CN104952738A - 有机转接板的制作方法及基于转接板的封装结构 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种有机转接板的制作方法及基于转接板的封装结构，包括以下步骤：（1）提供具有第一主面和第二主面的承载芯板，承载芯板第一主面和第二主面具有双层铜箔；（2）在承载芯板上制作植球焊盘后层压第一层介质层；（3）在第一层介质层表面制作RDL线路层和转接板铜柱；（4）在RDL线路层表面层压第二层介质层；（5）将双层铜箔进行剥离得到两个转接板，再去除铜箔，即得到所述的有机转接板。本发明解决了制作薄的转接板过程中拿持的问题，能够兼容有机基板的制作工艺；并且避免了制作好基板后制作阻焊层的工艺流程以及在过孔制作过程中不易电镀等问题；另外，由于使用的内埋线路的方式所以在整个基板进行表面处理的过程避免了渗镀等问题。

Description

有机转接板的制作方法及基于转接板的封装结构
技术领域
本发明涉及一种有机转接板的制作方法及基于转接板的封装结构，属于微电子先进封装技术。
背景技术
3D封装技术是实现系统级封装产品小型化和高性能的关键技术之一。3D封装技术需要解决芯片与芯片之间，芯片与PCB板之间垂直电互连，目前采用转接板是实现上述垂直电互连的有效方式之间。此外，转接板还需具备较低膨胀系统、高电互连密度、高刚度以及低介电常数等。目前封装的转接板多数是基于TSV的方式，利用晶圆后道的工艺进行制作，该技术具有工艺难度大，成本高等缺点。
在现有有机基板的工艺中，主要存在以下问题：（1）对于薄的转接板的难点在于工艺过程中转接板的拿持问题，很容易使转接板产生碎裂；（2）制作好基板后制作阻焊层的工艺流程和过孔制作过程中不易电镀；（3）由于一般采有内埋线路的方式所以在整个基板进行表面处理的过程中容易发生渗镀的情况。
发明内容
本部分的目的在于概述本发明的实施例的一些方面以及简要介绍一些较佳实施例。在本部分以及本申请的说明书摘要和发明名称中可能会做些简化或省略以避免使本部分、说明书摘要和发明名称的目的模糊，而这种简化或省略不能用于限制本发明的范围。
鉴于上述和/或现有薄型转接板工艺过程中存在的拿持等问题，提出了本发明。
本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种有机转接板的制作方法，解决薄转接板工作过程中拿持的问题，并且能够完全兼容有机基板的制作工艺。
本发明还提供一种基于转接板的封装结构，工艺简单，成本低，能够满足目前大多数芯片的应用，具有更好的高频性能。
按照本发明提供的技术方案，所述有机转接板的制作方法，包括以下步骤：
（1）提供具有第一主面和第二主面的承载芯板，承载芯板第一主面和第二主面具有双层铜箔；
（2）在承载芯板上制作植球焊盘；
（3）在承载芯析板第一主面和第二主面层压第一层介质层；
（4）在第一层介质层表面制作RDL线路层和转接板铜柱；
（5）在RDL线路层表面层压第二层介质层；
（6）将承载芯板上双层铜箔进行剥离得到两个转接板，再去除铜箔，即得到所述的有机转接板。
进一步的，所述步骤（2）在承载芯板上制作植球焊盘，具体包括：
（1）在承载芯板的第一主面和第二主面上分别制作干膜或光刻胶层，根据植球焊盘层在干膜或光刻胶层上制作图形开口，形成植球焊盘图形；
（2）在植球焊盘图形进行电镀，得到植球焊盘。
进一步的，所述步骤（3）之后、步骤（4）之前还包括剥膜：将用于图形电镀的干膜或光刻胶层剥离。
进一步的，：所述步骤（3）在承载芯板第一主面和第二主面层压第一层介质层，具体包括：
（1）在承载芯板的第一主面和第二主面上层压第一层介质层，第一层介质层覆盖住植球焊盘的表面；
（2）将植球焊盘表面的介质层清除，裸露出植球焊盘的表面。
进一步的，所述步骤（5）在RDL线路层表面层压第二层介质层，具体包括：
（1）在RDL线路层表面层压第二层介质层，第二层介质层覆盖住转接板铜柱；
（2）将埋置在第二层介质层中的转接板铜柱的表面裸露出来。
进一步的，所述步骤（6）将承载芯板上双层铜箔进行剥离，具体是指：将承载芯板第一主面和第二主面的内层铜箔和外层铜箔进行分离，从而在一块承载芯板上分离得到两个转接板。
进一步的，所述步骤（6）去除铜箔，是指将双层铜箔剥离后与第一层介质层接触的外层铜箔去除，裸露出植球焊盘的表面。
进一步的，所述第一层介质层和第二介质层采用BT树脂或ABF树脂。
本发明还提供一种基于转接板的封装结构，其特征是：包括具有正面和背面的转接板，转接板的正面设置芯片，芯片由塑封材料进行塑封，转接板的背面设置BGA球；所述转接板包括第一层介质层和第二层介质层，在第一层介质层中设置转接板焊盘，在第二层介质层中设置RDL线路层和转接板铜柱和转接板焊盘；所述芯片的芯片凸点与转接板铜柱连接，转接板铜柱通过RDL线路层与转接板焊盘连接，BGA球设置在转接板焊盘上。
本发明具有以下优点：（1）本发明工艺简单，成本低；（2）本发明能够适合窄节距高频高速芯片的封装；（3）本发明所述有机转接板的生产工艺采用了内埋线路的工艺方法避免在后面的阻焊绿油的制作，更好的适合于有机板材转接板的应用。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1～图12为本发明所述有机转接板制作方法的各步骤得到的产品的示意图。其中：
图1为所述承载芯板的示意图。
图2为植球焊盘图形转移后的示意图。
图3为电镀植球焊盘的示意图。
图4为剥膜后的示意图。
图5为层压第一层介质层后的示意图。
图6为植球焊盘开孔后的示意图。
图7为制作RDL线路层的示意图。
图8为制作转接板铜柱后的示意图。
图9为层压第二层介质层后的示意图。
图10为转接板铜柱露头后的示意图。
图11为转接板剥离后的示意图。
图12为减铜及表面处理后的转接板示意图。
图13为在有机转接板正面贴装芯片的示意图。
图14为将芯片进行底填和塑封的示意图。
图15为在有机转接板背面进行植BGA球的示意图。
图中序号：承载芯板1、第一主面1a、第二主面1b、内层铜箔1-1、外层铜箔1-2、干膜或光刻胶层20、植球焊盘图形21、植球焊盘3、第一层介质层5、RDL线路层7、转接板铜柱8、第二层介质层9、芯片13、BGA球14。
具体实施方式
为了使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合具体附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施例，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实施制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
另，本发明中提出的术语“第一主面”、“第二主面”以及“表面”等指示方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，而不是要求本发明必须以特定的方位构造和操作，因此不理解为对本发明的限制。
本发明所述有机转接板的制作方法，如图1～图12所示，该生产工艺包括如下步骤：提供具有第一主面和第二主面的承载芯板，承载芯板第一主面和第二主面具有双层铜箔；在承载芯板上制作植球焊盘后层压第一层介质层，在第一层介质层表面制作RDL线路层和转接板铜柱，再在RDL线路层表面层压第二层介质层；将承载芯板上双层铜箔进行剥离得到两个转接板，再去除铜箔，即得到本发明所述的有机转接板。
具体的，所述有机转接板的制作方法，包括以下步骤：
（1）如图1所示，提供承载芯板1，承载芯板1具有第一主面1a和第二主面1b，在承载芯板1的第一主面1a和第二主面1b均具有双层铜箔（内层铜箔1-1和外层铜箔1-2），内层铜箔1-1和外层铜箔1-2需要满足在后面的工艺过程能够进行剥离；
（2）植球焊盘图形转移：如图2所示，根据产品需要将最终有机转接板成品中植球的焊盘层的图形转移动承载芯板1上，以便开展后面的电镀等工艺；
具体地，在承载芯板1的第一主面1a和第二主面1b上分别制作干膜或光刻胶层20，根据植球的焊盘层在干膜或光刻胶层20上制作图形开口，形成植球焊盘图形21；
（3）电镀植球焊盘：如图3所示，在植球焊盘图形21进行电镀，得到植球焊盘3，植球焊盘3的高度比后序工艺中层压的第一层介质层的厚度略小，使得层压第一层介质层后，植球焊盘3的表面具有很薄的介质层；
（4）剥膜：将用于图形电镀的干膜或光刻胶层20剥离，在承载芯板1第一主面1a和第二主面1b的双层铜箔表面形成凸起的植球焊盘3，如图4所示；
（5）层压第一层介质层：如图5所示，在承载芯板1的第一主面1a和第二主面1b上层压第一层介质层5，第一层介质层5覆盖住植球焊盘3；所述第一层介质层5可以采用BT树脂或ABF树脂，可以支撑封装结构中高频高速线路的传输，相对于传统的TSV转接板来说具有更好的高频性能；
（6）植球焊盘开孔：如图6所示，采用激光开孔或减薄的方式，将植球焊盘3表面的介质层清除，裸露出植球焊盘3的表面；
（7）RDL线路制作：如图7所示，在第一层介质层5的表面通过曝光显影形成RDL线路层7，RDL线路层7与植球焊盘3电互连；所述RDL线路层7应用基板工艺可以制作最小线宽线距5μm以下的线路；
（8）转接板铜柱制作：如图8所示，在RDL线路层7的表面再次进行曝光显影工艺制作与芯片对应的转接板铜柱8，转接板铜柱8的高度主要取决于使用的曝光干膜的厚度，转接板铜柱8的大小主要看曝光机以及干膜的解析度，一般可以制作直径10μm、高度50μm以上的凸点；
（9）层压第二层介质层：如图9所示，在制作转接板铜柱8后的RDL线路层7表面层压第二层介质层9，第二层介质层9覆盖住转接板铜柱8；所述第二层介质层9可以采用BT树脂或ABF树脂；
（10）转接板铜柱露头：如图10所示，采用激光开窗或研磨等工艺将埋置在第二层介质层9中的转接板铜柱8的表面裸露出来；
（11）转接板剥离：如图11所示，将承载芯板1第一主面1a和第二主面1b的内层铜箔1-1和外层铜箔1-2进行分离，从而在一块承载芯板1上分离得到两个转接板；
（12）减铜及表面处理：如图12所示，将步骤（11）得到的转接板上一表面的外层铜箔1-2通过蚀刻工艺蚀刻掉，裸露出植球焊盘3的表面；再对植球焊盘3裸露出的表面进行表面处理，如镍金或OSP处理等等；
经上述步骤（1）～步骤（12），即可得到本发明所述的有机转接板。
基于本发明所述的有机转接板，能够满足目前大多数芯片的应用，具体如图15所示的封装结构，其生产工艺可以采用下述方法：
（1）如图13所示，在有机转接板的正面进行芯片13的贴装，芯片凸点与有机转接板正面露出的转接板铜柱8连接；
（2）如图14所示，将芯片13进行底填胶的制作以及进行塑封，也可以采用MUF工艺直接将底填和塑封同时进行制作；
（3）如图15所示，在有机转接板背面的植球焊盘3上进行植BGA球14，从而形成完整的封装结构。
本发明所述有机转接板是基于有机基板工艺进行制作，解决了制作薄的转接板的工艺过程中拿持的问题，能够完全兼容有机基板的制作工艺；并且避免了制作好基板后制作阻焊层的工艺流程以及在过孔制作过程中不易电镀等问题；另外，由于使用的内埋线路的方式所以在整个基板进行表面处理的过程避免了渗镀等问题。本发明有机转接板生产工艺简单，成本低，能够满足目前大多数芯片的应用，具有很大的技术价值和市场价值。
应说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。

Claims (9)

1.一种有机转接板的制作方法，其特征是，包括以下步骤：
（1）提供具有第一主面和第二主面的承载芯板，承载芯板第一主面和第二主面具有双层铜箔；
（2）在承载芯板上制作植球焊盘；
（3）在承载芯析板第一主面和第二主面层压第一层介质层；
（4）在第一层介质层表面制作RDL线路层和转接板铜柱；
（5）在RDL线路层表面层压第二层介质层；
（6）将承载芯板上双层铜箔进行剥离得到两个转接板，再去除铜箔，即得到所述的有机转接板。
2.如权利要求1所述的有机转接板的制作方法，其特征是：所述步骤（2）在承载芯板上制作植球焊盘，具体包括：
（1）在承载芯板的第一主面和第二主面上分别制作干膜或光刻胶层，根据植球焊盘层在干膜或光刻胶层上制作图形开口，形成植球焊盘图形；
（2）在植球焊盘图形进行电镀，得到植球焊盘。
3.如权利要求2所述的有机转接板的制作方法，其特征是：所述步骤（3）之后、步骤（4）之前还包括剥膜：将用于图形电镀的干膜或光刻胶层剥离。
4.如权利要求1所述的有机转接板的制作方法，其特征是：所述步骤（3）在承载芯板第一主面和第二主面层压第一层介质层，具体包括：
（1）在承载芯板的第一主面和第二主面上层压第一层介质层，第一层介质层覆盖住植球焊盘的表面；
（2）将植球焊盘表面的介质层清除，裸露出植球焊盘的表面。
5.如权利要求1所述的有机转接板的制作方法，其特征是：所述步骤（5）在RDL线路层表面层压第二层介质层，具体包括：
（1）在RDL线路层表面层压第二层介质层，第二层介质层覆盖住转接板铜柱；
（2）将埋置在第二层介质层中的转接板铜柱的表面裸露出来。
6.如权利要求1所述的有机转接板的制作方法，其特征是：所述步骤（6）将承载芯板上双层铜箔进行剥离，具体是指：将承载芯板第一主面和第二主面的内层铜箔和外层铜箔进行分离，从而在一块承载芯板上分离得到两个转接板。
7.如权利要求7所述的有机转接板的制作方法，其特征是：所述步骤（6）去除铜箔，是指将双层铜箔剥离后与第一层介质层接触的外层铜箔去除，裸露出植球焊盘的表面。
8.如权利要求1所述的有机转接板的制作方法，其特征是：所述第一层介质层和第二介质层采用BT树脂或ABF树脂。
9.一种基于转接板的封装结构，其特征是：包括具有正面和背面的转接板，转接板的正面设置芯片，芯片由塑封材料进行塑封，转接板的背面设置BGA球；所述转接板包括第一层介质层和第二层介质层，在第一层介质层中设置转接板焊盘，在第二层介质层中设置RDL线路层和转接板铜柱和转接板焊盘；所述芯片的芯片凸点与转接板铜柱连接，转接板铜柱通过RDL线路层与转接板焊盘连接，BGA球设置在转接板焊盘上。
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