KR102319690B1 - 홀 형성 장치 및 홀 형성 방법 - Google Patents

홀 형성 장치 및 홀 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102319690B1
KR102319690B1 KR1020200056666A KR20200056666A KR102319690B1 KR 102319690 B1 KR102319690 B1 KR 102319690B1 KR 1020200056666 A KR1020200056666 A KR 1020200056666A KR 20200056666 A KR20200056666 A KR 20200056666A KR 102319690 B1 KR102319690 B1 KR 102319690B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
trench
laser beam
processing path
loop
irradiated
Prior art date
Application number
KR1020200056666A
Other languages
English (en)
Inventor
이두석
주경환
장재경
Original Assignee
주식회사 이오테크닉스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 이오테크닉스 filed Critical 주식회사 이오테크닉스
Priority to KR1020200056666A priority Critical patent/KR102319690B1/ko
Priority to TW110116403A priority patent/TWI785600B/zh
Priority to PCT/KR2021/005906 priority patent/WO2021230634A1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102319690B1 publication Critical patent/KR102319690B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/082—Scanning systems, i.e. devices involving movement of the laser beam relative to the laser head
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/11—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on acousto-optical elements, e.g. using variable diffraction by sound or like mechanical waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/101—Lasers provided with means to change the location from which, or the direction in which, laser radiation is emitted
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)

Abstract

홀 형성 장치는 레이저 광원, 레이저 광원으로부터 제공되는 레이저 빔의 가공 경로를 제어하는 음향 광학 변조기, 음향 광학 변조기로부터 제공되는 레이저 빔을 가공 대상물에 조사하는 스캔 헤드를 포함하되, 음향 광학 변조기는, 레이저 빔이 제1 고리 가공 경로를 따라 가공 대상물에 조사되어 가공 대상물에 제1 트렌치를 형성하고, 레이저 빔이 제2 고리 가공 경로를 따라 가공 대상물에 조사되어 가공 대상물에 제2 트렌치를 형성하도록, 레이저 빔의 가공 경로를 제어하고, 제2 트렌치는 제1 트렌치에 의해 둘러싸인 영역 내에 제1 트렌치로부터 이격되어 제공된다.

Description

홀 형성 장치 및 홀 형성 방법{APPARATUS FOR FORMING HOLE AND METHOD OF FORMING HOLE}
본 개시는 홀 형성 장치 및 홀 형성 방법에 관한 것이다.
일반적으로 레이저 가공이란 집광렌즈를 이용하여 레이저 빔을 하나의 초점 형태로 집광시키고 그 초점을 가공 대상물의 표면 또는 내부에 조사하여 가공하는 방식을 말한다.
레이저 가공을 위하여, 레이저 가공 장치는 레이저 광원으로부터 출력된 레이저 빔을 2차원으로 스윙시키는 2차원 스캔 헤드를 포함할 수 있다. 2차원 스캔 헤드의 예로서, 갈바노미터 스캐너가 사용될 수 있다.
다만, 이러한 2차원 스캔 헤드 만으로는, 레이저 가공 시간이 많이 소요될 뿐만 아니라, 위치 정밀도가 다소 떨어질 수 있다.
레이저 가공 시간을 줄이고 위치 정밀도를 개선하기 위하여, 레이저 가공 장치는 레이저 광원에서 출력된 레이저 빔을 음향 광학 효과를 이용하여 편향시키는 음향 광학 변조기를 더 포함할 수 있다.
해결하고자 하는 과제는 빠른 가공 속도 및 우수한 가공 품질을 갖는 홀 형성 장치를 제공하는 것에 있다.
해결하고자 하는 과제는 빠른 가공 속도 및 우수한 가공 품질을 갖는 홀 형성 방법을 제공하는 것에 있다.
다만, 해결하고자 하는 과제는 상기 개시에 한정되지 않는다.
일 측면에 있어서, 레이저 광원; 상기 레이저 광원으로부터 제공되는 레이저 빔의 가공 경로를 제어하는 음향 광학 변조기; 상기 음향 광학 변조기로부터 제공되는 상기 레이저 빔을 가공 대상물에 조사하는 스캔 헤드;를 포함하되, 상기 음향 광학 변조기는, 상기 레이저 빔이 제1 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사되어 상기 가공 대상물에 제1 트렌치를 형성하고, 상기 레이저 빔이 제2 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사되어 상기 가공 대상물에 제2 트렌치를 형성하도록, 상기 레이저 빔의 상기 가공 경로를 제어하고, 상기 제2 트렌치는 상기 제1 트렌치에 의해 둘러싸인 영역 내에 상기 제1 트렌치로부터 이격되어 제공되는 홀 형성 장치가 제공될 수 있다.
상기 제1 고리 가공 경로는 닫힌 고리(Closed Loop) 형상을 갖고, 상기 제2 고리 가공 경로는 열린 고리(Open Loop) 형상을 가질 수 있다.
상기 제1 고리 가공 경로 및 상기 제2 고리 가공 경로의 각각은 닫힌 고리(Closed Loop) 형상을 가질 수 있다.
상기 제1 고리 가공 경로 및 상기 제2 고리 가공 경로의 각각은 원 형상을 가질 수 있다.
상기 제1 고리 가공 경로 및 상기 제2 고리 가공 경로는 동심원들을 이룰 수 있다.
상기 음향 광학 변조기는, 상기 레이저 빔이 상기 제1 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사된 후, 상기 제2 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사되도록 상기 레이저 빔의 상기 가공 경로를 제어할 수 있다.
상기 음향 광학 변조기는, 상기 레이저 빔이 상기 제2 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사된 후, 상기 제1 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사되도록 상기 레이저 빔의 상기 가공 경로를 제어할 수 있다.
상기 제1 트렌치의 깊이는 상기 제2 트렌치의 깊이와 동일할 수 있다.
상기 제2 트렌치의 깊이는 상기 제1 트렌치의 깊이보다 깊을 수 있다.
상기 가공 대상물에 인접하게 제공되는 석션 후드;를 더 포함하되, 상기 석션 후드는, 상기 레이저 빔이 상기 제1 고리 가공 경로 및 상기 제2 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사된 후, 상기 제1 트렌치에 의해 둘러싸인 상기 가공 대상물의 제1 제거 대상 부분을 제거하고, 상기 제1 제거 대상 부분을 제거하는 것에 의해 제1 홀이 형성될 수 있다.
상기 음향 광학 변조기는, 상기 제1 제거 대상 부분이 상기 가공 대상물로부터 제거된 후, 상기 레이저 빔이 제3 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사되어 상기 가공 대상물에 제3 트렌치를 형성하고, 상기 레이저 빔이 제4 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사되어 상기 가공 대상물에 제4 트렌치를 형성하도록, 상기 레이저 빔의 상기 가공 경로를 제어하고, 상기 제4 트렌치는 상기 제3 트렌치에 의해 둘러싸인 영역 내에 상기 제3 트렌치로부터 이격되어 제공되고, 상기 제3 트렌치 및 상기 제4 트렌치를 형성하는 상기 레이저 빔은 상기 제1 홀을 지나 상기 가공 대상물에 조사될 수 있다.
상기 석션 후드는, 상기 레이저 빔이 상기 제3 고리 가공 경로 및 상기 제4 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사된 후, 상기 제3 트렌치에 의해 둘러싸인 상기 가공 대상물의 제2 제거 대상 부분을 제거할 수 있다.
상기 가공 대상물에 인접하게 제공되는 석션 후드;를 더 포함하되, 상기 음향 광학 변조기는 상기 레이저 빔이 상기 제1 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사된 후, 상기 제2 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사되도록 상기 레이저 빔의 상기 가공 경로를 제어하고, 상기 석션 후드는: 상기 레이저 빔이 상기 제1 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사된 후 및 상기 레이저 빔이 상기 제2 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사되기 전, 상기 제1 트렌치에 의해 둘러싸인 상기 가공 대상물의 제1 제거 대상 부분을 제거하여 제1 홀을 형성하고, 상기 레이저 빔이 상기 제2 고리 가공 경로를 따라 상기 제1 홀에 의해 노출되는 상기 가공 대상물에 조사된 후, 상기 제2 트렌치에 의해 둘러싸인 상기 가공 대상물의 제2 제거 대상 부분을 제거하여 제2 홀을 형성할 수 있다.
상기 가공 대상물은: 하부 절연막; 상기 하부 절연막 상에 제공되는 상부 절연막; 및 상기 하부 절연막과 상기 상부 절연막 사이에 제공되는 전기 전도성 막;을 포함하고, 상기 제1 트렌치 및 상기 제2 트렌치는 상기 상부 절연막에 형성될 수 있다.
상기 가공 대상물에 인접하게 제공되는 석션 후드;를 더 포함하되, 상기 석션 후드는, 상기 레이저 빔이 상기 제1 고리 가공 경로 및 상기 제2 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사된 후, 상기 제1 트렌치에 의해 둘러싸인 상기 가공 대상물의 제거 대상 부분을 제거하고, 상기 제거 대상 부분을 제거하는 것에 의해 상기 전기 전도성 막의 상면을 노출하는 홀이 형성될 수 있다.
일 측면에 있어서, 제1 고리 가공 경로를 따라 가공 대상물에 레이저 빔을 조사하여 제1 트렌치를 형성하는 것; 제2 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 상기 레이저 빔을 조사하여 제2 트렌치를 형성하는 것; 및 상기 제1 트렌치에 의해 둘러싸인 제1 제거 대상 부분을 상기 가공 대상물로부터 제거하는 것;을 포함하되, 상기 제2 트렌치는 상기 제1 제거 대상 부분에 조사되고, 상기 제1 트렌치로부터 이격되도록 형성되는 홀 형성 방법이 제공될 수 있다.
상기 제1 고리 가공 경로 및 상기 제2 고리 가공 경로의 각각은 닫힌 고리 형상을 가질 수 있다.
상기 레이저 빔은 상기 제1 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사된 후, 상기 제2 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사될 수 있다.
상기 제1 트렌치의 깊이는 상기 제2 트렌치의 깊이와 동일할 수 있다.
상기 제1 제거 대상 부분이 상기 가공 대상물로부터 제거된 후, 제3 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 상기 레이저 빔을 조사하여 제3 트렌치를 형성하는 것; 제4 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 상기 레이저 빔을 조사하여 제4 트렌치를 형성하는 것; 및 상기 제3 트렌치에 의해 둘러싸인 제2 제거 대상 부분을 상기 가공 대상물로부터 제거하는 것;을 더 포함하되, 상기 제4 트렌치는 상기 제2 제거 대상 부분에 조사되고, 상기 제3 트렌치로부터 이격되도록 형성될 수 있다.
본 개시는 개선된 가공 품질을 갖는 홀 형성 장치 및 홀 형성 방법을 제공할 수 있다.
본 개시는 제거 대상 부분을 용이하게 제거할 수 있는 홀 형성 장치 및 홀 형성 방법을 제공할 수 있다.
본 개시는 향상된 가공 속도를 갖는 홀 형성 장치 및 홀 형성 방법을 제공할 수 있다.
다만, 발명의 효과는 상기 개시에 한정되지 않는다.
도 1은 예시적인 실시예에 따른 홀 형성 장치(1)의 개념도이다.
도 2는 예시적인 실시예에 따른 홀 형성 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 3은 도 2의 홀 형성 방법을 설명하기 위한, 스테이지의 상면에 수직한 방향을 따르는 관점의 도면이다.
도 4는 도 2의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 3의 RR' 영역의 확대도이다.
도 5는 도 4의 A-A'선을 따르는 단면도이다.
도 6은 도 2의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 3의 RR' 영역에 대응하는 확대도이다.
도 7은 도 6의 A-A'선을 따르는 단면도이다.
도 8은 도 2의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 6의 A-A'선에 대응하는 단면도이다.
도 9는 예시적인 실시예에 따른 홀 형성 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 10은 도 9의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 3의 RR' 영역에 대응하는 확대도이다.
도 11은 도 10의 B-B'선을 따른 단면도이다.
도 12는 도 9의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 3의 RR'영역에 대응하는 확대도이다.
도 13은 도 12의 B-B'선을 따른 단면도이다.
도 14는 도 9의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 12의 B-B'선에 대응하는 단면도이다.
도 15는 예시적인 실시예에 따른 홀 형성 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 16은 도 15의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 3의 RR' 영역에 대응하는 확대도이다.
도 17은 도 16의 C-C'선을 따른 단면도이다.
도 18은 도 15의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 16의 C-C'선에 대응하는 단면도이다.
도 19는 예시적인 실시예에 따른 홀 형성 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 20은 도 19의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 3의 RR' 영역에 대응하는 확대도이다.
도 21은 도 20의 D-D'선을 따른 단면도이다.
도 22는 도 19의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 3의 RR' 영역에 대응하는 확대도이다.
도 23은 도 22의 D-D'선을 따른 단면도이다.
도 24는 도 19의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 22의 D-D'선에 대응하는 단면도이다.
도 25는 도 19의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 3의 RR' 영역에 대응하는 확대도이다.
도 26은 도 25의 D-D'선을 따른 단면도이다.
도 27은 도 19의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 3의 RR' 영역에 대응하는 확대도이다.
도 28은 도 27의 D-D'선을 따른 단면도이다.
도 29는 도 19의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 27의 D-D'선에 대응하는 단면도이다.
도 30은 예시적인 실시예에 따른 홀 형성 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 31은 도 30의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 3의 RR' 영역에 대응하는 확대도이다.
도 32는 도 31의 E-E'선을 따른 단면도이다.
도 33은 도 30의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 31의 E-E'선에 대응하는 단면도이다.
도 34는 도 30의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 3의 RR' 영역에 대응하는 확대도이다.
도 35는 도 34의 E-E'선을 따른 단면도이다.
도 36은 도 30의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 34의 E-E'선에 대응하는 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 각 구성요소의 크기나 두께는 설명의 명료성을 위하여 과장되어 있을 수 있다.
“제1", "제2" 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. "및/또는" 이라는 용어는 복수의 관련된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 항목들 중의 어느 하나의 항목을 포함한다.
이하에서, '가공 경로'는 가공 대상물 상에서 레이저가 지나는 경로를 나타낼 수 있다.
이하에서, '레이저 빔이 일 방향으로의 편향된다'는 것은 편향된 후의 레이저 빔이 편향되기 전의 레이저 빔의 진행 방향과 일 방향의 합성 방향으로 진행한다는 것을 나타낼 수 있다.
이하에서, '트렌치의 직경'은 '트렌치의 폭의 중심을 따라 연장하는 중심선의 직경'을 나타낼 수 있다.
이하에서, '레이저 빔의 최대 집속 거리'는 음향 광학 변조기와 레이저 빔이 최대로 집속되는 위치 사이의 광학적 거리를 나타낼 수 있다.
도 1은 예시적인 실시예에 따른 홀 형성 장치(1)의 개념도이다.
도 1을 참조하면, 레이저 광원(100), 음향 광학 변조기(200), 가이드 미러들(300), 스캔 헤드(400), 및 스테이지(1000)를 포함하는 홀 형성 장치(1)가 제공될 수 있다. 레이저 광원(100)은 레이저 빔(LB)을 방출할 수 있다. 레이저 광원(100)은 레이저 빔(LB)을 음향 광학 변조기(200)에 제공할 수 있다.
음향 광학 변조기(200)는 레이저 빔(LB)을 편향시킬 수 있다. 음향 광학 변조기(200)는 제1 서브 음향 광학 변조기(210) 및 제2 서브 음향 광학 변조기(220)를 포함할 수 있다. 제1 서브 음향 광학 변조기(210)는 레이저 빔(LB)을 제1 방향(VD1)으로 편향시킬 수 있다. 제2 서브 음향 광학 변조기(220)는 레이저 빔(LB)을 제2 방향(VD2)으로 편향시킬 수 있다. 제1 방향(VD1)과 제2 방향(VD2)은 서로 수직할 수 있다. 예를 들어, 제1 방향(VD1)과 제2 방향(VD2)은 제1 서브 음향 광학 변조기(210) 및 제2 서브 음향 광학 변조기(220)의 배열 방향과 수직할 수 있다.
제1 서브 음향 광학 변조기(210) 및 제2 서브 음향 광학 변조기(220)는 음향 광학 효과를 이용하여 레이저 빔(LB)을 편향시킬 수 있다. 예를 들어, 제1 서브 음향 광학 변조기(210) 및 제2 서브 음향 광학 변조기(220)의 각각은 크리스탈층, 크리스탈층의 일측에 진동을 제공하는 압전 변환기, 및 크리스탈층의 타측에 제공되어 크리스탈층의 음향을 흡수하는 흡수부를 포함할 수 있다. 크리스탈층은 진동에 의해 음파를 생성할 수 있는 재질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 크리스탈층은 유리(Glass) 또는 석영(Quarz)을 포함할 수 있다. 압전 변환기가 전기 신호에 의해 진동함에 따라, 크리스탈층에서 음파가 생성될 수 있다. 크리스탈층에 입사하는 레이저 빔(LB)의 일부는 생성된 음파에 의해 크리스탈층에서 회절(또는 편향)되고, 크리스탈층에 입사하는 레이저 빔(LB)의 다른 일부는 크리스탈층에서 회절되지 않고 크리스탈층을 투과한다. 레이저 빔(LB)의 회절 각도(또는 편향 정도)는 생성된 음파의 주파수에 따라 달라질 수 있다. 제1 서브 음향 광학 변조기(210) 및 제2 서브 음향 광학 변조기(220)는 음향 광학 효과를 이용함으로써, 모터의 회전과 같은 기구적인 동작 없이 레이저 빔(LB)을 편향시킬 수 있으므로, 가공 속도 및 레이저 빔(LB)의 가공 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또한, 음향 광학 변조기(200)는 레이저 빔(LB)의 최대 집속 거리를 조절할 수 있다. 최대 집속 거리는 음향 광학 변조기(200)와 레이저 빔(LB)이 최대로 집속되는 위치 사이의 광학적 거리일 수 있다. 제1 서브 음향 광학 변조기(210) 및 제2 서브 음향 광학 변조기(220)의 각각은 브래그 셀(Bragg Cell)이라고 지칭될 수 있다. 음향 광학 변조기(200)는 레이저 빔(LB)을 가이드 미러들(300)에 제공할 수 있다.
가이드 미러들(300)은 레이저 빔(LB)을 반사하여, 레이저 빔(LB)을 스캔 헤드(400)로 가이드할 수 있다. 두 개의 가이드 미러들(300)이 도시되었으나, 이는 예시적인 것이다. 다른 예에서, 가이드 미러들(300)은 하나 또는 셋 이상이 제공될 수 있다.
스캔 헤드(400)는 레이저 빔(LB)의 진행 방향을 조절할 수 있다. 레이저 빔(LB)의 진행 방향을 조절하는 것은 가공 대상물(500)을 가공하는 레이저 빔(LB)의 가공 대상물(500) 상의 경로인 가공 경로를 조절하는 것과 실질적으로 동일할 수 있다. 즉, 스캔 헤드(400)는 레이저 빔(LB)의 가공 경로를 조절할 수 있다.
스캔 헤드(400)는 제1 미러(412), 제1 갈바노미터 스캐너(411), 제2 미러(414), 제2 갈바노미터 스캐너(413), 및 집속 렌즈(420)를 포함할 수 있다. 제1 미러(412)는 스캔 헤드(400) 내에서 레이저 빔(LB)을 반사할 수 있다. 제1 미러(412)는 레이저 빔(LB)을 제2 미러(414)에 제공할 수 있다. 제1 갈바노미터 스캐너(411)는 제1 갈바노미터 스캐너(411)를 관통하는 제1 축을 중심으로 회전할 수 있다. 제1 갈바노미터 스캐너(411)는 제1 미러(412)에 결합될 수 있다. 제1 갈바노미터 스캐너(411)는 제1 미러(412)의 자세를 제어하여, 레이저 빔(LB)이 제1 미러(412)에 의해 반사되어 진행하는 방향을 조절할 수 있다.
제2 미러(414)는 제1 미러(412)로부터 반사된 레이저 빔(LB)을 반사할 수 있다. 제2 미러(414)는 레이저 빔(LB)을 집속 렌즈(420)에 제공할 수 있다. 제2 갈바노미터 스캐너(413)는 제2 갈바노미터 스캐너(413)를 관통하는 제2 축을 중심으로 회전할 수 있다. 제2 축의 연장 방향은 제1 축의 연장 방향과 교차할 수 있다. 예를 들어, 제2 축의 연장 방향은 제1 축의 연장 방향과 직교할 수 있다. 제2 갈바노미터 스캐너(413)는 제2 미러(414)에 결합될 수 있다. 제2 갈바노미터 스캐너(413)는 제2 미러(414)의 자세를 제어하여, 레이저 빔(LB)이 제2 미러(414)에 의해 반사되어 진행하는 방향을 조절할 수 있다.
집속 렌즈(420)는 레이저 빔(LB)을 가공 대상물(500)에 집속시킬 수 있다.
스테이지(1000)는 가공 대상물(500)을 지지하고, 가공 대상물(500)의 위치를 조절할 수 있다. 스테이지(1000)는 스테이지(1000)의 상면(1000u)에 평행한 방향 및 수직한 방향을 따라 가공 대상물(500)을 이동시킬 수 있다.
석션 후드(1100)는 가공 대상물(500)에 인접하게 배치될 수 있다. 석션 후드(1100)는 흡입력을 가질 수 있다. 석션 후드(1100)는 레이저 빔(LB)에 의해 가공된 가공 대상물(500)을 흡입하여, 제거할 수 있다. 예를 들어, 석션 후드(1100)는 후술되는 제거 대상 부분을 흡입하여 가공 대상물로부터 제거할 수 있다.
레이저 빔(LB), 음향 광학 변조기(200), 스캔 헤드(400), 및 스테이지(1000)를 제어하는 제어부(미도시)가 제공될 수 있다. 일 예에서, 제어부는 레이저 빔(LB)이 고리 형상의 가공 경로를 따라 가공 대상물(500)을 가공하도록 음향 광학 변조기(200)를 제어할 수 있다.
예시적인 실시예의 홀 형성 장치(1)는 음향 광학 변조기(200)에 의해 제어되는 레이저 빔(LB)을 이용하여 가공 대상물에 홀을 형성할 수 있다. 예시적인 실시예의 홀 형성 장치(1)를 이용한 홀 형성 방법은 이하에서 상세히 설명된다.
도 2는 예시적인 실시예에 따른 홀 형성 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 3은 도 2의 홀 형성 방법을 설명하기 위한, 스테이지의 상면에 수직한 방향을 따르는 관점의 도면이다. 도 4는 도 2의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 3의 RR' 영역의 확대도이다. 도 5는 도 4의 A-A'선을 따르는 단면도이다. 도 6은 도 2의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 3의 RR' 영역에 대응하는 확대도이다. 도 7은 도 6의 A-A'선을 따르는 단면도이다. 도 8은 도 2의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 6의 A-A'선에 대응하는 단면도이다.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 스테이지(1000) 상에 가공 대상물(500)이 제공될 수 있다. 가공 대상물(500)은 전기 절연 물질 및 전기 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 가공 대상물(500)은 하부 절연막(IL1), 전기 전도성 막(CL), 및 상부 절연막(IL2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전기 전도성 막(CL)은 구리(Cu) 배선층일 수 있다.
레이저 빔(LB)이 제1 고리 가공 경로(PL1)를 따라 가공 대상물(500)에 조사될 수 있다(S110). 레이저 빔(LB)은 상부 절연막(IL2)에 조사될 수 있다. 예를 들어, 레이저 빔(LB)은 연속 레이저), 나노초 레이저, 또는 펨토초 레이를 포함할 수 있다. 예를 들어, 레이저 빔(LB)은 상부 절연막(IL2)의 상면에서 최대로 집속될 수 있다. 다시 말해, 최대로 집속된 레이저 빔(LB)의 스팟 사이즈는 상부 절연막(IL2)의 상면에서 최소일 수 있다. 레이저 빔(LB)의 가공 경로 및 최대 집속 거리는 도 1을 참조하여 설명된 음향 광학 변조기(200)에 의해 조절될 수 있다. 예를 들어, 음향 광학 변조기(200)는 레이저 빔(LB)이 상부 절연막(IL2)의 상면에서 최대로 집속되고, 제1 고리 가공 경로(PL1)를 따라 조사되도록, 레이저 빔(LB)을 제어할 수 있다.
제1 고리 가공 경로(PL1)는 닫힌 고리(Closed-Loop) 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 고리 가공 경로(PL1)는 제1 직경(D1)을 갖는 원 형상을 가질 수 있다. 레이저 빔(LB)을 상부 절연막(IL2)에 조사하는 것에 의해 상부 절연막(IL2)의 일부가 제거되어, 제1 트렌치(T1)를 형성할 수 있다.
제1 트렌치(T1)는 제1 고리 가공 경로(PL1)를 따라 연장할 수 있다. 예를 들어, 제1 트렌치(T1)는 제1 직경(D1)을 갖는 원 형상을 가질 수 있다. 제1 트렌치(T1)는 제1 트렌치 깊이(T1d)를 가질 수 있다. 제1 트렌치 깊이(T1d)는 상부 절연막(IL2)의 상면과 전기 전도성 막(CL)의 상면 사이의 거리와 실질적으로 동일할 수 있다. 제1 트렌치(T1)는 전기 전도성 막(CL)의 상면을 노출할 수 있다. 제1 트렌치(T1)는 상부 절연막(IL2)의 일부분을 둘러쌀 수 있다. 제1 트렌치(T1)에 의해 둘러싸이는 상부 절연막(IL2)의 일부분은 제거 대상 부분(600)으로 지칭될 수 있다.
도 2, 도 6, 및 도 7을 참조하면, 레이저 빔(LB)이 제2 고리 가공 경로(PL2)를 따라 가공 대상물(500)에 조사될 수 있다(S120). 레이저 빔(LB)은 제거 대상 부분(600)에 조사될 수 있다. 레이저 빔(LB)의 가공 경로 및 최대 집속 거리는 도 1을 참조하여 설명된 음향 광학 변조기(200)에 의해 조절될 수 있다. 예를 들어, 레이저 빔(LB)은 제거 대상 부분(600)의 상면에서 최대로 집속될 수 있다. 레이저 빔(LB)의 스팟 사이즈는 제거 대상 부분(600)의 상면에서 최소일 수 있다.
제2 고리 가공 경로(PL2)는 닫힌 고리(Closed-Loop) 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 고리 가공 경로(PL2)는 제2 직경(D2)을 갖는 원 형상을 가질 수 있다. 스테이지(1000)의 상면(1000u)에 수직한 방향을 따르는 관점에서, 제2 고리 가공 경로(PL2)는 제1 고리 가공 경로(PL1) 내에 제공될 수 있다. 제2 고리 가공 경로(PL2)는 제1 고리 가공 경로(PL1)로부터 이격될 수 있다. 제2 직경(D2)은 제1 직경(D1)보다 작을 수 있다. 예를 들어, 제2 고리 가공 경로(PL2)와 제1 고리 가공 경로(PL1)는 동심원들을 이룰 수 있다.
레이저 빔(LB)을 제거 대상 부분(600)에 조사하는 것에 의해 제거 대상 부분(600)의 일부가 제거되어, 제2 트렌치(T2)를 형성할 수 있다. 제2 트렌치(T2)는 제2 고리 가공 경로(PL2)를 따라 연장할 수 있다. 예를 들어, 제2 트렌치(T2)는 제2 직경(D2)을 갖는 원 형상을 가질 수 있다. 제2 트렌치(T2)는 제2 트렌치 깊이(T2d)를 가질 수 있다. 제2 트렌치 깊이(T2d)는 제1 트렌치 깊이(T1d)와 실질적으로 동일할 수 있다. 제2 트렌치 깊이(T2d)는 상부 절연막(IL2)의 상면과 전기 전도성 막(CL)의 상면 사이의 거리와 실질적으로 동일할 수 있다. 제2 트렌치(T2)는 전기 전도성 막(CL)의 상면을 노출할 수 있다. 제2 트렌치(T2)는 제거 대상 부분(600)을 제1 조각(601)과 제2 조각(602)으로 분리할 수 있다.
도 2 및 도 8을 참조하면, 제거 대상 부분(600)이 가공 대상물(500)로부터 제거될 수 있다(S130). 제거 대상 부분(600)을 제거하는 공정은 도 1에 도시된 석션 후드(1100)로 제거 대상 부분(600)을 흡입하는 것을 포함할 수 있다. 제거 대상 부분(600)은 제1 조각(601) 및 제2 조각(602)으로 나뉘어 석션 후드(1100)에 흡입될 수 있다. 제거 대상 부분(600)이 제거되어, 제1 홀(H1)을 형성할 수 있다. 제1 홀(H1)은 전기 전도성 막(CL)을 노출할 수 있다. 제1 홀(H1)은 솔더 볼(Solder Ball)을 실장하기 위한 패드가 제공되는 영역일 수 있다. 예를 들어, 패드는 제1 홀(H1)에 의해 노출되는 전기 전도성 막(CL) 및 제1 홀(H1)에 인접한 상부 절연막(IL2)의 표면들을 따라 연장할 수 있다. 패드와 전기 전도성 막(CL)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 솔더 볼과 전기 전도성 막(CL)은 패드를 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
제거 대상 부분(600)이 석션 후드(1100)에 흡입되는 것은 제거 대상 부분(600)의 재질, 제1 및 제2 트렌치들(T1, T2)의 깊이, 제1 및 제2 트렌치들(T1, T2) 사이의 간격, 제2 트렌치(T2)의 직경(즉, 제2 고리 가공 경로(PL2)의 직경), 그리고 석션 후드(1100)의 흡입력에 의해 결정될 수 있다. 레이저 가공 공정에서 석션 후드(1100)의 흡입력은 제한될 수 있다. 제1 트렌치(T1)만 제공되는 경우, 석션 후드(1100)의 제한된 흡입력은 제거 대상 부분(600)을 흡입하기에 충분하지 못할 수 있다. 본 개시는 제거 대상 부분(600)에 제2 트렌치(T2)를 형성하여, 제거 대상 부분(600)을 용이하게 제거하는 홀 형성 방법을 제공할 수 있다.
제거 대상 부분(600)을 나선형으로 가공하는 경우, 요구되는 형상을 갖는 홀을 형성하기 위해선 제일 외측의 가공 경로는 원형을 가져야 한다. 원형의 가공 경로를 따라 가공 후, 이어서 나선형의 가공 경로로 가공을 수행하는 경우, 원형에서 나선형으로 변환되는 부분에서 중복 가공되는 영역이 발생된다. 즉, 나선형으로 홀을 형성하는 방법은 중복 가공에 의한 가공 품질 저하될 수 있다. 본 개시의 제1 고리 가공 경로(PL1)와 제2 고리 가공 경로(PL2)는 서로 이격될 수 있다. 따라서, 본 개시는 가공 대상물을 중복 가공하지 않으며, 향상된 가공 품질을 갖는 홀 형성 방법을 제공할 수 있다.
음향 광학 변조기(200)를 이용하여 수행되는 홀 형성 방법은 기계적인 방법(예를 들어, 갈바노미터를 이용한 가공 방법)으로 수행되는 홀 형성 방법에 비해 가공 속도가 매우 빠르다. 따라서, 본 개시는 향상된 가공 속도를 갖는 홀 형성 방법을 제공할 수 있다.
도 9는 예시적인 실시예에 따른 홀 형성 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 10은 도 9의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 3의 RR' 영역에 대응하는 확대도이다. 도 11은 도 10의 B-B'선을 따른 단면도이다. 도 12는 도 9의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 3의 RR'영역에 대응하는 확대도이다. 도 13은 도 12의 B-B'선을 따른 단면도이다. 도 14는 도 9의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 12의 B-B'선에 대응하는 단면도이다. 설명의 간결함을 위해, 도 1을 참조하여 설명된 것 및 도 2 내지 도 8을 참조하여 설명된 내용과 실질적으로 동일한 내용은 설명되지 않을 수 있다.
도 9 내지 도 11을 참조하면, 레이저 빔(LB)이 제3 고리 가공 경로(PL3)를 따라 가공 대상물(500)에 조사될 수 있다(S210). 레이저 빔(LB)은 상부 절연막(IL2)에 조사될 수 있다. 제3 고리 가공 경로(PL3)는 제3 고리 가공 경로(PL3)는 닫힌 고리 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 제3 고리 가공 경로(PL3)는 제3 직경(D3)을 갖는 원 형상을 가질 수 있다.
레이저 빔(LB)을 제3 고리 가공 경로(PL3)를 따라 상부 절연막(IL2)에 조사하는 것에 의해 상부 절연막(IL2)의 일부가 제거되어, 제3 트렌치(T3)를 형성할 수 있다. 제3 트렌치(T3)는 제3 고리 가공 경로(PL3)를 따라 연장할 수 있다. 예를 들어, 제3 트렌치(T3)는 제3 직경(D3)을 갖는 원 형상을 가질 수 있다. 제3 트렌치(T3)는 제3 트렌치 깊이(T3d)를 가질 수 있다. 제3 트렌치 깊이(T3d)는 상부 절연막(IL2)의 상면과 전기 전도성 막(CL)의 상면 사이의 거리보다 작을 수 있다. 제3 트렌치(T3)는 상부 절연막(IL2)의 일부분을 둘러쌀 수 있다. 제3 트렌치(T3)에 의해 둘러싸이는 상부 절연막(IL2)의 일부분은 제거 대상 부분(600)으로 지칭될 수 있다.
도 9, 도 12, 및 도 13을 참조하면, 레이저 빔(LB)이 제4 고리 가공 경로(PL4)를 따라 가공 대상물(500)에 조사될 수 있다(S220). 레이저 빔(LB)은 제거 대상 부분(600)에 조사될 수 있다. 제4 고리 가공 경로(PL4)는 닫힌 고리 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 제4 고리 가공 경로(PL4)는 제4 직경(D4)을 갖는 원 형상을 가질 수 있다. 스테이지(1000)의 상면(1000u)에 수직한 방향을 따르는 관점에서, 제4 고리 가공 경로(PL4)는 제3 고리 가공 경로(PL3) 내에 제공될 수 있다. 제4 고리 가공 경로(PL4)는 제3 고리 가공 경로(PL3)로부터 이격될 수 있다. 제4 직경(D4)은 제3 직경(D3)보다 작을 수 있다. 예를 들어, 제4 고리 가공 경로(PL4)와 제3 고 가공 경로(PL3)는 동심원들을 이룰 수 있다.
레이저 빔(LB)을 제거 대상 부분(600)에 조사하는 것에 의해 제거 대상 부분(600)의 일부가 제거되어, 제4 트렌치(T4)를 형성할 수 있다. 제4 트렌치(T4)는 제4 고리 가공 경로(PL4)를 따라 연장할 수 있다. 예를 들어, 제4 트렌치(T4)는 제4 직경(D4)을 갖는 원 형상을 가질 수 있다. 제4 트렌치(T4)는 제4 트렌치 깊이(T4d)를 가질 수 있다. 제4 트렌치 깊이(T4d)는 제3 트렌치 깊이(T3d)보다 클 수 있다. 예를 들어, 제4 트렌치 깊이(T4d)는 상부 절연막(IL2)의 상면과 전기 전도성 막(CL)의 상면 사이의 거리와 실질적으로 동일할 수 있다. 제4 트렌치(T4)는 전기 전도성 막(CL)의 상면을 노출할 수 있다. 일 예에서, 제4 트렌치(T4)를 형성하는 공정은, 제4 트렌치(T4)가 상부 절연막(IL2)을 관통하여 전기 전도성 막을 노출하도록, 레이저 빔(LB)의 최대 집속 거리를 조절하는 것을 포함할 수 있다. 레이저 빔(LB)의 최대 집속 거리는 음향 광학 변조기(200)에 의해 조절될 수 있다. 제4 트렌치(T4)에 의해 제거 대상 부분(600)은 확장될 수 있다. 제거 대상 부분(600)은 제3 트렌치(T3)와 제4 트렌치(T4) 사이에 배치된 제1 조각(601) 및 제4 트렌치(T4)에 의해 둘러싸인 제2 조각(602)을 포함할 수 있다.
도 9 및 도 14를 참조하면, 제거 대상 부분(600)이 가공 대상물(500)로부터 제거될 수 있다(S230). 제거 대상 부분(600)을 제거하는 공정은 도 2 및 도 8을 참조하여 설명된 제거 대상 부분(600)을 제거하는 공정과 실질적으로 동일할 수 있다. 제거 대상 부분(600)이 제거되어, 제2 홀(H2)을 형성할 수 있다. 제2 홀(H2)은 전기 전도성 막(CL)을 노출할 수 있다. 제2 홀(H2)은 솔더 볼을 실장하기 위한 패드가 배치되는 영역일 수 있다.
본 개시는 제거 대상 부분(600)을 용이하게 제거하는 홀 형성 방법을 제공할 수 있다. 본 개시는 가공 대상물을 중복 가공하는 문제를 갖지 않으며, 높은 가공 품질을 갖는 홀 형성 방법을 제공할 수 있다. 본 개시는 향상된 가공 속도를 갖는 홀 형성 방법을 제공할 수 있다.
도 15는 예시적인 실시예에 따른 홀 형성 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 16은 도 15의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 3의 RR' 영역에 대응하는 확대도이다. 도 17은 도 16의 C-C'선을 따른 단면도이다. 도 18은 도 15의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 16의 C-C'선에 대응하는 단면도이다. 설명의 간결함을 위해, 도 1을 참조하여 설명된 것 및 도 2 내지 도 8을 참조하여 설명된 내용과 실질적으로 동일한 내용은 설명되지 않을 수 있다.
도 15 내지 도 17을 참조하면, 레이저 빔(LB)이 제5 고리 가공 경로(PL5)를 따라 가공 대상물(500)에 조사될 수 있다(S310). 제5 고리 가공 경로(PL5)는 도 2 내지 도 8을 참조하여 설명된 제1 고리 가공 경로(PL1)와 실질적으로 동일할 수 있다. 레이저 빔(LB)은 상부 절연막(IL2)에 조사될 수 있다. 레이저 빔(LB)을 제5 고리 가공 경로(PL5)를 따라 상부 절연막(IL2)에 조사하는 것에 의해 상부 절연막(IL2)의 일부가 제거되어, 제5 트렌치(T5)를 형성할 수 있다. 제5 트렌치(T5)는 도 2 내지 도 8을 참조하여 설명된 제1 트렌치(T1)와 실질적으로 동일할 수 있다. 제5 트렌치(T5)에 의해 둘러싸인 제거 대상 부분(600)이 정의될 수 있다. 제5 트렌치(T5)는 전기 전도성 막(CL)의 상면을 노출할 수 있다.
레이저 빔(LB)이 제6 고리 가공 경로(PL6)를 따라 가공 대상물(500)에 조사될 수 있다(S320). 레이저 빔(LB)은 제거 대상 부분(600)에 조사될 수 있다. 제6 고리 가공 경로(PL6)는 열린 고리(Open-Loop) 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 제6 고리 가공 경로(PL6)는 일 부분이 끊긴 원형일 수 있다. 스테이지(1000)의 상면(1000u)에 수직한 방향을 따르는 관점에서, 제6 고리 가공 경로(PL6)는 제5 고리 가공 경로(PL5) 내에 제공될 수 있다. 제6 고리 가공 경로(PL6)는 제5 고리 가공 경로(PL5)로부터 이격될 수 있다. 예를 들어, 제6 고리 가공 경로(PL6)와 제5 고리 가공 경로(PL5)는 중심을 공유할 수 있다. 제6 고리 가공 경로(PL6)의 중심은 제6 고리 가공 경로(PL6) 상에 배치된 모든 점으로부터 동일한 거리만큼 이격되어 있는 한 점일 수 있다.
레이저 빔(LB)을 제거 대상 부분(600)에 조사하는 것에 의해 제거 대상 부분(600)의 일부가 제거되어, 제6 트렌치(T6)를 형성할 수 있다. 제6 트렌치(T6)는 제6 고리 가공 경로(PL6)를 따라 연장할 수 있다. 예를 들어, 제6 트렌치(T6)는 일 부분이 끊긴 원 형상을 가질 수 있다. 제6 트렌치(T6)는 전기 전도성 막(CL)의 상면을 노출할 수 있다. 도 2 내지 도 8을 참조하여 설명된 것과 달리, 제6 트렌치(T6)는 제거 대상 부분(600)을 복수의 조각들로 나누지 않을 수 있다.
도 15 및 도 18을 참조하면, 제거 대상 부분(600)이 가공 대상물(500)로부터 제거될 수 있다(S330). 제거 대상 부분(600)을 제거하는 공정은 도 2 및 도 8을 참조하여 설명된 제거 대상 부분(600)을 제거하는 것과 실질적으로 동일할 수 있다. 일 예에서, 제거 대상 부분(600)은 단일한 구조체인 상태로 석션 후드(1100)에 흡입될 수 있다. 일 예에서, 제거 대상 부분(600)은 석션 후드(1100)의 흡입력에 의해 복수의 조각들(예를 들어, 도 2 내지 도 8을 참조하여 설명된 제1 조각 및 제2 조각)로 나뉘어질 수 있다.
제거 대상 부분(600)이 가공 대상물(500)로부터 제거되어, 제3 홀(H3)을 형성할 수 있다. 제3 홀(H3)은 전기 전도성 막(CL)을 노출할 수 있다. 제3 홀(H3)은 솔더 볼을 실장하기 위한 패드가 배치되는 영역일 수 있다.
본 개시는 제거 대상 부분(600)에 제6 트렌치(T6)를 형성하여, 제거 대상 부분(600)을 용이하게 제거하는 홀 형성 방법을 제공할 수 있다. 본 개시는 가공 대상물을 중복 가공하는 문제를 갖지 않으며, 높은 가공 품질을 갖는 홀 형성 방법을 제공할 수 있다. 본 개시는 향상된 가공 속도를 갖는 홀 형성 방법을 제공할 수 있다.
도 19는 예시적인 실시예에 따른 홀 형성 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 20은 도 19의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 3의 RR' 영역에 대응하는 확대도이다. 도 21은 도 20의 D-D'선을 따른 단면도이다. 도 22는 도 19의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 3의 RR' 영역에 대응하는 확대도이다. 도 23은 도 22의 D-D'선을 따른 단면도이다. 도 24는 도 19의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 22의 D-D'선에 대응하는 단면도이다. 도 25는 도 19의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 3의 RR' 영역에 대응하는 확대도이다. 도 26은 도 25의 D-D'선을 따른 단면도이다. 도 27은 도 19의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 3의 RR' 영역에 대응하는 확대도이다. 도 28은 도 27의 D-D'선을 따른 단면도이다. 도 29는 도 19의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 27의 D-D'선에 대응하는 단면도이다. 설명의 간결함을 위해, 도 1을 참조하여 설명된 것, 도 2 내지 도 8을 참조하여 설명된 것, 및 도 9 내지 도 14를 참조하여 설명된 것과 실질적으로 동일한 내용은 설명되지 않을 수 있다.
도 19 내지 도 21을 참조하면, 레이저 빔(LB)이 제1 상부 고리 가공 경로(UPL1)를 따라 가공 대상물(500)에 조사될 수 있다(S410). 제1 상부 고리 가공 경로(UPL1)는 도 9 내지 도 14를 참조하여 설명된 제3 고리 가공 경로(PL3)와 실질적으로 동일할 수 있다. 예를 들어, 제1 상부 고리 가공 경로(UPL1)는 제1 상부 고리 직경(UD1)을 갖는 원 형상을 가질 수 있다.
레이저 빔(LB)은 상부 절연막(IL2)에 조사될 수 있다. 레이저 빔(LB)을 제1 상부 고리 가공 경로(UPL1)를 따라 상부 절연막(IL2)에 조사하는 것에 의해 상부 절연막(IL2)의 일부가 제거되어, 제1 상부 트렌치(UT1)를 형성할 수 있다. 제1 상부 트렌치(UT1)는 도 9 내지 도 14를 참조하여 설명된 제3 트렌치(T3)와 실질적으로 동일할 수 있다. 예를 들어, 제1 상부 트렌치(UT1)는 제1 상부 고리 직경(UD1)을 갖는 원 형상을 가질 수 있다. 제1 상부 트렌치(UT1)는 제1 상부 트렌치 깊이(UT1d)를 가질 수 있다. 제1 상부 트렌치 깊이(UT1d)는 상부 절연막(IL2)의 상면과 전기 전도성 막(CL)의 상면 사이의 거리보다 작을 수 있다. 제1 상부 트렌치(UT1)는 상부 절연막(IL2)의 일부분을 둘러쌀 수 있다. 제1 상부 트렌치(UT1)에 의해 둘러싸이는 상부 절연막(IL2)의 일부분은 상부 제거 대상 부분(610)으로 지칭될 수 있다.
도 19, 도 22, 및 도 23을 참조하면, 레이저 빔(LB)이 제2 상부 고리 가공 경로(UPL2)를 따라 가공 대상물(500)에 조사될 수 있다(S420). 레이저 빔(LB)은 상부 제거 대상 부분(610)에 조사될 수 있다. 제2 상부 고리 가공 경로(UPL2)는 닫힌 고리 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 상부 고리 가공 경로(UPL2)는 제2 상부 고리 직경(UD2)을 갖는 원 형상을 가질 수 있다. 스테이지(1000)의 상면(1000u)에 수직한 방향을 따르는 관점에서, 제2 상부 고리 가공 경로(UPL2)는 제1 상부 고리 가공 경로(UPL1) 내에 제공될 수 있다. 제2 상부 고리 가공 경로(UPL2)는 제1 상부 고리 가공 경로(UPL1)로부터 이격될 수 있다. 제2 상부 고리 직경(UD2)은 제1 상부 고리 직경(UD1)보다 작을 수 있다. 예를 들어, 제2 상부 고리 가공 경로(UPL2)와 제1 상부 고리 가공 경로(UPL1)는 동심원들일 수 있다.
레이저 빔(LB)을 상부 제거 대상 부분(610)에 조사하는 것에 의해 상부 제거 대상 부분(610)의 일부가 제거되어, 제2 상부 트렌치(UT2)를 형성할 수 있다. 제2 상부 트렌치(UT2)는 제2 상부 고리 가공 경로(UPL2)를 따라 연장할 수 있다. 예를 들어, 제2 상부 트렌치(UT2)는 제2 상부 고리 직경(UD2)을 갖는 원 형상을 가질 수 있다. 제2 상부 트렌치(UT2)는 제2 상부 트렌치 깊이(UT2d)를 가질 수 있다. 제2 상부 트렌치 깊이(UT2d)는 제1 상부 트렌치 깊이(UT1d)와 실질적으로 동일할 수 있다. 제2 상부 트렌치 깊이(UT2d)는 상부 절연막(IL2)의 상면과 전기 전도성 막(CL)의 상면 사이의 거리보다 작을 수 있다. 제2 상부 트렌치(UT2)는 상부 제거 대상 부분(610)을 제1 상부 조각(611)과 제2 상부 조각(612)으로 분리할 수 있다.
도 19 및 도 24를 참조하면, 상부 제거 대상 부분(610)이 가공 대상물(500)로부터 제거될 수 있다(S430). 상부 제거 대상 부분(610)을 제거하는 공정은 도 1에 도시된 석션 후드(1100)로 상부 제거 대상 부분(610)을 흡입하는 것을 포함할 수 있다. 상부 제거 대상 부분(610)은 제1 상부 조각(611) 및 제2 상부 조각(612)으로 나뉘어 석션 후드(1100)에 흡입될 수 있다. 상부 제거 대상 부분(610)이 제거되어, 상부 홀(UH)을 형성할 수 있다. 상부 홀(UH)은 상부 제거 대상 부분(610)이 제거되기 전에 상부 제거 대상 부분(610) 아래에 배치된 상부 절연막(IL2)을 노출할 수 있다.
도 19, 도 25 및 도 26을 참조하면, 레이저 빔(LB)이 제1 하부 고리 가공 경로(LPL1)를 따라 가공 대상물(500)에 조사될 수 있다(S440). 제1 하부 고리 가공 경로(LPL1)는 닫힌 고리 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 하부 고리 가공 경로(LPL1)는 제1 하부 고리 직경(LD1)을 갖는 원 형상을 가질 수 있다.
레이저 빔(LB)은 상부 홀(UH)에 의해 노출되는 상부 절연막(IL2)에 조사될 수 있다. 레이저 빔(LB)을 제1 하부 고리 가공 경로(LPL1)를 따라 상부 절연막(IL2)에 조사하는 것에 의해 상부 절연막(IL2)의 일부가 제거되어, 제1 하부 트렌치(LT1)를 형성할 수 있다. 제1 하부 트렌치(LT1)는 제1 하부 고리 가공 경로(LPL1)를 따라 연장할 수 있다. 예를 들어, 제1 하부 트렌치(LT1)는 제1 하부 고리 직경(LD1)을 갖는 원 형상을 가질 수 있다. 제1 하부 트렌치(LT1)는 제1 하부 트렌치 깊이(LT1d)를 가질 수 있다. 제1 하부 트렌치 깊이(LT1d)는 상부 홀(UH)에 의해 노출되는 상부 절연막(IL2)의 상면과 전기 전도성 막(CL)의 상면 사이의 거리와 실질적으로 동일할 수 있다. 제1 하부 트렌치(LT1)는 전기 전도성 막(CL)의 상면을 노출할 수 있다. 제1 하부 트렌치(LT1)는 상부 절연막(IL2)의 일부분을 둘러쌀 수 있다. 제1 하부 트렌치(LT1)에 의해 둘러싸이는 상부 절연막(IL2)의 일부분은 하부 제거 대상 부분(620)으로 지칭될 수 있다.
도 19, 도 27, 및 도 28을 참조하면, 레이저 빔(LB)이 제2 하부 고리 가공 경로(LPL2)를 따라 가공 대상물(500)에 조사될 수 있다(S450). 레이저 빔(LB)은 하부 제거 대상 부분(610)에 조사될 수 있다. 제2 하부 고리 가공 경로(LPL2)는 닫힌 고리 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 하부 고리 가공 경로(LPL2)는 제2 하부 고리 직경(LD2)을 갖는 원 형상을 가질 수 있다. 스테이지(1000)의 상면(1000u)에 수직한 방향을 따르는 관점에서, 제2 하부 고리 가공 경로(LPL2)는 제1 하부 고리 가공 경로(LPL1) 내에 제공될 수 있다. 제2 하부 고리 가공 경로(LPL2)는 제1 하부 고리 가공 경로(LPL1)로부터 이격될 수 있다. 제2 하부 고리 직경(LD2)은 제1 하부 고리 직경(LD1)보다 작을 수 있다. 예를 들어, 제2 하부 고리 가공 경로(LPL2)와 제1 하부 고리 가공 경로(LPL1)는 동심원들일 수 있다.
레이저 빔(LB)을 하부 제거 대상 부분(620)에 조사하는 것에 의해 하부 제거 대상 부분(620)의 일부가 제거되어, 제2 하부 트렌치(LT2)를 형성할 수 있다. 제2 하부 트렌치(LT2)는 제2 하부 고리 가공 경로(LPL2)를 따라 연장할 수 있다. 예를 들어, 제2 하부 트렌치(LT2)는 제2 하부 고리 직경(LD2)을 갖는 원 형상을 가질 수 있다. 제2 하부 트렌치(LT2)는 제2 하부 트렌치 깊이(LT2d)를 가질 수 있다. 제2 하부 트렌치 깊이(LT2d)는 제1 하부 트렌치 깊이(LT1d)와 실질적으로 동일할 수 있다. 제2 하부 트렌치 깊이(LT2d)는 하부 제거 대상 부분(620)의 상면과 전기 전도성 막(CL)의 상면 사이의 거리와 실질적으로 동일할 수 있다. 제2 하부 트렌치(LT2)는 하부 제거 대상 부분(620)을 제1 하부 조각(621)과 제2 하부 조각(622)으로 분리할 수 있다.
도 19 및 도 29를 참조하면, 하부 제거 대상 부분(620)이 가공 대상물(500)로부터 제거될 수 있다(S460). 하부 제거 대상 부분(620)을 제거하는 공정은 도 1에 도시된 석션 후드(1100)로 하부 제거 대상 부분(620)을 흡입하는 것을 포함할 수 있다. 하부 제거 대상 부분(620)은 제1 하부 조각(621) 및 제2 하부 조각(622)으로 나뉘어 석션 후드(1100)에 흡입될 수 있다. 하부 제거 대상 부분(620)이 제거되어, 하부 홀(LH)을 형성할 수 있다. 하부 홀(LH)은 전기 전도성 막(CL)을 노출할 수 있다. 일 예에서, 상부 홀(UH) 및 하부 홀 (LH)은 솔더 볼을 배치하기 위한 패드가 증착되는 영역을 제공할 수 있다.
본 개시는 상부 제거 대상 부분(610) 및 하부 제거 대상 부분(620)을 용이하게 제거하는 홀 형성 방법을 제공할 수 있다. 본 개시는 가공 대상물을 중복 가공하는 문제를 갖지 않으며, 높은 가공 품질을 갖는 홀 형성 방법을 제공할 수 있다. 본 개시는 향상된 가공 속도를 갖는 홀 형성 방법을 제공할 수 있다.
도 30은 예시적인 실시예에 따른 홀 형성 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 31은 도 30의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 3의 RR' 영역에 대응하는 확대도이다. 도 32는 도 31의 E-E'선을 따른 단면도이다. 도 33은 도 30의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 31의 E-E'선에 대응하는 단면도이다. 도 34는 도 30의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 3의 RR' 영역에 대응하는 확대도이다. 도 35는 도 34의 E-E'선을 따른 단면도이다. 도 36은 도 30의 홀 형성 방법을 설명하기 위한 도 34의 E-E'선에 대응하는 단면도이다. 설명의 간결함을 위해, 도 1을 참조하여 설명된 것, 도 2 내지 도 8을 참조하여 설명된 것, 및 도 9 내지 도 14를 참조하여 설명된 것과 실질적으로 동일한 내용은 설명되지 않을 수 있다.
도 30 내지 도 32를 참조하면, 레이저 빔(LB)이 상부 고리 가공 경로(UPL)를 따라 가공 대상물(500)에 조사될 수 있다(S510). 상부 고리 가공 경로(UPL)는 닫힌 고리 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상부 고리 가공 경로(UPL)는 상부 고리 직경(UD)을 갖는 원 형상을 가질 수 있다. 상부 고리 직경(UD)은 후술되는 상부 트렌치(UT)에 의해 정의되는 상부 제거 대상 부분(610)이 석션 후드(1100)에 흡입될 수 있을 정도로 충분히 작을 수 있다.
레이저 빔(LB)은 상부 절연막(IL2)에 조사될 수 있다. 레이저 빔(LB)을 상부 고리 가공 경로(UPL)를 따라 상부 절연막(IL2)에 조사하는 것에 의해 상부 절연막(IL2)의 일부가 제거되어, 상부 트렌치(UT)를 형성할 수 있다. 상부 트렌치(UT1)는 상부 고리 가공 경로(UPL)를 따라 연장할 수 있다. 예를 들어, 상부 트렌치(UT)는 상부 고리 직경(UD)을 갖는 원 형상을 가질 수 있다. 상부 트렌치(UT)는 상부 트렌치 깊이(UTd)를 가질 수 있다. 상부 트렌치 깊이(UTd)는 상부 절연막(IL2)의 상면과 전기 전도성 막(CL)의 상면 사이의 거리보다 작을 수 있다. 상부 트렌치(UT)는 전기 전도성 막(CL)의 상면을 노출할 수 있다. 상부 트렌치(UT)는 상부 절연막(IL2)의 일부분을 둘러쌀 수 있다. 상부 트렌치(UT)에 의해 둘러싸이는 상부 절연막(IL2)의 일부분은 상부 제거 대상 부분(610)으로 지칭될 수 있다.
도 30 및 도 33을 참조하면, 상부 제거 대상 부분(610)이 가공 대상물(500)로부터 제거될 수 있다(S520). 상부 제거 대상 부분(610)을 제거하는 공정은 도 1에 도시된 석션 후드(1100)로 상부 제거 대상 부분(610)을 흡입하는 것을 포함할 수 있다. 상부 제거 대상 부분(610)이 제거되어, 상부 홀(UH)을 형성할 수 있다. 상부 홀(UH)은 상부 제거 대상 부분(610)이 제거되기 전에 상부 제거 대상 부분(610) 아래에 배치된 상부 절연막(IL2)을 노출할 수 있다.
도 30, 도 34, 및 도 35를 참조하면, 레이저 빔(LB)이 하부 고리 가공 경로(LPL)를 따라 가공 대상물(500)에 조사될 수 있다(S530). 하부 고리 가공 경로(LPL)는 닫힌 고리 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 하부 고리 가공 경로(LPL)는 하부 고리 직경(LD)을 갖는 원 형상을 가질 수 있다.
레이저 빔(LB)은 상부 홀(UH)에 의해 노출되는 상부 절연막(IL2)에 조사될 수 있다. 레이저 빔(LB)을 하부 고리 가공 경로(LPL)를 따라 하부 절연막(IL1)에 조사하는 것에 의해 하부 절연막(IL1)의 일부가 제거되어, 하부 트렌치(LT)를 형성할 수 있다. 하부 트렌치(LT)는 하부 고리 가공 경로(LPL)를 따라 연장할 수 있다. 예를 들어, 하부 트렌치(LT)는 하부 고리 직경(LD)을 갖는 원 형상을 가질 수 있다. 하부 트렌치(LT)는 하부 트렌치 깊이(LTd)를 가질 수 있다. 하부 트렌치 깊이(LTd)는 상부 홀(UH)에 의해 노출되는 상부 절연막(IL2)의 상면과 전기 전도성 막(CL)의 상면 사이의 거리와 실질적으로 동일할 수 있다. 하부 트렌치(LT)는 전기 전도성 막(CL)의 상면을 노출할 수 있다. 하부 트렌치(LT)는 상부 절연막(IL2)의 일부분을 둘러쌀 수 있다. 하부 트렌치(LT)에 의해 둘러싸이는 상부 절연막(IL2)의 일부분은 하부 제거 대상 부분(620)으로 지칭될 수 있다.
도 30 및 도 36을 참조하면, 하부 제거 대상 부분(620)이 가공 대상물(500)로부터 제거될 수 있다(S540). 하부 제거 대상 부분(620)을 제거하는 공정은 도 1에 도시된 석션 후드(1100)로 하부 제거 대상 부분(620)을 흡입하는 것을 포함할 수 있다. 하부 제거 대상 부분(620)이 제거되어, 하부 홀(LH)을 형성할 수 있다. 하부 홀(LH)은 전기 전도성 막(CL)을 노출할 수 있다. 일 예에서, 상부 홀(UH) 및 하부 홀(LH)은 솔더 볼을 배치하기 위한 패드가 증착되는 영역을 제공할 수 있다.
본 개시는 상부 제거 대상 부분(610) 및 하부 제거 대상 부분(620)을 용이하게 제거하는 홀 형성 방법을 제공할 수 있다. 본 개시는 가공 대상물을 중복 가공하는 문제를 갖지 않으며, 높은 가공 품질을 갖는 홀 형성 방법을 제공할 수 있다. 본 개시는 가공 속도가 향상된 홀 형성 방법을 제공할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상의 실시예들에 대한 이상의 설명은 본 발명의 기술적 사상의 설명을 위한 예시를 제공한다. 따라서 본 발명의 기술적 사상은 이상의 실시예들에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당해 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 상기 실시예들을 조합하여 실시하는 등 여러 가지 많은 수정 및 변경이 가능함은 명백하다.
100: 레이저 광원 200: 음향 광학 변조기
300: 가이드 미러들 400: 스캔 헤드
1000: 스테이지 1100: 석션 후드

Claims (20)

  1. 레이저 광원;
    상기 레이저 광원으로부터 제공되는 레이저 빔의 가공 경로를 제어하는 음향 광학 변조기;
    상기 음향 광학 변조기로부터 제공되는 상기 레이저 빔을 가공 대상물에 조사하는 스캔 헤드; 및
    상기 가공 대상물에 인접하게 제공되는 석션 후드;를 포함하되,
    상기 음향 광학 변조기는, 상기 레이저 빔이 제1 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사되어 상기 가공 대상물에 제1 트렌치를 형성하고, 상기 레이저 빔이 제2 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사되어 상기 가공 대상물에 제2 트렌치를 형성하도록, 상기 레이저 빔의 상기 가공 경로를 제어하고,
    상기 제2 트렌치는 상기 제1 트렌치에 의해 둘러싸인 영역 내에 상기 제1 트렌치로부터 이격되어 제공되고,
    상기 석션 후드는, 상기 제1 트렌치에 의해 둘러싸인 상기 가공 대상물의 제1 제거 대상 부분을 제거하는 홀 형성 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 고리 가공 경로는 닫힌 고리(Closed Loop) 형상을 갖고,
    상기 제2 고리 가공 경로는 열린 고리(Open Loop) 형상을 갖는 홀 형성 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 고리 가공 경로 및 상기 제2 고리 가공 경로의 각각은 닫힌 고리(Closed Loop) 형상을 갖는 홀 형성 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 고리 가공 경로 및 상기 제2 고리 가공 경로의 각각은 원 형상을 갖는 홀 형성 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 고리 가공 경로 및 상기 제2 고리 가공 경로는 동심원들을 이루는 홀 형성 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 음향 광학 변조기는, 상기 레이저 빔이 상기 제1 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사된 후, 상기 제2 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사되도록 상기 레이저 빔의 상기 가공 경로를 제어하는 홀 형성 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 음향 광학 변조기는, 상기 레이저 빔이 상기 제2 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사된 후, 상기 제1 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사되도록 상기 레이저 빔의 상기 가공 경로를 제어하는 홀 형성 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 트렌치의 깊이는 상기 제2 트렌치의 깊이와 동일한 홀 형성 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 트렌치의 깊이는 상기 제1 트렌치의 깊이보다 깊은 홀 형성 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 석션 후드는, 상기 레이저 빔이 상기 제1 고리 가공 경로 및 상기 제2 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사된 후, 상기 제1 제거 대상 부분을 제거하고,
    상기 제1 제거 대상 부분을 제거하는 것에 의해 제1 홀이 형성되는 홀 형성 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 음향 광학 변조기는, 상기 제1 제거 대상 부분이 상기 가공 대상물로부터 제거된 후, 상기 레이저 빔이 제3 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사되어 상기 가공 대상물에 제3 트렌치를 형성하고, 상기 레이저 빔이 제4 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사되어 상기 가공 대상물에 제4 트렌치를 형성하도록, 상기 레이저 빔의 상기 가공 경로를 제어하고,
    상기 제4 트렌치는 상기 제3 트렌치에 의해 둘러싸인 영역 내에 상기 제3 트렌치로부터 이격되어 제공되고,
    상기 제3 트렌치 및 상기 제4 트렌치를 형성하는 상기 레이저 빔은 상기 제1 홀을 지나 상기 가공 대상물에 조사되는 홀 형성 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 석션 후드는, 상기 레이저 빔이 상기 제3 고리 가공 경로 및 상기 제4 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사된 후, 상기 제3 트렌치에 의해 둘러싸인 상기 가공 대상물의 제2 제거 대상 부분을 제거하는 홀 형성 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 음향 광학 변조기는 상기 레이저 빔이 상기 제1 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사된 후, 상기 제2 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사되도록 상기 레이저 빔의 상기 가공 경로를 제어하고,
    상기 석션 후드는:
    상기 레이저 빔이 상기 제1 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사된 후 및 상기 레이저 빔이 상기 제2 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사되기 전, 상기 제1 제거 대상 부분을 제거하여 제1 홀을 형성하고,
    상기 레이저 빔이 상기 제2 고리 가공 경로를 따라 상기 제1 홀에 의해 노출되는 상기 가공 대상물에 조사된 후, 상기 제2 트렌치에 의해 둘러싸인 상기 가공 대상물의 제2 제거 대상 부분을 제거하여 제2 홀을 형성하는 홀 형성 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 가공 대상물은:
    하부 절연막;
    상기 하부 절연막 상에 제공되는 상부 절연막; 및
    상기 하부 절연막과 상기 상부 절연막 사이에 제공되는 전기 전도성 막;을 포함하고,
    상기 제1 트렌치 및 상기 제2 트렌치는 상기 상부 절연막에 형성되는 홀 형성 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 석션 후드는, 상기 레이저 빔이 상기 제1 고리 가공 경로 및 상기 제2 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사된 후, 상기 제1 제거 대상 부분을 제거하고,
    상기 제1 제거 대상 부분을 제거하는 것에 의해 상기 전기 전도성 막의 상면을 노출하는 홀이 형성되는 홀 형성 장치.
  16. 제1 고리 가공 경로를 따라 가공 대상물에 레이저 빔을 조사하여 제1 트렌치를 형성하는 것;
    제2 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 상기 레이저 빔을 조사하여 제2 트렌치를 형성하는 것; 및
    상기 제1 트렌치에 의해 둘러싸인 제1 제거 대상 부분을 상기 가공 대상물로부터 제거하는 것;을 포함하되,
    상기 제2 트렌치는 상기 제1 제거 대상 부분에 형성되고, 상기 제1 트렌치로부터 이격되도록 형성되는 홀 형성 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제1 고리 가공 경로 및 상기 제2 고리 가공 경로의 각각은 닫힌 고리 형상을 갖는 홀 형성 방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 레이저 빔은 상기 제1 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사된 후, 상기 제2 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 조사되는 홀 형성 방법.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 제1 트렌치의 깊이는 상기 제2 트렌치의 깊이와 동일한 홀 형성 방법.
  20. 제 16 항에 있어서,
    상기 제1 제거 대상 부분이 상기 가공 대상물로부터 제거된 후, 제3 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 상기 레이저 빔을 조사하여 제3 트렌치를 형성하는 것;
    제4 고리 가공 경로를 따라 상기 가공 대상물에 상기 레이저 빔을 조사하여 제4 트렌치를 형성하는 것; 및
    상기 제3 트렌치에 의해 둘러싸인 제2 제거 대상 부분을 상기 가공 대상물로부터 제거하는 것;을 더 포함하되,
    상기 제4 트렌치는 상기 제2 제거 대상 부분에 형성되고, 상기 제3 트렌치로부터 이격되도록 형성되는 홀 형성 방법.
KR1020200056666A 2020-05-12 2020-05-12 홀 형성 장치 및 홀 형성 방법 KR102319690B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200056666A KR102319690B1 (ko) 2020-05-12 2020-05-12 홀 형성 장치 및 홀 형성 방법
TW110116403A TWI785600B (zh) 2020-05-12 2021-05-06 形成孔洞之裝置以及形成孔洞之方法
PCT/KR2021/005906 WO2021230634A1 (ko) 2020-05-12 2021-05-11 홀 형성 장치 및 홀 형성 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200056666A KR102319690B1 (ko) 2020-05-12 2020-05-12 홀 형성 장치 및 홀 형성 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102319690B1 true KR102319690B1 (ko) 2021-11-02

Family

ID=78476142

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200056666A KR102319690B1 (ko) 2020-05-12 2020-05-12 홀 형성 장치 및 홀 형성 방법

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR102319690B1 (ko)
TW (1) TWI785600B (ko)
WO (1) WO2021230634A1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005324215A (ja) * 2004-05-13 2005-11-24 Sony Corp レーザ加工方法および装置
KR20140054069A (ko) * 2011-07-15 2014-05-08 엠-솔브 리미티드 박막 기기를 개별 셀들로 분할하는 방법 및 장치
KR20170097425A (ko) * 2016-02-18 2017-08-28 주식회사 이오테크닉스 레이저 가공 장치 및 방법
KR102108974B1 (ko) * 2018-11-27 2020-05-28 제너셈(주) 전자파 차폐면 제거 방법

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4506650B2 (ja) * 2005-11-16 2010-07-21 株式会社デンソー ダイシングシートおよびレーザダイシング方法
JP2014226695A (ja) * 2013-05-22 2014-12-08 旭硝子株式会社 放電補助式レーザ孔加工装置
KR20150102180A (ko) * 2014-02-27 2015-09-07 삼성디스플레이 주식회사 레이저 빔 조사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005324215A (ja) * 2004-05-13 2005-11-24 Sony Corp レーザ加工方法および装置
KR20140054069A (ko) * 2011-07-15 2014-05-08 엠-솔브 리미티드 박막 기기를 개별 셀들로 분할하는 방법 및 장치
KR20170097425A (ko) * 2016-02-18 2017-08-28 주식회사 이오테크닉스 레이저 가공 장치 및 방법
KR102108974B1 (ko) * 2018-11-27 2020-05-28 제너셈(주) 전자파 차폐면 제거 방법

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021230634A1 (ko) 2021-11-18
TWI785600B (zh) 2022-12-01
TW202146146A (zh) 2021-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4734550A (en) Laser processing method
KR100500343B1 (ko) 레이저 가공 장치
CN102449863B (zh) 使用具有靶特征的激光射束的透过透镜校准的激光处理系统
CN113039038B (zh) 激光加工装置及激光加工方法
US9442286B2 (en) Spaced configuration of acousto-optic deflectors for laser beam scanning of a semiconductor substrate
CN105163897A (zh) 锥度控制的射束角协调及工件运动
TW201341095A (zh) 雷射加工裝置及雷射加工方法
US20220314364A1 (en) Laser processing system and method thereof
JP2005074479A (ja) レーザ加工装置、及びレーザ加工方法
TW201913795A (zh) 使用選擇性聚焦深度的輻射晶片切割
KR102319690B1 (ko) 홀 형성 장치 및 홀 형성 방법
JPH11192571A (ja) レーザー加工方法及びその装置
JP3682295B2 (ja) レーザ加工装置
KR101789185B1 (ko) 레이저 빔의 경사각을 이용한 레이저 가공방법
JP2020062658A (ja) レーザ加工装置およびレーザ加工方法
JP3667709B2 (ja) レーザ加工方法
KR20220156940A (ko) 레이저 가공 장치, 레이저 가공 방법 및 웨이퍼
JP2020062657A (ja) レーザ加工装置およびレーザ加工方法
KR101057458B1 (ko) 드릴링 장치 및 드릴링 방법
JPS62168688A (ja) レ−ザ加工装置
KR20190052603A (ko) 레이저가공장치
KR20190115977A (ko) 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법
JP2004327552A (ja) 立体回路パターンの形成方法、装置、及びこれらを用いて製造される立体回路板
JP4505854B2 (ja) レーザ加工装置
KR20160140212A (ko) 레이저 가공장치 및 레이저 가공방법

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant