步骤(1)S前驱体注入之前。
基于ZnInS:Ag/ZnS/ZnS:Mn/ZnS结构的量子点,可以实现白光发射,其可以通过调节Zn/In比来调节来自Ag能级的荧光,其调节范围可以从497nm~631nm,如图2所示。并且可以通过调节Ag/Mn的比来调节两个峰位的相对强度,如图3所示。基于Ag&Mn:ZnInS/ZnS/ZnS/ZnS结构的量子点,其也具备灵活的调控能力。两种结构量子点的合成流程图如图1所示。但是ZnInS:Ag/ZnS/ZnS:Mn/ZnS结构的量子点更有利于Mn的能量转移,其相对应的荧光光谱如图4所示。这应归功于ZnInS:Ag&Mn/ZnS/ZnS/ZnS结构的量子点存在Mn-Mn之间的偶极作用,这种作用会导致Mn荧光的减弱。图5与图6中通过对比EPR,正好印证了这个问题。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出:对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种共掺型与分掺型ZnInS/ZnS双发射量子点的制备方法,其特征在于:包括白光发射ZnInS:Ag/ZnS/ZnS:Mn/ZnS与ZnInS:Ag&Mn/ZnS/ZnS/ZnS纳米材料的制备;
其中,采用核壳结构合成ZnInS:Ag/ZnS/ZnS:Mn/ZnS纳米材料,包括如下步骤:
(1)颜色可调ZnInS:Ag核的制备:在氮气环境下向DDT和OAm中加入Ag+,Zn2+,In3+,然后加热到230℃,S前驱体注入,之后在220℃保持15Min,最后退火至100℃,进行ZnS第一摩尔层包壳;
(2)第一摩尔层ZnS包核:将Zn前驱体加入到退火后的ZnInS:Ag核溶液中,然后升温到230℃,S前驱体注入,之后在该温度下保持10Min,等待Mn离子的吸附与第二摩尔层与第三摩尔层的包敷;
(3)Mn离子的吸附与第二、三摩尔层的包核:在第一摩尔层ZnS包核进行10Min后,Mn前驱体注入,之后升温到260℃保持5Min,然后降温到100℃,Zn前驱体加入,之后升温到230,S前驱体注入,之后在该温度下保持15Min,到此量子点生长完成;
ZnInS:Ag&Mn/ZnS/ZnS/ZnS纳米材料的制备是把上述步骤(3)中Mn前驱体的注入时机提前到步骤(1)中S前驱体注入之前,其他同上述步骤。
2.如权利要求1所述的共掺型与分掺型ZnInS/ZnS双发射量子点的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,DDT,OAm,Ag+,Zn2+,In3+的投料比为:2mL:3mL:0.01mmol:0.1mmmol:0.1mmmol。
3.如权利要求1所述的共掺型与分掺型ZnInS/ZnS双发射量子点的制备方法,其特征在于:所述的Ag+,Zn2+,In3+分别来自AgNO3,Zn(OA)2,In(OA)3。
4.如权利要求1所述的共掺型与分掺型ZnInS/ZnS双发射量子点的制备方法,其特征在于:所述S前驱体的制备方法为:将S溶于OAm中,然后加热到50℃,在超声条件下使其溶解,最后加入ODE稀释,配成S前躯体溶液;S,OAm,ODE的投料比为1mmol:1mL:1mL。
5.如权利要求1所述的共掺型与分掺型ZnInS/ZnS双发射量子点的制备方法,其特征在于:所述Zn的前驱体制备方法为:将Zn(OA)2溶于OAm与ODE的混合液中,然后在在温度为50℃的条件下,搅拌两个小时,使其溶解;Zn(OA)2,OAm,ODE的投料比2mmol:4mL:1mL。
6.如权利要求1所述的共掺型与分掺型ZnInS/ZnS双发射量子点的制备方法,其特征在于:所述Mn的前驱体制备方法为:Mn(OA)2溶于OAm中,然后在氮气保护下加热到50℃,使其溶解,配成Mn前躯体溶液;Mn(OA)2,OAm的投料比为0.1mmmol:10mL。
7.如权利要求1所述的共掺型与分掺型ZnInS/ZnS双发射量子点的制备方法,其特征在于:通过调节Zn/In的比例来调节光谱从497nm到631nm,调节范围为0.14~2。
8.如权利要求1所述的共掺型与分掺型ZnInS/ZnS双发射量子点的制备方法,其特征在于:通过调节Mn/Ag两种掺杂离子的比例来对两个峰的强度进调节,调节范围为0~0.67。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510444553.0A CN104987860B (zh) | 2015-07-24 | 2015-07-24 | 共掺型与分掺型ZnInS/ZnS双发射量子点的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510444553.0A CN104987860B (zh) | 2015-07-24 | 2015-07-24 | 共掺型与分掺型ZnInS/ZnS双发射量子点的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104987860A true CN104987860A (zh) | 2015-10-21 |
CN104987860B CN104987860B (zh) | 2017-03-01 |
Family
ID=54299760
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510444553.0A Expired - Fee Related CN104987860B (zh) | 2015-07-24 | 2015-07-24 | 共掺型与分掺型ZnInS/ZnS双发射量子点的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104987860B (zh) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105385436A (zh) * | 2015-12-03 | 2016-03-09 | 东南大学 | 一种兼具荧光和室温铁磁性的无毒稀磁量子点材料及其制备方法 |
CN105505385A (zh) * | 2015-12-09 | 2016-04-20 | 东南大学 | 一种基于界面缺陷的量子点比率荧光温敏探针及其制备方法 |
CN105733570A (zh) * | 2016-03-16 | 2016-07-06 | 南京工业大学 | 一种银离子掺杂的绿色荧光量子点的制备方法 |
CN106299146A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-01-04 | Tcl集团股份有限公司 | 基于量子阱结构量子点的白光qled器件及制备方法 |
CN108110123A (zh) * | 2017-12-08 | 2018-06-01 | 吉林大学 | 一种高性能量子点白光led及其制备方法 |
CN108893120A (zh) * | 2018-08-13 | 2018-11-27 | 纳晶科技股份有限公司 | 核壳量子点、其制备方法及应用 |
GB2568817A (en) * | 2017-10-16 | 2019-05-29 | Lg Display Co Ltd | Quantum dot, quantum dot light emitting diode and quantum dot display device |
TWI668294B (zh) * | 2018-02-22 | 2019-08-11 | 國立高雄師範大學 | 無鎘量子點配體材料及其製造方法 |
JP2019145505A (ja) * | 2018-02-21 | 2019-08-29 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 半導体ナノ結晶粒子とその製造方法、及びその集団、並びに電界発光素子 |
CN113214834A (zh) * | 2021-04-28 | 2021-08-06 | 武汉工程大学 | Ag/Mn双掺Zn-In-Se核壳结构量子点及其制备方法、应用 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7855091B1 (en) * | 2007-11-23 | 2010-12-21 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Excitation band-gap tuning of dopant based quantum dots with core-inner shell-outer shell |
CN103265948A (zh) * | 2013-04-28 | 2013-08-28 | 温州大学 | 一种掺杂型四元多色荧光Ag-Zn-In-S量子点的制备方法 |
CN103773364A (zh) * | 2014-01-16 | 2014-05-07 | 东南大学 | 基于锰掺杂铜铟锌硫的双色荧光半导体纳米材料的制备方法 |
CN104327847A (zh) * | 2014-09-30 | 2015-02-04 | 东南大学 | 一种纯黄色荧光水溶性掺杂硒化锌量子点的制备方法 |
CN104560033A (zh) * | 2014-12-18 | 2015-04-29 | 宁波工程学院 | 一种新型高效发光Mn掺杂量子点的制备方法 |
-
2015
- 2015-07-24 CN CN201510444553.0A patent/CN104987860B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7855091B1 (en) * | 2007-11-23 | 2010-12-21 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Excitation band-gap tuning of dopant based quantum dots with core-inner shell-outer shell |
CN103265948A (zh) * | 2013-04-28 | 2013-08-28 | 温州大学 | 一种掺杂型四元多色荧光Ag-Zn-In-S量子点的制备方法 |
CN103773364A (zh) * | 2014-01-16 | 2014-05-07 | 东南大学 | 基于锰掺杂铜铟锌硫的双色荧光半导体纳米材料的制备方法 |
CN104327847A (zh) * | 2014-09-30 | 2015-02-04 | 东南大学 | 一种纯黄色荧光水溶性掺杂硒化锌量子点的制备方法 |
CN104560033A (zh) * | 2014-12-18 | 2015-04-29 | 宁波工程学院 | 一种新型高效发光Mn掺杂量子点的制备方法 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
SHENG CAO,ET AL.: "Mn2+-doped Zn–In–S quantum dots with tunable bandgaps and high photoluminescence properties", 《JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C》 * |
XI YUAN ET AL.: "Efficient white light emitting diodes based on Cu-doped ZnInS/ZnS core/shell quantum dots", 《NANOTECHNOLOGY》 * |
XI YUAN,ET AL.: "Dual Emissive Manganese and Copper Co-Doped Zn−In−S Quantum Dots as a Single Color-Converter for High Color Rendering White-Light-Emitting Diodes", 《ACS APPL. MATER. INTERFACES》 * |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105385436B (zh) * | 2015-12-03 | 2017-06-23 | 东南大学 | 一种兼具荧光和室温铁磁性的无毒稀磁量子点材料及其制备方法 |
CN105385436A (zh) * | 2015-12-03 | 2016-03-09 | 东南大学 | 一种兼具荧光和室温铁磁性的无毒稀磁量子点材料及其制备方法 |
CN105505385A (zh) * | 2015-12-09 | 2016-04-20 | 东南大学 | 一种基于界面缺陷的量子点比率荧光温敏探针及其制备方法 |
CN105505385B (zh) * | 2015-12-09 | 2018-05-15 | 东南大学 | 一种基于界面缺陷的量子点比率荧光温敏探针及其制备方法 |
CN105733570A (zh) * | 2016-03-16 | 2016-07-06 | 南京工业大学 | 一种银离子掺杂的绿色荧光量子点的制备方法 |
CN105733570B (zh) * | 2016-03-16 | 2018-07-13 | 南京工业大学 | 一种银离子掺杂的绿色荧光量子点的制备方法 |
CN106299146B (zh) * | 2016-10-31 | 2019-11-12 | Tcl集团股份有限公司 | 基于量子阱结构量子点的白光qled器件及制备方法 |
CN106299146A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-01-04 | Tcl集团股份有限公司 | 基于量子阱结构量子点的白光qled器件及制备方法 |
US11251389B2 (en) | 2017-10-16 | 2022-02-15 | Lg Display Co., Ltd. | Quantum dot, quantum dot light emitting diode and quantum dot display device |
GB2568817A (en) * | 2017-10-16 | 2019-05-29 | Lg Display Co Ltd | Quantum dot, quantum dot light emitting diode and quantum dot display device |
GB2568817B (en) * | 2017-10-16 | 2020-10-21 | Lg Display Co Ltd | Quantum dot, quantum dot light emitting diode and quantum dot display device |
CN108110123A (zh) * | 2017-12-08 | 2018-06-01 | 吉林大学 | 一种高性能量子点白光led及其制备方法 |
JP2019145505A (ja) * | 2018-02-21 | 2019-08-29 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 半導体ナノ結晶粒子とその製造方法、及びその集団、並びに電界発光素子 |
US11566345B2 (en) | 2018-02-21 | 2023-01-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cadmium-free semiconductor nanocrystal particles having high quantum efficiency, production methods thereof, and devices including the same |
JP7235530B2 (ja) | 2018-02-21 | 2023-03-08 | 三星電子株式会社 | 半導体ナノ結晶粒子とその製造方法、及びその集団、並びに電界発光素子 |
US11982018B2 (en) | 2018-02-21 | 2024-05-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor nanocrystal particles of core-shell structure having specific bandgap relationship between the core and the shells, production methods thereof, and devices including the same |
TWI668294B (zh) * | 2018-02-22 | 2019-08-11 | 國立高雄師範大學 | 無鎘量子點配體材料及其製造方法 |
CN108893120A (zh) * | 2018-08-13 | 2018-11-27 | 纳晶科技股份有限公司 | 核壳量子点、其制备方法及应用 |
CN108893120B (zh) * | 2018-08-13 | 2022-07-29 | 纳晶科技股份有限公司 | 核壳量子点、其制备方法及应用 |
CN113214834A (zh) * | 2021-04-28 | 2021-08-06 | 武汉工程大学 | Ag/Mn双掺Zn-In-Se核壳结构量子点及其制备方法、应用 |
CN113214834B (zh) * | 2021-04-28 | 2023-03-07 | 武汉工程大学 | Ag/Mn双掺Zn-In-Se核壳结构量子点及其制备方法、应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104987860B (zh) | 2017-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104987860A (zh) | 共掺型与分掺型ZnInS/ZnS双发射量子点的制备方法 | |
Guner et al. | A review on halide perovskites as color conversion layers in white light emitting diode applications | |
Xiang et al. | Research progress of full electroluminescent white light-emitting diodes based on a single emissive layer | |
US20210054274A1 (en) | Ii-ii-vi alloy quantum dot, preparation method therefor and application thereof | |
CN106833635B (zh) | 大尺寸钙钛矿CsPbBr3六方片-圆形片的制备方法 | |
CN103450904B (zh) | 具有核-壳结构的掺杂半导体纳米晶量子点及其制备方法 | |
Wang et al. | Energy regulation in white-light-emitting diodes | |
CN107201227B (zh) | 一种微波辅助加热合成CsSnX3钙钛矿量子点的方法 | |
Stroyuk et al. | Doping/alloying pathways to lead‐free halide perovskites with ultimate photoluminescence quantum yields | |
Zhao et al. | Synthesis of colloidal halide perovskite quantum dots/nanocrystals: progresses and advances | |
Yu et al. | Water-stable CsPbBr 3 perovskite quantum-dot luminous fibers fabricated by centrifugal spinning for dual white light illumination and communication | |
JP2021528694A (ja) | ディスプレイ及び照明用途用の緑色発光体としての光安定性シアノ置換ホウ素−ジピロメテン染料 | |
CN107394014B (zh) | 一种led量子点涂布液的制备方法 | |
Shi et al. | Formulation of Water-Resistant Fluorescent Ink from Novel Octagonal CsPbBr3/CsPb2Br5 Composite Plates Coordinated with Thermoplastic Polyurethane | |
CN101673488A (zh) | 上转换发光红外激光显示屏及其制造方法和应用 | |
CN105674144A (zh) | 具有660纳米红光特征发射的全光谱led生态光源 | |
CN108774516A (zh) | 一步法合成无机卤素钙钛矿荧光量子点的制备方法及其产品 | |
CN108110123A (zh) | 一种高性能量子点白光led及其制备方法 | |
Lu et al. | Single-Phase Cu, Mn-Codoped ZnGaS/ZnS Quantum Dots for Full-Spectrum White-Light-Emitting Diodes | |
Zhao et al. | Surface coating of lead-free perovskites to break the luminescence threshold for fluorescent information recognition | |
Yao et al. | Metal halide perovskites-based white light-emitting diodes | |
CN115465884B (zh) | 一种黄光全无机钙钛矿量子点及其制备方法和应用 | |
CN101950786B (zh) | 一种硅基发光二极管的制备方法 | |
US20220396729A1 (en) | METHOD FOR PREPARING ZnSe QUANTUM DOT, ZnSe QUANTUM DOT, ZnSe STRUCTURE AND DISPLAY DEVICE | |
CN105505385B (zh) | 一种基于界面缺陷的量子点比率荧光温敏探针及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: The streets of Jiangning Yu Qiao Jie Jiangning District of Nanjing City, Jiangsu Province, No. 96 211161 Applicant after: Southeast University Address before: 211189 Jiangsu Road, Jiangning District, Southeast University, No. 2, No. Applicant before: Southeast University |
|
COR | Change of bibliographic data | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20170301 Termination date: 20200724 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |