CN109473200A - 透明导电玻璃及其制备方法 - Google Patents

透明导电玻璃及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109473200A
CN109473200A CN201811520756.3A CN201811520756A CN109473200A CN 109473200 A CN109473200 A CN 109473200A CN 201811520756 A CN201811520756 A CN 201811520756A CN 109473200 A CN109473200 A CN 109473200A
Authority
CN
China
Prior art keywords
glass
layer
transparent conducting
preparation
conducting glass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811520756.3A
Other languages
English (en)
Inventor
刘忠范
单婧媛
陈召龙
高翾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Peking University
Beijing Graphene Institute BGI
Original Assignee
Peking University
Beijing Graphene Institute BGI
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Peking University, Beijing Graphene Institute BGI filed Critical Peking University
Priority to CN201811520756.3A priority Critical patent/CN109473200A/zh
Publication of CN109473200A publication Critical patent/CN109473200A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/04—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of carbon-silicon compounds, carbon or silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H01B13/0026—Apparatus for manufacturing conducting or semi-conducting layers, e.g. deposition of metal

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

提供一种透明导电玻璃，包括依次层叠的透明玻璃层、金属导电网络层和石墨烯层。还提供该透明导电玻璃的制备方法。本发明在有金属网络层的玻璃上直接生长石墨烯作为保护层与导电层的方法，所述方法可大大提高石墨烯‑金属网络透明导电玻璃的稳定性与均匀性，且该方法可以用于大规模放量生产。

Description

透明导电玻璃及其制备方法
技术领域
本发明属于材料领域，具体涉及一种石墨烯-金属网络透明导电玻璃及其制备方法。
背景技术
透明导电玻璃具有传统玻璃的透明性又兼具良好的导电性，具有极大的市场价值，被广泛用于光电领域，比如液晶显示器，触摸控制屏，智能电致变色玻璃以及太阳能电池等领域。在市售的透明导电玻璃中，氧化铟锡(ITO)导电玻璃以其高透光性，导电率等性能占据了最大的市场份额。ITO玻璃是利用溅射、蒸发等多种方法在普通玻璃上镀上一层ITO膜而成的。其中的金属铟是稀缺元素，自然储量有限，即将消耗殆尽，导致价格上涨迅速，而迅猛发展的平板显示，智能家居等市场将会加剧这一趋势，因此迫切需要寻找一种新型的透明导电材料。
当前ITO的替代材料主要有以下几种：碳纳米管(CNT)、石墨烯、金属网格及金属纳米线(NW)、导电聚合物以及上述材料的复合结构。其中金属网格及金属纳米线具有非常好的导电性与透光性，但是极易被氧化、稳定性差、不耐使用；而石墨烯与碳纳米管拥有非常好的稳定性，但是单独使用存在导电性差的问题。将石墨烯与金属网络复合制备出的透明导电材料表现出了极佳的性能，极有可能成为取代ITO的最佳选择。但是目前制备石墨烯与金属复合导电材料的方法极其有限，且大多数是采用液相的方法来制备操作过程复杂，难以放大，最重要的是此类方法面临的均匀性的问题难以解决。
发明内容
为克服现有技术的不足，制备出性能稳定的透明导电玻璃及其制备方法。
本发明一方面提供一种透明导电玻璃，包括依次层叠的透明玻璃层、金属导电网络层和石墨烯层。
根据本发明的一实施方式，所述金属导电网络层的厚度是2-300nm。
根据本发明的另一实施方式，所述金属导电网络层由铜、镍、银和金中的一种或多种形成。
根据本发明的一实施方式，所述金属导电网络层包括金属纳米线层和/金属网格层。
根据本发明的一实施方式，所述金属网格层的厚度为10-300nm，网格的线宽为2-6μm，相邻线之间间距为50-200μm。
根据本发明的另一实施方式，所述石墨烯层由1-3层石墨烯组成。
根据本发明的另一实施方式，所述透明导电玻璃的面电阻为10-2000欧方。
本发明另一方面提供一种透明导电玻璃的制备方法，包括：S1，在玻璃基底表面进行金属网络的制备，形成金属导电网络层；S2，在覆盖有所述金属导电网络层的玻璃表面生长石墨烯层。
根据本发明的一实施方式，所述金属导电网络层为金属纳米线涂覆形成或蒸镀金属网格层形成。
根据本发明的一实施方式，所述金属纳米线涂覆的方法包括喷涂、棒涂和旋涂中一种或多种形成。
根据本发明的另一实施方式，通过化学气相沉积或等离子体增强化学气相沉积生长石墨烯层。
根据本发明的另一实施方式，所述化学气相沉积的条件是：温度为1000-1100℃、常压、通入碳源生长30-120min。
根据本发明的另一实施方式，所述等离子体增强化学气相沉积的条件是：发生功率为50-400W、温度为300-800℃、压力小于200Pa、通入碳源生长5-60min。
根据本发明的另一实施方式，所述碳源为甲烷、乙烷、乙烯和乙炔中的一种或多种。
本发明提出了在玻璃表面获得金属导电网络层的方法，有效提高了导电玻璃的导电性和均匀性，并且可以放大生产。在有金属网络层的玻璃表面直接生长石墨烯层，通过金属辅助促进高质量石墨烯的生长，同时有效将石墨烯层与金属网络层相结合来提高整体均匀性和导电性，大大提高了石墨烯-金属网络的透明导电玻璃的稳定性与均匀性。特别是利用PECVD的方法沉积石墨烯，实现对金属网络层与玻璃的均匀包覆，大大的提高了稳定性，同时由于PECVD过程采用了相对较低的温度300-800℃，可以防止金属网络层在石墨烯高温生长过程中的挥发。最终得到的石墨烯-金属网络复合透明导电玻璃，具有非常好的化学稳定性与透明导电性，性能可与市售相比拟。本发明的方法，操作简单，成品率高，成本低、可以大规模放量生产，对于透明导电玻璃的发展具有重大意义。
附图说明
通过参照附图详细描述其示例实施方式，本发明的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
图1是本发明的制备透明导电玻璃的流程示意图。
图2是实施例1的涂覆金属网络后的玻璃的扫描显微镜照片。
图3是实施例1制备的透明导电玻璃的电子扫描显微镜照片。
图4是实施例1制备的透明导电玻璃的石墨烯层的拉曼光谱。
图5是实施例1制备的透明导电玻璃透过率曲线与对应面电阻。
图6是实施例1制备的透明导电玻璃的面电阻随时间的变化。
图7为实施例8的玻璃蒸镀金属网格后所拍光学显微镜照片。
具体实施方式
下面通过具体实施例对本发明进行说明，但本发明并不局限于此。
本发明的透明导电玻璃，包括依次层叠的透明玻璃层、金属导电网络层和石墨烯层。
其中，金属导电网络层的厚度是2-300nm。金属导电网络层是由铜、镍、银和金中的一种或多种形成。由于铜是石墨烯生长最佳催化剂之一，优选铜金属网络。金属导电网格层可以是金属纳米线形成的金属纳米线层，也可以是金属网格结构形成的金属网格层，或者是两者的组合。其中，当金属导电网络层包括金属网格层时，金属网格层的厚度优选为10-300nm，网格线宽为2-6μm，相邻线之间间距为50-200μm。
石墨烯层可以是1-3层或者超过3层，但当超过三层时该玻璃透过率会受到影响。
本发明的透明导电玻璃的面电阻根据透过率不同，面电阻表现为10-2000欧方。
如图1所示，本发明透明导电玻璃可以通过如下步骤形成，S1，在玻璃基底表面进行金属网络的制备，形成金属导电网络层；S2，在覆盖有所述金属导电网络层的玻璃表面生长石墨烯层。
金属导电网络层由铜、镍、银和金中的一种或多种形成。由于铜是石墨烯生长最佳催化剂之一，因此优选铜金属网络。
金属导电网络层为金属纳米线涂覆形成或蒸镀金属网格层。
生长石墨烯层，可通过普通化学气相沉积(CVD)，也可以通过化学气相沉积(PECVD)的方法来实现，优选PECVD。进行CVD的条件是：加热至1000-1100℃，根据沉积腔室体积通入50-200sccm氢气和500-1000sccm氩气，常压、通入碳源生长30-120min。进行PECVD条件可以是：将表面涂覆有金属纳米线或蒸镀有金属网格结构的玻璃，放置于PECVD沉积腔室中，加热至300-800℃，根据沉积腔室体积通入10-500sccm氢气，压力抽至小于200Pa，调整等离子体发生器功率为50-400W，稳定10min，通入碳源，其中碳源与氢气流量约为1:1，生长5-60min，即可在涂覆有金属线或蒸镀有金属网格结构的玻璃表面沉积一层至数层石墨烯层。碳源可以为甲烷、乙烷、乙烯、乙炔，优选甲烷。
本领域技术人员可以理解，除了上述必要步骤外，制备透明导电玻璃还可以包括其他辅助步骤，例如清洗步骤。在涂覆金属纳米线或蒸镀金属网格之前，对作为基底的玻璃进行清洗干燥的步骤。具体操作可以是：将玻璃基底依次用超纯水、异丙醇、丙酮各超声清洗5min，再吹干。还可以更进一步的采用等离子体清洗设备对玻璃表面进行清洗。
通过以下实施例详细解释本发明的发明构思。在下述实施例中所使用的实验方法如无特殊说明，均为常规方法；下述实施例中所用的试剂、材料等，如无特殊说明，均可从商业途径得到。
实施例1
将普通浮法玻璃依次用超纯水、异丙醇、丙酮各超声清洗5min，吹干后进行等离子体清洗，备用。
将上述步骤中得到的干净玻璃基板放入匀胶机，吸牢。将浓度为1mg/ml的铜纳米线溶液均匀喷淋到玻璃基板，并开启匀胶机，转速为2000rpm,旋涂1min。自然干燥就可以得到有铜纳米线覆盖的玻璃。
图2为实施例1的玻璃表面涂覆铜纳米线后所拍电子扫描显微镜照片。由图2可以看出，铜纳米线形成网络覆盖在玻璃表面。证明通过涂覆后可以在玻璃表面形成金属导电网络层。
然后直接在涂覆铜导电网络层的玻璃上生长石墨烯层。具体步骤如下，将得到涂有铜纳米线的玻璃放入PECVD生长室，加热衬底，衬底温度达到400℃时，以流量20sccm通入H2，生长室压强为150Pa，开启等离子体发生器功率为100W，稳定10min后，设定CH4流量为20sccm，生长10min，在涂有金属纳米线的玻璃表面覆盖一层致密质量较好的石墨烯层。
图3为实施例1制备的透明导电玻璃的电子扫描显微镜照图，由图3可以看出，所生长的石墨烯层均匀完整的包覆在铜纳米线与玻璃表面上。
图4为实施例1制备的透明导电玻璃表面上石墨烯层的拉曼光谱，由图4可以看出，生长的石墨烯质量较好，要高于还原氧化石墨烯。
图5为本发明实施例1制备的透明导电玻璃透过率曲线与对应面电阻。该实施例制备的透明导电玻璃的面电阻约150Ω/sq，从图中可以看出此透明导电玻璃具有非常好的透光性与导电性。
图6为本发明实施例1制备的透明导电玻璃导电性随时间的变化，可以看出实施例1得到的透明导电玻璃稳定性非常好，而铜纳米线在短时间内就表现出了非常明显的电阻升高。可以看出，实施例1制得的透明导电玻璃中，石墨烯层对铜钠米线起到保护作用，避免铜钠米线的氧化导致电阻增加。
实施例2
制备一种透明导电玻璃，步骤同实施例1，不同之处是用银纳米线代替铜纳米线，同样得到透光性与导电性较好的石墨烯-金属网络导电玻璃。
实施例3
制备一种透明导电玻璃，步骤同实施例1，不同之处是用金纳米线代替铜纳米线，同样得到透光性与导电性较好的石墨烯-金属网络导电玻璃。
实施例4
制备一种透明导电玻璃，步骤同实施例1，不同之处是用乙烯代替甲烷来沉积石墨烯层，同样得到透光性与导电性较好的石墨烯-金属网络导电玻璃。
实施例5
制备一种透明导电玻璃，步骤同实施例1，不同之处是用乙炔代替甲烷来沉积石墨烯层，同样得到透光性与导电性较好的石墨烯-金属网络导电玻璃。
实施例6
制备一种透明导电玻璃，步骤同实施例1，不同之处是石墨烯生长温度为580℃，同样得到透光性与导电性较好的石墨烯-金属网络导电玻璃。
实施例7
制备一种透明导电玻璃，步骤同实施例1，不同之处是石墨烯沉积时间为30min，得到导电性较好的石墨烯-金属网络导电玻璃，但透光性有所下降。
实施例8
制备一种透明导电玻璃，步骤同实施例1，不同之处是以金属网格层的蒸镀代替铜纳米线的涂覆。
首先在玻璃基板上涂覆光刻胶。具体步骤如下：将清洗干净的玻璃基板放入匀胶机，吸牢。将光刻胶溶液均匀滴涂到玻璃基板表面，并开启匀胶机，转速为4000rpm，旋涂1min。旋涂结束后在热台上110℃烘烤3min。
然后将有光刻胶的玻璃在紫外光刻机下进行曝光。具体步骤如下：将烘烤结束后的玻璃光刻胶在的一面朝上，置于紫外光刻机样品台上，再将光刻掩模板置于上方，其中掩模板为网格样式的掩模板。曝光时间为5s。曝光结束后，在显影液中显影，显影时间5s，随后在纯水中清洗20s，完成定影。
接着在有光刻胶的一面通过蒸镀的方法进行金属网格的制备。具体步骤如下：在有光刻胶的一面蒸镀金属铜，速率0.1埃每秒，蒸镀厚度100nm。蒸镀结束后，以丙酮清洗玻璃，去除光刻胶，得到表面覆盖有金属网格层的玻璃。形成的金属网格层如图7所示，金属网格层的厚度是100nm，相邻线条之间的间距是50nm。
最后以实施例1相同的方式在形成有金属网格层的玻璃表面生长石墨烯层，从而形成导电玻璃。导电玻璃的透光率为70％，面电阻为4Ω/sq，形成阻值稳定的透明导电玻璃。
实施例9
制备一种透明导电玻璃，步骤同实施例8，不同之处是用金属镍代替金属铜，同样得到透光性与导电性较好的石墨烯-金属网络导电玻璃。
实施例10
制备一种透明导电玻璃，步骤同实施例9，不同之处是以普通化学气相沉积法代替等离子体增强化学气相沉积法。具体步骤如下：将有金属镍网格的玻璃放入CVD生长室，以流量500sccm通入Ar，流量200sccm通入H2，加热衬底，衬底温度达到1000℃时，稳定10min后，通入流量为35sccm的CH4，生长60min，在有金属镍网格的玻璃表面覆盖一层质量较好的石墨烯层。
本发明在有金属网络层的玻璃上直接生长石墨烯作为保护层与导电层的方法，所述方法一方面可提高石墨烯的生长质量，另一方面可大大提高石墨烯-金属网络透明导电玻璃的稳定性与均匀性，且该方法可以用于大规模放量生产。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种透明导电玻璃，其特征在于，包括依次层叠的透明玻璃层、金属导电网络层和石墨烯层。
2.根据权利要求1所述的透明导电玻璃，其特征在于，所述金属导电网络层中的金属由铜、镍、银和金中的一种或多种形成。
3.根据权利要求1所述的透明导电玻璃，其特征在于，所述金属导电网络层包括金属纳米线层和/或金属网格层。
4.根据权利要求3所述的透明导电玻璃，其特征在于，所述金属网格层中线宽为2-6μm，相邻线之间间距为50-200μm。
5.一种透明导电玻璃的制备方法，其特征在于，包括：
S1，在玻璃基底表面进行金属网络的制备，形成金属导电网络层；
S2，在覆盖有所述金属导电网络层的玻璃表面生长石墨烯层。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述金属导电网络层为金属纳米线涂覆形成或蒸镀金属网格层形成。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，通过化学气相沉积或等离子体增强化学气相沉积生长石墨烯层。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述化学气相沉积的条件是：温度为1000-1100℃、常压、通入碳源生长30-120min。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积的条件是：发生功率为50-400W、温度为300-800℃、压力小于200Pa、通入碳源生长5-60min。
10.根据权利要求8或9所述的制备方法，其特征在于，所述碳源为甲烷、乙烷、乙烯和乙炔中的一种或多种。
CN201811520756.3A 2018-12-12 2018-12-12 透明导电玻璃及其制备方法 Pending CN109473200A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811520756.3A CN109473200A (zh) 2018-12-12 2018-12-12 透明导电玻璃及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811520756.3A CN109473200A (zh) 2018-12-12 2018-12-12 透明导电玻璃及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109473200A true CN109473200A (zh) 2019-03-15

Family

ID=65676297

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811520756.3A Pending CN109473200A (zh) 2018-12-12 2018-12-12 透明导电玻璃及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109473200A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111302651A (zh) * 2020-04-07 2020-06-19 索曼电子（深圳）有限公司 一种低辐射电加热玻璃及其制备方法
CN114080071A (zh) * 2020-08-11 2022-02-22 北京石墨烯研究院 可发热玻璃及其制作方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130048339A1 (en) * 2010-03-08 2013-02-28 William Marsh Rice University Transparent electrodes based on graphene and grid hybrid structures
CN103236320A (zh) * 2013-03-22 2013-08-07 重庆绿色智能技术研究院 金属网格-石墨烯透明电极制作方法及其用于制作触摸屏的方法
CN104739403A (zh) * 2015-04-10 2015-07-01 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 石墨烯纳米墙柔性心电电极及其制备方法
CN104934109A (zh) * 2015-06-03 2015-09-23 林州市清华·红旗渠新材料产业化发展中心 玻璃基底石墨烯/银纳米线透明导电薄膜的制备方法
CN106297966A (zh) * 2016-08-22 2017-01-04 广东纳路纳米科技有限公司 一种金属纳米线‑抗氧化材料复合的透明导电膜及其制备
CN106448923A (zh) * 2016-10-20 2017-02-22 华南师范大学 采用原位生长石墨烯包覆金属膜的复合透明电极制备方法
CN209561021U (zh) * 2018-12-12 2019-10-29 北京石墨烯研究院 透明导电玻璃

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130048339A1 (en) * 2010-03-08 2013-02-28 William Marsh Rice University Transparent electrodes based on graphene and grid hybrid structures
CN103038835A (zh) * 2010-03-08 2013-04-10 威廉马歇莱思大学 基于石墨烯的透明电极和网格混合结构
CN103236320A (zh) * 2013-03-22 2013-08-07 重庆绿色智能技术研究院 金属网格-石墨烯透明电极制作方法及其用于制作触摸屏的方法
CN104739403A (zh) * 2015-04-10 2015-07-01 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 石墨烯纳米墙柔性心电电极及其制备方法
CN104934109A (zh) * 2015-06-03 2015-09-23 林州市清华·红旗渠新材料产业化发展中心 玻璃基底石墨烯/银纳米线透明导电薄膜的制备方法
CN106297966A (zh) * 2016-08-22 2017-01-04 广东纳路纳米科技有限公司 一种金属纳米线‑抗氧化材料复合的透明导电膜及其制备
CN106448923A (zh) * 2016-10-20 2017-02-22 华南师范大学 采用原位生长石墨烯包覆金属膜的复合透明电极制备方法
CN209561021U (zh) * 2018-12-12 2019-10-29 北京石墨烯研究院 透明导电玻璃

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111302651A (zh) * 2020-04-07 2020-06-19 索曼电子（深圳）有限公司 一种低辐射电加热玻璃及其制备方法
CN114080071A (zh) * 2020-08-11 2022-02-22 北京石墨烯研究院 可发热玻璃及其制作方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105350043B (zh) 一种金属电镀法制备金属网络透明导电电极的方法
Chu et al. Spray-deposited large-area copper nanowire transparent conductive electrodes and their uses for touch screen applications
Sun et al. Graphene glass from direct CVD routes: production and applications
CN103151101B (zh) 掺杂石墨烯柔性透明电极及其制备方法
Sato et al. Conductivity of ruthenate nanosheets prepared via electrostatic self-assembly: characterization of isolated single nanosheet crystallite to mono-and multilayer electrodes
CN104505149A (zh) 一种叠层透明电极及其制备方法
CN106159040B (zh) 一种全湿法制备柔性金属网络透明电极的方法
CN104992781B (zh) 一种石墨烯基三元复合材料的制备方法
Deshmukh et al. Synthesis, spray deposition, and hot-press transfer of copper nanowires for flexible transparent electrodes
CN108707997A (zh) 还原氧化石墨烯包覆铜纳米线导电复合材料的制备方法
CN106611627A (zh) 高质量碳纳米管透明导电膜及其制备方法与应用
CN109473200A (zh) 透明导电玻璃及其制备方法
CN106448923A (zh) 采用原位生长石墨烯包覆金属膜的复合透明电极制备方法
CN103236324A (zh) 一种基于还原氧化石墨烯的柔性透明导电薄膜的制备方法
KR101500192B1 (ko) 그래핀층을 포함하는 투명전극 및 이의 제조방법
CN104464955A (zh) 规模化制备大面积、高性能石墨烯复合透明导电膜的方法
CN107275006A (zh) 还原氧化石墨烯/SnO2复合透明导电薄膜及其制备方法
CN103943790A (zh) 一种石墨烯复合柔性透明电极及其制备方法
CN107910383A (zh) 一种金属网状导电膜的制备方法
CN107610814B (zh) 一种基于超薄金属网格的透明电极及其制备方法
CN209561021U (zh) 透明导电玻璃
CN110085763A (zh) 柔性透明电极、柔性显示面板、相关制备方法及显示装置
Liu et al. A crack templated copper network film as a transparent conductive film and its application in organic light-emitting diode
Singh et al. Hybrid transparent conducting glasses made of metal nanomesh coated with metal oxide overlayer
CN105039911B (zh) 一种透明导电薄膜及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination