CN104934109A - 玻璃基底石墨烯/银纳米线透明导电薄膜的制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种玻璃基底石墨烯/银纳米线透明导电薄膜的制备方法，属于化学领域。该方法，包括步骤：A：利用石墨制得稳定分散的氧化石墨烯胶体水溶液；B：配制1~1.5mg/ml的银纳米线/石墨烯杂化体水溶液作为前驱体以备后用；C：玻璃片处理；D：在玻璃片上制作银纳米线/石墨烯透明导电薄膜；E：后处理。本发明通过简单的一锅热法将一维银纳米线组装负载在石墨烯片层上，可以充分发挥纳米线的纤维结构的优势，在石墨烯薄膜的载体中形成良好的导电网络，使石墨烯薄膜导电率得到了提高。

Description

玻璃基底石墨烯/银纳米线透明导电薄膜的制备方法

技术领域

本发明涉及一种透明导电薄膜的制备方法，特别涉及一种玻璃基底石墨烯/银纳米线透明导电薄膜的制备方法，属于化学领域。

背景技术

透明导电薄膜(TCFs, transparent conducting films) 是指在可见光区(λ=380~780nm)有较高的透光率(Tavg>80%)，并且具有优良的导电性，电阻率可以达到10^-5Ω·m以下的薄膜材料。透明导电薄膜是许多光电子器件的重要组成部分，例如液晶显示器(LCD)、有机太阳能电池、有机发光二极管(OLED)、智能窗等。铟锡氧化物(ITO)由于其高电导率和高透光率，已经成为透明导电薄膜的主要材料。然而ITO在使用过程中也存在一些缺点，包括:(1)铟的价格持续上涨，使得ITO成为日益昂贵的材料。(2)ITO脆的性质使其不能满足一些新应用(例如可弯曲的LCD有机太阳能电池)的性能要求。(3)ITO的制备方法(例如喷镀、蒸发、脉冲、激光沉积、电镀) 费用高昂。自2004年第一次制备得到独立的单层石墨烯以来，吸引了众多科学家对石墨烯的研究，石墨烯已经成为材料及凝聚态物理领域一颗闪耀的新星。石墨烯独特的二维晶体结构，赋予了它独特的性能，研究发现，石墨烯具有优良的机械性能，杨氏模量约1000GPa，同时由于其特殊的能带结构，石墨烯也表现出许多优异的电学性质。石墨烯透明导电薄膜是以石墨烯及其杂化材料替代铟锡氧化物制备的透明导电薄膜。虽然石墨烯透明导电薄膜的研究还在初期阶段，但是石墨烯在许多方面比ITO具有更多潜在的优势，例如质量坚固、柔韧性、化学稳定性、红外透光性和价格廉宜等。因此采用石墨烯制备透明导电薄膜是很有前景的一项工作。石墨烯作为一种新的石墨的同素异形体，因为其特殊的二维结构受到广泛关注。特别是它的电子迁移率是现在已知最高的锑化铟材料的两倍，而且成本低廉，因此其在玻璃基底上的石墨烯薄膜可以替代传统的导电玻璃（FTO，ITO）。

发明内容

本发明的目的在提供一种玻璃基底石墨烯/银纳米线透明导电薄膜的制备方法。

本发明所提供的一种玻璃基底石墨烯/银纳米线透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：

A：利用石墨制备得到氧化石墨，制成含氧化石墨2~4 mg/ml的水溶液，经过25min~35min的超声处理，得到稳定分散的氧化石墨烯胶体水溶液；

B：将等体积、等摩尔浓度的柠檬酸钠和硝酸银水溶液混合均匀，再加入一定量的氧化石墨烯胶体溶液和与柠檬酸钠溶液相同体积的N-N二甲基乙酰胺，使用磁力搅拌器于常温下避光反应12h，升温至130℃保持3h，再加入一定量柠檬酸钠或水合肼或氢碘酸或硼氢化钠或抗坏血酸，用氨水调节溶液 pH＞10，将温度降至 95℃恒温反应6h，将产物用乙醇离心洗涤，得到银纳米线/石墨烯杂化体固体，配制1~1.5mg/ml的银纳米线/石墨烯杂化体水溶液作为前驱体以备后用，所述的柠檬酸钠和硝酸银的浓度为0.1~0.5M；

C：将玻璃片浸泡在以质量浓度为98%的浓硫酸与质量浓度为30%的双氧水混合溶液中20小时以上，所述混合溶液中的体积比为浓硫酸：双氧水=7:3，在浸泡过程中对玻璃片进行翻面，浸泡完成后使用去离子水对玻璃片进行多次清洗并用氮气吹干，然后置于0.1~0.15mol/L的有机硅烷偶联剂的甲苯或乙醇溶液中浸泡 1~1.5h，取出后用乙醇清洗干净并用氮气吹干，再将表面处理后的玻璃片在100Pa真空以下80~110℃干燥3~4h，处理后需将处理好的玻片保存在真空环境中，并80℃恒温保存；

D：将银纳米线/石墨烯杂化体溶液真空抽滤，然后用水浸湿混纤抽滤膜，并把附有石墨烯的一面与玻片紧贴，盖上另一片玻片后，将其放置于约1kg的重物下压制10h以上，取出混纤膜和玻片放入培养皿中，在混纤膜边缘滴加异丙醇至完全浸透，在混纤膜边缘上滴加丙酮至完全溶解直到整个石墨烯膜浸在丙酮中，密闭静置 30min，然后用吸管吸取丙酮，取出玻片低倾斜度放置，再使用乙醇清洗一次，丙酮清洗 3~4 次，平放晾干；

E：在约100Pa真空中300~500℃热处理涂覆有银纳米线/石墨烯杂化体的玻璃片5~15min，随炉冷却至室温，重复热处理5~10次，再将涂覆有银纳米线/石墨烯杂化体的玻璃片置于浓度为10%HNO₃溶液中浸泡3h，之后于真空烘箱中烘干，烘干温度维持于30℃，再置于 质量浓度为20%SOCl₂ 溶液浸泡 24h，于30℃真空烘箱中烘干，得到玻璃基底石墨烯/银纳米线透明导电薄膜，进一步的，步骤A中石墨为天然鳞片石墨、膨胀石墨、人造石墨粉或可膨胀石墨中的一种或多种的混合物，石墨由Hummers法制备得到氧化石墨，进一步的，步骤B中以银:氧化石墨烯的质量比为1:3来调节加入氧化石墨烯杂化体溶液的量，进一步的，步骤B加入一定量柠檬酸钠或水合肼或氢碘酸或硼氢化钠或抗坏血酸的加入质量为氧化石墨烯的质量为10~20倍，进一步的，其中步骤D中真空抽滤采用混合纤维素滤膜或水系微孔滤膜，规格为0.45um，进一步的，步骤C中的有机硅烷偶联剂为3-氨丙基三乙氧基硅烷或γ-缩水甘油醚基丙基三甲基硅烷或甲基三乙氧基硅烷或带有甲基、乙烯基、环氧基或巯基的有机硅烷偶联剂，进一步的，步骤B中银纳米线/石墨烯杂化体前驱体中的银纳米线直径为50~55nm，长度为2~4um，插层在石墨烯片层中，进一步的，步骤E中的得到的玻璃基底石墨烯/银纳米线透明导电薄膜的石墨烯层的厚度为80nm至200nm，进一步的，所述的步骤B全过程避光处理。

本发明相对其他石墨烯导电玻璃有一下优点：1)通过简单的一锅热法将一维银纳米线组装负载在石墨烯片层上，可以充分发挥纳米线的纤维结构的优势，在石墨烯薄膜的载体中形成良好的导电网络。2)没有额外的制备银纳米线的过程，避免了制备过程的繁琐。3)采用柠檬酸钠和N-N二甲基乙酰胺作为还原剂和稳定剂，制备出的纳米复合材料水溶液具有较高均一稳定性。用简单化学方法实现了银纳米线/石墨烯杂化体的可控制备，为化学法制备石墨烯复合材料的新技术奠定了基础。3)后处理对于银纳米线/石墨烯导电层导电性能的提高起着重要的作用。这是因为经HNO₃处理过后石墨烯的结构中出现了很多的悬空键或是缺陷结构，而这些结构则立即会被羟基或羧基基团所占据，这个过程和热处理使化学反应过程中的杂质以及部分含氧官能团得以除去。羟基或羟基一旦与 SOCl₂ 接触就会发生氯化亲和取代反应。之后，石墨烯片层之间将会形成含有-Cl或-SOCl的离子键，正是这些离子键的形成使石墨烯薄膜导电率得到了提高。

附图说明

图1是本发明实施例5制备的银纳米线/石墨烯杂化导电体的透射电子显微镜(TEM)图。

具体实施方式

以下结合实施例，对本发明来进一步说明，但并不限制本发明。除非另有说明，在实施例中所有百分比均以质量计。本发明中采用UV-2550型紫外-可见分光光度计(UV-Vis)测试导电玻璃复合薄膜的透光率。采用四探针电阻测试仪(钨针间距5mm，RTS-9)测试薄膜的方块电阻。使用高分辨透射电子显微镜 JEM-2100 对银纳米线/石墨烯前驱体进行物相分析。

实施例1：

(1)  将膨胀石墨由Hummers法制备得到氧化石墨水溶液。经过25min的超声处理得到稳定分散的氧化石墨烯胶体(2mg/ml)；

(2)  将相同体积(10ml)和浓度(0.1M)的柠檬酸钠和硝酸银水溶液在单口烧瓶中混合均匀，再加入162ml的氧化石墨烯(GO)和10ml的N-N二甲基乙酰胺。使用磁力搅拌器于常温下避光反应12h。升温至130℃保持3h。再加入3.24g柠檬酸钠，用氨水调节至pH≈12，温度降至 95℃恒温保持6h。将产物用乙醇离心洗涤，配制1mg/ml 的银纳米线/石墨烯杂化体溶液保存在广口瓶中，作为前驱体以备后用；

(3)  选用边长为2cm，厚度为2.5mm的玻璃片浸泡在以浓硫酸(98%):双氧水(30%)=7:3(体积比)的溶液中24h，浸泡过程中需要对玻璃片进行翻面。浸泡完成后使用去离子水对玻璃片进行多次清洗并用氮气吹干，然后置于0.1mol/L的3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)的甲苯溶液中浸泡1h。取出用乙醇清洗干净并用氮气吹干，再将表面处理后的玻璃片在100Pa真空下80℃干燥3h；

(4)  将处理好的玻片恒温保存在80℃真空环境中。取5ml前驱体溶液通过混纤薄膜真空抽滤，并把抽滤膜附有前驱体的一面与玻片紧贴，将其放置于约1kg的重物下保持10h。取出压制好的混纤膜和玻片放入培养皿中，在混纤膜边缘滴加异丙醇至完全浸透。在混纤膜边缘上轻轻滴加丙酮至完全溶解直到整个膜浸在丙酮中，密闭静置30min。然后用吸管吸取丙酮，取出玻片低倾度放置，用乙醇清洗一次，丙酮清洗3次，平放晾干。保留一批导电玻璃不进行后处理以作对比；

(5)后处理过程包括在约100Pa真空环境中300℃热处理负载玻璃片12min，随炉冷却至室温。重复热处理5次。再将负载玻片置于浓度为10%HNO₃溶液中浸泡3h，之后于30℃真空烘箱中烘干。再置于SOCl₂ 溶液(20%优级纯)浸泡24h，于30℃真空烘箱中烘干。导电层厚度约为80nm。检测得知经过后处理的导电玻璃透光率为98%，没有后处理的为98.5%。方块电阻分别为经过后处理的198Ω/cm²，没有后处理的222Ω/cm²。

实施例2：

(1)将膨胀石墨由Hummers法制备得到氧化石墨水溶液。经过27min的超声处理，得稳定分散的氧化石墨烯胶体(2.5mg/ml)；

(2)将等体积(12ml)；等浓度(0.2M)的柠檬酸钠和硝酸银水溶液在单口烧瓶中混合均匀，再加入312ml的氧化石墨烯(GO)水溶液和12mlN-N二甲基乙酰胺溶液。使用磁力搅拌器于常温下避光反应12h。升温至130℃保持3h。再加入7.8g柠檬酸钠，用氨水调节溶液 pH≈12，将温度降至95℃保持6h。将产物用乙醇离心洗涤，于广口瓶中配制1.2mg/ml 的银纳米线/石墨烯杂化体溶液。作为前驱体以备后用；

(3)选用边长为2.5cm，厚度为2.5mm的玻璃片浸泡在浓硫酸(98%):双氧水(30%)=7:3(体积比)的溶液中24h，浸泡过程中需要对玻璃片进行翻面。后使用去离子水对玻璃片进行多次清洗并用氮气吹干，然后浸泡在0.12mol/L的3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)的甲苯溶液中1.2h。取出后用乙醇清洗干净并用氮气吹干，再在100Pa真空下90℃干燥3.5h，后保存在80℃真空环境中；

(4)取15ml前驱体溶液真空抽滤，并把附有杂化体的混纤薄膜面与玻片紧贴，将其置于约1kg重物下保持11h。取出混纤膜与玻片放入培养皿中，在混纤膜边缘滴加异丙醇至完全浸透，在膜边缘滴加丙酮至完全溶解直到整个抽滤膜浸在丙酮中，密闭静置 30min。后吸走丙酮，取出玻璃片低倾度放置，再用乙醇清洗一次，丙酮清洗3次，平放晾干。保留一批导电玻璃不进行后处理以作对比；

(5)后处理负载玻片过程如下：在约100Pa真空环境中320℃热处理涂覆导电层的玻璃片12min，随炉冷却至室温。重复热处理8次。再将负载玻片置于浓度为10%HNO₃ 溶液中浸泡3h，之后于真空中烘干，烘干温度维持于30℃。再置于SOCl₂溶液(20%优级纯)浸泡 24h，于30℃真空烘箱中烘干。导电层厚度约为100nm。(4)检测得知经过后处理的导电玻璃透光率为89%，没有后处理的为90%。方块电阻分别为经过后处理的111Ω/cm²，没有后处理的177Ω/cm²。

实施例3：

(1)将石墨由Hummers法制备得到氧化石墨水溶液。经过29min的超声处理，得稳定分散的氧化石墨烯胶体(3mg/ml)；

(2)将等体积(12ml)，等浓度(0.3M)的柠檬酸钠和硝酸银水溶液在单口烧瓶中混合均匀，再加入390ml的氧化石墨烯(GO)水溶液和12mlN-N二甲基乙酰胺溶液。使用磁力搅拌器于常温下避光反应12h。升温至130℃反应3h。再加入11.66g柠檬酸钠，用氨水调节溶液 pH≈12，将温度降至 95℃反应6h。将产物用乙醇离心洗涤，并于广口瓶中配制1.2mg/ml的银纳米线/石墨烯杂化体溶液。作为前驱体以备后用;

(3)   选用边长为3cm，厚度为2.5mm的玻璃片浸泡在以浓硫酸(98%):双氧水(30%)=7:3(体积比)的溶液中24h，浸泡过程中要对玻璃片进行翻面。浸泡完成后使用去离子水对玻璃片进行多次清洗并用氮气吹干，然后置于0.13mol/L的3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)的甲苯溶液中浸泡1.4h。取出后用乙醇清洗干净并用氮气吹干，再将表面处理后的玻璃片在100Pa真空下100℃干燥3.5h。保存在80℃真空环境中；

(4)   取25ml前驱体溶液真空抽滤，混纤薄膜用水浸湿，并把附有石墨烯的一面与玻片紧贴，盖上另一玻片后，将其置于约1kg的重物下保持11h。取出混纤膜与玻片放入培养皿中，在混纤膜边缘滴加异丙醇至完全浸透。在混纤膜边缘滴加丙酮至完全溶解直到整个玻片和膜浸在丙酮中，密闭静置30min。后用吸管吸取丙酮，取出玻片低倾度放置，再用乙醇清洗一次，丙酮清洗 3次，平放晾干。保留一批导电玻璃不进行后处理以作对比；

(5)后处理负载玻片过程如下：在100Pa真空环境中340℃热处理涂覆有导电层的玻璃片14min，随炉冷却至室温。重复热处理9次。再将负载薄片置于浓度为10%HNO₃溶液中浸泡3h，之后于30℃真空烘箱中烘干。再置于SOCl₂溶液(20%优级纯)浸泡24h，于30℃真空烘箱中烘干。导电层厚度约为120nm。检测得知经过后处理的导电玻璃透光率为81%，没有后处理的为77%。方块电阻经过后处理的为75Ω/cm²，没有后处理的101Ω/cm²。

实施例4：

(1)将石墨由Hummers法制备得到氧化石墨水溶液。得稳定分散的氧化石墨烯胶体(3.5mg/ml)；

(2)将等体积(12ml)，等浓度(0.4M)的柠檬酸钠和硝酸银水溶液在单口烧瓶中混合均匀，再加入444ml的氧化石墨烯(GO)水溶液和12mlN-N二甲基乙酰胺溶液。使用磁力搅拌器于常温下避光反应12h。升温至130℃保持3h。再加入15.6g柠檬酸钠，用氨水调节溶液pH≈12，将温度降至 95℃恒温保持6h。将产物用乙醇离心洗涤，并于广口瓶中配制1.4mg/ml的银纳米线/石墨烯杂化体溶液。作为前驱体以备后用；

(3)选用边长为2.5cm，厚度为2.5mm的玻璃片浸泡在以浓硫酸(98%)：双氧水(30%)=7:3(体积比)的溶液中24h，浸泡过程中需要对玻璃片进行翻面。浸泡完成后使用去离子水对玻璃片进行多次清洗并用氮气吹干，然后置于0.15mol/L的3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)的甲苯溶液中浸泡1.5h。取出后用乙醇清洗干净并用氮气吹干，再将表面处理后的玻璃片在100Pa真空下110℃干燥3.5h。保存在80℃真空环境中；

(4) 取前驱体溶液35ml真空抽滤在混纤薄膜上，用水浸湿，并把膜附有石墨烯的一面与玻片紧贴，盖上另一片玻片后，将其放置于约1kg的重物下压制11h。然后取出混纤膜与玻片放入培养皿中，在混纤膜边缘滴加异丙醇至完全浸透。在混纤膜边缘上滴加丙酮至完全溶解直到整个膜浸在丙酮中，密闭静置30min。然后用吸管吸取丙酮，取出玻片低倾度放置，再用乙醇清洗一次，丙酮清洗4次，平放晾干。保留一批导电玻璃不进行后处理以作对比；

 (5)后处理负载玻片包括在约100Pa真空环境中350℃热处理涂覆有导电层的玻璃片15min，随炉冷却至室温。重复热处理10次。再将负载薄片置于浓度为10%HNO₃溶液中浸泡3h，之后于30℃真空烘箱中烘干。再置于 SOCl₂ 溶液(20%优级纯)浸泡 24h，于30℃真空烘箱中烘干。导电层厚度约为180nm。检测得知经过后处理的导电玻璃透光率为75%，没有后处理的为74%。方块电阻分别为经过后处理的54Ω/cm²，没有后处理的84Ω/cm²。

实施例5：

(1)将可膨胀石墨由Hummers法制备得到氧化石墨水溶液。经过35min的超声处理，得到稳定分散的氧化石墨烯胶体(4mg/ml)；

(2)将等体积(15ml)，等浓度(0.5M)的柠檬酸钠和硝酸银水溶液在单口烧瓶中混合均匀，再加入608ml的氧化石墨烯(GO)水溶液和15ml的N-N二甲基乙酰胺溶液。使用磁力搅拌器于常温下避光反应12h。升温至130℃保持3h。再加入24.3g柠檬酸钠，用氨水调节溶液 pH≈12，将温度降至 95℃恒温反应6h。将产物用乙醇离心洗涤，并于广口瓶中配制 1.5mg/ml 的前驱体溶液以备后用；

(3)选用边长为3cm，厚度为2.5mm的玻璃片浸泡在以浓硫酸(98%)：双氧水(30%)=7:3(体积比)的溶液中24h，浸泡过程中需要对玻璃片进行翻面。然后使用去离子水对玻璃片进行多次清洗并用氮气吹干，置于0.15mol/L的3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)的甲苯溶液中浸泡1.5h。取出后用乙醇清洗干净并用氮气吹干，再将表面处理后的玻璃片在100Pa真空下110℃干燥4h，保存在80℃真空环境中；

(4) 取45ml前驱体溶液真空抽滤，再把抽滤膜用水浸湿，使得附有石墨烯的一面与玻片紧贴，盖上另一玻片后，将其放置于约1kg的重物下压制11h。取出混纤膜与玻片放入培养皿中，在混纤膜边缘滴加异丙醇至完全浸透。在混纤膜边缘上轻轻滴加丙酮至完全溶解直到使整个膜浸在丙酮中，密闭静置30min。然后用吸管吸取丙酮，取出玻片低倾度放置，再用乙醇清洗一次，丙酮清洗4次，平放晾干。保留一批导电玻璃不进行后处理以作对比；

 (5)后处理导电玻璃过程如下：在约100Pa真空中350℃热处理涂覆有导电层的玻璃片15min，随炉冷却至室温。重复热处理10次。再将负载薄片置于浓度为10%HNO₃溶液中浸泡3h，之后于30℃真空烘箱中烘干。再置于SOCl₂溶液(20%优级纯)浸泡24h，再于30℃真空烘箱中烘干。导电层厚度约为200nm。检测得知经过后处理的导电玻璃透光率为75%，没有后处理的为73%。方块电阻分别为经过后处理后15Ω/cm²，没有后处理的31Ω/cm²。可见后处理在不影响透光率情况下明显改善了导电率。

 附图是本发明实施例5所制备的银纳米线/石墨烯杂化导电体的透射电子显微镜(TEM)图。可见前驱体中的银纳米线直径分布均一为50~55nm，长度为2~4um，插层在在石墨烯片层中，分散性良好。

Claims (9)

1.玻璃基底石墨烯/银纳米线透明导电薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

A：利用石墨制备得到氧化石墨，制成含氧化石墨2~4 mg/ml的水溶液，经过25min~35min的超声处理，得到稳定分散的氧化石墨烯胶体水溶液；

B：将等体积、等摩尔浓度的柠檬酸钠和硝酸银水溶液混合均匀，再加入一定量的氧化石墨烯胶体溶液和与柠檬酸钠溶液相同体积的N-N二甲基乙酰胺，使用磁力搅拌器于常温下避光反应12h，升温至130℃保持3h，再加入一定量柠檬酸钠或水合肼或氢碘酸或硼氢化钠或抗坏血酸，用氨水调节溶液 pH＞10，将温度降至 95℃恒温反应6h，将产物用乙醇离心洗涤，得到银纳米线/石墨烯杂化体固体，配制1~1.5mg/ml的银纳米线/石墨烯杂化体水溶液作为前驱体以备后用，所述的柠檬酸钠和硝酸银的浓度为0.1~0.5M；

C：将玻璃片浸泡在以质量浓度为98%的浓硫酸与质量浓度为30%的双氧水混合溶液中20小时以上，所述混合溶液中的体积比为浓硫酸：双氧水=7:3，在浸泡过程中对玻璃片进行翻面，浸泡完成后使用去离子水对玻璃片进行多次清洗并用氮气吹干，然后置于0.1~0.15mol/L的有机硅烷偶联剂的甲苯或乙醇溶液中浸泡 1~1.5h，取出后用乙醇清洗干净并用氮气吹干，再将表面处理后的玻璃片在100Pa真空以下80~110℃干燥3~4h，处理后需将处理好的玻片保存在真空环境中，并80℃恒温保存；

D：将银纳米线/石墨烯杂化体溶液真空抽滤，然后用水浸湿混纤抽滤膜，并把附有石墨烯的一面与玻片紧贴，盖上另一片玻片后，将其放置于约1kg的重物下压制10h以上，取出混纤膜和玻片放入培养皿中，在混纤膜边缘滴加异丙醇至完全浸透，在混纤膜边缘上滴加丙酮至完全溶解直到整个石墨烯膜浸在丙酮中，密闭静置 30min，然后用吸管吸取丙酮，取出玻片低倾斜度放置，再使用乙醇清洗一次，丙酮清洗 3~4 次，平放晾干；

E：在约100Pa真空中300~500℃热处理涂覆有银纳米线/石墨烯杂化体的玻璃片5~15min，随炉冷却至室温，重复热处理5~10次，再将涂覆有银纳米线/石墨烯杂化体的玻璃片置于浓度为10%HNO₃溶液中浸泡3h，之后于真空烘箱中烘干，烘干温度维持于30℃，再置于 质量浓度为20%SOCl₂ 溶液浸泡 24h，于30℃真空烘箱中烘干，得到玻璃基底石墨烯/银纳米线透明导电薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤A中石墨为天然鳞片石墨、膨胀石墨、人造石墨粉或可膨胀石墨中的一种或多种的混合物，石墨由Hummers法制备得到氧化石墨。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤B中以银:氧化石墨烯的质量比为1:3来调节加入氧化石墨烯杂化体溶液的量。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤B加入一定量柠檬酸钠或水合肼或氢碘酸或硼氢化钠或抗坏血酸的加入质量为氧化石墨烯的质量为10~20倍。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：其中步骤D中真空抽滤采用混合纤维素滤膜或水系微孔滤膜，规格为0.45um。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤C中的有机硅烷偶联剂为3-氨丙基三乙氧基硅烷或γ-缩水甘油醚基丙基三甲基硅烷或甲基三乙氧基硅烷或带有甲基、乙烯基、环氧基或巯基的有机硅烷偶联剂。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤B中银纳米线/石墨烯杂化体前驱体中的银纳米线直径为50~55nm，长度为2~4um，插层在石墨烯片层中。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤E中的得到的玻璃基底石墨烯/银纳米线透明导电薄膜的石墨烯层的厚度为80nm至200nm。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的步骤B全过程避光处理。