CN104969370A - 荧光光源装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供在向波长转换构件照射激发光时、在抑制该激发光的后方散射的同时、可以有效地利用在波长转换构件的内部产生的荧光、以高效率出射至外部、从而可获得高的发光效率的荧光光源装置。本发明的荧光光源装置的特征在于，其具备由被激发光激发的荧光体得到的波长转换构件，在所述波长转换构件的激发光受光面上形成有由大致锥状的凸部周期性地排列而成的周期结构，作为该周期结构中凸部的高度与周期之比的长宽比为0.2以上，该周期是从所述荧光体放射的荧光的衍射发生的范围的大小。

Description

荧光光源装置
技术领域
本发明涉及通过利用激发光激发荧光体而从该荧光体放射荧光的荧光光源装置。
背景技术
例如作为投影仪中使用的绿色光源，以往已知通过将激光作为激发光照射至荧光体而从该荧光体作为荧光放射绿色光的荧光光源装置。作为这样的荧光光源装置的一个例子，已知下述的荧光光源装置：其具备在旋转轮的表面上涂布荧光体而成的波长转换构件，通过对该波长转换构件照射蓝色区域的激光，从而生成该波长转换构件中的荧光体的绿色区域的光(参见专利文献1)。
但是，在具备旋转轮的荧光光源装置中具有下述问题：对旋转轮进行旋转驱动的发动机部件易于发生劣化、产生故障，而且驱动体系本身的构成复杂。
另外，作为荧光光源装置的另一个例子，如图10所示，已知下述的荧光光源装置：其具备在背面设有散热用散热片45的由AlN烧结体构成的基板42的表面上、介由硫酸钡层43配置由YAG烧结体构成的荧光构件41而成的波长转换构件。该荧光光源装置是通过对波长转换构件中的荧光构件41照射蓝色区域的激光作为激发光、从而在该荧光构件41中生成绿色区域的光的荧光光源装置(参见专利文献2)。
但是，这样的荧光光源装置中具有下述问题：当将激发光照射至荧光构件41时，在该荧光构件41的表面上激发光被后方散射，因此激发光不会充分地进入荧光构件41内，结果无法获得高的发光效率。
于是，提出了下述方案：在荧光光源装置中，在成为波长转换构件中的激发光受光面的表面上形成凹凸结构，利用该凹凸结构抑制激发光受光面上的激发光的反射(例如参见专利文献3)。
具体地说，专利文献3中公开了下述的荧光光源装置：其具备在荧光构件上设置具有表面排列有凸部的凹凸结构的透光性基板而成的波长转换构件，该透光性基板的表面成为激发光受光面。该荧光光源装置中，荧光构件是在无机玻璃等玻璃材料或硅酮树脂等树脂材料等密封材料中分散荧光体而成的构件，另外，透光性基板例如是由蓝宝石等具有高热导率的材料构成的基板。
但是，专利文献3的荧光装置中，在荧光构件的内部由荧光体放射的荧光的一部分通过因波长转换构件(具体地说是荧光构件或透光性基板)与空气的折射率差所产生的临界角反射而发生全反射。因此可知，荧光的一部分不会从透光性基板的表面或利用荧光构件的表面及侧面构成的荧光出射面出射、而是在该透光性基板内反复地反射、从侧面出射至外部。如此可知，由于无法以高效率从荧光出射面将在波长转换构件的内部产生的荧光取出，因此无法有效地利用荧光、无法获得高的发光效率。这样的问题的产生原因在于，在波长转换构件内部产生的多数荧光在荧光出射面上通过临界角反射而发生全反射。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-13316号公报
专利文献2：日本特开2011-198560号公报
专利文献3：日本特开2012-109400号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明基于以上事实而作出，其目的在于提供在向波长转换构件照射激发光时，在抑制该激发光的后方散射的同时、可以有效地利用在波长转换构件的内部产生的荧光、以高效率出射至外部、从而可获得高的发光效率的荧光光源装置。
用于解决技术问题的手段
本发明的荧光光源装置是具备由被激发光激发的荧光体得到的波长转换构件而成的荧光光源装置，其特征在于，
在上述波长转换构件中的激发光受光面上形成有由大致锥状的凸部周期性地排列而成的周期结构，作为该周期结构中凸部的高度与周期之比的长宽比为0.2以上，该周期是从上述荧光体放射的荧光的衍射发生的范围的大小。
本发明的荧光光源装置中，优选：上述波长转换构件具备表面具有上述周期结构且含有荧光体而成的荧光构件，该荧光构件的表面成为上述激发光受光面。
本发明的荧光光源装置中，优选：上述波长转换构件具备含有荧光体而成的荧光构件和形成在该荧光构件上且表面具有上述周期结构的周期结构体层，该周期结构体层的表面成为上述激发光受光面。
另外，这样的构成的本发明的荧光光源装置中，优选：上述周期结构体层的折射率为上述荧光构件的折射率的值以上。
本发明的荧光光源装置中，优选：上述波长转换构件的表面在成为激发光受光面的同时、成为荧光出射面，该波长转换构件的背面及侧面中的至少一者具有光反射功能。
发明效果
本发明的荧光光源装置中，在波长转换构件中的激发光受光面上周期性地排列大致锥状的凸部，形成具有特定长宽比的周期结构，因此在对该激发光受光面照射激发光时，可抑制该激发光的后方散射，结果可以使激发光充分地进入到波长转换构件的内部。
另外，由于周期结构的周期是在波长转换构件的内部从荧光体放射的荧光的衍射发生的范围的大小，因此能够以高效率将从荧光体放射的荧光从波长转换构件取出至外部。
因此，根据本发明的荧光光源装置，可以在使激发光充分地进入波长转换构件的内部的同时，可以有效地利用在波长转换构件的内部生成的荧光，以高效率出射至外部，因此可获得高的发光效率。
本发明的荧光光源装置中，通过使波长转换构件为具备荧光构件和周期结构体层而成的构件，从而不需要使荧光构件为形成有周期结构的构件，因此周期结构的形成变得容易。
另外，由于周期结构体层的折射率为荧光构件的折射率的值以上，因此在荧光构件与周期结构体层的界面上可避免荧光发生反射，因此可以维持来自荧光构件的荧光的发光效率。而且，当周期结构体层的折射率比荧光构件的折射率的值高时，在荧光构件与周期结构体层的界面上通过折射改变荧光的前进方向，因此能够以高效率将荧光从波长转换构件中的荧光出射面出射至外部。结果可获得更高的发光效率。
附图说明
图1是表示本发明的荧光光源装置的一个例子的构成的概略的说明图。
图2是表示图1的荧光光源装置中的波长转换构件的构成的说明用截面图。
图3是示意地表示波长转换构件中的周期结构的变形例的说明图。
图4是宏观地表示在激发光向垂直于由荧光构件构成的波长转换构件的表面的方向入射时、该激发光进行传播的介质的折射率变化的图。
图5是示意地表示在荧光构件的表面上荧光中产生的反射及衍射的说明图。
图6是表示本发明的荧光光源装置的另一例子中的波长转换构件的构成的说明用截面图。
图7是表示实验例1中获得的、构成波长转换构件的表面的周期结构的凸部的高度(周期结构中的长宽比)与该波长转换构件的表面上的光的反射率及光的取出效率的关系的图表。
图8是表示实验例2中获得的、构成波长转换构件的表面的周期结构的凸部的高度(周期结构中的长宽比)与该波长转换构件的表面上的光的反射率及光的取出效率的关系的图表。
图9是表示实验例3中获得的、构成波长转换构件的表面的周期结构的凸部的高度(周期结构中的长宽比)与该波长转换构件的表面上的光的反射率及光的取出效率的关系的图表。
图10是表示以往的荧光光源装置中的波长转换构件的构成的说明用截面图。
具体实施方式
以下对本发明的荧光光源装置的实施方式进行说明。
图1是表示本发明的荧光光源装置的一个例子的构成的概略的说明图，图2是表示图1的荧光光源装置中的波长转换构件的构成的说明用截面图。
该荧光光源装置如图1所示，具备出射蓝色区域的光的激光二极管10和与该激光二极管10相向地配置的荧光发光构件20而成。该荧光发光构件20是具有通过作为由激光二极管10出射的激光的激发光L被激发、出射例如绿色区域的荧光L1的波长转换构件的构件。
在接近于激光二极管10与荧光发光构件20之间的该激光二极管10的位置上，配置有将从激光二极管10入射的激发光L作为平行光线出射的准直透镜15。另外，在准直透镜15与荧光发光构件20之间，在透过来自激光二极管10的激发光L的同时、将来自荧光发光构件20中的波长转换构件的荧光L1反射的分色镜16以相对于准直透镜15的光轴倾斜了例如45°的角度的姿态配置。
荧光发光构件20如图2所示，在矩形的基板31的表面(图2中的上表面)上设置有由大致矩形板状的荧光构件22构成的波长转换构件。
该荧光发光构件20按照荧光构件22的表面(图2中的上表面)与激光二极管10相向的方式进行配置，该荧光构件22的表面成为激发光受光面的同时、成为荧光出射面。
另外，在荧光构件22的背面(图2中的下表面)及侧面上各自设置有例如由银构成的光反射膜33。如此，通过在荧光构件22的背面及侧面上设置光反射膜33，从而荧光构件22成为在背面及侧面具有反射功能的构件。在该光反射膜33与基板31之间存在接合构件(图示省略)，利用该接合构件将荧光构件22接合在基板31上。作为接合构件，从排热性的观点出发，使用焊锡及银烧结材料等热导率为40W/mK以上者。另外，在基板31的背面例如配置有散热用散热片(图示省略)。
进而，在构成波长转换构件的荧光构件22上，在激发光受光面即该荧光构件22的表面上形成有由凸部24周期性地排列而成的周期结构23。
荧光构件22是含有荧光体而成的构件，具体地说是由单晶或多晶的荧光体构成的构件、由荧光体与陶瓷的共晶体构成的构件、或者由荧光体与玻璃粘合剂的混合物的烧结体构成的构件。即，荧光构件22是由荧光体构成的构件。另外，荧光构件22的厚度从激发光与荧光的转换效率(量子收率)及排热性的观点出发，例如为0.05～2.0mm。
由于荧光构件22是由单晶或多晶的荧光体、荧光体与陶瓷的共晶体、或者荧光体与玻璃粘合剂的混合物的烧结体构成的构件，因而荧光构件22成为具有高导热性的构件。因此，在荧光构件22中可以效率良好地将由于激发光的照射所产生的热量进行排热，因此会抑制荧光构件22变成高温。结果可以抑制在荧光体中因发生热淬灭所引起的荧光光量的减少。
在此，构成荧光构件22的单晶的荧光体例如可利用切克劳斯基单晶生长法获得。具体地说，通过在坩埚内使籽晶与经熔融的原料接触、在此状态下一边旋转籽晶一边向铅直方向提拉、使单晶在该籽晶上成长，从而获得单晶的荧光体。
另外，构成荧光构件22的多晶的荧光体例如可如下这样地获得。首先，通过利用球磨机等对母材、活化材料及烧成助剂等原材料进行粉碎处理，从而获得亚微米以下的原材料微粒。接着，例如利用注浆成型法对该原材料微粒进行烧结。之后，通过对所得烧结体实施热等静压加压加工，从而获得气孔率为例如0.5％以下的多晶的荧光体。
当荧光构件22是由单晶或多晶的荧光体构成的构件时，作为构成该荧光构件22的荧光体的具体例子，可举出YAG：Ce、YAG：Pr、YAG：Sm及LuAG：Ce等。在这样的荧光体中，稀土类元素的掺杂量为0.5mol％左右。
另外，通过荧光构件22是由单晶或多晶的荧光体构成的构件，荧光构件22成为具有热导率为11W/mK以上的高导热性的构件。
通过荧光构件22的热导率为11W/mK以上，可以进一步抑制在荧光体中因发生热淬灭所引起的荧光光量的减少。
另外，当荧光构件22是由荧光体与陶瓷的共晶体构成的构件时，作为构成该荧光构件22的共晶体的具体例子，可举出作为荧光体使用YAG、作为陶瓷材料使用氧化铝(Al2O3)的共晶体。该YAG与氧化铝的共晶体具有YAG成分与氧化铝成分三维地相互缠绕的组织。进而，该共晶体中，从构成YAG成分的荧光体放射的荧光一边在与氧化铝成分的界面上扩散、一边到达作为波长转换构件的荧光出射面的荧光构件22的表面，从该表面取出至外部。另外，当作为荧光出射面的荧光构件的表面平坦时，荧光通过由荧光构件与空气的折射率差所产生的临界角反射而发生全反射，因此不会从该荧光出射面取出至外部。
另外，当荧光构件22是由荧光体与玻璃粘合剂的混合物的烧结体构成的构件时，作为该烧结体使用下述物质：作为玻璃粘合剂使用低熔点玻璃及溶胶凝胶材料、将该玻璃粘合剂和荧光体混合、在低温下对该混合物进行烧结所得到的物质。在该烧结体中，玻璃粘合剂的熔点低达300～400℃左右，因此作为荧光体可以使用各种种类的荧光体。具体地说，可举出BAM及CMS等蓝色荧光体，YAG、LuAG及βSIALON等绿色荧光体，CASN及SCASN等红色荧光体等。该单晶或多晶的荧光体与玻璃粘合剂的混合物的烧结体中，从荧光体放射的荧光一边在与玻璃粘合剂的界面上扩散、一边到达作为波长转换构件的荧光出射面的荧光构件22的表面，从该表面取出至外部。另外，当作为荧光出射面的荧光构件的表面平坦时，荧光多数通过由荧光构件与空气的折射率差所产生的临界角反射而发生全反射，因此无法从该荧光出射面取出至外部。
在此，作为玻璃粘合剂使用的溶胶凝胶材料，具体地说可举出含有硅、钛、锆等醇盐、通过利用热处理进行反应(水解及缩聚)而形成无机材料的溶胶状的材料等。
在荧光构件22的表面上构成周期结构23的凸部24如图2所示，成为沿着从背面至表面的方向变成小径的大致锥状。
具体地说，凸部24的大致锥状是图2所示的锥状(图2中的圆锥状)或图3所示的截头锥体状。
在此，当凸部24的形状为截头锥体状时，上底部24a的尺寸(最大尺寸)a小于激发光L的波长。例如，当凸部24的形状为截头圆锥体状、激发光L的波长为445nm时，截头圆锥体状的凸部24的上底部24a的尺寸a(外径)为100nm。
通过使凸部24的形状为大致锥状，可以防止或抑制在荧光构件22的表面上激发光L发生反射。产生这样的作用的原因为以下的理由。
图4是宏观地表示在激发光L向垂直于荧光构件22的表面的方向上入射时、该激发光L进行传播的介质的折射率变化的图。该图4中，左侧的截面图是放大地示意地表示荧光构件22的一部分的图，右侧的图表是表示相对于荧光构件22的表面垂直方向上的位置与折射率的宏观关系的图。
如该图4所示，激发光L在从空气(折射率为1)中照射至荧光构件22(折射率为N1)的表面时，从相对于构成周期结构23的凸部24的锥面倾斜的方向入射。因此，宏观地看，激发光L进行传播的介质的折射率向垂直于荧光构件22的表面的方向从1慢慢向N1变化。因此，由于在荧光构件22的表面上实质上没有折射率急剧变化的界面，因而可以防止或抑制在荧光构件22的表面上激发光L进行反射。
另外，在构成周期结构23的大致锥状的凸部24中，优选锥面(侧面)的倾斜角度(侧面与底面所成的角度)为11°以上。
当锥面的倾斜角度小于11°时，变成将锥面看成折射率不同的2个介质的边界面，因此有产生由空气与荧光构件的折射率差引起的反射光的可能性。
另外，在周期结构23中，周期d是从构成荧光构件22的荧光体放射的荧光L1的衍射所发生的范围(布拉格的条件)的大小。
具体地说，周期结构23的周期d是从荧光体放射的荧光L1的峰值波长除以构成周期结构23的材料(图示例中构成荧光构件22的荧光体)的折射率而得到的值(以下称作“光学长度”)或者光学长度数倍左右的值。
本发明中，周期结构的周期是指在周期结构中相互相邻的凸部间的距离(中心间距离)(nm)。
通过使周期结构23的周期d为在荧光构件22内产生的荧光L1的衍射所发生范围的大小，能够以高效率将荧光L1从荧光构件22的表面取出至外部。
具体地说明，如图5所示，在荧光构件22内产生的荧光L1在相对于荧光构件22的表面(荧光构件22与空气的界面)的入射角θI小于临界角时，作为透过荧光构件22的表面的透过光L2、在无反射下从荧光构件22的表面取出至外部。另外，当荧光L1的相对于荧光构件22的表面的入射角θI为临界角以上时，例如在荧光构件22的表面为平坦面时，荧光L1在荧光构件22的表面上进行全反射，作为反射光L3朝向荧光构件22的内部，因此无法从荧光构件22的表面取出至外部。但是，由于在荧光构件22的表面上形成具有满足上述条件的周期d的周期结构23，因而荧光L1在荧光构件22的表面上由于周期结构23发生衍射。结果，作为-1次衍射光L4，以出射角θm(θm＜θI)从荧光构件22的表面出射、取出至外部。
另外，作为周期结构23中的凸部24的高度h与周期d之比(h/d)的长宽比为0.2以上、优选为0.2～1.5、特别优选为0.5～1.0。
当长宽比(h/d)小于0.2时，荧光体22的表面变得接近平面，因此无法充分地获得由衍射所产生的效果、无法获得高的光取出效率。
这样的周期结构23可利用纳米压印法和干式刻蚀处理来形成。具体地说，在矩形板状的荧光构件的表面上例如利用旋涂法涂布抗蚀剂，接着利用例如纳米压印法对抗蚀剂的涂布膜进行布图。之后，通过对荧光构件表面中露出的区域实施干式刻蚀处理，从而形成周期结构23。
作为构成基板31的材料，可以使用介由树脂中混有金属微粉末的放热粘接剂的铝基板等。另外，基板31的厚度例如为0.5～1.0mm。另外，该铝基板可以兼具散热用散热片的功能。
上述荧光光源装置中，作为从激光二极管10出射的蓝色区域的激光的激发光L通过准直透镜15变成平行光线。之后，该激发光L透过分色镜16，相对于荧光发光构件20中的波长转换构件的激发光受光面、即荧光构件22的表面大致垂直地照射。进而，荧光构件22中，激发构成该荧光构件22的荧光体、放射荧光L1。该荧光L1从波长转换构件的荧光出射面、即荧光构件22的表面出射，利用分色镜16反射至垂直方向之后，出射至荧光光源装置的外部。
这样的荧光光源装置中，在作为波长转换构件的激发光受光面的荧光构件22的表面上形成有由大致锥状的凸部24周期性地排列而成的周期结构23，并且，周期结构23的长宽比为0.2以上。因此，当将激发光L照射至荧光构件22的表面时，会抑制该激发光L的后方散射，结果可以使激发光L充分地进入荧光构件22内。
另外，周期结构23的周期d是从构成荧光构件22的荧光体放射的荧光L1的衍射所发生的范围的大小。因此，能够以高效率将从构成荧光构件22的荧光体放射的荧光L1从作为波长转换构件的荧光出射面的荧光构件22的表面取出至外部。
因此，根据该荧光光源装置，能够在使激发光L充分地进入波长转换构件的内部的同时，可以有效地利用在波长转换构件的内部产生的荧光L1、以高效率出射至外部，因此可获得高的发光效率。
该荧光光源装置中，由于荧光构件22成为背面及侧面具有反射功能的构件，因而波长转换构件中的激发光受光面与荧光出射面为同一面、具体地说利用荧光构件22的表面构成。因此，荧光不会从除了荧光构件22的表面以外出射至外部，由此波长转换构件中受光激发光的面的面积与出射荧光的面的面积变得大致相同，因而可以使荧光出射面中的亮度变为最大。另外，由于荧光构件22的背面整个区域成为介由基板31与散热用散热片接触的状态，因此可获得高排热性，因而在荧光体中可以进一步抑制因发生热淬灭所引起的荧光光量的减少。结果可获得更高的发光效率。
另外，该荧光光源装置中，由于荧光构件22是由单晶或多晶的荧光体、荧光体与陶瓷的共晶体、或荧光体与玻璃粘合剂的混合物的烧结体构成的构件，因而可以效率良好地将荧光构件22中发生的热量传导至基板31及散热用散热片，因此可以向荧光构件22的背面方向进行排热。因此，可以抑制荧光构件22的温度上升，因而可以抑制在荧光体中因发生热淬灭所引起的荧光光量的减少。结果，可抑制波长转换构件的温度上升，因此可获得更高的发光效率。
图6是表示本发明的荧光光源装置的另一例子中的波长转换构件的构成的说明用截面图。
该荧光光源装置中，构成荧光发光构件20的波长转换构件21如图6所示设置在矩形的基板31上。该波长转换构件21具有矩形板状的荧光构件25和形成在该荧光构件25的表面(图6中的上表面)上、在表面(图6中的上表面)上形成有周期结构27的周期结构体层26。在该周期结构体层26的表面上形成的周期结构27是大致锥状(具体地说为圆锥状)的凸部28周期性地排列而成的结构。
波长转换构件21中，周期结构体层26的表面在成为激发光受光面的同时，成为荧光出射面。
另外，在荧光构件25的背面(图6中的下表面)及侧面上各自形成例如由银构成的光反射膜33。如此，由于在荧光构件25的背面及侧面上形成光反射膜33，因而波长转换构件21成为背面及侧面具有反射功能的构件。另外，在基板31的背面例如配置有散热用散热片(图示省略)。基板31及荧光构件25的构成除了不在该荧光构件25的表面上直接形成周期结构以外，与图1的荧光光源装置相同。
在周期结构体层26的表面上形成的周期结构27的作为凸部28的高度h与周期d之比的长宽比(h/d)为0.2以上、优选为0.2～1.5、特别优选为0.5～1.0。如此，通过使周期结构27的长宽比为0.2以上，可以抑制在周期结构体层26的表面上激发光发生反射。
另外，周期结构27的周期d是从构成荧光构件25的荧光体放射的荧光的衍射发生的范围的大小。由于满足这样的条件，因而能够以高效率将从构成荧光构件25的荧光体放射的荧光从周期结构体层26的表面取出至外部。
作为构成周期结构体层26的材料，优选使用折射率为荧光构件25的折射率的值以上的材料。如果利用折射率为荧光构件25的折射率值以上的材料构成周期结构体层26，则在荧光构件与周期结构体层的界面上可避免荧光发生反射，因此可以维持来自荧光构件的荧光的发光效率。特别是，如果利用折射率比荧光构件25的折射率的值高的材料构成周期结构体层26，则入射到荧光构件25与周期结构体层26的界面的荧光通过透过该界面而发生折射。因此，由于荧光的前进方向在荧光构件25与周期结构体层26的界面上改变，因此会抑制荧光被封闭在波长转换构件21的内部，结果能够以高效率将荧光从周期结构体层26的表面取出至外部。
另外，如果作为周期结构体层26的材料使用比荧光构件25高的折射率的材料，则可以形成周期d小的周期结构27。因此，由于作为构成周期结构27的凸部28可以设计即使长宽比大但高度小的凸部，因而周期结构27的形成变得容易。具体地说，例如当利用纳米打印法时，可以容易地进行模型(模板)的制作或压印作业。此时，对形成有周期结构27的波长转换构件21中的荧光体进行激发的能量为了维持约5W/mm2以上的激发密度，优选构成周期结构体层26的材料是无机材料。
作为构成周期结构体层26的材料，可以使用二氧化硅(折射率为1.45～1.7)、二氧化钛(折射率为1.9～2.2)、二氧化锆(折射率为1.7～1.8)、氮化硅(折射率为1.7～2.0)等。
另外，周期结构体层26的厚度例如为0.1～1.0μm。
周期结构体层26可以使用溶胶凝胶法和纳米压印法来形成。具体地说，例如利用旋涂法将含有硅、钛、锆等的醇盐的溶胶状材料涂布在荧光构件25的表面上，以按压有模型(模板)铸型的状态进行加热处理，实施脱模后进行热处理。利用该热处理来进行反应(水解及缩聚)，形成由无机材料构成的周期结构体层26。
在上述荧光光源装置中，作为从激光二极管出射的蓝色区域的激光的激发光通过准直透镜变成平行光线。之后，该激发光透过分色镜，相对于荧光发光构件20中的波长转换构件21的激发光受光面、即周期结构体层26的表面大致垂直地照射，介由该周期结构体层26入射到荧光构件25中。进而，在荧光构件25中激发构成该荧光构件25的荧光体。由此，在荧光构件25中放射荧光。该荧光从荧光出射面、即周期结构体层26的表面出射，利用分色镜反射至垂直方向之后，出射至荧光光源装置的外部。
该荧光光源装置中，波长转换构件21是在荧光构件25的表面设有周期结构体层26的构件、利用该周期结构体层26的表面构成激发光受光面。进而，在周期结构体层26的表面上周期性地排列大致锥状的凸部28、形成有长宽比为0.2以上的周期结构27。因此，在将激发光照射到作为波长转换构件21的激发光受光面的周期结构体层26的表面时，会抑制该激发光的后方散射，结果可以使激发光充分地进入波长转换构件21中的荧光构件25内。
另外，在波长转换构件21中的周期结构体层26的表面形成的周期结构27的周期d是从构成荧光构件25的荧光体放射的荧光的衍射发生的范围的大小。因此，能够以高效率将从构成荧光构件25的荧光体放射的荧光从作为波长转换构件21的荧光出射面的周期结构体层26的表面取出至外部。
因此，根据该荧光光源装置，能够使激发光L充分地进入波长转换构件21的内部，同时能够有效地利用在波长转换构件21内部产生的荧光、以高效率出射至外部，因此可获得高的发光效率。
在该荧光光源装置中，由于波长转换构件21是具备荧光构件25和周期结构体层26的构件，因此不需要使荧光构件25成为形成有周期结构的构件，因而周期结构的形成变得容易。
另外，作为构成周期结构体层26的材料，使用折射率比荧光构件25的折射率的值高的材料。因此，在荧光构件25与周期结构体层26的界面上可避免荧光发生反射，因此可以维持来自荧光构件25的荧光的发光效率。而且，在荧光构件25与周期结构体层26的界面上荧光的前进方向改变，因此会抑制荧光被封闭在波长转换构件21的内部，因而能够以高效率将荧光从周期结构体层26的表面取出至外部。结果可获得更高的发光效率。
另外，该荧光光源装置中，由于使波长转换构件21成为背面及侧面具有反射功能的构件，因而波长转换构件中的激发光受光面与荧光出射面为同一面、具体地说利用周期结构体层26的表面构成。因此，荧光不会从除了周期结构体层26的表面以外出射至外部，因而波长转换构件21中的受光激发光的面的面积与出射荧光的面的面积变得大致相同，因此可以使荧光出射面的亮度变为最大。另外，波长转换构件21的背面整个区域成为介由基板31与散热用散热片接触的状态，因此可获得高排热性，因而在荧光体中可以进一步抑制因发生热淬灭所引起的荧光光量的减少。结果可获得更高的发光效率。
另外，该荧光光源装置中，由于荧光构件25是由单晶或多晶的荧光体、荧光体与陶瓷的共晶体、或荧光体与玻璃粘合剂的混合物的烧结体构成的构件，因此可以效率良好地将荧光构件25中发生的热量传导至基板31及散热用散热片，因而可以向荧光构件25的背面方向进行排热。因此，可以抑制荧光构件25的温度上升，因而可以抑制在荧光体中因发生热淬灭所引起的荧光光量的减少。结果，可抑制波长转换构件的温度上升，因此可获得更高的发光效率。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并非限定于上述实施方式，可以加入各种变更。
例如，为了能够防止在内部产生的荧光从侧面出射，如图2及图6所示，波长转换构件优选侧面具有光反射功能的构件，但也可以是背面及侧面的至少一者具有光反射功能的构件。具体地说，例如可以仅在波长转换构件的侧面上形成光反射膜、使波长转换构件的表面及背面成为荧光出射面。
另外，荧光光源装置整体的结构并非限定于图1所示，可以采用各种构成。
例如，图1的荧光光源装置10中，使用1个激光光源(例如激光二极管)的光，但也可以是有多个激光光源、在波长转换构件前配置集光透镜、将会聚光照射至波长转换构件的形态。另外，激发光并非限定于激光光源的光，只要是可以激发波长转换构件的光，则可以是对LED的光进行集光的光，进而还可以是来自密封有汞、氙等的灯的光。另外，利用如灯或LED那样放射波长具有幅度的光源时，激发光的波长是从灯等放射的主要的放射波长的区域。但是，本发明中并非限定于此。
以下对本发明的实验例进行说明。
(实验例1)
基于图2所示的构成，制作了多个表面具有周期结构的波长转换构件。
所制作的多个波长转换构件的周期结构中的长宽比不同。这些多个波长转换构件是下述构件：通过在100～1100nm的范围内改变凸部(24)的高度(h)来调节长宽比，各自具有圆锥状的凸部(24)、周期(d)为600nm，具有下述式样。
在此，周期(d)是从构成荧光构件(22)的荧光体放射的荧光的衍射发生的范围的大小。
[基板(31)]
材质：铝基板，尺寸：25mm(长度)×25mm(宽度)×1mm(厚度)
[荧光构件(22)]
材质：LuAG：Ce的单晶(组成＝Lu3Al5O12：Ce(Ce的掺杂量为0.5mol％)，折射率＝1.85，激发波长＝455nm，荧光波长＝535nm)，尺寸：1.7mm(长度)×3.0mm(宽度)×130μm(厚度)
[光反射膜(33)]
材质：银，厚度：110nm
另外，制作了除了不形成周期结构以外、与上述表面具有周期结构的波长转换构件相同的构成及式样的波长转换构件。
在所制作的多个波长转换构件的表面(荧光构件的表面)上分别照射峰值波长为445nm的激发光、测定了该表面上的光的反射率(LD反射率)及光的取出效率。将结果示于图7。该图7中，用虚线示出光的反射率(LD反射率)的测定结果、用实线示出光的取出效率的测定结果。
结果确认了：在波长转换构件中，在激发光受光面上形成以从构成荧光构件的荧光体放射的荧光的衍射发生的范围的大小的周期、排列大致锥状的凸部而成的周期结构，通过使该周期结构的长宽比为0.2以上，可以在抑制波长转换构件的表面上的激发光的反射的同时，以高效率将波长转换构件内部生成的荧光出射至外部。
(实验例2)
实验例1中，使用折射率为2.0的荧光构件作为波长转换构件中的荧光构件(22)、制作多个波长转换构件，另外对所制作的多个波长转换构件照射峰值波长为465nm的光作为激发光，除此之外，利用与该实验例1相同的手法测定了波长转换构件的表面上的光的反射率(LD反射率)及光的取出效率。将结果示于图8。该图8中，用虚线示出光的反射率(LD反射率)的测定结果、用实线示出光的取出效率的测定结果。
结果确认了：在波长转换构件中，在激发光受光面上形成以从构成荧光构件的荧光体放射的荧光的衍射发生的范围的大小的周期、排列大致锥状的凸部而成的周期结构，通过使该周期结构的长宽比为0.2以上，可以在抑制波长转换构件的表面的激发光的反射的同时，以高效率将波长转换构件内部生成的荧光出射至外部。
(实验例3)
实验例1中，使用折射率为2.3的荧光构件作为波长转换构件中的荧光构件(22)、制作多个波长转换构件，除此之外，利用与该实验例1相同的手法测定了波长转换构件的表面上的光的反射率(LD反射率)及光的取出效率。将结果示于图9。该图9中，用虚线示出光的反射率(LD反射率)的测定结果、用实线示出光的取出效率的测定结果。
结果确认了：在波长转换构件中，在激发光受光面上形成以从构成荧光构件的荧光体放射的荧光的衍射发生的范围的大小的周期、排列大致锥状的凸部而成的周期结构，通过使该周期结构的长宽比为0.2以上，可以在抑制波长转换构件的表面的激发光的反射的同时，以高效率将波长转换构件内部生成的荧光出射至外部。
符号说明
10 激光二极管
15 准直透镜
16 分色镜
20 荧光发光构件
21 波长转换构件
22 荧光构件
23 周期结构
24 凸部
24a 上底部
25 荧光构件
26 周期结构体层
27 周期结构
28 凸部
31 基板
33 光反射膜
41 荧光构件
42 基板
43 硫酸钡层
45 散热用散热片
L 激发光
L1 荧光
L2 透过光
L3 反射光
L4-1 次衍射光

Claims (5)

1.一种荧光光源装置，其是具备由被激发光激发的荧光体得到的波长转换构件而成的荧光光源装置，其特征在于，
在所述波长转换构件中的激发光受光面上形成有由大致锥状的凸部周期性地排列而成的周期结构，作为该周期结构中凸部的高度与周期之比的长宽比为0.2以上，该周期是从所述荧光体放射的荧光的衍射发生的范围的大小。
2.根据权利要求1所述的荧光光源装置，其特征在于，所述波长转换构件具备表面具有所述周期结构且含有荧光体而成的荧光构件，该荧光构件的表面成为所述激发光受光面。
3.根据权利要求1所述的荧光光源装置，其特征在于，所述波长转换构件具备含有荧光体而成的荧光构件和形成在该荧光构件上且表面具有所述周期结构的周期结构体层，该周期结构体层的表面成为所述激发光受光面。
4.根据权利要求3所述的荧光光源装置，其特征在于，所述周期结构体层的折射率为所述荧光构件的折射率的值以上。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的荧光光源装置，其特征在于，所述波长转换构件的表面在成为激发光受光面的同时、成为荧光出射面，该波长转换构件的背面及侧面中的至少一者具有光反射功能。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108023004A (zh) * 2016-11-02 2018-05-11 日本电气硝子株式会社 波长转换部件、发光器件和波长转换部件的制造方法
CN108224366A (zh) * 2016-12-15 2018-06-29 松下知识产权经营株式会社 发光元件以及发光元件的制造方法
WO2018209925A1 (zh) * 2017-05-19 2018-11-22 深圳市光峰光电技术有限公司 波长转换装置及其制备方法
WO2019075939A1 (zh) * 2017-10-18 2019-04-25 深圳光峰科技股份有限公司 波长转换装置及其制备方法
CN113433783A (zh) * 2020-03-23 2021-09-24 精工爱普生株式会社 波长转换元件、照明装置以及投影仪
CN113495421A (zh) * 2020-03-18 2021-10-12 精工爱普生株式会社 波长转换元件、光源装置以及投影仪
US11193651B2 (en) 2017-04-14 2021-12-07 Sony Semiconductor Solutions Corporation Illumination device including laser light source, molded body with obtusely inclined side surfaces, and phosphor layer

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105940510B (zh) 2014-02-28 2019-01-11 松下知识产权经营株式会社 发光装置
CN106415337A (zh) * 2014-02-28 2017-02-15 松下知识产权经营株式会社 发光器件以及发光装置
US9618697B2 (en) 2014-02-28 2017-04-11 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light directional angle control for light-emitting device and light-emitting apparatus
US9518215B2 (en) 2014-02-28 2016-12-13 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting device and light-emitting apparatus
US9515239B2 (en) 2014-02-28 2016-12-06 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting device and light-emitting apparatus
CN105940508B (zh) 2014-02-28 2019-01-11 松下知识产权经营株式会社 发光器件以及发光装置
JP2016034012A (ja) 2014-02-28 2016-03-10 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光素子および発光装置
DE102015103696A1 (de) * 2015-03-13 2016-09-15 Ldt Laser Display Technology Gmbh Vorrichtung und System sowie Verfahren zur Umwandlung von monochromatischem Licht in polychromatisches Licht
US10182702B2 (en) 2015-03-13 2019-01-22 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting apparatus including photoluminescent layer
JP6569856B2 (ja) 2015-03-13 2019-09-04 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置および内視鏡
US10031276B2 (en) 2015-03-13 2018-07-24 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Display apparatus including photoluminescent layer
JP2016171228A (ja) 2015-03-13 2016-09-23 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光素子、発光装置および検知装置
JP6020637B1 (ja) * 2015-03-31 2016-11-02 ウシオ電機株式会社 蛍光光源装置
JP2017005054A (ja) 2015-06-08 2017-01-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置
JP2017003697A (ja) 2015-06-08 2017-01-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光素子および発光装置
US9851577B2 (en) * 2015-07-17 2017-12-26 Dicon Fiberoptics, Inc. Nano-structured lens for collimating light from surface emitters
US10359155B2 (en) 2015-08-20 2019-07-23 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting apparatus
JP2017040818A (ja) 2015-08-20 2017-02-23 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光素子
WO2017056470A1 (ja) * 2015-09-29 2017-04-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 波長変換素子及び発光装置
TWI694133B (zh) * 2016-02-12 2020-05-21 美商萬騰榮公司 藉由使用表面奈米結構來強化光泵磷光體的輸出
JP6719094B2 (ja) 2016-03-30 2020-07-08 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光素子
WO2017179609A1 (ja) * 2016-04-15 2017-10-19 株式会社小糸製作所 ナノコンポジットおよびナノコンポジットの製造方法
JP6677116B2 (ja) 2016-07-22 2020-04-08 日亜化学工業株式会社 凹部を有する波長変換部材及びそれを有する発光装置の製造方法
DE102017101729A1 (de) * 2017-01-30 2018-08-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
DE102017104134A1 (de) * 2017-02-28 2018-08-30 Osram Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
JP7369724B2 (ja) * 2018-07-27 2023-10-26 マテリオン コーポレイション 蛍光体照明システムのための反射色補正
JP6632108B1 (ja) * 2018-09-28 2020-01-15 日本碍子株式会社 蛍光体素子、その製造方法および照明装置
US11262046B2 (en) 2019-03-27 2022-03-01 Ngk Insulators, Ltd. Phosphor element, method for producing same, and lighting device
WO2020065927A1 (ja) * 2018-09-28 2020-04-02 日本碍子株式会社 蛍光体素子、その製造方法および照明装置
CN111913337A (zh) * 2019-05-09 2020-11-10 中强光电股份有限公司 波长转换元件及其制作方法
JP7108196B2 (ja) 2019-12-26 2022-07-28 日亜化学工業株式会社 発光装置、波長変換部材の製造方法及び発光装置の製造方法
JP2021189405A (ja) * 2020-06-04 2021-12-13 セイコーエプソン株式会社 照明装置およびプロジェクター

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007103901A (ja) * 2005-09-09 2007-04-19 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
CN102419507A (zh) * 2010-09-24 2012-04-18 卡西欧计算机株式会社 光源组件和投影仪
US20120106126A1 (en) * 2010-11-01 2012-05-03 Seiko Epson Corporation Wavelength conversion element, light source device, and projector
JP2012109400A (ja) * 2010-11-17 2012-06-07 Sharp Corp 発光素子、発光装置および発光素子の製造方法
CN102800791A (zh) * 2011-05-20 2012-11-28 斯坦雷电气株式会社 光源装置和照明装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4077312B2 (ja) * 2001-12-28 2008-04-16 株式会社東芝 発光素子の製造方法および発光素子
US7070300B2 (en) 2004-06-04 2006-07-04 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Remote wavelength conversion in an illumination device
JP2006024615A (ja) * 2004-07-06 2006-01-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄ照明光源およびその製造方法
JP2007019488A (ja) * 2005-06-09 2007-01-25 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
DE102008012316B4 (de) * 2007-09-28 2023-02-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterlichtquelle mit einer Primärstrahlungsquelle und einem Lumineszenzkonversionselement
US8337032B2 (en) 2008-03-26 2012-12-25 Panasonic Corporation Semiconductor light-emitting apparatus
JP4742349B2 (ja) 2009-06-30 2011-08-10 カシオ計算機株式会社 光源装置及びプロジェクタ
JP4991001B2 (ja) * 2009-12-28 2012-08-01 シャープ株式会社 照明装置
JP5510646B2 (ja) 2010-03-18 2014-06-04 スタンレー電気株式会社 車両用灯具
US8766526B2 (en) * 2010-06-28 2014-07-01 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting device package providing improved luminous efficacy and uniform distribution
JP2012094741A (ja) * 2010-10-28 2012-05-17 Nippon Electric Glass Co Ltd 波長変換素子及びそれを備える光源
JP2012182376A (ja) 2011-03-02 2012-09-20 Stanley Electric Co Ltd 波長変換部材および光源装置
JP6274046B2 (ja) * 2013-07-29 2018-02-07 王子ホールディングス株式会社 光源ユニット

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007103901A (ja) * 2005-09-09 2007-04-19 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
CN102419507A (zh) * 2010-09-24 2012-04-18 卡西欧计算机株式会社 光源组件和投影仪
US20120106126A1 (en) * 2010-11-01 2012-05-03 Seiko Epson Corporation Wavelength conversion element, light source device, and projector
JP2012109400A (ja) * 2010-11-17 2012-06-07 Sharp Corp 発光素子、発光装置および発光素子の製造方法
CN102800791A (zh) * 2011-05-20 2012-11-28 斯坦雷电气株式会社 光源装置和照明装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108023004A (zh) * 2016-11-02 2018-05-11 日本电气硝子株式会社 波长转换部件、发光器件和波长转换部件的制造方法
CN108224366A (zh) * 2016-12-15 2018-06-29 松下知识产权经营株式会社 发光元件以及发光元件的制造方法
US11193651B2 (en) 2017-04-14 2021-12-07 Sony Semiconductor Solutions Corporation Illumination device including laser light source, molded body with obtusely inclined side surfaces, and phosphor layer
WO2018209925A1 (zh) * 2017-05-19 2018-11-22 深圳市光峰光电技术有限公司 波长转换装置及其制备方法
WO2019075939A1 (zh) * 2017-10-18 2019-04-25 深圳光峰科技股份有限公司 波长转换装置及其制备方法
CN113495421A (zh) * 2020-03-18 2021-10-12 精工爱普生株式会社 波长转换元件、光源装置以及投影仪
CN113495421B (zh) * 2020-03-18 2023-01-31 精工爱普生株式会社 波长转换元件、光源装置以及投影仪
CN113433783A (zh) * 2020-03-23 2021-09-24 精工爱普生株式会社 波长转换元件、照明装置以及投影仪

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