CN104909765B - 一种低成本、快速制备高性能Si3N4陶瓷球的方法 - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 86
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 claims abstract description 27
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 18
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 11
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 8
- 238000005469 granulation Methods 0.000 claims description 4
- 230000003179 granulation Effects 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 8
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000009694 cold isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003443 lutetium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- FIXNOXLJNSSSLJ-UHFFFAOYSA-N ytterbium(III) oxide Inorganic materials O=[Yb]O[Yb]=O FIXNOXLJNSSSLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Ceramic Products (AREA)
Abstract
本发明公开了一种低成本、快速制备高性能Si3N4陶瓷球的方法，包括如下步骤：(1)以Si粉为原料，以TiO2粉为氮化催化剂和改善陶瓷球性能的添加剂，以Al2O3‑Re2O3为助剂，其中Re＝Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu中的任意一种，按Si：TiO2：Al2O3：Re2O3的质量分数比为56～99.44％：0.22‑17.44％：0.17～13.3％：0.17～13.3％的配比经混料、干燥后，得到Si‑TiO2‑Al2O3‑Re2O3混合粉体；(2)将Si‑TiO2‑Al2O3‑Re2O3粉体通过喷雾干燥工艺进行造粒，并放入模具进行陶瓷球成型，通过冷等静压工艺获得陶瓷球坯体；(3)将Si‑TiO2‑Al2O3‑Re2O3陶瓷球坯体采用两步保温法，利用气压烧结制备高性能Si3N4陶瓷球。本发明成本低，效率高，且可以改善Si3N4陶瓷球的性能。
Description
技术领域
本发明涉及非氧化物基陶瓷材料领域，具体公开了一种低成本、快速制备高性能Si3N4陶瓷球的方法，属于制备高性能Si3N4陶瓷球的方法的创新技术。
背景技术
Si3N4陶瓷具有耐磨、耐高温、高导热等优异性能，广泛应用于LED散热基板、高速切削刀具以及轴承球等。相对于传统滚动轴承用的钢球，氮化硅陶瓷球具有低密度、耐高温、高刚性、高硬度、低热膨胀系数、自润滑性、非灾难性破坏、无磁性等优异性能，是取代钢球制造高性能滚动轴承的理想材料。
通常Si3N4陶瓷球以高纯Si3N4粉体为原料、通过气压或热等静压烧结制备，成本较高。近年来，虽然出现了以Si粉为原料，通过反应气压烧结制备Si3N4陶瓷，降低成本。但是由于Si粉氮化的速度比较缓慢，并且氮化后形成的Si3N4致密化较困难，很难获得高致密、高性能的Si3N4陶瓷。例如，Zhu等以Si粉为原料，通过反应气压烧结制备Si3N4陶瓷，首先Si粉在1400℃保温8h完成氮化，然后形成的Si3N4粉体继续升温到1900℃在10atm氮气下保温12h才能完成致密化(X.W.Zhu,Y.Zhou,K.Hirao,Z."Processing and ThermalConductivity of Sintered Reaction-Bonded Silicon Nitride.I:Effect of SiPowder Characteristics,"J.Am.Ceram.Soc.,2006,89:3331-3339)。Si粉反应气压烧结制备Si3N4陶瓷主要存在两大问题：(1)Si粉氮化时间较长，需要在1400℃保温8h；(2)Si3N4致密化困难，致密化条件过于苛刻，烧结温度较高(1900℃)、保温时间较长(12h)。如此长周期并且苛刻的制备工艺部分抵消了以Si粉为原料带来的低成本优势。
本发明通过引入TiO2催化剂加快Si粉氮化，引入TiO2-Al2O3-Re2O3(Re＝Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu)改善Si3N4致密化和性能，并使低温作为催化剂的TiO2高温下原位转化为颗粒细小的TiCxNy，进一步改善Si3N4性能，实现低成本、快速制备高性能Si3N4陶瓷球。在本发明中，在Si 粉在1400℃氮化时间从8h显著降低到1-2h，Si3N4致密化条件也变得非常缓和，原位引入的TiCxNy粒径细小并且分布均匀。
发明内容
本发明的目的在于提供一种低成本、快速制备高性能Si3N4陶瓷球的方法，本发明成本低，效率高，且可以改善Si3N4陶瓷球的性能。
本发明是通过以下技术方案予以实现的：
本发明提供的低成本、快速制备高性能Si3N4陶瓷球的方法，包括如下步骤：
(1)以Si粉为原料，以TiO2粉为氮化催化剂和改善陶瓷球性能的添加剂，以Al2O3-Re2O3为助剂，其中Re＝Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu中的任意一种，按Si：TiO2：Al2O3：Re2O3的质量分数比为56～99.44％：0.22-17.44％：0.17～13.3％：0.17～13.3％的配比经混料、干燥后，得到Si-TiO2-Al2O3-Re2O3混合粉体；
(2)将混合均匀的Si-TiO2-Al2O3-Re2O3粉体进行造粒，然后将造粒的粉体进行陶瓷球成型，再获得陶瓷球坯体；
(3)将Si-TiO2-Al2O3-Re2O3陶瓷球坯体烧结制备成高性能Si3N4陶瓷球。
上述步骤(2)将混合均匀的Si-TiO2-Al2O3-Re2O3粉体通过喷雾干燥工艺进行造粒，然后将造粒的粉体放入模具进行陶瓷球成型，最后通过冷等静压工艺获得陶瓷球坯体。
上述步骤(3)将Si-TiO2-Al2O3-Re2O3陶瓷球坯体采用两步保温法，利用气压烧结制备高性能Si3N4陶瓷球。
上述步骤(1)的Si粉纯度为95～100％，粒径为<10μm；TiO2纯度为98～100％，粒径为<10μm；Al2O3粉纯度大于98％％，Re2O3纯度大于98％。
上述步骤(1)中，Si：TiO2：Al2O3:Re2O3的质量分数比为80.75％：3.97％：7.64％:7.64％。
上述步骤(3)的两步保温法为：
(31)将Si-TiO2-Al2O3-Re2O3坯体放入石墨坩埚；
(32)以5-20℃/min的升温速率将温度升至1300～1450℃，并保温0.5～8h， 气氛为1～20atm的氮气；
(33)然后以5-20℃/min的升温速率将温度升至1600～2000℃，并保温0.5～8h，气氛为1～20atm的氮气，通过气压烧结获得高性能Si3N4陶瓷球。
上述步骤(32)以10℃/min的升温速度将温度升到1400℃保温2h，气氛为1atm的氮气。
上述步骤(33)接着再以10℃/min的升温速度升到1850℃保温4h，气氛为10atm的氮气，通过气压烧结获得高性能Si3N4陶瓷球。
上述制备得到的高性能Si3N4陶瓷球的相对密度大于95％，硬度为10～22GPa，断裂韧性为4～12MPa·m1/2，抗弯强度为400～1500Mpa。
上述制备得到的高性能Si3N4陶瓷球的相对密度大于99％，硬度为18GPa，断裂韧性为9MPa·m1/2，抗弯强度为1000Mpa。
本发明通过引入TiO2催化剂加快Si粉氮化，引入Al2O3-Re2O3改善Si3N4致密化和性能，并使低温作为氮化催化剂的TiO2在高温下原位转化为颗粒细小的TiCxNy,进一步改善Si3N4性能，与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
(1)以TiO2作为Si粉氮化的催化剂，显著加快氮化速度，在1400℃氮化时间从8h显著降低到1～2h，实现低成本、快速制备Si3N4陶瓷球；
(2)除了在低温作为氮化的催化剂，TiO2在高温下通过原位反应转化为TiCxNy，原位生成的TiCxNy具有粒径小、分布均匀等特点，可以进一步改善Si3N4陶瓷球的性能；
(3)现有技术中Si粉氮化后形成的Si3N4粉致密化需要苛刻的工艺条件，烧结温度高(1900℃)、保温时间长(12h)。而本发明以Al2O3-Re2O3为烧结助剂，氮化后形成的Si3N4粉可在温和条件下实现了致密化；
本发明的制备高性能Si3N4陶瓷球的方法是一种实现快速、低成本制备高性能的Si3N4陶瓷球的方便实用的方法。
附图说明
图1为本发明实施例1制备的Si3N4陶瓷的XRD图。
具体实施方式
下面结合说明书附图和具体实施例对本发明做进一步详细、完整地说明，但决非限制本发明，本发明也并非仅局限于下述实施例的内容，下述所使用的实验方法若无特殊说明，均为本技术领域现有常规的方法，所使用的配料或材料，如无特殊说明，均为通过商业途径可得到的配料或材料。下面给出实施案例：
实施例1：
本发明提供的制备高性能Si3N4陶瓷球的方法，包括如下步骤：
(1)以Si粉为原料，以TiO2-Al2O3-Re2O3为助剂，其中Re＝Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu中的任意一种，按Si：TiO2：Al2O3：Re2O3的质量分数比为56～99.44％：0.22-17.44％：0.17～13.3％：0.17～13.3％的配比经混料、干燥后，得到Si-TiO2-Al2O3-Re2O3混合粉体；
(2)将混合均匀的Si-TiO2-Al2O3-Re2O3粉体通过喷雾干燥工艺进行造粒，然后将造粒的粉体放入模具进行陶瓷球成型，最后通过冷等静压工艺获得具有一定致密度和强度的陶瓷球坯体；
(3)将Si-TiO2-Al2O3-Re2O3陶瓷球坯体采用两步保温法，利用气压烧结制备高性能Si3N4陶瓷球。
本实施例中，Re＝Y,具体制备高性能Si3N4陶瓷球的方法如下：
(1)以Si粉(粒径<10μm)为基体原料，以TiO2粉(粒径为<10μm)、Al2O3粉(纯度为99.9％)和Y2O3粉(纯度为99.9％)为添加剂，按照Si粉质量分数为80.75％、TiO2质量分数为3.97％、Al2O3质量分数为7.64％：Y2O3粉的质量分数为7.64％进行配料，以乙醇为溶剂，以Si3N4球为球磨介质，在球磨机上混合8h，经混料、干燥后，得到混合均匀的Si-TiO2-Al2O3-Y2O3混合粉体。
(2)将Si-TiO2-Al2O3-Y2O3混合粉体放入模具进行成型获得球形坯体，然后通过冷等静压工艺获得具有一定密度和强度的陶瓷球坯体，冷等静压成型压力200MPa，保压时间为5min。
(3)将Si-TiO2-Al2O3-Y2O3坯体放入石墨坩埚，以10℃/min的升温速度升到1400℃保温2h，气氛为1atm的氮气，接着再以10℃/min的升温速度升到1850℃保温4h，气氛为10atm的氮气，通过气压烧结获得高性能Si3N4陶瓷球。
本实施例制备得到的Si3N4陶瓷的相对密度高于99％。其XRD图谱如图1所示。硬度为18GPa，断裂韧性为9MPa·m1/2，弯曲强度为1000Mpa。
本发明通过引入TiO2催化剂加快Si粉氮化，引入TiO2-Al2O3-Re2O3改善Si3N4致密化和性能，同时TiO2在高温下原位转化为粒径细小均匀的TiCxNy，进一步改善陶瓷球性能，实现了低成本、快速制备高性能Si3N4陶瓷球。
实施例2：
本实施例中，Re＝Y,具体制备高性能Si3N4陶瓷球的方法如下：
按照Si粉质量分数为83.61％、TiO2粉质量分数为4.02％、Al2O3质量分数为3.09％、Y2O3粉质量分数为9.28％进行配料，按照实施例1方法制备Si3N4陶瓷球。制备所得陶瓷材料的相对密度为大于99％，材料的硬度为18GPa，断裂韧性为8MPa·m1/2，弯曲强度为1100Mpa。
实施例3：
本实施例中，Re＝Lu,具体制备高性能Si3N4陶瓷球的方法如下：
按照Si粉质量分数为85.1％、TiO2粉质量分数为4.5％、Al2O3质量分数为5.5％、Lu2O3粉质量分数为4.9％进行配料，按照实施例1方法制备Si3N4陶瓷。制备所得陶瓷材料的相对密度高于99％，材料的硬度为18.5GPa，断裂韧性为8.5MPa·m1/2，弯曲强度为1000Mpa。
实施例4：
本实施例中，Re＝Gd,具体制备高性能Si3N4陶瓷球的方法如下：
按照Si粉质量分数为80.75％、TiO2质量分数为3.97％、Al2O3质量分数为7.64％：Gd2O3粉的质量分数为7.64％进行配料，按照实施例1方法制备Si3N4陶瓷。制备所得陶瓷材料的相对密度大于99％，材料的硬度为17GPa，断裂韧 性为8.5MPa·m1/2，弯曲强度为900Mpa。
实施例5：
本实施例中，Re＝Y,具体制备高性能Si3N4陶瓷球的方法如下：
按照Si粉质量分数为83.48％、TiO2粉质量分数为1％、Al2O3质量分数为7.76％、Y2O3粉质量分数为7.76％进行配料，按照实施例1方法制备Si3N4陶瓷，其中首先升温至1400℃保温4h，然后升温至1800℃保温4h。制备所得陶瓷材料的相对密度大于99％，材料的硬度为16GPa，断裂韧性为9MPa·m1/2，弯曲强度为800Mpa。
实施例6：
本实施例中，Re＝La,具体制备高性能Si3N4陶瓷球的方法如下：
按照Si粉质量分数为75.55％、TiO2粉质量分数为9.65％、Al2O3质量分数为7.4％、La2O3粉质量分数为7.4％进行配料，按照实施例1方法制备Si3N4陶瓷。制备所得陶瓷材料的相对密度高于99％，材料的硬度为19GPa，断裂韧性为7.5MPa·m1/2，弯曲强度为1000Mpa。
实施例7：
本实施例中，Re＝Yb,具体制备高性能Si3N4陶瓷球的方法如下：
按照Si粉质量分数为56％、TiO2粉质量分数为17.44％、Al2O3质量分数为13.3％、Yb2O3粉质量分数为13.3％进行配料，按照实施例1方法制备Si3N4陶瓷。制备所得陶瓷材料的相对密度大于99％，材料的硬度为20GPa，断裂韧性为6MPa·m1/2，弯曲强度为800Mpa。
Claims (10)
1.一种低成本、快速制备高性能Si3N4陶瓷球的方法，其特征在于包括如
下步骤：
(1)以Si粉为原料，以TiO2粉为氮化催化剂和改善陶瓷球性能的添加剂，以Al2O3-Re2O3为助剂，其中Re＝Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu中的任意一种，按Si：TiO2：Al2O3：Re2O3的质量分数比为56～99.44％：0.22-17.44％：0.17～13.3％：0.17～13.3％的配比经混料、干燥后，得到Si-TiO2-Al2O3-Re2O3混合粉体；
(2)将混合均匀的Si-TiO2-Al2O3-Re2O3粉体进行造粒，然后将造粒的粉体进行陶瓷球成型，再获得陶瓷球坯体；
(3)将Si-TiO2-Al2O3-Re2O3陶瓷球坯体烧结制备成高性能Si3N4陶瓷球。
2.根据权利要求1所述的低成本、快速制备高性能Si3N4陶瓷球的方法，其特征在于上述步骤(2)将混合均匀的Si-TiO2-Al2O3-Re2O3粉体通过喷雾干燥工艺进行造粒，然后将造粒的粉体放入模具进行陶瓷球成型，最后通过冷等静压工艺获得陶瓷球坯体。
3.根据权利要求1所述的低成本、快速制备高性能Si3N4陶瓷球的方法，其特征在于上述步骤(3)将Si-TiO2-Al2O3-Re2O3陶瓷球坯体采用两步保温法，利用气压烧结制备高性能Si3N4陶瓷球。
4.根据权利要求1所述的低成本、快速制备高性能Si3N4陶瓷球的方法，其特征在于上述步骤(1)的Si粉纯度为95～100％，粒径为<10μm；TiO2纯度为98～100％，粒径为<10μm；Al2O3粉纯度大于98％，Re2O3纯度大于98％。
5.根据权利要求1所述的低成本、快速制备高性能Si3N4陶瓷球的方法，其特征在于上述步骤(1)中，Si：TiO2：Al2O3:Re2O3的质量分数比为80.75％：3.97％：7.64％:7.64％。
6.根据权利要求3所述的低成本、快速制备高性能Si3N4陶瓷球的方法，其特征在于上述步骤(3)的两步保温法为：
(31)将Si-TiO2-Al2O3-Re2O3坯体放入石墨坩埚；
(32)以5-20℃/min的升温速率将温度升至1300～1450℃，并保温0.5～8h，气氛为1～20atm的氮气；
(33)然后以5-20℃/min的升温速率将温度升至1600～2000℃，并保温0.5～8h，气氛为1～20atm的氮气，通过气压烧结获得高性能Si3N4陶瓷球。
7.根据权利要求6所述的低成本、快速制备高性能Si3N4陶瓷球的方法，其特征在于上述步骤(32)以10℃/min的升温速度将温度升到1400℃保温2h，气氛为1atm的氮气。
8.根据权利要求7所述的低成本、快速制备高性能Si3N4陶瓷球的方法，其特征在于上述步骤(33)接着再以10℃/min的升温速度升到1850℃保温4h，气氛为10atm的氮气，通过气压烧结获得高性能Si3N4陶瓷球。
9.根据权利要求1至8任一项所述的低成本、快速制备高性能Si3N4陶瓷球的方法，其特征在于上述制备得到的高性能Si3N4陶瓷球的相对密度大于95％，硬度为10～22GPa，断裂韧性为4～12MPa·m1/2，抗弯强度为400～1500Mpa。
10.根据权利要求9所述的低成本、快速制备高性能Si3N4陶瓷球的方法，其特征在于上述制备得到的高性能Si3N4陶瓷球的相对密度大于99％，硬度为18GPa，断裂韧性为9MPa·m1/2，抗弯强度为1000Mpa。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510293845.9A CN104909765B (zh) | 2015-06-01 | 2015-06-01 | 一种低成本、快速制备高性能Si3N4陶瓷球的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510293845.9A CN104909765B (zh) | 2015-06-01 | 2015-06-01 | 一种低成本、快速制备高性能Si3N4陶瓷球的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104909765A CN104909765A (zh) | 2015-09-16 |
| CN104909765B true CN104909765B (zh) | 2017-10-24 |
Family
ID=54079275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510293845.9A Active CN104909765B (zh) | 2015-06-01 | 2015-06-01 | 一种低成本、快速制备高性能Si3N4陶瓷球的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104909765B (zh) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105254307B (zh) * | 2015-10-21 | 2017-09-22 | 广东工业大学 | 一种制备Si3N4‑O’‑Sialon‑TiN陶瓷球材料的方法 |
| CN105732063A (zh) * | 2016-01-11 | 2016-07-06 | 梁小利 | 一种导热性优异的氮化硅陶瓷材料及其制备方法 |
| CN105948783B (zh) * | 2016-01-14 | 2018-09-25 | 广东工业大学 | 一种Si2N2O-Si3N4-TiN多孔陶瓷的制备方法 |
| CN105601283B (zh) * | 2016-01-29 | 2018-06-26 | 广东工业大学 | 一种导电网络结构Si3N4陶瓷的制备方法 |
| CN106278279A (zh) * | 2016-07-30 | 2017-01-04 | 余姚市巧迪电器厂 | 一种硼化钛基复合陶瓷模具材料及其制备方法 |
| CN108046808B (zh) * | 2018-01-05 | 2020-08-11 | 广东工业大学 | 一种Si3N4梯度材料及其制备方法 |
| CN108558411B (zh) * | 2018-05-31 | 2020-04-28 | 广东工业大学 | 一种Si3N4陶瓷及其制备方法 |
| CN109400176A (zh) * | 2018-09-27 | 2019-03-01 | 广东工业大学 | 一种高性能氮化硅陶瓷及其制备方法和应用 |
| CN109970454A (zh) * | 2019-03-20 | 2019-07-05 | 广东工业大学 | 一种过渡金属氧化物抑制氮化硅相变的方法及其制得的氮化硅陶瓷 |
| CN110483062A (zh) * | 2019-08-21 | 2019-11-22 | 广东工业大学 | 一种高性能氮化硅陶瓷及其制备方法和应用 |
| CN110922193A (zh) * | 2019-12-20 | 2020-03-27 | 上海步进精密陶瓷有限公司 | 一种氮化硅陶瓷球的制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104163633A (zh) * | 2014-07-04 | 2014-11-26 | 广东工业大学 | 一种低成本、快速制备高导热Si3N4陶瓷的方法 |
-
2015
- 2015-06-01 CN CN201510293845.9A patent/CN104909765B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104909765A (zh) | 2015-09-16 |
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
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