CN104978979A - 垂直磁记录介质的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及垂直磁记录介质的制造方法，所述垂直磁记录介质在非磁性基板上形成有包含NiP系合金的基底镀层，且在该基底镀层之上依次层叠有软磁性基底层、垂直磁性层，该制造方法具有：粗研磨工序，该工序对包含NiP系合金的基底镀层的表面进行研磨；镜面研磨工序，该工序对所述粗研磨了的基底镀层的表面进一步进行镜面研磨；精研磨工序，该工序对所述镜面研磨了的基底镀层的表面进一步进行精研磨；和层叠工序，该工序在所述精研磨了的基底镀层上层叠软磁性基底层、垂直磁性层，在所述精研磨工序中使用的研磨液包含0.0005质量％～0.05质量％的范围内的平均粒径为10nm～150nm的氧化锆粒子。

Description

垂直磁记录介质的制造方法

技术领域

本发明涉及垂直磁记录介质的制造方法的改良。

本申请基于在2014年4月8日在日本申请的专利申请2014-079435号要求优先权，在此援引其内容。

背景技术

作为磁记录再生装置的一种的硬盘装置(HDD)现在其记录密度以年率50％以上增加，据认为今后该倾向也将继续。因此，适于高记录密度的磁记录用磁头以及磁记录介质的开发在进展着。

现在，市售的磁记录再生装置中所装载的磁记录介质，是磁性膜内的容易磁化轴主要垂直地取向的所谓的垂直磁记录介质。垂直磁记录介质在高记录密度化时，记录位(比特)间的边界区域中的反磁场的影响也较小，形成鲜明的位边界，因此能抑制噪声的增加。而且，由于与高记录密度化相伴的记录位体积的减少较少，所以也抗热摆效应。因此，近年来受到较大的关注，曾提出了适于垂直磁记录的介质的结构。

可是，在曾经使用的面内记录方式的磁记录介质中，在非磁性基板的表面形成磁性层等之前实施了纹理(texture)加工。所谓纹理加工，是下述加工：在非磁性基板的表面形成沿着圆周方向的纹理条痕(微细的凹凸)，使介质表面成为适当的表面粗糙度，并且对磁记录介质给予圆周方向的磁各向异性。当在非磁性基板的表面存在微细的纹理条痕的盘基板上形成磁性层时，与在不存在纹理条痕的盘基板上形成了磁性层的情况相比，电磁转换特性提高。这是因为，通过对盘基板的表面实施纹理加工，在该盘基板的表面上形成的基底层以及磁性层的结晶取向性提高。由此，能够提高磁性层的磁各向异性，使耐热摆性等的磁特性提高。

纹理加工通过如下方式来进行：一边使盘基板旋转，一边向该盘基板的表面供给研磨浆液，将行进的研磨带按压在盘基板的表面(例如参照专利文献1、2)。作为研磨液，使用了在分散介质中分散有金刚石磨粒等的研磨液。

在专利文献3中记载了一种垂直磁记录介质的制造方法，该制造方法能够一面确保包含Ni-P系合金的基底层的高精度的平坦面，一面自动地除去基底层的异常突起，而且不会对垂直磁记录介质的磁取向造成影响，能够形成垂直方向的磁取向变得容易的适度的纹理痕。

在专利文献4中记载了：使用氧化锆(zirconia)作为用于抑制在硬盘的外周部发生下塌而变为曲面的现象的研磨剂。

在专利文献5中，作为用于在玻璃基板上形成同心圆状的沟槽的研磨剂，公开了氧化锆磨粒。

在专利文献6、7中公开了在玻璃基板等的研磨中使用以低浓度含有人造金刚石粒子的浆液。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-178777号公报

专利文献2：日本特开2004-259417号公报

专利文献3：日本特开2008-108396号公报

专利文献4：日本特表2003-510446号公报

专利文献5：日本特开2003-242632号公报

专利文献6：日本特开2005-310324号公报

专利文献7：日本特开2010-080022号公报

发明内容

在垂直磁记录介质的制造工序中，一般地对非磁性基板不进行纹理加工，使用平滑表面的非磁性基板。其原因是，在非磁性基板的表面存在凹凸和/或伤的情况下，若在该非磁性基板的表面形成磁性膜等，则存在该凹凸和/或伤原样地被磁记录介质表面继承的情况、和/或、在存在凹凸和/或伤的部位形成异常突起等的情况。因此，曾进行了下述研究：使在垂直磁记录介质中使用的非磁性基板经过多级的研磨工序、抛光工序来提高其表面的平滑性。但是，对磁记录介质用基板的表面要求现有程度之上的平滑性。在现有方法中，残留一部分的异常的突起和擦痕等，不能说平滑化充分，需求能够使非磁性基板的表面的平滑性更高的研磨工艺。

这样的异常的突起和擦痕等大多起因于研磨材料。一般地，如果研磨液中的研磨材料的浓度变高，则研磨力提高。另一方面，在研磨材料中混入大粒的研磨剂等异物的概率变高，容易形成擦痕。因此，也曾研究了降低研磨材料的浓度，但研磨液的研磨力下降。为了同时兼备这些研磨力和表面平滑性，曾进行了以低浓度使用金刚石等高硬度研磨材料的研究(专利文献6以及7)。但是，金刚石等研磨材料存在粒形状的控制较难、异形的粒子形成擦痕这样的问题。若为了降低该异形粒子的发生概率而进一步降低研磨液中的研磨材料的浓度，则存在于研磨垫与基板表面间的研磨材料粒子的数量减少，对1个研磨材粒子施加的载荷提高，也存在更容易发生擦痕这样的问题。

而且，磁记录介质用的基板制造后直到将该基板用于磁性膜等的成膜为止经过数天的天数的情况较多，有时在该期间在基板的表面附着颗粒等。因此，该研磨工艺也需要尽可能地使颗粒等对基板的附着减少。

本申请发明以解决上述课题为目的，提供一种垂直磁记录介质的制造方法，该方法包括形成在基板的表面形成磁性膜等的情况下不发生异常突起等的平滑的基板表面的工序。

本申请发明人为了解决上述课题而专心致力研究的结果发现：通过设置在即将进行在基底镀层上形成磁性层等叠层结构的层叠工序之前，将基底镀层的表面进一步平滑化的精研磨工序，并且作为用于该精研磨工序的研磨液使用浓度远低于现有的研磨材料的氧化锆粒子，能够得到现有程度之上的平滑的基板表面，从而完成了本申请发明。

(1)一种垂直磁记录介质的制造方法，所述垂直磁记录介质在非磁性基板上形成有包含NiP系合金的基底镀层，而且在该基底镀层之上依次层叠有软磁性基底层、垂直磁性层，该制造方法的特征在于，具有：

粗研磨工序，该工序对包含NiP系合金的基底镀层的表面进行研磨；

镜面研磨工序，该工序对所述粗研磨了的基底镀层的表面进一步进行镜面研磨；

精研磨工序，该工序对所述镜面研磨了的基底镀层的表面进一步进行精研磨；和

层叠工序，该工序在所述精研磨了的基底镀层上层叠软磁性基底层、垂直磁性层，

在所述精研磨工序中使用的研磨液包含0.0005质量％～0.05质量％的范围内的平均粒径为10nm～150nm的氧化锆粒子。

(2)根据(1)所述的垂直磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述氧化锆粒子的粒径为50nm～150nm。

(3)根据(1)或(2)所述的垂直磁记录介质的制造方法，其特征在于，在所述精研磨工序中使用的研磨液包含胶体状的氧化锆粒子。

(4)根据(1)～(3)的任一项所述的垂直磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述精研磨工序结束后直到所述层叠工序为止的时间为10小时以内。

(5)根据(1)～(4)的任一项所述的垂直磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述粗研磨工序采用使用了包含氧化铝磨粒的研磨液的双面研磨盘来进行。

(6)根据(1)～(5)的任一项所述的垂直磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述镜面研磨工序采用使用了包含胶体二氧化硅磨粒的研磨液的双面研磨盘进行。

(7)根据(1)～(6)的任一项所述的垂直磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述精研磨工序通过用研磨带夹着旋转的基板的两个表面、并向所述研磨带供给研磨液来进行。

根据本发明的垂直磁记录介质的制造方法，通过采用上述技术方案，能够形成在基板的表面形成磁性膜等的情况下不发生异常突起等的平滑的基板表面。

附图说明

图1是表示应用本发明所制作的垂直磁记录介质的一例的截面图。

图2是用于说明本发明中的粗研磨工序以及镜面研磨工序的立体图。

图3A是用于说明在本实施方式中应用的对包含NiP合金的基底镀层的表面实施精研磨加工的工序的图，是表示其装置的一例的侧视图。

图3B是用于说明在本实施方式中应用的对包含NiP合金的基底镀层的表面实施精研磨加工的工序的图，是表示其装置的一例的俯视图。

图4是表示使用了用本实施方式的制造方法制造出的垂直磁记录介质的磁记录再生装置的一例的截面图。

图5表示用实施例以及比较例的制造方法制造出的磁记录介质的缺陷状态。

附图标记说明

1…非磁性基板；2…基底镀层；3…软磁性基底层；4…取向控制层；5…垂直磁性层；6…保护层；10…垂直磁记录介质；11…介质驱动部；12…磁头；13…磁头驱动部；14…记录再生信号处理系统；20…磁记录再生装置；101…轴；102…喷嘴；103…供给辊；104…卷绕辊；105…研磨带；106…压辊；201、202…平台；203…研磨垫；S…研磨液；W…晶片。

具体实施方式

以下针对本发明的实施方式使用附图来说明其技术方案。另外，在以下的说明中使用的附图，为了容易明白特征，为方便起见，成为特征的部分有时放大地示出，各构成要素的尺寸比率等为一例，本发明能够在不变更其主旨的范围进行适当变更来实施。

＜磁记录介质的制造方法＞

图1是表示应用本发明所制作的垂直磁记录介质的一例的截面图。

如图1所示，垂直磁记录介质10，是在被实施了镜面研磨加工的形成有包含NiP系合金的基底镀层2的非磁性基板1上，依次层叠软磁性基底层3、取向控制层4、垂直磁性层5以及保护层6而形成的磁记录介质。而且，在本发明中，在非磁性基板1上形成软磁性基底层3之前，实施使用了氧化锆粒子的精研磨加工。

被实施了镜面研磨加工的非磁性基板1，通常采用下面的方法来制造。即，采用粗研磨工序和镜面研磨工序来制造，所述粗研磨工序使用第1研磨盘一边供给包含氧化铝磨粒的研磨液一边对在铝合金基板的表面形成了NiP镀膜的基板的表面进行研磨，所述镜面研磨工序在洗涤基板之后使用第2研磨盘一边供给包含胶体二氧化硅磨粒的研磨液一边对上述基板的表面进行研磨。也可以在粗研磨工序的最后设置下述的中间研磨工序：停止包含氧化铝磨粒的研磨液的供给，替代地供给不包含磨粒的洗涤液来从研磨盘除去氧化铝磨粒，其后使用第1研磨盘一边供给包含胶体二氧化硅磨粒的研磨液一边研磨基板的表面。在中间研磨工序中，也可以将研磨液中所含的氧化铝磨粒逐渐地变更为胶体二氧化硅磨粒。

在此，第1研磨盘以及第2研磨盘，优选使用例如如图2所示那样具备上下一对平台201、202的所谓的双面研磨盘。在双面研磨盘中，在相互反向地旋转的平台201、202之间夹入多个基板W，并且利用设置在平台201、202上的研磨垫203对这些基板W的两面进行研磨。

研磨垫203是采用例如尿烷(urethane)形成的硬质研磨布。在利用该研磨垫对基板W的表面进行研磨(抛光)时，向基板W的两个表面供给研磨液。关于研磨液，例如能够使用在水、甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇等公知的溶剂中分散磨粒并浆化了的研磨液。在溶剂中，能够适当添加氧化剂、表面活性剂、分散剂、防锈剂等公知的添加剂。

如上所述，优选粗研磨工序和镜面研磨工序使用分别开的研磨盘来进行。因此，由于所使用的磨粒的物性和/或粒径不同，因此在这些各研磨工序中所使用的研磨垫优选使用分别适合于两个工序的相区别的种类的研磨垫。从生产率的观点来看，利用分别开的研磨盘实施两个工序不需要洗涤研磨垫，因此优选。

假定在两个研磨工序中使用共同的研磨盘以及研磨垫的情况下，为了连续地进行两个研磨工序，在两个工序间就需要一边使基板旋转一边冲洗磨粒的洗涤工序。在这种情况下，基板和/或夹具针对研磨垫的滑动阻力变大，有对研磨垫和/或基板造成损伤的危险，因此需要注意使用的研磨浆液、洗涤液等。

作为在此时能够使用的洗涤液，能够使用水、甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇。在洗涤液中能够适当添加氧化剂、表面活性剂、分散剂、防锈剂等公知的添加剂。其中，作为洗涤液，特别优选使用水。

本实施方式的垂直磁记录介质10的制造方法，如前所述那样具有精研磨工序和层叠工序，所述精研磨工序对被实施了镜面研磨加工的非磁性基板1进一步进行精研磨，所述层叠工序在被精研磨了的基底镀层2上层叠软磁性基底层3、垂直磁性层4。在精研磨工序中使用的研磨液，包含0.0005质量％～0.05质量％的范围内的平均粒径为10nm～150nm的氧化锆粒子。特别是在本发明的精研磨工序中使用的研磨液优选包含胶体状的氧化锆粒子。

所谓胶体状的氧化锆(胶体氧化锆)，是氧化锆的微粒子在研磨液中稳定地分散而成的物质。例如，能够采用将锆盐在120～300℃的温度在加压状态下进行加热来对该盐进行水解的方法等公知的方法制造。采用这样的方法制造出的胶体氧化锆为大致球形形状，粒度分布也是锐利(sharp)的，因此通过载荷施加的力被球形形状分散。因此，在作为研磨材料使用的情况下，在被研磨面发生擦痕(伤)的情况很少。即，与粒形状的控制较难的金刚石研磨材料不同，能够抑制异形的粒子成为原因的擦痕等的发生。

在此，图3A以及图3B是用于说明对基底镀层的表面实施精研磨的工序的图。图3A是表示其装置的一例的侧视图，图3B是表示其装置的一例的俯视图。

该精研磨工序，如图3A以及图3B所示，将形成有包含NiP系合金的基底镀层2的非磁性基板1固定在轴101上，通过使该轴101旋转来使形成于非磁性基板1上的基底镀层2旋转。而且，通过下述方式来进行：通过喷嘴102向该基底镀层2的表面供给研磨液S，并将在供给辊103与卷绕辊104之间行进的研磨带105经由压辊106按压到基底镀层2的表面。由此，对基底镀层2的表面进行研磨使其平滑化。在图3A以及图3B所示的装置中，能够对非磁性基板1的两面同时地实施研磨加工。

首先，在非磁性基板1上形成包含NiP合金的基底镀层2。作为非磁性基板，能够使用铝合金等。基底镀层2的形成方法能够使用公知的方法，能够通过非电解镀等来形成。基底镀层2的硬度较高，用于防止磁记录介质的磁头接触到表面时的损伤。

镜面研磨工序能够使用前述的方法。在镜面研磨工序中，使在精研磨工序前采用AFM测定出的Ra为3埃以下。另外，在镜面研磨工序中，优选使采用AFM测定出的Ra为2.5埃以下，进一步优选为1.5埃以下。

若基底镀层2的表面平均粗糙度Ra超过3埃，则在基底镀层2上形成磁性层等时容易发生异常突起等，垂直磁记录介质表面的平滑性变低，滑翔高度(glide height)特性下降，在记录再生时很难降低磁头的浮动高度(flying height)。

在本实施方式中，作为在精研磨工序中使用的研磨液S，使用包含0.0005～0.05质量％的范围内的氧化锆粒子的研磨液。

研磨液S虽然与在磁记录介质用的非磁性基板的抛光工序、纹理加工工序中使用的以往的研磨液类似，但是其添加量大大不同。即，通常在抛光工序等中使用的研磨液是包含1质量％左右以上的研磨材料的研磨液，但本实施方式的研磨液S是研磨材料的含量与这样的研磨液大大不同的研磨液。

为了得到充分的研磨力，以往的研磨液将研磨材料的浓度设为1质量％左右以上。一般地如果研磨材料的浓度变高，则研磨力提高，但在研磨材料中混入大粒的研磨材料等异物的概率变高，变得容易形成擦痕。另一方面，如果降低研磨液中的研磨材料的浓度，则擦痕形成的概率下降，但研磨液的研磨力下降。因此，难以是擦痕少的研磨且得到充分的研磨性。

在本实施方式中，由于将预先进行了镜面研磨的基底镀层2的表面进一步进行精研磨，因此即使采用0.0005～0.05质量％这样的非常低的浓度的研磨材料，也能够更提高镜面性。

另外，在本实施方式中，使用了氧化锆粒子。氧化锆，其粒形状的控制容易，与粒形状的控制较难的金刚石研磨材料不同，能够抑制异形的粒子成为原因的擦痕等的发生。

当采用粒径的控制较难的金刚石研磨材料等且想要抑制上述的擦痕等时，需要减少研磨液中的研磨材料的含量。但是，若存在于研磨垫与基板表面间的研磨材料的粒子数减少，则施加在1个研磨材料粒子上的载荷提高，变得更容易发生擦痕。与此相对，氧化锆粒子，其粒形状的控制容易。因此，不需要设为比所需浓度更低的浓度，不会在这样的1个研磨材料粒子上施加强的载荷。另外，特别是在胶体氧化锆的情况下，即便施加了载荷，由于如后述那样其形状为大致球形形状，因此由载荷施加的力被分散，也不会在基底镀层2的表面发生较强的擦痕。

胶体氧化锆为大致球状。若不是大致球状，则在1个研磨材料粒子上施加较大的力时，使力充分地分散的效果变弱，使基底镀层2表面损伤的可能性提高。特别是在施加于一个研磨材料粒子上的载荷提高的低浓度下的研磨中，该倾向较显著。

胶体氧化锆能够使用市售品，能够使用例如日产化学工业株式会社制的ナノユースZR-30BS(粒径30～80nm)、ナノユースZR-40BL(粒径70～110nm)、ナノユースZR-30BF(粒径10～30nm)。

为了使氧化锆粒子在研磨液中即使是低浓度也呈胶体状地均匀分散，可以使用公知的分散剂。例如，可列举出GEROPON SC/213(商品名/Rhodia)、GEROPON T/36(商品名/Rhodia)、GEROPON TA/10(商品名/Rhodia)、GEROPON TA/72(商品名/Rhodia)、ニューカルゲンWG-5(商品名/竹本油脂(株))、アグリゾールG-200(商品名/花王(株))、デモールEPパウダー(商品名/花王(株))、デモールRNL(商品名/花王(株))、イソバン600-SF35(商品名/(株)クラレ)、ポリスターOM(商品名/日本油脂(株))、Sokalan CP9(商品名/ビーエーエスエフジャパン(株))、Sokalan PA-15(商品名/ビーエーエスエフジャパン(株))、トキサノンGR-31A(商品名/三洋化成工业(株))、ソルポール7248(商品名/东邦化学工业(株))、シャロールAN-103P(商品名/第一工业制药(株))、アロンT-40(商品名/东亚合成化学工业(株))、パナカヤクCP(商品名/日本化药(株))、ディスロールH12C(商品名/日本乳化剂(株))等。

在这些分散剂之中，特别是能够使用デモールRNL(商品名/花王(株))、ポリスターOM(商品名/日本油脂(株))。

接着，在使用这样的研磨液对基底镀层2的表面实施研磨加工时，如图3A以及图3B所示，优选将利用轴101实现的形成有基底镀层2的非磁性基板1的旋转速度设为50～3000rpm的范围，更优选设为1000～2500rpm的范围。当利用轴101实现的非磁性基板1的旋转速度小于50rpm时，为将基底镀层2的表面平滑化需要非常长的时间。另一方面，当利用轴101实现的非磁性基板1的旋转速度超过3000rpm时，从喷嘴102供给的研磨液S不停留在基底镀层2的表面而向周围飞散，因此不优选。

从喷嘴102供给的研磨液S的流量，优选为10～200ml/分钟。该研磨液S可以向镀覆有NiP的铝基板1的表面连续地供给，也可以隔开间隔地供给，或者，也可以不连续地供给。研磨液S除了向基底镀层2的表面供给以外，也能够向研磨带5的表面供给，或者向基底镀层2与研磨带5之间供给。

作为研磨带105，能够使用例如无纺布带、织布带、聚氨酯泡沫制的带等。其中，作为无纺布带，能够列举例如TX014F、KSN06LPU(均为东丽公司制)。作为织布带，能够列举例如トレーシー(东丽公司制)。

无纺布带由于能够抑制擦痕等的发生而使基底镀层2的表面平均粗糙度Ra极小，因此优选。无纺布带的纤维直径优选为0.04旦尼尔以下。通过将无纺布带的纤维直径设为0.04旦尼尔以下，能够使基底镀层2的表面平均粗糙度Ra较小，并且形成线密度致密且均匀的研磨面。

研磨带105能够沿与非磁性基板1的旋转方向相同的方向或相反的方向行进。此时，研磨带105的行进速度优选为10～150mm/分钟，更优选为30～100mm/分钟。通过设为该范围，能够抑制擦痕等的发生、和研磨液S中的研磨材料粒子扎入或嵌入到基底镀层2的表面等。

研磨带105能够在行进的同时在非磁性基板1的径向上摆动。此时的摆动速度优选为0.1～20次/秒，更优选为0.5～10次/秒。当为该范围时，能够得到充分的磨削量，并且能够得到抑制了擦痕等的发生的磨削状态均匀的表面。

由压辊106产生的对研磨带105的按压压力优选为0.01kgf(0.1N)～5kgf(50N)的范围内，更优选为0.05kgf(0.5N)～1kgf(10N)的范围。当为该范围时，能够抑制擦痕等的发生，形成平滑的研磨面。

优选在实施了上述的研磨加工之后进行清洁工序，该清洁工序将在供给辊103与卷绕辊104之间行进的未图示的清洁带借助于压辊106按压到基底镀层的表面。作为清洁带，能够使用例如植毛带、无纺布带、聚氨酯泡沫制的带等。由此，能够从基底镀层2的表面除掉由上述研磨加工所产生的残渣。

精研磨工序后的基底镀层2的表面平均粗糙度Ra越低越优选，但优选进一步平滑化成为比精研磨工序前的表面平均粗糙度Ra低0.1埃以上、更优选低0.3埃以上的值。

优选：精研磨工序结束后直到层叠工序为止的时间为10小时以内。在现有的磁记录介质中，表面研磨工序后直到层叠工序为止经过数天的天数的情况较多，有时在该期间在基板的表面附着颗粒等。

通过设为10小时以内，能够抑制不需要的颗粒等附着。特别是本实施方式中的精研磨工序后的基底镀层2的表面，其平滑性比以往高，因此颗粒等杂质的影响变得更大。因此，优选：不像以往那样长时间放置，在10小时以内进行层叠工序。

接着，对层叠工序进行说明。层叠工序在精研磨工序后的基底镀层2上至少形成软磁性基底层3和垂直磁性层5。除此之外，也可以在软磁性基底层3与垂直磁性层5之间层叠取向控制层4、和/或、在垂直磁性层5之上层叠保护层6。

层叠方法，通过使用以与各层的材料相同的组成的材料为原料的溅射用靶，采用DC或RF磁控溅射法形成。使用了溅射法的上述各层的形成方法，例如如以下那样进行。首先，将在层形成中使用的室(chamber)内排气到真空度变为1×10^-4～1×10^-7Pa的范围。接着，在室内收纳形成有包含NiP合金的基底镀层的非磁性基板1，作为溅射气体导入例如Ar气并使其放电，由此进行溅射成膜。此时，供给的电力(power)设为0.1～2kW，通过调整放电时间和供给的电力，就能够得到所希望的膜厚。

软磁性基底层3，优选通过调节放电时间和供给的电力而以15～100nm的膜厚形成于基底镀层2上。

在软磁性基底层3的形成中，使用包含软磁性材料的溅射用靶能够容易地形成软磁性基底层，因此优选。作为软磁性材料，能够列举出CoFe合金(CoFeTaZr、CoFeZrNb等)、FeCo系合金(FeCo、FeCoV等)、FeNi系合金(FeNi、FeNiMo、FeNiCr、FeNiSi等)、FeAl系合金(FeAl、FeAlSi、FeAlSiCr、FeAlSiTiRu、FeAlO等)、FeCr系合金(FeCr、FeCrTi、FeCrCu等)、FeTa系合金(FeTa、FeTaC、FeTaN等)、FeMg系合金(FeMgO等)、FeZr系合金(FeZrN等)、FeC系合金、FeN系合金、FeSi系合金、FeP系合金、FeNb系合金、FeHf系合金、FeB系合金、含有60原子％以上的Fe的FeAlO、FeMgO、FeTaN、FeZrN。进而，能够列举出含有80原子％以上的Co、并含有Zr、Nb、Ta、Cr、Mo等之中的至少一种、且具有非晶结构的CoZr、CoZrNb、CoZrTa、CoZrCr、CoZrMo系合金来作为优选的软磁性材料。

上述的溅射用靶是采用熔炼法制造的合金靶或烧结合金靶。

取向控制层4，优选在软磁性基底层3形成后通过调节放电时间和供给的电力而以5～40nm的膜厚形成，更优选以8～30nm的膜厚形成。作为在该取向控制层4的形成中使用的溅射用靶的材料，能够列举Ru系合金、Ni系合金、Co系合金。

接着，形成垂直磁性层5。垂直磁性层5的形成，是使用溅射用靶，同样地利用溅射法来进行。垂直磁性层5有包含氧化物的粒状(grannular)结构的磁性层和不包含氧化物的磁性层，但作为形成粒状结构的磁性层的溅射用靶，例如除了90(Co14Cr18Pt)-10(SiO₂)[Cr含量为14原子％、Pt含量为18原子％、余量为Co的金属组成为90mol％，由SiO₂构成的氧化物组成为10mol％]、92(Co10Cr16Pt)-8(SiO₂)[Cr含量为10原子％、Pt含量为16原子％、余量为Co的金属组成为92mol％，由SiO₂构成的氧化物组成为8mol％]、94(Co8Cr14Pt4Nb)-6(Cr₂O₃)[Cr含量为8原子％、Pt含量为14原子％、Nb含量为4原子％、余量为Co的金属组成为94mol％，由Cr₂O₃构成的氧化物组成为6mol％]以外，还能够列举出(CoCrPt)-(Ta₂O₅)、(CoCrPt)-(Cr₂O₃)-(TiO₂)、(CoCrPt)-(Cr₂O₃)-(SiO₂)、(CoCrPt)-(Cr₂O₃)-(SiO₂)-(TiO₂)、(CoCrPtMo)-(TiO)、(CoCrPtW)-(TiO₂)、(CoCrPtB)-(Al₂O₃)、(CoCrPtTaNd)-(MgO)、(CoCrPtBCu)-(Y₂O₃)、(CoCrPtRu)-(SiO₂)等的组成物。

保护层6，在形成了垂直磁性层5后使用公知的方法、例如溅射法、等离子体CVD法或这些方法的组合来形成。该保护层6例如以碳为主成分。

在保护层6上根据需要使用浸渍法、旋涂法等涂布全氟聚醚的氟系润滑剂，形成润滑层。

如以上那样制造出如图1所示的垂直磁记录介质10。

＜磁记录再生装置＞

图4是表示使用了用上述制造方法制造出的垂直磁记录介质10的磁记录再生装置的一例的截面图。

磁记录再生装置20，具备：如图1所示那样的构成的垂直磁记录介质10、将该垂直磁记录介质10旋转驱动的介质驱动部11、对垂直磁记录介质10进行信息的记录再生动作的磁头12、使该磁头12相对于垂直磁记录介质10进行相对运动的磁头驱动部13、和记录再生信号处理系统14。记录再生信号处理系统14能够处理从外部输入的数据，将记录信号发送到磁头12，并处理来自磁头12的再生信号，将数据发送到外部。

在磁头12中作为再生元件能够使用利用了各向异性磁阻效应(AMR)的MR(magneto resistance)元件、利用了巨磁电阻效应(GMR)的GMR元件等以成为适于高记录密度的磁头。

实施例

以下，利用实施例使本发明的效果更加明确。本发明并不被以下的实施例限定，能够在不变更其主旨的范围适当变更来实施。

(镜面研磨基板的制造)

利用车床切削加工了外径65mm、内径20mm、厚度1.3mm的环状的铝合金制坯料(5086对应品)的内外周端面、数据面。在利用磨石对该坯料进行磨削加工后，对全部表面实施厚度约为10μm的非电解镀Ni-P处理，将该基板供于研磨加工。

关于研磨盘，使用具备上下一对平台的研磨机(lapping machine)，在相互反向地旋转的平台之间夹入25个基板，一边向基板的表面供给研磨液，一边利用设置于平台上的研磨垫对这些基板的两面进行研磨。此时的研磨垫使用了斯韦德(スウエード)型(Filwel制)。对于研磨盘，使用3way型双面研磨机(システム精工公司制的11B型)即使用第1级的研磨(粗研磨)和第2级的研磨(中间研磨)用、以及第3级的研磨(镜面研磨)用的研磨机各1台，以500ml/分钟供给研磨液，并且将平台的转速设为20rpm，将加工压力设为110g/cm²，每一面的研磨量为：第1级的研磨量设为约1.5μm，第2级的研磨量设为约0.5μm，第3级的研磨量设为约0.3μm。

在使用了第1研磨盘的第1级的研磨工序(粗研磨工序)中，一边供给研磨浆液一边研磨了3分钟，该研磨浆液是在添加有螯合剂、氧化剂的调整为pH1.5的酸性区域的水溶液中分散有5质量％的50％累计平均直径(以下称为D50)为0.5μm的氧化铝磨粒的浆液。然后，结束研磨浆液的供给，一边替代地供给水，一边研磨了2分钟。

该两分钟的研磨中的研磨垫上残留的研磨浆液如下。在约1分钟后研磨浆液中所含的氧化铝磨粒为0.1质量％左右，在2分钟后研磨浆液中所含的氧化铝磨粒为0.05质量％以下。其后，停止水的供给，一边供给添加有5质量％的D50为30nm的胶体二氧化硅磨粒、且添加有螯合剂、氧化剂的调整为pH1.5的酸性区域的研磨浆液，一边研磨3分钟(中间研磨工序)。

在第2级的研磨工序之后，水洗被研磨了的基板，使用第2研磨盘进行了第3级的研磨工序(镜面研磨工序)。在该第3级的研磨中，使D50为10nm的胶体二氧化硅磨粒以7质量％分散在添加有螯合剂、氧化剂的调整为pH1.5的酸性区域的水溶液中，用研磨浆液研磨了8分钟。其后，水洗基板，并结束基板的镜面研磨工序。

(实施例1)

将该镜面研磨了的镀有NiP层的铝基板供于精研磨加工。精研磨加工的条件如下。即，研磨剂使用ナノユースZR-40BL(平均粒径92nm，碱性氧化锆溶胶，日产化学工业公司制)，研磨剂的溶剂使用纯水，将氧化锆研磨粒子的浓度设为0.0005质量％。该研磨液在开始加工之前以100ml/分钟的滴下速度滴下2秒钟。研磨带使用聚酯制的织物布，研磨带的输送设为75mm/分钟。镀有NiP层的铝基板的转速设为2000rpm，镀有NiP层的铝基板的摆动设为5.2次/秒。对带的按压力设为0.1kgf(1N)，加工时间设为1.4秒。

在洗涤该镀有NiP层的铝基板后约1小时后，将其收纳在DC磁控溅射装置(アネルバ公司制C-3010)的成膜室内，将成膜室内排气至真空度变为1×10^-5Pa，在基板上，使用Co4Zr7Nb[Zr含量为4原子％、Nb含量为7原子％、余量为Co]靶在100℃以下的基板温度下形成了100nm的软磁性层。在该软磁性层上形成8nm的Ru层后，形成100nm的Co4Zr7Nb软磁性层，从而形成了软磁性基底层。

接着，在软磁性基底层之上，使用Ni6W[W含量为6原子％、余量为Ni]靶、Ru靶分别以10nm、20nm的厚度依次成膜，作为取向控制层。

在取向控制层之上，以60nm的厚度形成了90(Co13Cr16Pt)-4(SiO₂)-3(Cr₂O₃)-3(TiO₂)[将Cr含量为13原子％、Pt含量为16原子％、余量为Co的合金组成设为90mol％，将由SiO₂构成的氧化物设为4mol％，将由Cr₂O₃构成的氧化物设为3mol％，将由TiO₂构成的氧化物设为3mol％]的组成的磁性层。

在该磁性层之上，以10nm的厚度形成了由88(Co20Cr)-12(TiO₂)构成的非磁性层。

在该非磁性层之上，以30nm的厚度形成了由92(Co9.5Cr16Pt7Ru)-5(SiO₂)-3(Cr₂O₃)构成的磁性层。进而，在该磁性层之上，以10nm的厚度形成了由Ru构成的非磁性层。

在该非磁性层之上，使用由Co16Cr16Pt8B[Cr含量为16原子％、Pt含量为16原子％、B含量为8原子％、余量为Co]构成的靶，将溅射压力设为3Pa，形成了10nm的厚度的垂直磁性层。

接着，利用CVD法形成了膜厚5nm的保护层。在保护层上，利用浸渍法形成由全氟聚醚构成的润滑层，得到了实施例1的垂直磁记录介质。

(实施例2～12、比较例1～6)

研磨材料除了ナノユースZR-40BL之外，使用了ナノユースZR-30BS(平均粒径64nm，碱性氧化锆溶胶，日产化学工业公司制)、ナノユースZR-30BFN(平均粒径15nm，碱性氧化锆溶胶，日产化学工业公司制)，除此以外采用与实施例1同样的方法制作了垂直磁记录介质。在各研磨材料中，使研磨材料的浓度变化，与实施例1同样地制造了垂直磁记录介质。在表1中示出精研磨工序的条件。

(比较例7～10)

在比较例7中，作为研磨材料，使用了1次粒子为5nm、2次粒子为70nm、浓度为0.0005质量％的簇状金刚石(cluster diamond)，除此以外采用与实施例1同样的方法制作了垂直磁记录介质。在比较例8～10中，除了使比较例7的簇状金刚石的浓度变化以外，采用与比较例7同样的方法制作了垂直磁记录介质。在表1中示出精研磨工序的条件。

(磁记录介质的评价)

对在实施例以及比较例中制造出的磁记录介质进行了表面检查。表面检查使用Tencor公司制(美国)的激光式表面检查装置(OSA6120)，对表面的擦痕等的缺陷进行了评价。在表1中示出评价结果。在图5中示出实施例、比较例中的代表性的基底镀层表面的缺陷的分布状态。

[表1]

※将有一处以上的超过0.5μm深度/15mm长度的缺陷的基板判为不良。

Claims (7)

1.一种垂直磁记录介质的制造方法，所述垂直磁记录介质在非磁性基板上形成有包含NiP系合金的基底镀层，而且在该基底镀层之上依次层叠有软磁性基底层、垂直磁性层，该制造方法的特征在于，具有：

粗研磨工序，该工序对包含NiP系合金的基底镀层的表面进行研磨；

镜面研磨工序，该工序对所述粗研磨了的基底镀层的表面进一步进行镜面研磨；

精研磨工序，该工序对所述镜面研磨了的基底镀层的表面进一步进行精研磨；和

层叠工序，该工序在所述精研磨了的基底镀层上层叠软磁性基底层、垂直磁性层，

在所述精研磨工序中使用的研磨液包含0.0005质量％～0.05质量％的范围内的平均粒径为10nm～150nm的氧化锆粒子。

2.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质的制造方法，其特征在于，

所述氧化锆粒子的粒径为50nm～150nm。

3.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质的制造方法，其特征在于，

在所述精研磨工序中使用的研磨液包含胶体状的氧化锆粒子。

4.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质的制造方法，其特征在于，

所述精研磨工序结束后直到所述层叠工序为止的时间为10小时以内。

5.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质的制造方法，其特征在于，

所述粗研磨工序采用使用了包含氧化铝磨粒的研磨液的双面研磨盘进行。

6.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质的制造方法，其特征在于，

所述镜面研磨工序采用使用了包含胶体二氧化硅磨粒的研磨液的双面研磨盘进行。

7.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质的制造方法，其特征在于，

所述精研磨工序通过用研磨带夹着旋转的基板的两个表面、并向所述研磨带供给研磨液来进行。