CN104926317A - 一种高韧性Si3N4陶瓷的制备方法 - Google Patents

一种高韧性Si3N4陶瓷的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104926317A
CN104926317A CN201510293605.9A CN201510293605A CN104926317A CN 104926317 A CN104926317 A CN 104926317A CN 201510293605 A CN201510293605 A CN 201510293605A CN 104926317 A CN104926317 A CN 104926317A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pottery
high tenacity
crystal seed
powder
preparation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510293605.9A
Other languages
English (en)
Inventor
郭伟明
熊明
伍尚华
蒋强国
古尚贤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangdong University of Technology
Original Assignee
Guangdong University of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangdong University of Technology filed Critical Guangdong University of Technology
Priority to CN201510293605.9A priority Critical patent/CN104926317A/zh
Publication of CN104926317A publication Critical patent/CN104926317A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

本发明公开了一种高韧性Si3N4陶瓷的制备方法。包括如下步骤：(1)以Si3N4粉体为原料，以β-Si3N4为晶种，以Re2O3为烧结助剂，其中β-Si3N4晶种为自制的具有特定形貌的β-Si3N4晶种，其长径比为3.0-5.0，直径为0.30-0.60μm，Re＝Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu中的任一种，Si3N4粉体、β-Si3N4晶种和Re2O3的质量分数比为：Si3N4粉体75-98wt％，β-Si3N4晶种1-10wt％，Re2O31-15wt％；(2)将Si3N4粉体、β-Si3N4晶种和Re2O3进行混料：(3)再经干燥、高温热压烧结后，获得高韧性的Si3N4陶瓷。烧结温度为1700-1900℃，保温0.5-4h。本发明制备的高韧性Si3N4陶瓷的相对密度高于95％，利用压痕法测量的断裂韧性为5～10MPa·m1/2，且保持了高硬度和抗弯强度等优异的综合力学性能。

Description

一种高韧性Si3N4陶瓷的制备方法
技术领域
本发明涉及非氧化物基陶瓷材料领域，具体公开了一种高韧性Si3N4陶瓷的制备方法。
背景技术
Si3N4陶瓷具有耐磨、耐高温、高导热等优异性能，广泛应用于LED散热基板、高速切削刀具以及发动机关键零部件等。然而，固有的高脆性、低韧性极大限制了Si3N4陶瓷的应用。
为了改善Si3N4陶瓷的断裂韧性，科研人员主要从“显微结构设计”方面着手进行研究，通过在Si3N4陶瓷形成长棒状晶粒，实现自增韧，获得高韧性Si3N4陶瓷。实现自增韧结构，主要有两种方法：(1)在Si3N4粉体中添加合适的Re2O3(Re＝Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu)、MgO或Al2O3为添加剂，高温烧结后，添加剂可以促进Si3N4晶粒发育成长棒状；(2)在Si3N4粉体中直接添加具有棒状形貌的β-Si3N4晶种，高温烧结后，也可以促进Si3N4晶粒发育成长棒状。例如，Hirao等通过在Si3N4基体中添加长柱状的晶种，氮化硅的断裂韧性从6.3MPa·m1/2提升到了8.4-8.7MPa·m1/2，同时保持1GPa的抗弯强度[Kiyoshi Hirao,Takaaki Nagaoka,ManuelE.Brito,and Shuzo Kanzaki.Microstructure Control of Silicon Nitrideby Seeding with Rodlikeβ-Silicon Nitride Particles.J Am Ceram Soc 77[7]1857-62(1994)]。
大量研究已经证实，在Si3N4粉体中添加具有棒状形貌的β-Si3N4晶种，可以有效地提升Si3N4陶瓷的断裂韧性。然而，β-Si3N4晶种的形貌各种各样，有长纤维状，也有短棒状，具体形貌依赖于β-Si3N4晶种的长径比和直径。那么，什么样形貌的β-Si3N4晶种可以最大程度改善Si3N4陶瓷的断裂韧性，这方面还未见具体的报道。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高韧性Si3N4陶瓷的制备方法。本发明能大幅度提高Si3N4陶瓷的断裂韧性，同时还保持了Si3N4陶瓷的高硬度和高强度等优异的综合力学性能。
本发明是通过以下技术方案予以实现的：
本发明提供的一种高韧性Si3N4陶瓷的制备方法，包括如下步骤：
(1)以Si3N4粉体为原料，以β-Si3N4为晶种，以Re2O3为烧结助剂，其中β-Si3N4晶种为自制的具有特定形貌的β-Si3N4晶种，其长径比为3.0-5.0，直径为0.30-0.60μm，Re＝Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu中的任一种，Re＝Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu中的任一种，Si3N4粉体、β-Si3N4晶种和Re2O3的质量分数比为：
Si3N4粉体  75-98wt％
β-Si3N4晶种  1-10wt％
Re2O3  1-15wt％
(2)将Si3N4粉体、β-Si3N4晶种和Re2O3进行混料：
(3)再经干燥、高温热压烧结后，获得高韧性的Si3N4陶瓷。
上述步骤(1)的Si3N4粉体的纯度为95～100％，粒径为<10μm。
上述步骤(1)的Re2O3的纯度为99.9％。
上述步骤(1)的自制的具有特定形貌的β-Si3N4晶种的长径比为4.2，直径为0.44μm。
上述步骤(1)的Si3N4粉体、β-Si3N4晶种和Re2O3的质量分数比为87wt％：3wt％：10wt％。
上述步骤(3)的高温热压烧结方法为：
(31)将混合干燥的Si3N4粉体、β-Si3N4晶种和Re2O3放入石墨模具；
(32)以10℃/min的升温速率将温度升至1700-1900℃并保温0.5～4h，气氛为氮气，载荷为15-50MPa；
(33)通过热压烧结获得高韧性Si3N4陶瓷。
上述步骤(32)以10℃/min的升温速率将温度升至1800℃并保温2h，气氛为氮气，载荷为30MPa。
上述制备得到的高韧性Si3N4陶瓷的相对密度大于95％，维氏硬度为10～20GPa，利用压痕法测量的断裂韧性为5～10MPa·m1/2，三点抗弯强度为500～1000Mpa。
上述制备得到的高韧性Si3N4陶瓷的相对密度为99.6％，维氏硬度为16.3GPa，利用压痕法测量的断裂韧性为9.7MPa·m1/2，三点抗弯强度为785Mpa。
本发明通过在Si3N4粉体中加入自制的具有特定形貌的β-Si3N4为晶种(长径比为3.0-5.0，直径为0.30-0.60μm)，获得了高韧性Si3N4陶瓷，本发明与现有技术相比，具有如下有益效果：
(1)本发明通过在Si3N4粉体中加入自制的具有特定形貌的β-Si3N4为晶种，大幅度地提高了Si3N4陶瓷断裂韧性，与未加晶种相比，断裂韧性提高了100％；
(2)本发明所制备的高韧性Si3N4陶瓷，同时还保持了高硬度和高强度等优异的综合力学性能。
附图说明
图1为本发明实施例1制备的Si3N4陶瓷断面的SEM图。
图2为本发明实施例1制备的Si3N4陶瓷抛光面的SEM图。
具体实施方式
下面结合说明书附图和具体实施例对本发明做进一步详细、完整地说明，但决非限制本发明，本发明也并非仅局限于下述实施例的内容，下述所使用的实验方法若无特殊说明，均为本技术领域现有常规的方法，所使用的配料或材料，如无特殊说明，均为通过商业途径可得到的配料或材料。下面给出实施案例：
实施例1
本发明的高韧性Si3N4陶瓷的制备方法，包括如下步骤：
(1)以Si3N4粉体为原料，以β-Si3N4为晶种，以Re2O3为烧结助剂，其中β-Si3N4晶种为自制的具有特定形貌的β-Si3N4晶种，其长径比为3.0-5.0，直径为0.30-0.60μm，Re＝Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu中的任一种，Si3N4粉体、β-Si3N4晶种和Re2O3的质量分数比为：
Si3N4粉体  75-98wt％
β-Si3N4晶种  1-10wt％
Re2O3  1-15wt％
(2)将Si3N4粉体、β-Si3N4晶种和Re2O3进行混料：
(3)再经干燥、高温热压烧结后，获得高韧性的Si3N4陶瓷。
本实施例中，Re＝Lu，制备高韧性Si3N4陶瓷的具体方法如下：
(1)以Si3N4粉体(粒径<10μm)为原料，以自制的长径比4.2、直径为0.44μm的β-Si3N4为晶种，以Lu2O3(纯度为99.9％)为烧结助剂；
(2)按照Si3N4粉质量分数为87wt％、β-Si3N4晶种质量分数为3wt％、Lu2O3的质量分数比为10wt％进行配料，以乙醇为溶剂，以Si3N4球为球磨介质，在辊式球磨机上混合24h，经混料、干燥后，以10℃/min的升温速度将温度升到1800℃保温2h，经高温热压烧结获得高韧性Si3N4陶瓷
本实施例制备得到的Si3N4陶瓷的相对密度达到99.6％。其断面和抛光面的显微结构如图1和图2所示。维氏硬度为16.3GPa，利用压痕法测量的断裂韧性为9.7MPa·m1/2，三点抗弯强度为785Mpa。
实施例2
本实施例中，Re＝Lu，制备高韧性Si3N4陶瓷的具体方法如下：
以自制的长径比4.2、直径为0.44μm的β-Si3N4为晶种，以Lu2O3(纯度为99.9％)为烧结助剂，按照Si3N4粉质量分数为75wt％、β-Si3N4晶种质量分数为10wt％、Lu2O3的质量分数比为15wt％进行配料，按照实施例1方法制备Si3N4陶瓷。制备所得陶瓷材料的相对密度为97％，维氏硬度为14.3GPa，利用压痕法测量的断裂韧性为8.5MPa·m1/2，三点抗弯强度为685Mpa。
实施例3
本实施例中，Re＝Lu，制备高韧性Si3N4陶瓷的具体方法如下：
以自制的长径比4.2、直径为0.44μm的β-Si3N4为晶种，以Lu2O3(纯度为99.9％)为烧结助剂，按照Si3N4粉质量分数为90wt％、β-Si3N4晶种质量分数为1wt％、Lu2O3的质量分数比为9wt％进行配料，按照实施例1方法制备Si3N4陶瓷。制备所得陶瓷材料的相对密度为99％，维氏硬度为17.3GPa，利用压痕法测量的断裂韧性为8.7MPa·m1/2，三点抗弯强度为860Mpa。
实施例4
本实施例中，Re＝Ce，制备高韧性Si3N4陶瓷的具体方法如下：
以自制的长径比4.2、直径为0.44μm的β-Si3N4为晶种，以Ce2O3(纯度为99.9％)为烧结助剂，按照Si3N4粉质量分数为87wt％、β-Si3N4晶种质量分数为3wt％、Ce2O3的质量分数比为10wt％进行配料，按照实施例1方法制备Si3N4陶瓷。制备所得陶瓷材料的相对密度为99％，维氏硬度为16.8GPa，利用压痕法测量的断裂韧性为9.1MPa·m1/2，三点抗弯强度为720Mpa。
实施例5
本实施例中，Re＝Y，制备高韧性Si3N4陶瓷的具体方法如下：
以自制的长径比4.2、直径为0.44μm的β-Si3N4为晶种，以Y2O3(纯度为99.9％)为烧结助剂，按照Si3N4粉质量分数为87wt％、β-Si3N4晶种质量分数为3wt％、Lu2O3的质量分数比为10wt％进行配料，按照实施例1方法制备Si3N4陶瓷，其中最高烧结温度为1900℃。制备所得陶瓷材料的相对密度为100％，维氏硬度为15.5GPa，利用压痕法测量的断裂韧性为9.9MPa·m1/2，三点抗弯强度为740Mpa。
实施例6
本实施例中，Re＝Lu，制备高韧性Si3N4陶瓷的具体方法如下：
以自制的长径比3.0、直径为0.3μm的β-Si3N4为晶种，按照Si3N4粉质量分数为87wt％、β-Si3N4晶种质量分数为3wt％、Lu2O3的质量分数比为10wt％进行配料，按照实施例1方法制备Si3N4陶瓷。制备所得陶瓷材料的相对密度为99％，维氏硬度为17.3GPa，利用压痕法测量的断裂韧性为9.2MPa·m1/2，三点抗弯强度为850Mpa。
实施例7
本实施例中，Re＝La，制备高韧性Si3N4陶瓷的具体方法如下：
以自制的长径比5.0、直径为0.6μm的β-Si3N4为晶种，按照Si3N4粉质量分数为87wt％、β-Si3N4晶种质量分数为3wt％、La2O3的质量分数比为10wt％进行配料，按照实施例1方法制备Si3N4陶瓷。制备所得陶瓷材料的相对密度为98％，维氏硬度为16.0GPa，利用压痕法测量的断裂韧性为9.0MPa·m1/2，三点抗弯强度为700Mpa。

Claims (9)

1.一种高韧性Si3N4陶瓷的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
(1)以Si3N4粉体为原料，以β-Si3N4为晶种，以Re2O3为烧结助剂，其中β-Si3N4晶种为自制的具有特定形貌的β-Si3N4晶种，其长径比为3.0-5.0，直径为0.30-0.60μm，Re＝Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu中的任一种，Si3N4粉体、β-Si3N4晶种和Re2O3的质量分数比为：
Si3N4粉体    75-98wt％
β-Si3N4晶种   1-10wt％
Re2O3    1-15wt％
(2)将Si3N4粉体、β-Si3N4晶种和Re2O3进行混料：
(3)再经干燥、高温热压烧结后，获得高韧性的Si3N4陶瓷。
2.根据权利要求1所述的高韧性Si3N4陶瓷的制备方法，其特征在于上述步骤(1)的Si3N4粉体的纯度为95～100％，粒径为<10μm。
3.根据权利要求1所述的高韧性Si3N4陶瓷的制备方法，其特征在于上述步骤(1)的Re2O3的纯度为99.9％。
4.根据权利要求1所述的高韧性Si3N4陶瓷的制备方法，其特征在于上述步骤(1)的自制的具有特定形貌的β-Si3N4晶种的长径比为4.2，直径为0.44μm。
5.根据权利要求1所述的高韧性Si3N4陶瓷的制备方法，其特征在于上述步骤(1)的Si3N4粉体、β-Si3N4晶种和Re2O3的质量分数比为87wt％：3wt％：10wt％。
6.根据权利要求1所述的高韧性Si3N4陶瓷的制备方法，其特征在于上述步骤(3)的高温热压烧结方法为：
(31)将混合干燥的Si3N4粉体、β-Si3N4晶种和Re2O3放入石墨模具；
(32)以10℃/min的升温速率将温度升至1700-1900℃并保温0.5～4h，气氛为氮气，载荷为15-50MPa；
(33)通过热压烧结获得高韧性Si3N4陶瓷。
7.根据权利要求7所述的高韧性Si3N4陶瓷的制备方法，其特征在于上述步骤(32)以10℃/min的升温速率将温度升至1800℃并保温2h，气氛为氮气，载荷为30MPa。
8.根据权利要求1至7任一项所述的高韧性Si3N4陶瓷的制备方法，其特征在于上述制备得到的高韧性Si3N4陶瓷的相对密度大于95％，维氏硬度为10～20GPa，利用压痕法测量的断裂韧性为5～10MPa·m1/2，三点抗弯强度为500～1000Mpa。
9.根据权利要求8所述的高韧性Si3N4陶瓷的制备方法，其特征在于上述制备得到的高韧性Si3N4陶瓷的相对密度为99.6％，维氏硬度为16.3GPa，利用压痕法测量的断裂韧性为9.7MPa·m1/2，三点抗弯强度为785Mpa。
CN201510293605.9A 2015-06-01 2015-06-01 一种高韧性Si3N4陶瓷的制备方法 Pending CN104926317A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510293605.9A CN104926317A (zh) 2015-06-01 2015-06-01 一种高韧性Si3N4陶瓷的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510293605.9A CN104926317A (zh) 2015-06-01 2015-06-01 一种高韧性Si3N4陶瓷的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104926317A true CN104926317A (zh) 2015-09-23

Family

ID=54113779

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510293605.9A Pending CN104926317A (zh) 2015-06-01 2015-06-01 一种高韧性Si3N4陶瓷的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104926317A (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105622107A (zh) * 2015-12-23 2016-06-01 广东工业大学 一种表硬心韧高性能Si3N4梯度陶瓷球材料的制备方法
CN105622108A (zh) * 2015-12-23 2016-06-01 广东工业大学 一种原位合成Si3N4-Si2N2O-TiN三元复合粉体的方法
CN105948761A (zh) * 2016-04-29 2016-09-21 广东工业大学 一种等轴状β-Si3N4+TiN+O′-Sialon复相陶瓷材料及其制备方法
CN106904977A (zh) * 2017-03-20 2017-06-30 广东工业大学 一种两步烧结法制备表硬心韧Si3N4陶瓷材料的方法
CN109369193A (zh) * 2018-09-30 2019-02-22 广东工业大学 一种具有高硬、高韧性能的氮化硅陶瓷及其制备方法和应用
CN110156476A (zh) * 2019-04-26 2019-08-23 广东工业大学 一种高硬高韧氮化硅基陶瓷及其制备方法和应用
CN115849918A (zh) * 2021-09-27 2023-03-28 赛默肯(苏州)电子新材料有限公司 氮化硅陶瓷材料、基板及其原料组合物、制备方法和应用
CN116768637A (zh) * 2023-06-20 2023-09-19 河北鼎瓷电子科技有限公司 一种高韧性高强度高导热的氮化硅陶瓷基板的制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103848627A (zh) * 2012-11-28 2014-06-11 大连大友高技术陶瓷有限公司 一种氮化硅陶瓷

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103848627A (zh) * 2012-11-28 2014-06-11 大连大友高技术陶瓷有限公司 一种氮化硅陶瓷

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
D.BUCEVAC ET AL.: "Microstructure and Toughness of Seeded Hot-Pressed Si3N4 Cramics", 《J. MATER. SCI. TECHNOL.》 *
于方丽 等: "烧结助剂及β-SI3N4添加量对多孔氮化硅陶瓷性能的影响", 《人工晶体学报》 *

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105622107A (zh) * 2015-12-23 2016-06-01 广东工业大学 一种表硬心韧高性能Si3N4梯度陶瓷球材料的制备方法
CN105622108A (zh) * 2015-12-23 2016-06-01 广东工业大学 一种原位合成Si3N4-Si2N2O-TiN三元复合粉体的方法
CN105622108B (zh) * 2015-12-23 2018-11-09 广东工业大学 一种原位合成Si3N4-Si2N2O-TiN三元复合粉体的方法
CN105622107B (zh) * 2015-12-23 2019-02-01 广东工业大学 一种表硬心韧高性能Si3N4梯度陶瓷球材料的制备方法
CN105948761A (zh) * 2016-04-29 2016-09-21 广东工业大学 一种等轴状β-Si3N4+TiN+O′-Sialon复相陶瓷材料及其制备方法
CN105948761B (zh) * 2016-04-29 2018-09-07 广东工业大学 一种等轴状β-Si3N4+TiN+O′-Sialon复相陶瓷材料及其制备方法
CN106904977A (zh) * 2017-03-20 2017-06-30 广东工业大学 一种两步烧结法制备表硬心韧Si3N4陶瓷材料的方法
CN106904977B (zh) * 2017-03-20 2020-09-25 广东工业大学 一种两步烧结法制备表硬心韧Si3N4陶瓷材料的方法
CN109369193A (zh) * 2018-09-30 2019-02-22 广东工业大学 一种具有高硬、高韧性能的氮化硅陶瓷及其制备方法和应用
CN110156476A (zh) * 2019-04-26 2019-08-23 广东工业大学 一种高硬高韧氮化硅基陶瓷及其制备方法和应用
CN115849918A (zh) * 2021-09-27 2023-03-28 赛默肯(苏州)电子新材料有限公司 氮化硅陶瓷材料、基板及其原料组合物、制备方法和应用
CN116768637A (zh) * 2023-06-20 2023-09-19 河北鼎瓷电子科技有限公司 一种高韧性高强度高导热的氮化硅陶瓷基板的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104926317A (zh) 一种高韧性Si3N4陶瓷的制备方法
CN105016738B (zh) 氮化硅陶瓷及其制备方法
CN101215173B (zh) 一种ZrB2-SiC-ZrC复相陶瓷材料的制备方法
CN101456737B (zh) 一种碳化硼基复合陶瓷及其制备方法
CN104909765A (zh) 一种低成本、快速制备高性能Si3N4陶瓷球的方法
Yang et al. Comparative study of fluoride and non-fluoride additives in high thermal conductive silicon nitride ceramics fabricated by spark plasma sintering and post-sintering heat treatment
Lan et al. Mechanical properties and thermal conductivity of dense β-SiAlON ceramics fabricated by two-stage spark plasma sintering with Al2O3-AlN-Y2O3 additives
CN103130508A (zh) 一种制备织构化硼化物基超高温陶瓷的方法
CN104163633A (zh) 一种低成本、快速制备高导热Si3N4陶瓷的方法
CN105622107A (zh) 一种表硬心韧高性能Si3N4梯度陶瓷球材料的制备方法
Zhao et al. Effects of Y2O3–MgO nanopowders content on mechanical and dielectric properties of porous BN/Si3N4 composites
CN102951906A (zh) 一种制备自增韧氮化硅陶瓷的方法
CN109942302A (zh) 一种硼化物增强增韧氮化硅陶瓷及其制备方法
Ding et al. Microstructure, mechanical properties and sintering mechanism of pressureless-sintered porous Si3N4 ceramics with YbF3-MgF2 composite sintering aids
CN113105252A (zh) 一种制备氮化硅陶瓷的烧结助剂及其应用、氮化硅陶瓷的制备方法
Duan et al. Effect of solid contents on the mechanical properties of SiC–10 wt.% AlN ceramic composites prepared by gelcasting
Ye et al. Synthesis of silicon nitride-barium aluminosilicate self-reinforced ceramic composite by a two-step pressureless sintering
Ye et al. Synthesis of 30 wt% BAS/Si3N4 composite by spark plasma sintering
WO2015019992A1 (ja) 炭化ホウ素セラミックス及びその作製法
Yang et al. Optical and mechanical properties of Mg-doped sialon composite with La2O3 as additive
US20030211930A1 (en) Reaction synthesis of silicon carbide-boron nitride composites
Li et al. Effect of magnesium titanate content on microstructures, mechanical performances and dielectric properties of Si3N4-based composite ceramics
Ma et al. Processing and microstructure characterization of liquid-phase-sintered, α-SiC matrix composites
Santos et al. α-SiAlON–SiC composites obtained by gas-pressure sintering and hot-pressing
Souza et al. Development of α-SiAlON-SiC ceramic composites by liquid phase sintering

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20150923