CN104874922A - 激光束照射设备及使用其的有机发光显示设备的制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种激光束照射设备以及使用其的有机发光显示设备的制造方法。所述激光束照射设备包括激光源、用于控制通过激光源生成的光的能量的控制器、用于调节已通过控制器的光的形状的第一光学系统、用于调节已通过第一光学系统的光的方向的扫描器、和用于缩小已通过扫描器的光束的F-θ镜头。

Description

激光束照射设备及使用其的有机发光显示设备的制造方法
相关申请的交叉引用
于2014年2月27日在韩国知识产权局提交的名称为“激光束照射设备及使用其的有机发光显示设备的制造方法”的第10-2014-0023712号韩国专利申请通过引用整体地并入本文。
技术领域
一个或多个实施方式涉及激光束照射设备和使用该激光束照射设备的有机发光显示设备的制造方法。
背景技术
显示装置可以包括便携式平板显示装置。例如，平板显示装置可以包括具有宽视角、高对比度和快速的响应速度的电致发光显示装置。作为下一代显示装置，电致发光显示装置的这些优点吸引了公众的注意。
例如，电致发光显示装置可以包括有机发光显示装置，有机发光显示装置包括具有有机材料的发射层。这些发射层相比于无机发光显示装置表现出了增强的亮度、更高的驱动电压和更快的响应速度，并且能够显示多色。
传统的有机发光显示装置可以具有插入于阳极与阴极之间的一个或多个有机层，一个或多个有机层包括发射层。随着阴极的厚度减小，阴极的电阻增加并且IR压降的发生也随之增加，由此导致了减小的亮度。因此，采用了通过将辅助电极与阴极连接而减小阴极电阻进而减小IR压降的方法。
发明内容
一个或多个实施方式包括激光束照射设备和使用该激光束照射设备的有机发光显示设备的制造方法。
根据一个或多个实施方式，激光束照射设备包括激光源、用于控制通过激光源生成的光的能量的控制器、用于调节已通过控制器的光的形状的第一光学系统、用于调节已通过第一光学系统的光的方向的扫描器、和用于缩小已通过扫描器的光束的F-θ镜头。
控制器可以包括声光调制器(AOM)。
第一光学系统可以包括用于传送已通过控制器的光的一部分的第一缝隙、和用于减小已通过第一缝隙的光的横截面的尺寸的减小器。
第一光学系统可以包括用于传送已通过控制器的光的一部分的第二缝隙、和用于将已通过第二缝隙的光转换成平顶光束的均化器。
第一光学系统可以包括用于传送已通过控制器的光的一部分的第三缝隙、和用于调节已通过第三缝隙的光的横截面的尺寸的变焦光束扩展器。
第一光学系统、扫描器和F-θ镜头可以构成第一组，并且可以布置有多个第一组，分光光学系统可以被布置在控制器与第一组之间，并且通过分光光学系统拆分的每束光可以被入射到第一组中的每一个。
分光光学系统可以包括一个或多个半透明镜。
根据另一个实施方式，制造有机发光显示设备的方法可以包括：形成辅助电极；将中间层形成在辅助电极上；通过使用激光束照射设备照射激光束而将接触孔形成在中间层上，其中激光束照射设备包括激光源、用于控制通过激光源生成的光的能量的控制器、用于调节已通过控制器的光的形状的第一光学系统、用于调节已通过第一光学系统的光的方向的扫描器、和用于缩小已通过扫描器的光束的F-θ镜头；以及通过将阴极形成在中间层上而使辅助电极与阴极通过接触孔接触。
在照射激光束的工艺中生成的颗粒可以气体形式被释放。
颗粒的尺寸可以小于20nm。
控制器可以包括声光调制器(AOM)。
第一光学系统、扫描器和F-θ镜头可以构成第一组，并且可以布置有多个第一组，分光光学系统可以被布置在控制器与第一组之间，并且通过分光光学系统拆分的每个光可以被入射到第一组中的每一个。
阴极可以包括锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)、氟化锂(LiF)/铝(Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、镱(Yb)、或其化合物。
阴极的厚度可以不小于且不大于
形成接触孔的步骤可以在真空中被执行。
根据另一个实施方式，制造有机发光显示设备的方法包括：形成辅助电极；将中间层形成在辅助电极上；朝着中间层照射激光束以穿过中间层形成接触孔；以及将阴电极形成在中间层上和接触孔中，以使得阴电极通过接触孔与辅助电极接触，其中，照射激光束的步骤被执行在真空中，并且包括：朝着中间层照射激光源生成的光；控制通过激光源生成的光的能量；调节通过激光源生成的光的形状和方向；以及缩小调节后的光束。
附图说明
通过参照附图详细描述示例性实施方式，特征对于本领域的普通技术人员将变得明确，在附图中：
图1示出了根据实施方式的激光束照射设备的示意图；
图2示出了根据另一实施方式的激光束照射设备的示意图；
图3示出了根据另一实施方式的激光束照射设备的示意图；
图4示出了根据另一实施方式的激光束照射设备的示意图；
图5示出了根据实施方式的具有辅助电极的有机发光显示设备的局部剖视图；以及
图6A至图6D示出了根据实施方式的有机发光显示设备的制造方法中的阶段。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更加全面地描述示例性实施方式；然而，实施方式可以不同的形式实施，并且不应被解释成受限于本文中记载的实施方式。相反，提供这些实施方式，使得本公开将是彻底和完整的，并且将充分地将示例性实现方式传达给本领域的技术人员。
应理解，虽然措辞“第一”、“第二”等可以在本文中用于描述多个部件，但是这些部件不应受这些措辞的限制。这些措辞只是用于将一个部件与另一个部件区分开。
除非上下文中另有明确定义，否则单数表述包括复数表述。如本文中所使用，措辞“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任意和所有组合。另外，在下面的实施方式中，还应理解，本文中使用的措辞“包括”和/或“具有”是指所述特征或部件的存在，而不是排除一个或多个其它特征或部件的存在或附加。
在附图中为了图示的清楚起见，层和区域的尺寸可以被夸大。也应理解，当元件例如层、区域、或部件被称为位于另一个元件“上方”或“上”时，该元件可以直接在另一个元件上方或在另一个元件上，或者也可以存在有中间元件。此外，也应理解，当元件被称为位于两个元件“之间”时，该元件可以是两个元件之间仅有的元件，或者也可以存在有一个或多个中间元件。在整个说明书中，相同的附图标记指示相同的元件。
图1是示意性示出根据实施方式的激光束照射设备1的视图。
参照图1，根据实施方式的激光束照射设备1可以包括激光源110、控制器120、第一光学系统130、扫描器140和F-θ镜头150。激光可以被生成在激光源110(例如，激光振荡器)中。
控制器120控制通过激光源110生成的光的能量。例如，控制器120可以包括声光调制器(AOM)。在激光处理的情况下，激光能量的精确转换、高速控制和实时控制可以通过AOM的施加的电压实现。
第一光学系统130可以调节从控制器120朝着扫描器140发出的光的横截面(例如形状)。第一光学系统130可以包括第一缝隙131和减小器132。第一缝隙131传送从控制器120发出的光中的一部分，例如，第一缝隙131仅传送高斯光束的中心中能量已被控制器120控制的预定部分以具有扁平状光束。减小器132减小已通过第一缝隙131的光的横截面的尺寸。
扫描器140调节从第一光学系统130发出的光的方向。例如，扫描器140可以是包括两个反射镜的加尔瓦诺扫描器(galvano-scanner)。扫描器140可以通过控制入射光束的x方向和y方向确定处理部分(未示出)中的处理点。
F-θ镜头150缩小从扫描器140发出的光束，例如，F-θ镜头150实质上减小入射在期望的处理表面上的激光点的大小。详细地，已通过F-θ镜头150的激光束L1被输送到处理部分。即使是从激光源110朝着F-θ镜头150发出的光的入射角由扫描器140改变(例如，调节约90度)，象差引起的场曲也可以通过F-θ镜头150补偿。例如，具有宽的扫描场的整个扫描区域中的光束品质中的差异可以消失或者可以通过F-θ镜头150大幅减小，由此从F-θ镜头150发出并且被入射在期望的处理表面上的激光束表现出具有高能量均匀性的减小的光束尺寸。
因此，当用激光束照射设备1进行激光打孔时，从F-θ镜头150发出的激光束L1被输送成入射(例如，直接入射)在处理部分(即，期望的处理表面)上。由此，激光束L1可以被输送到例如有机层，并且在有机层中形成接触孔并生成具有减小的尺寸的颗粒。
图2是示意性示出根据另一实施方式的激光束照射设备2的视图。
参照图2，根据实施方式的激光束照射设备2可以包括激光源110、控制器120、第一光学系统130a、扫描器140、和F-θ镜头150。激光可以被生成在激光源110中。
控制器120控制通过激光源110生成的光的能量。控制器120可以包括AOM。在激光处理的情况下，激光能量的精确转换、高速控制和实时控制可以通过AOM的施加的电压实现。
第一光学系统130a可以调节已通过控制器120的光的形状。第一光学系统130a可以包括第二缝隙133、均化器134和凸透镜135。第二缝隙133传送已通过控制器120的光的一部分。已通过第二缝隙133的光可以通过均化器134和凸透镜135转换成平顶光束。通过利用第一光学系统130a形成平顶光束并且通过平衡处理区域中的激光能量(例如在激光打孔工艺过程中)，工艺品质可以被增强。
扫描器140调节已通过第一光学系统130a的光的方向。扫描器140可以是包括两个反射镜的加尔瓦诺扫描器。扫描器140可以通过控制入射光束的x方向和y方向确定处理部分(未示出)中的处理点。
F-θ镜头150缩小已通过扫描器140的光束。已通过F-θ镜头150的光束被输送到处理部分。因为布置有F-θ镜头150，因此即使朝着F-θ镜头150的入射角通过扫描器140改变，象差引起的场曲也可以被补偿。具有宽的扫描场的整个扫描区域中的光束品质中的差异可以通过F-θ镜头150消除。
当已通过F-θ镜头150的激光束L2被输送到处理部分时激光打孔可以进行。激光束L2可以被输送到有机层，并且在有机层中形成接触孔。
图3是示意性示出根据另一实施方式的激光束照射设备3的视图。
参照图3，根据另一个实施方式的激光束照射设备3可以包括激光源110、控制器120、第一光学系统130b、扫描器140、和F-θ镜头150。激光可以被生成在激光源110中。
控制器120控制通过激光源110生成的光的能量。控制器120可以包括AOM。在激光处理的情况下，激光能量的精确转换、高速控制和实时控制可以通过AOM的施加的电压实现。
第一光学系统130b可以调节已通过控制器120的光的形状。第一光学系统130b可以包括第三缝隙136和变焦光束扩展器137。第三缝隙136传送已通过控制器120的光的一部分。变焦光束扩展器137调节从第三缝隙136发出的光的横截面的尺寸。也就是说，输送到处理部分(未示出)的激光束的尺寸可以通过变焦光束扩展器137调节。激光束的尺寸的调节范围可以根据变焦光束扩展器137的放大倍率而有所不同。例如，在激光打孔工艺的情况下，可以获得激光束(即，从F-θ镜头150发出的激光束L3)的尺寸方面的灵活性。
扫描器140调节已通过第一光学系统130b的光的方向。扫描器140可以是包括两个反射镜的加尔瓦诺扫描器。扫描器140可以通过控制入射光束的x方向和y方向确定处理部分中的处理点。
F-θ镜头150缩小已通过扫描器140的光束。已通过F-θ镜头150的光束被输送到处理部分。因为布置有F-θ镜头150，因此即使朝着F-θ镜头150的入射角通过扫描器140改变，象差引起的场曲也可以被补偿。具有宽的扫描场的整个扫描区域中的光束品质中的差异可以通过F-θ镜头150消除。
当从F-θ镜头150发出的激光束L3被输送到处理部分时激光打孔可以进行。激光束L3可以被输送到有机层，并且在有机层中形成接触孔。
图4是示意性示出根据另一实施方式的激光束照射设备4的视图。
参照图4，根据另一实施方式的激光束照射设备4可以包括激光源110、控制器120、第一光学系统130、扫描器140、F-θ镜头150、和分光光学系统160。在激光源110中可以生成激光。
控制器120控制通过激光源110生成的光的能量。控制器120可以包括AOM。在激光处理的情况下，激光能量的精确转换、高速控制和实时控制可以通过AOM的施加的电压实现。
第一光学系统130、扫描器140和F-θ镜头150可以构成第一组S。可布置有多个第一组S。应注意，虽然图4示出了图1的第一光学系统130，但是图1至图3中的第一光学系统130、130a和130b中的任何一个均可以被使用在第一组S中。
分光光学系统160可以被插入在控制器120与第一组S之间。从控制器120发出的光可以通过分光光学系统160拆分成多个输出光束。从分光光学系统160发出的每个输出光束可以被传送到相应的第一组S。分光光学系统160可以包括反射镜161和一个或多个半透明镜162。从分光光学系统160发出的每个输出光束可以在通过反射镜161反射后通过相对应的半透明镜162传送到相对应的第一组S。一个半透明镜162可以被布置成与一个第一组S对应。
当已通过第一组S的激光输出光束被输送到处理部分(未示出)时激光打孔可以进行。激光输出光束可以被输送到有机层，并且在有机层中形成接触孔。因为单个激光输入光束被划分成分别在激光工艺中实施的多个激光输出光束，所以生产力可以被提升并且工艺时间可以被减少。
图5是根据实施方式的具有辅助电极40的有机发光显示设备100的剖视图。
参照图5，有机发光显示设备100可以包括阴极23和辅助电极40。有机发光装置20和连接至有机发光装置20的薄膜晶体管(TFT)10被设置在衬底101上。在图5中，示出一个有机发光装置20和一个TFT 10，但是实施方式并不限于此，例如，有机发光显示设备可以包括多个有机发光装置20和多个TFT 10。
有机发光显示设备100可以根据有机发光装置20的驱动是否被TFT控制而被区分为无源矩阵(PM)或有源矩阵(AM)。也就是说，有机发光显示设备100可以是AM式或者是PM式。下文中，将以AM式有机发光显示设备作为示例进行描述。
例如由二氧化硅(SiO2)和/或氮化硅(SiNx)形成的缓冲层31可以被包括在衬底101上。缓冲层31可以使衬底101平坦化并且防止杂质元素从衬底101渗透。
TFT 10的有源层11可以被形成在缓冲层31上作为半导体材料。有源层11可以被形成为包含多种材料。例如，有源层11可以包括无机半导体材料，例如，非晶硅或晶体硅。在另一个例子中，有源层11可以包括氧化物半导体。在又一例子中，有源层11可以包括有机半导体材料。
栅极绝缘层32可以被形成为覆盖有源层11。栅电极12可以被设置在栅极绝缘层32上，并且层间绝缘层33可以被形成为覆盖栅电极12。源电极13和漏电极14可以被设置在层间绝缘层33上，并且钝化层34和平坦化层35可以被依次设置为覆盖源电极13和漏电极14。
栅极绝缘层32、层间绝缘层33、钝化层34和平坦化层35可以被设置为绝缘体，并且可以被形成为无机材料、有机材料、或者有机或无机化合物，并且具有单层或多层的结构。图5中的TFT 10的叠层结构是一个例子，并由此多种其它结构可以被应用到TFT 10。
有机发光装置20的阳极21可以被形成在平坦化层35的顶部上，并且像素限定层36可以被形成为覆盖阳极21。在将阳极21的一部分暴露的开口被形成在像素限定层36中后，有机发光装置20的中间层22可以通过开口被形成在预定区域内。有机发光装置20的阴极23可以被形成为覆盖所有像素。阳极21和阴极23的极性可以转换。
阳极21可以被设置为透明电极或反射电极。当阳极21被设置为透明电极时，阳极21可以由例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌氧化物(ZnO)或铟氧化物(In2O3)形成。当阳极21被设置为反射电极时，阳极21可以包括由例如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、或其化合物形成的反射膜，并且还可以包括通过使用例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌氧化物(ZnO)或铟氧化物(In2O3)形成在反射膜上方的膜。
阴极23可以被形成为透明电极或反射电极。当阴极23被设置为透明电极时，阴极23可以被形成为沉积在中间层22上的例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌氧化物(ZnO)或铟氧化物(In2O3)的膜。当阴极23被设置为反射电极时，阴极23可以通过将例如锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)、氟化锂(LiF)/铝(Al)、铝(Al)、镁(Mg)、或其化合物沉积成预定厚度而被形成。
当有机发光显示设备100是顶部发射型时，阴极23可以被设置为透明电极，并且阴极23的厚度可以是非常薄的。例如，阴极23的厚度可以是约1埃至约200埃。因为阴极23被薄薄地形成，所以阴极23的电阻和IR压降的发生可能增加。相应地，阴极23的电阻可以通过辅助电极40减小。
辅助电极40可以被形成在平坦化层35上。辅助电极40可以由与阳极21的材料相同的材料形成并且通过与阳极21工艺相同的工艺形成。辅助电极40可以与阴极23接触(例如，直接接触)。辅助电极40可以通过穿过中间层22形成的接触孔H与阴极23接触。
设置在阳极21与阴极23之间的中间层22可以通过使用低分子量的有机材料或者聚合物有机材料形成。当低分子量的有机物被使用时，空穴注入层(HIL)(未示出)、空穴传输层(HTL)(未示出)、电子传输层(ETL)(未示出)、电子注入层(EIL)(未示出)和其它层可以以单一结构或复合结构形成为层状，并且具有插入于其中的中间层。聚合物有机材料可以具有HTL(未示出)被进一步被包括在中间层22与阳极21之间的结构。
中间层22可以包括接触孔H，接触孔H用于提供阴极23与辅助电极40之间的接触。在如上所述的本实施方式中，中间层22被形成在开口内以具有与每个像素对应的发光材料，但是实施方式并不限于此，例如，与像素的位置无关，中间层22通常可以被包括成与整个像素限定层36对应。中间层22可以例如通过竖直地层叠或混合包括发出红色、绿色或蓝色的发光材料的层而被形成。如果白光被发出，则其它颜色可以被组合。此外，如果白光被发出，则还可以设置有变色层或彩色滤光片。
如上所述的有机发光装置20可能因如水或氧气的材料而被劣化。因此，封装层(未示出)可以被布置成覆盖有机发光装置20。
图6A至图6D示出了根据实施方式的有机发光显示设备100的制造方法。
如图6A所示，辅助电极40被形成。辅助电极40可以被形成在平坦化层35上。辅助电极40可以由与阳极21的材料相同的材料形成。辅助电极40可以由与阳极21的工艺相同的工艺形成。
然后，如图6B所示，中间层22被形成在辅助电极40上。在覆盖辅助电极40的边缘的像素限定层36已被形成在辅助电极40上后，中间层22可以被形成在像素限定层36上。
如图6C所示，接触孔H被形成在中间层22上。接触孔H可以通过照射激光束L形成。激光束L可以通过使用先前参照图1至图4中的任何一个描述的激光束照射设备发出，由此激光束L可以是激光束L1至L3中的任一个。
在照射激光束L的工艺中生成的颗粒221在接触孔H的形成过程中可以气体形式被释放。因此，因颗粒221引起的接触孔H周围的污染可以被防止，并且形成与阴极23接触的辅助电极40的工艺可以被简化。
详细地，在照射激光束L的工艺过程中生成的颗粒中的每个的尺寸可以是小到足以以气体形式被释放。例如，在照射激光束L的工艺中生成的颗粒221中的每个的尺寸可以小于约20nm。因此，由于通过将激光束L照射在中间层22上而形成接触孔H的工艺在真空中执行，所以在照射激光束L的工艺中生成的颗粒221可以以气体形式被释放。由此，接触孔H可以在真空中形成，而最小化元件的污染。
如图6D所示，阴极23可以被形成在中间层22上。阴极23可以通过接触孔H与辅助电极40接触。阴极23可以包括例如锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)、氟化锂(LiF)/铝(Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、镱(Yb)、或其化合物。阴极23的厚度可以是约1埃至约200埃。
本文中已经公开了示例性实施方式，并且虽然采用了专用术语，但是这些术语仅仅被使用和解释成通用和描述性含义、而不是用于限制的目的。在一些情况下，除非另有明确指出，否则本领域的普通技术人员应明确，随着本申请的提交，结合特定实施方式描述的特征、特性和/或元件可以被单独使用或者与结合其它实施方式描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域的技术人员应理解，在不背离所附权利要求书中记载的本发明的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行多种改变。

Claims (16)

1.一种激光束照射设备，包括：
激光源；
控制器，用于控制通过所述激光源生成的光的能量；
第一光学系统，用于调节从所述控制器发出的光的形状；
扫描器，用于调节从所述第一光学系统发出的光的方向；以及
F-θ镜头，用于缩小从所述扫描器发出的光束。
2.如权利要求1所述的激光束照射设备，其中，所述控制器包括声光调制器。
3.如权利要求1所述的激光束照射设备，其中，所述第一光学系统包括：
第一缝隙，用于传送从所述控制器发出的光的一部分；以及
减小器，用于减小从所述第一缝隙发出的光的横截面的尺寸。
4.如权利要求1所述的激光束照射设备，其中，所述第一光学系统包括：
第二缝隙，用于传送从所述控制器发出的光的一部分；以及
均化器，用于将从所述第二缝隙发出的光转换成平顶光束。
5.如权利要求1所述的激光束照射设备，其中，所述第一光学系统包括：
第三缝隙，用于传送从所述控制器发出的光的一部分；以及
变焦光束扩展器，用于调节从所述第三缝隙发出的光的横截面尺寸。
6.如权利要求1所述的激光束照射设备，其中，
所述第一光学系统、所述扫描器和所述F-θ镜头定义第一组，并且所述激光束照射设备包括多个第一组，并且
分光光学系统被布置在所述控制器与所述多个第一组之间，其中，所述分光光学系统将从所述控制器发出的光分裂成多个输出光束，所述多个输出光束中的每个被入射在所述多个第一组中的相对应的一个上。
7.如权利要求6所述的激光束照射设备，其中，所述分光光学系统包括一个或多个半透明镜。
8.一种制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括：
形成辅助电极；
将中间层形成在所述辅助电极上；
通过使用激光束照射设备朝着所述中间层照射激光束，以穿过所述中间层形成接触孔；以及
将阴电极形成在所述中间层上和所述接触孔中，以使得所述阴电极通过所述接触孔与所述辅助电极接触，
其中，所述激光束照射设备包括：
激光源；
控制器，用于控制通过所述激光源生成的光的能量；
第一光学系统，用于调节从所述控制器发出的光的形状；
扫描器，用于调节从所述第一光学系统发出的光的方向；以及
F-θ镜头，用于缩小从所述扫描器发出的光束。
9.如权利要求8所述的方法，其中，所述朝着所述中间层照射所述激光束的步骤包括：生成气体形式的颗粒。
10.如权利要求9所述的方法，其中，所述朝着所述中间层照射所述激光束的步骤包括：生成具有小于约20nm的尺寸的颗粒。
11.如权利要求8所述的方法，其中，所述朝着所述中间层照射所述激光束的步骤包括：使用声光调制器。
12.如权利要求8所述的方法，其中，所述朝着所述中间层照射所述激光束的步骤包括：将来自激光源的单个输入光束拆分成多个输出光束，每个输出光束被入射在所述中间层的不同的区域上以形成独立的接触孔。
13.如权利要求8所述的方法，其中，所述阴电极由锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)、氟化锂(LiF)/铝(Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、镱(Yb)、或其化合物形成。
14.如权利要求8所述的方法，其中，所述阴电极被形成为具有1埃至200埃的厚度。
15.如权利要求8所述的方法，其中，所述照射所述激光束的步骤在真空中被执行。
16.一种制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括：
形成辅助电极；
将中间层形成在所述辅助电极上；
朝着所述中间层照射激光束，以穿过所述中间层形成接触孔；以及
将阴电极形成在所述中间层上和所述接触孔中，以使得所述阴电极通过所述接触孔与所述辅助电极接触，
其中，所述照射所述激光束的步骤在真空中被执行，并且包括：
朝着所述中间层照射激光源生成的光；
控制所述激光源生成的光的能量；
调节所述激光源生成的光的形状和方向；以及
缩小所述调节后的光束。
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