CN104852645B - 电路装置以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种电路装置以及电子设备。电路装置能够通过不需要检测电阻而实现低耗电化或部件件数的削減等。电路装置包括：电桥电路；控制电路，其对通过低电位侧的晶体管以及高电位侧的晶体管中的至少一方的晶体管的导通电流和导通电阻而被设定的检测电压(V2(V1))、和基准电压(VR)进行比较，从而输出检测结果，实施电桥电路的晶体管的导通/断开控制，并实施从充电期间向衰减期间的切换。

Description

电路装置以及电子设备
技术领域
本发明涉及一种电路装置以及电子设备等。
背景技术
作为对直流电机进行驱动的电机驱动，已知一种通过对截断电流进行控制来对电机的驱动进行控制的方法。在该方法中，通过利用检测电阻将流至H电桥电路的电流进行电流/电压转换，从而将所获得的电压与基准电压进行比较，来对截断电流进行检测。而且，通过将该检测结果反馈至控制电路，对电桥电路的驱动信号进行PWM控制，从而使电机以固定的速度进行旋转。作为这种电机驱动的现有技术，已知有专利文献1、专利文献2中公开的技术。
该电机驱动的电桥电路具有驱动用的第一晶体管至第四晶体管(开关元件)，第一晶体管、第四晶体管和第二晶体管、第三晶体管相对于电机而被呈对角地电连接。而且，在充电期间内，第一晶体管、第四晶体管导通。由此，电机的正极侧端子(+端子)被设定为高电位的电压，负极侧端子(-端子)被设定为低电位的电压。另一方面，在衰减期间内，第二晶体管、第三晶体管导通。由此，电机的正极侧端子被设定为低电位的电压，负极侧端子被设定为高电位的电压。
但是，在现有的电机驱动中，在电桥电路和低电位电源(GND)之间设置电流检测用的检测电阻，对流过电桥电路的电流流过检测电阻时产生的电压进行监控，从而控制了电桥电路的晶体管的导通或断开。因此，在检测电阻中无用的电力被消耗，成为了低耗电化的障碍。另外，由于将检测电阻作为电路装置(IC)的外部配件设置，因此，增加了装入有电路装置的电子设备的部件件数增加，并导致了成本增加等问题。
专利文献1日本特开2008-42975号公报
专利文献2日本特开2010-12873号公报
发明内容
根据本发明的几个方式，能够提供给一种不需要检测电阻就可以实现低耗电化或部件件数的削減等的电路装置以及电子设备等。
本发明的一个方式涉及一种电路装置，包括：电桥电路，其具有高电位侧的晶体管和低电位侧的晶体管；检测电路，其对通过所述低电位侧的晶体管以及所述高电位侧的晶体管中的至少一方的晶体管的导通电流和导通电阻而被设定的检测电压、和基准电压进行比较，从而输出检测结果；控制电路，其实施所述高电位侧的晶体管以及所述低电位侧的晶体管的导通/断开控制，并根据所述检测电路的所述检测结果而实施从充电期间向衰减期间的切换。
根据本发明的一个方式，对通过低电位侧的晶体管以及高电位侧的晶体管中的至少一方的晶体管的导通电流和导通电阻而被设定的检测电压、和基准电压进行比较。而且，根据该比较的检测结果，实施从充电期间向衰减期间的切换。如果采用这种方式，则即使不设置检测电阻，也能够实施从充电期间向衰减期间的切换，因此不需要检测电阻，也能够实现低耗电化或部件件数的削減等。
另外，在本发明的一个方式中，也可以采用如下方式，即，所述基准电压具有对所述检测电压的第一温度特性进行补偿的第二温度特性，所述检测电路通过对所述检测电压、和所述第二温度特性的所述基准电压进行比较，从而输出所述检测结果。
如果采用这种方式，例如，即使在通过晶体管的导通电阻的温度特性等而使检测电压具有第一温度特性的情况下，也能够通过使基准电压具有第二温度特性从而对该第一温度特性进行温度补偿。因此，即使在温度变化的情况下，也能够适当地实施从充电期间向衰减期间的切换。
另外，在本发明的一个方式中，也可以采用如下方式，即，包括温度补偿电路，所述温度补偿电路根据来自温度检测部的温度检测结果，将所述基准电压的温度特性设定为所述第二温度特性。
如果采用这种方式，通过温度检测部来对温度进行检测，根据该温度检测结果，能够将基准电压的温度特性设定为第二温度特性。
另外，在本发明的一个方式中，也可以采用如下方式，即，所述温度检测部输出第三温度特性的温度检测电压，以作为所述温度检测结果，所述温度补偿电路根据所述第三温度特性的所述温度检测电压而实施将所述基准电压的温度特性设定为所述第二温度特性的补正处理。
如果采用这种方式，通过例如利用温度补偿电路而对温度检测电压的第三温度特性进行转换，从而能够将基准电压的温度特性设定为第二温度特性。
另外，在本发明的一个方式中，也可以采用如下方式，即，包括过热保护电路，所述过热保护电路具有所述温度检测部，并实施过热保护工作，所述温度补偿电路根据来自所述过热保护电路的所述温度检测部的所述温度检测结果，将所述基准电压的温度特性设定为所述第二温度特性。
如果采用这种方式，通过有效运用设置于过热保护电路中的温度检测部，能够将基准电压的温度特性设定为第二温度特性。
另外，在本发明的一个方式中，也可以采用如下方式，即，所述检测电路包括数模转换电路，所述数模转换电路用于将从充电期间向衰减期间的切换的判断中所使用的截断电流设定为可变，所述温度补偿电路通过所述数模转换电路的设定，从而将作为从所述数模转换电路输出的电压的所述基准电压的温度特性设定为第二温度特性。
如果采用这种方式，通过具有用于将充电电流设定为可变的数模转换电路，从而能够将基准电压的温度特性设定为第二温度特性。
另外，在本发明的一个方式中，也可以采用如下方式，即，包括存储部，所述存储部存储用于将所述基准电压的温度特性设定为所述第二温度特性的补正数据。
如果采用这种方式，通过在存储部存储补正数据，从而能够利用该补正数据来将基准电压的温度特性设定为第二温度特性。
另外，在本发明的一个方式中，也可以采用如下方式，即，所述第一温度特性以及所述第二温度特性为正的温度特性。
另外，在本发明的一个方式中，也可以采用如下方式，即，所述检测电路通过对作为所述检测电压的所述低电位侧晶体管的漏极电压、和所述基准电压进行比较，从而输出所述检测结果。
另外，在本发明的一个方式中，也可以采用如下方式，即，所述检测电路通过对作为所述检测电压的所述高电位侧的晶体管的漏极电压、和所述基准电压进行比较，从而输出所述检测结果。
另外，在本发明的一个方式中，也可以采用如下方式，即，所述控制电路以在所述检测电压超过了所述基准电压的情况下实施从所述充电期间向所述衰减期间的切换的方式，实施所述高电位侧的晶体管以及所述低电位侧的晶体管的导通/断开控制。
另外，本发明其他方式涉及一种电子设备，所述电子设备包括上述的任一方式中所述的电路装置。
附图说明
图1为本实施方式的电路装置的结构例。
图2(A)、图2(B)为电桥电路的工作说明图。
图3为截断工作的控制方法的说明图。
图4为本实施方式的比较例的电路装置的结构例。
图5为本实施方式的电路装置的详细的结构例。
图6为晶体管的导通电阻的温度特性例。
图7为过热保护电路以及温度检测部的结构例。
图8为温度检测电压的温度特性例。
图9为DAC设定用的补正设定表的例。
图10为DAC设定用的补正设定表的例。
图11为本实施方式的电路装置的改变例。
图12为电子设备的结构例。
具体实施方式
以下，对本发明的优选的实施方式进行详细的说明。并且，以下说明的本实施方式并非对权利要求书记载的本发明的内容进行不当限定的方式，本实施方式中所说明的全部结构作为本发明的解决方法而言不一定是必须的。
1.电路装置的电路结构
图1表示本实施方式的电路装置的电路结构例。本实施方式的电路装置包括电桥电路10、控制电路20、检测电路30。还可以包括预驱动器18。并且，本实施方式的电路装置并不限定为图1的结构，可以省略该结构要素的一部分，或者实施增加其他结构要素等各种变形。
电桥电路10具有高电位侧的晶体管Q1、Q3和低电位侧的晶体管Q2、Q4。电桥电路10为向电机100(例如直流电机)输出驱动电流输出的电路，在图1中，形成H电桥的电路结构。高电位侧的晶体管Q1、Q3例如为P型(广义而言为第一导电型)的晶体管，低电位侧的晶体管Q2、Q4例如为N型(广义而言为第2导电型)的晶体管。高电位侧的晶体管为，连接于与低电位侧的晶体管相比靠高电位电源侧的晶体管。低电位侧的晶体管为，连接于与高电位侧的晶体管相比靠低电位电源侧的晶体管。并且，全部晶体管Q1、Q2、Q3、Q4也可以N型的晶体管。另外，在Q1、Q2、Q3、Q4的源极、漏极间，存在未图示的体二极管(寄生二极管)。
高电位侧的晶体管Q1、Q3的源极连接于高电位侧的电源VBB(第一电源)的节点。低电位侧的晶体管Q2、Q4的源极连接于低电位侧的电源VSS(GND)的节点。
晶体管Q1的漏极和晶体管Q2的漏极连接于与电机100(广义而言为驱动对象)的一端连接的节点N1。电机100例如被设置在电路装置的外部，节点N1与电机100的一端例如经由电路装置(IC)的端子(衬垫)而被电连接在一起。
晶体管Q3的漏极与晶体管Q4的漏极连接于与电机100的另一端连接的节点N2上。节点N2与电机100的另一端例如经由电路装置的端子(衬垫)而被电连接在一起。
检测电路30对流至电桥电路10的电流进行检测，并输出检测结果。例如，检测电路30将检测结果信号RQ作为检测结果向控制电路20输出。
检测电路30包括基准电压生成电路32、数模转换电路DAC和比较电路CP(比较器)。基准电压生成电路32生成恒压的基准电压VRF。该基准电压生成电路32例如通过带隙基准电路等而被实现。
数模转换电路DAC接受基准电压VRF，生成基于设定数据而可变地发生变化的基准电压VR。具体而言，数模转换电路DAC为了将对从充电期间到衰减期间的切换的判断所使用的截断电流设定为可变，而使基准电压VR发生变化。作为数模转换电路DAC，例如可以采用使用了梯形电阻电路的数模转换电路等。
比较电路CP在第一输入端子(非反转输入端子)处被输入基准电压VR，在第二输入端子(反转输入端子)处被输入检测电压V2，从而输出检测结果信号RQ。例如，如后文所述，截断电流由被输入比较电路CP中的基准电压VR决定，因此通过利用数模转换电路DAC来使基准电压VR发生变化，从而能够对电机100的转矩等进行控制。
控制电路20根据检测电路30中的检测结果，对高电位侧的晶体管Q1、Q3以及低电位侧的晶体管Q2、Q4的导通断开控制。具体而言，根据来自检测电路30的检测结果信号RQ，生成作为PWM信号的控制信号IN1、IN2、IN3、IN4。通过这些控制信号IN1、IN2、IN3、IN4，来控制充电期间的长度。
预驱动器18对来自控制电路20的控制信号IN1、IN2、IN3、IN4进行缓冲，并将驱动信号DG1、DG2、DG3、DG4输出至晶体管Q1、Q2、Q3、Q4的栅极。预驱动器18具有驱动电路PR1、PR2、PR3、PR4，驱动电路PR1、PR2、PR3、PR4对控制信号IN1、IN2、IN3、IN4进行缓冲从而输出驱动信号DG1、DG2、DG3、DG4。
而且，在本实施方式中，检测电路30通过对根据高电位侧的晶体管(Q1、Q3)以及低电位侧的晶体管(Q2、Q4)的至少一方的晶体管的导通电流和导通电阻设定的检测电压V2、与基准电压VR进行比较，从而输出检测结果。
例如，在图1中，检测电压V2为低电位侧的晶体管Q4的漏极电压(漏极·源极间电压)。例如，在将晶体管Q4的导通电流设为ION4，讲此时的导通电阻设为RON4时，检测电压V2可以表示为V2＝ION4×RON4。检测电路30通过对该检测电压V2和基准电压VR进行比较，从而将作为检测结果的检测结果信号RQ输出至控制电路20。并且，检测电压也可以为低电位侧的晶体管Q2的漏极电压。
另外，在后文所述的图11的改变例中，高电位侧的晶体管Q1的漏极电压(漏极·源极间电压)成为检测电压V1。例如，在将晶体管Q1的导通电流设为ION1，将此时的导通电阻设为RON1时，检测电压V1能够表示为V1＝ION1×RON1。检测电路30对该检测电压V1和基准电压VR进行比较，从而输出检测结果。并且，检测电压也可以为高电位侧的晶体管Q3的漏极电压。
而且，控制电路20实施高电位侧的晶体管Q1、Q3以及低电位侧的晶体管Q2、Q4的导通/断开控制，并根据检测电路30的检测结果，实施从充电期间向衰减期间的切换。
例如，检测电路30通过对低电位侧的晶体管Q4的漏极电压的亦即检测电压V2是否超过基准电压VR进行判断，从而对流至电桥电路10的电流是否达到截断电流进行检测。而且，当检测电压V2超过基准电压VR，流至电桥电路10的电流达到截断电流时，将检测结果信号RQ置为激活。于是，接受了该检测结果信号RQ的控制电路20以从充电期间向衰减期间进行切换的方式实施高电位侧的晶体管Q1、Q3以及低电位侧的晶体管Q2、Q4的导通/断开控制。如此，在本实施方式中，控制电路20以在检测电压V2超过基准电压VR时从充电期间向所述衰减期间进行切换的方式，实施高电位侧的晶体管Q1、Q3以及低电位侧的晶体管Q2、Q4的导通/断开控制。
在该情况下，优选为，基准电压VR具有对检测电压V2的第一温度特性进行补偿的第二温度特性。而且，检测电路30对检测电压V2和第二温度特性的基准电压VR进行比较，从而输出检测结果。再次，检测电压V2的第一温度特性和基准电压VR的第二温度特性例如均为正的温度特性。
例如，在图1中，检测电压V2由于是低电位侧的晶体管Q4的漏极电压(漏极·源极间电压)，因此与晶体管Q4的导通电阻RON4成正比例。而且，由于导通电阻RON4具有正的温度特性，因此，检测电压V2的第一温度特性也成为正的温度特性。即，随着温度上升，检测电压V2也上升。
在此，在本实施方式中，将基准电压VR设定为对检测电压V2的正的第一温度特性进行补偿的正的第二温度特性。例如，当温度上升，检测电压V2上升时，与此相对应，基准电压VR也上升。通过这种方式，即使在温度发生了变化的情况下，也能够将从充电期间切换为衰减期间时的截断电流设为固定(大致固定)。
此时的基准电压VR的第二温度特性例如通过后文所述的图5的温度补偿电路50实施数模转换电路DAC的设定来实现。例如，温度补偿电路50以随着温度的上升，数模转换电路DAC所输出的基准电压VR上升的方式，根据补正数据来设定数模转换电路DAC。或者，也可以采用如下的方式，即，基准电压生成电路32例如生成并输出与第二温度特性相对应的温度特性的基准电压VRF。即，生成如对检测电压V2的温度特性进行补偿那样的温度特性的基准电压VRF。具体而言，基准电压生成电路32生成随着温度的上升而变高的基准电压VRF。通过这种方式，数模转换电路DAC所输出的基准电压VR也随着温度的上升而变高，从而能够对检测电压V2的温度特性进行补偿(抵消)。
接下来，利用图2(A)、图2(B)，对本实施方式的电路装置的电桥电路10的工作进行说明。
如图2(A)所示，在充电期间，晶体管Q1、Q4成为导通。由此，充电电流IC从高电位侧的电源VBB经由晶体管Q1、电机100(电机线圈)、晶体管Q4流至低电位侧的电源VSS(GND)。
另一方面，在衰减期间，如图2(B)所示，晶体管Q2、Q3成为导通，衰减电流ID从电源VSS经由晶体管Q2、电机100、晶体管Q3流至电源VBB。这些充电电流IC、衰减电流ID均从电机100的正极侧端子流向负极侧端子。
而且，如图1所示，晶体管Q4的漏极节点的电压作为检测电压V2而被输入至检测电路30。而且，比较电路CP对检测电压V2和基准电压VR进行比较。而且，如图3所示，控制电路20固定保持流至电桥电路10的截断电流ICP并实施截断工作的控制。具体而言，控制电路20以截断电流ICP成为固定的方式对PWM信号(IN1～IN4)的脉冲宽度进行控制，并根据该PWM信号来控制晶体管Q1～Q4的导通/断开。
例如，当在图3的时刻t0开始电机100的驱动时，成为图2(A)所示的充电期间，晶体管Q1、Q4导通，晶体管Q2、Q3断开。由此，驱动电流(充电电流IC)从电源VBB经由晶体管Q1、电机100、晶体管Q4流至电源VSS。而且，在时刻t1，当电机100的驱动电流达到截断电流ICP时，切换为衰减期间TD1。具体而言，驱动电流变大，当检测电压V2超过基准电压VR时，比较电路CP的比较结果信号RQ从低电平变为高电平，并在时刻t1切换为衰减期间TD1。该时刻t1的电机100的驱动电流为截断电流ICP，通过检测电压V2的检测，检测出了截断电流ICP。
当切换为衰减期间TD1时，如图2(B)所示，晶体管Q2、Q3导通，晶体管Q1、Q4断开。由此，驱动电流(衰减电流ID)从电源VSS经由晶体管Q2、电机100、晶体管Q3流向电源VBB、在该衰减期间TD1，如图3所示，电机100的驱动电流随着时间的经过而减少。
而且，控制电路20例如利用计时器(计数器电路)等，对从衰减期间TD1的开始经过了预定时间的情况进行检测，从而从衰减期间TD1切换至充电期间TC1。在充电期间TC1，当电机100的驱动电流增加并达到截断电流ICP时，再次切换为衰减期间TD2。以后，通过反复进行该工作，而实施如使作为驱动电流的峰值电流的截断电流ICP成为固定这样的控制，并固定保持电机100的旋转速度。
并且，以上，对电桥电路10为H电桥型的情况进行了说明，但是，本实施方式并不限定于此，电桥电路10也可以为半电桥型。在该情况下，作为电桥电路10，未设置有晶体管Q3、Q4，而设置有晶体管Q1、Q2。另外，以上，以电路装置是对电机100进行驱动的电机驱动的情况为例进行了说明，但是，本实施方式的电路装置的驱动对象并不限定于电机100，能够将具有电感元件(线圈)的各种各样的元件、装置设为驱动对象。
图4表示本实施方式的比较例的电路装置。在图4的比较例中，在将电桥电路10的低电位侧的晶体管Q2的源极与晶体管Q4的源极连接在一起的节点N3、和低电位侧的电源VSS(GND)之间，设置有检测电阻RS。即，检测电阻RS的一端与节点N3连接，另一端与电源VSS的节点。具体而言，电桥电路10的节点N3经由未图示的电路装置的端子(衬垫)而与作为外部配件的检测电阻RS的一端连接。
而且，检测电路31能够通过对检测电阻RS的一端的电压VS进行检测来对充电期间的充电电流进行检测。即，检测电路31的比较电路CP对基准电压VR和电压VS进行比较，当电压VS超过基准电压VR时，将检测结果信号RQ置于激活。由此，控制电路21以从充电期间切换为衰减期间的方式对电桥电路10的晶体管Q1～Q4的导通/断开实施控制。
在此，作为检测电阻RS，例如，一般使用了1Ω程度的电阻。另一方面，在图2(A)的充电期间，充电电流IC(导通电流)流至晶体管Q1、Q4时的晶体管Q1、Q4的导通电阻例如也成为1Ω程度。因此，由晶体管Q1以及Q4消耗的电力的大致一半在检测电阻RS中被消耗。例如，在充电电流IC为500mA～1A时，在晶体管Q1以及Q4中，总计消耗了大约1W～2W的电力，另一方面，在检测电阻RS中消耗了500mW～1W的电力。因此，检测电阻RS成为了装入电路装置的电子设备等的低耗电化的障碍。
另外，作为检测电阻RS，使用了电阻值的精度较高而相对于温度变化的电阻值的变动较少的高性能的电阻。因此，检测电阻RS一般成为电路装置的外部配件。例如，检测电阻RS作为外部配件而被安装在安装有电路装置的电路基板上。因此，当使用检测电阻RS时，装入了电路装置的电子设备的部件件数增加。另外，当检测电阻RS被安装在电路基板上时，在该安装面积的量上，电路基板被检测电阻RS占有。另外，高性能的检测电阻RS还会导致电子设备的成本增加。
因此，在本实施方式中，并未使用这样的检测电阻RS，而采用了对流至电桥电路10的电流进行检测从而从充电期间向衰减期间切换的方法。例如，在图1中，对流至晶体管Q4的导通电流进行检测，从而实施从充电期间向衰减期间的切换。具体而言，通过作为晶体管Q4的漏极电压的、检测电压V2来对晶体管Q4的导通电流进行检测。
例如，由于在温度固定的情况下晶体管Q4的导通电阻RON4固定(大致固定)，因此，检测电压V2与晶体管Q4的导通电流ION4成正比例。而且，晶体管Q4的导通电流ION4相当于图2(A)的充电电流IC。因此，通过对检测电压V2进行监控，从而能够对相当于晶体管Q4的导通电流ION4的充电电流IC是否达到图3的截断电流ICP进行判断。即，在检测电压V2超过基准电压VR的情况下，判断为充电电流IC达到了截断电流ICP，从而从充电期间切换至衰减期间。
如果采用这种方式，则不使用图4的检测电阻RS，就能够实现从充电期间向衰减期间的切换。因此，由于节约了被检测电阻RS消耗的电力，因此实现了低耗电化。另外，由于无需作为外部配件的检测电阻RS，因此，能够在这个量上减少部件件数，从而实现电子设备的低成本化等。
2.温度补偿
图5表示本实施方式的电路装置的详细的结构例。在图5的结构例中，通过使被输入比较电路CP的基准电压VR具有温度特性(第二温度特性)，从而补偿(抵消)了检测电压V2的温度特性(第一温度特性)。并且，本实施方式的电路装置并不限定于图5的结构，从而能够省略该结构要素的一部分，或者实施增加其他构成要素等的各种各样的变形。
例如，图6表示晶体管的导通电阻RON的温度特性。如图6所示，晶体管的导通电阻RON具有正的温度特性。因此，当通过电机100的驱动二使电桥电路10自身散热时，伴随着该散热，电桥电路10的晶体管的导通电阻RON也上升。因此，在图2(A)的充电期间内，流动有充电电流IC(导通电流)的晶体管Q4的导通电阻RON4上升，其结果为，检测电压V2也上升。因此，如果不实施任何办法，则有可能在检测电路30的比较电路CP中无法实施适当的比较工作。
因此，在图5中，设置了对基准电压VR的温度特性进行设定的温度补偿电路50。例如，温度补偿电路50将基准电压VR的温度特性设定为，对检测电压V2的第一温度特性进行补偿的第二温度特性。具体而言，温度补偿电路50根据来自温度检测部72的温度检测结果(DT)，将基准电压VR的温度特性设定为第二温度特性。通过采用这种方式，通过温度的变化，从而在晶体管Q4的导通电阻变化，检测电压V2变化的情况下，也能够以对该检测电压V2的变化进行补偿的方式使基准电压VR发生变化。由此，能够在检测电路30的比较电路CP中实施适当的比较工作，并能够对图3的截断电流ICP进行适当的检测。
例如，在本实施方式中，为了将被使用在图3中说明的从充电期间向衰减期间的切换的判断中的截断电流ICP设定为可变，设置了数模转换电路DAC。温度补偿电路50通过设定该数模转换电路DAC，从而将作为从数模转换电路DAC输出的电压的、基准电压VR的温度特性设定为第二温度特性。例如，温度补偿电路50设定数模转换电路DAC(输出补正用的数模转换电路)，以使作为数模转换电路DAC的输出电压的、基准电压VR通过与温度相应的给定的变化率(后文所述的图10等)而发生变化。而且，检测电路30通过对第一温度特性的检测电压V2和第二温度特性的基准电压VR进行比较，从而输出检测结果(RQ)。
例如，在图5中，过热保护电路70(过热关断电路)被设置在电路装置中。该过热保护电路70具有温度检测部72，从而实施过热保护工作。例如，过热保护电路70根据温度检测部72的温度检测结果，在判断为达到了过热保护工作的设定温度(例如175度)时，将关断信号STD向控制电路20输出。而且，接受了关断信号STD的控制电路20例如实施将电桥电路10的晶体管Q1～Q4设为断开的控制，并关断电桥电路10，从而实现过热保护。通过采用这种方式，在由于某种情况而使电桥电路10等的散热异常升高时，能够适当地关断电桥电路10。
而且，在图5中，温度补偿电路50根据来自过热保护电路70的温度检测部72的温度检测结果，从而将基准电压VR的温度特性设定为第二温度特性。例如，温度检测部72作为温度检测结果而输出第三温度特性的温度检测电压DT。例如，输出如后文所述的图8所示的负的第三温度特性的温度检测电压DT。而且，温度补偿电路50根据第三温度特性的温度检测电压，实施将基准电压VR的温度特性设定为第二温度特性的补正处理。例如，根据存储部60的补正数据(补正设定表)，实施用于将第三温度特性转换为第二温度特性的补正处理。例如，通过实施将作为负的温度特性的第三温度特性转换为作为正的温度特性的第二温度特性的补正处理，从而将基准电压VR的温度特性设定为第二温度特性。
具体而言，图5的存储部60存储了用于将基准电压VR的温度特性设定为第二温度特性的补正数据(补正设定表)。该补正数据例如能够从外部经由接口部80写入存储部60。而且，温度补偿电路50根据该存储部60的补正数据(补正设定表)和第三温度特性的温度检测电压DT，实施用于将基准电压VR设定为第二温度特性的补正处理。在此，存储部60例如能够通过OTP(One Time Programmable read Only memory，一次编程只读存储器)等的非易失性存储器来实现。并且，也可以通过OTP以外的非易失性存储器(EPROM等)来实现存储部60，或者通过熔丝电路等来实现存储部60。
例如，温度补偿电路50具有处理部52和模数转换电路ADC。模数转换电路ADC通过对来自温度检测部72的温度检测电压DT进行模数转换，从而转换为数字的温度检测数据。而且，处理部52根据该数字的温度检测数据和来自存储部60的补正数据，将基准电压VR的温度特性设定为第二温度特性。具体而言，根据调节数据DCM，设定数模转换电路DAC的输出电压，以使基准电压VR的温度特性成为第二温度特性。
图7表示过热保护电路70的结构例。图7的过热保护电路70包括温度检测部72和比较电路CPB(比较器)。温度检测部72包括设置于高电位侧的电源VDD的节点与温度检测部72的输出节点NB1之间的电流源IS(电流源电路)、和串联设置于输出节点NB1和低电位侧的电源VSS的节点之间的双极型晶体管BP1、BP2。这些双极型晶体管BP1、BP2形成将该集电极和基极连接在一起的二极管连接。
图8表示通过将BP1、BP2的各双极型晶体管进行二极管连接从而获得的各双极型晶体管的基极、发射极间电压Ebe的温度特性的示例。该温度特性与温度检测部72的第三温度特性相对应，并成为负的温度特性。例如，当将双极型晶体管BP1、BP2的基极·发射极间电压设为Ebe1、Ebe2时，成为Ebe1＝Ebe2＝Ebe。因此，温度检测电压DT成为DT＝Ebe1+Ebe2＝2×Ebe。
比较电路CPB对温度检测电压DT和基准电压VR2进行比较。例如，在比较电路CPB的第一输入端子(反转输入端子)输入有温度检测电压DT，在第二输入端子(非反转输入端子)输入有基准电压VR2。而且，比较电路CPB在温度变高且温度检测电压DT低于基准电压VR2的情况下，将关断信号STD置于激活(例如高电平)。当关断信号STD激活时，控制电路20实施将电桥电路10的全部晶体管Q1～Q4设为断开的关断工作。
例如，过热保护电路70的过热检测的设定温度为175度，将温度为175度时的基极·发射极间电压Ebe设为了0.3V。在该情况下，例如，基准电压被设定为VR2＝0.6V。而且，在温度低于175度的情况下，由于温度检测电压DT＝2×Ebe大于基准电压VR2＝0.6V，因此，比较电路CPB所输出的关断信号STD变为非激活(例如低电平)。而且，当温度超过175度时，由于具有负的温度特性的温度检测电压DT＝2×Ebe小于基准电压VR2＝0.6V，因此，比较电路CPB所输出的关断信号STD激活，从而实施了由过热保护产生的关断工作。
接下来，对本实施方式的温度补偿方法的详细情况进行说明。图9、图10为存储于存储部60中的补正设定表(补正数据)的示例。
在电桥电路10的晶体管的导通电阻中存在采样之间的不均匀。因此，利用图9的补正设定表，实施用于降低(吸收)该导通电阻的不均匀的影响的补正处理。
具体而言，实施与出厂检查时的温度25度で的导通电阻RON相配合的DAC设定。如前文所述，在本实施方式中，通过数模转换电路DAC的设定，从而能够将图3的截断电流ICP的设定值设定为可变。例如，在图9中，通过DAC设定，从而能够将截断电流ICP的设定值设定为可变，例如设为50mA、100mA、……700mA、750mA。具体而言，在数模转换电路DAC中，输入了用于设定截断电流ICP的例如4位的设定数据。而且，在设定数据为0001的情况下，输出将截断电流ICP设定为50mA的基准电压VR，在为0010的情况下，输出将截断电流ICP设定为100mA的基准电压VR，在为……1111的情况下，输出将截断电流ICP设定为750mA的基准电压VR。
而且，在例如温度为25度的情况下，将通常(典型值)为1Ω的导通电阻RON假设为，在产品的出厂检查时被检测为0.8Ω的情况。在该情况下。如图9的A1所示，当将导通电阻RON假设为0.8Ω时，实施数模转换电路DAC的设定，以便能够对50mA、100mA、……700mA、750mA的各截断电流ICP进行适当的检测。
例如，将截断电流ICP的设定值设定为了100mA。于是，当在温度为25度的情况下100mA的截断电流ICP流至晶体管Q4时，检测电压V2被认为成为100mA×0.8Ω＝0.080V。即，如前文所述，由于在产品出厂时晶体管Q4的导通电阻被检测为0.8Ω，因此作为晶体管Q4的漏极电压的检测电压V2成为100mA×0.8Ω＝0.080V。因此，在该情况下，如图9的A1所示，数模转换电路DAC输出成为VR＝0.080V的基准电压VR。如果采用这种方式，当截断电流ICP达到了100mA时，能够适当地从充电期间切换为衰减期间。
另外，例如，将截断电流ICP的设定值设定为了700mA。于是，在温度为25度的情况下，当700mA的截断电流ICP流至晶体管Q4时，检测电压V2被认为成为700mA×0.8Ω＝0.560V。因此，在该情况下，如图9的A1所示，数模转换电路DAC输出成为VR＝0.560V的基准电压VR。通过采用这种方式，当截断电流ICP达到了700mA时，能够适当地从充电期间切换为衰减期间。
图10为相对于电机驱动时的温度变化的补正设定表的示例。在该补正设定表中，例如，存储有对相对于以25度为基准的温度变动的、导通电阻的变化率进行运算的补正数据。
例如，如图10的B1所示，将温度为25度时的温度检测电压设定为了DT＝1.288V。而且，将与截断电流ICP＝50mA、100mA、……700mA、750mA相对应的基准电压VR设为初始值I050、I100、……I700、I750。这些初始值I050、I100、……I700、I750被设定为图9的A1所示的RON＝0.8Ω的情况下的基准电压VR。而且，在图10的补正设定表中，将相对于这些初始值I050、I100、……I700、I750的导通电阻(基准电压VR)的变化率作为补正数据而被存储。
例如，如图10的B2所示，在被检测为，温度检测电压为DT＝1.391V，温度为0度的情况下，导通电阻的变化率被运算为85.5％。因此，关于基准电压VR，以使其成为初始值I050、I100、……I700、I750的85.5％的方式设定了数模转换电路DAC。
另一方面，如图10的B3所示，例如，在被检测为，温度检测电压DT＝0.977V，温度为100度的情况下，导通电阻的变化率被运算为158.6％。因此，关于基准电压VR，以使其成为初始值I050、I 100、……I700、I750的158.6％的方式设定了数模转换电路DAC。
通过采用这种方式，能够对相对于温度变动的晶体管Q4的导通电阻的变动进行适当的温度补偿。
并且，图9、图10的补正设定表的数模转换电路DAC的设定例如能够通过下述方式来实现。例如，作为数模转换电路DAC，设置第一数模转换电路(主数模转换电路)和第二数模转换电路(补正用数模转换电路)。第一数模转换电路根据截断电流的设定数据(例如4位数据)，输出与被设定的各截断电流(50mA、100mA、……700mA、750mA)相对应的基准电压VR’。另一方面，第二数模转换电路根据存储于存储部60中的补正数据(补正设定表)，实施第一数模转换电路所输出的基准电压VR’的补正，从而将补正后的电压作为基准电压VR输出。该情况下的补正能够根据存储于图10的补正设定表中的变化率来实现。
在例如DT＝1.391V，温度为0度的情况下，对于图9的A1中所设定的电压(0.040V、0.080V、……0.560V、或者0.600V)，以使乘以了图10的B2所示的变化率(85.5％)的电压成为基准电压VR的方式实施补正。另外，在DT＝0.977V，温度为100度的情况下，对于图9的A1中所设定的电压(0.040V、0.080V、……0.560V、或者0.600V)，以使乘以了图10的B3所示的变化率(158.6％)的电压成为基准电压VR的方式实施补正。该补正例如通过利用电阻将第一数模转换电路所输出的基准电压VR’进行电压分割的梯形电阻电路(第二数模转换电路)等来实现。
3.改变例
图11表示本实施方式的电路装置的改变例。在图1中，检测电路30将低电位侧晶体管Q4的漏极电压作为检测电压V2，并对该检测电压V2与基准电压VR进行比较，从而输出了检测结果。相对于此，在图11的改变例中，检测电路30将高电位侧晶体管Q1的漏极电压作为检测电压V1，并对该检测电压V1与基准电压VR进行比较，从而输出了检测结果。即，在图11的改变例中，通过对高电位侧晶体管Q1的漏极、源极电压进行检测，从而实施了从充电期间向衰减期间的切换。
例如，在图11中，检测电路30包括基准电压生成电路32、运算放大器OPA、数模转换电路DAC、比较电路CP。而且。高电位侧的电源VBB在被供给至电桥电路10之外，还被供给至运算放大器OPA、数模转换电路DAC、比较电路CP。另外，这些运算放大器OPA、数模转换电路DAC、比较电路CP还被供给了高电位侧GND用的偏压电压HBG。即，这些电路将偏压电压HBG作为低电位侧电源进行工作。在例如VBB＝42V的情况下，偏压电压HBG例如被设定为37V。通过采用这种方式，运算放大器OPA、数模转换电路DAC、比较电路CP能够将VBB＝42V作为高电位侧电源，将HBG＝37V作为低电位侧电源进行工作。
运算放大器OPA与电压跟随器连接，在其第一输入端子(非反转输入端子)输入有来自基准电压生成电路32的基准电压VR，在第二输入端子(反转输入端子)上连接有运算放大器OPA的输出。由此，基准电压VR被转换为以HBG为低电位侧电源电压的基准电压VRF2，并被输入数模转换电路DAC中。而且，数模转换电路DAC输出以HBG为低电位侧电源电压的基准电压VR，比较电路CP实施基准电压VR与检测电压V1的比较工作，并将比较结果信号RQ输出至电平转换器38。
电平转换器38例如实施HBG～VBB＝37V～42V的电压范围的检测结果信号RQ的电平转换工作，例如将0V～5V的电压范围的检测结果信号RQL输出至控制电路20。控制电路20根据该检测结果信号RQL来实施电桥电路10的晶体管Q1～Q4的导通/断开控制。
例如，比较电路CP以VBB为高电位侧电源，以HBG为低电位侧电源进行工作。而且，在比较电路CP中输入有以HBG为低电位侧电源电压的基准电压VR，并对该基准电压VR和检测电压V1进行比较。另一方面，在高电位侧的晶体管Q1的源极被供给有高电位侧电源VBB，被输入比较电路CP中的检测电压V1为该晶体管Q1的漏极电压。因此，根据图11的改变例，在对高电位侧的晶体管Q1的漏极、源极间电压进行监控，作为晶体管Q1的导通电流的充电电流达到了截断电流时，能够实施将充电期间切换至衰减期间的电路工作。
4.电子设备
图12表示应用了本实施方式的电路装置200(电机驱动)的电子设备的结构例。电子设备包括处理部300、存储部310、操作部320、输入输出部330、电路装置200、将前述各部连接在一起的总线340、电机280。以下，以通过电机驱动来对喷墨头或送纸进行控制的打印机为例进行说明，但是本实施方式并不限定于此，能够应用于各种各样的电子设备。
输入输出部330例如由USB连接器或无线LAN等的接口构成，并输入有图像数据或文件数据。所输入的数据例如被存储于DRAM等作为内部存储装置的存储部310中。当通过操作部320来接受印刷指示时，处理部300开始存储于存储部310中的数据的印刷工作。处理部300与数据的印刷布局相配合，向电路装置200(电机驱动)发送指示，电路装置200根据该指示，使电机280旋转，从而实施喷墨头的移动或送纸。
并且，虽然如上所述，对本实施方式进行了详细的说明，但是，对于本领域技术人员而言，能够容易地理解为，可以进行在实体上并未脱离本发明的新颖性事项和效果的多种变形。因此，这种改变例全部被设于包含在本发明的范围内。例如，在说明书或附图中，与更加广义或者同义的不同用语一起至少一次被记载的用语即使在说明书或附图的任意一处地方都可以被置换为该不同的用语。另外，本实施方式以及改变例的全部的组合也被包含在本发明的范围内。另外，电路装置的结构、工作或温度补偿方法也不限定于本实施方式中所说明的内容，还能够实施各种各样的变形。
符号说明
Q1、Q3 高电位侧晶体管；Q2、Q4 低电位侧晶体管；PR1～PR4 驱动电路；DAC 数模转换电路；CP、CPB 比较电路；ADC 模数转换电路；OPA 运算放大器；DG1～DG4 驱动信号；IN1～IN4 控制信号；10 电桥电路；18 预驱动器；20 控制电路；30 检测电路；32 基准电压生成电路；38 电平转换器；50 温度补偿电路；52 处理部；60 存储部；70 过热保护电路；72温度检测部；100 电机；200 电路装置；300 处理部；310 存储部；320 操作部；330 输入输出部。

Claims (12)

1.一种电路装置，其特征在于，包括：
电桥电路，其具有高电位侧的晶体管和低电位侧的晶体管；
检测电路，其对通过所述低电位侧的晶体管以及所述高电位侧的晶体管中的至少一方的晶体管的导通电流和导通电阻而被设定的检测电压、和基准电压进行比较，从而输出检测结果；
控制电路，其实施所述高电位侧的晶体管以及所述低电位侧的晶体管的导通/断开控制，并根据所述检测电路的所述检测结果而实施从充电期间向衰减期间的切换，所述控制电路在利用计时器检测出从所述衰减期间的开始起经过了预定时间时，进行从所述衰减期间向所述充电期间的切换。
2.如权利要求1所述的电路装置，其特征在于，
所述基准电压具有对所述检测电压的第一温度特性进行补偿的第二温度特性，
所述检测电路通过对所述检测电压、和所述第二温度特性的所述基准电压进行比较，从而输出所述检测结果。
3.如权利要求2所述的电路装置，其特征在于，
包括温度补偿电路，所述温度补偿电路根据来自温度检测部的温度检测结果，将所述基准电压的温度特性设定为所述第二温度特性。
4.如权利要求3所述的电路装置，其特征在于，
所述温度检测部输出第三温度特性的温度检测电压，以作为所述温度检测结果，
所述温度补偿电路根据所述第三温度特性的所述温度检测电压，实施将所述基准电压的温度特性设定为所述第二温度特性的补正处理。
5.如权利要求3或4所述的电路装置，其特征在于，
包括过热保护电路，所述过热保护电路具有所述温度检测部，并实施过热保护工作，
所述温度补偿电路根据来自所述过热保护电路的所述温度检测部的所述温度检测结果，将所述基准电压的温度特性设定为所述第二温度特性。
6.如权利要求3或4所述的电路装置，其特征在于，
所述检测电路包括数模转换电路，所述数模转换电路用于将从充电期间向衰减期间的切换的判断中所使用的截断电流设定为可变，
所述温度补偿电路通过所述数模转换电路的设定，从而将从所述数模转换电路输出的电压亦即所述基准电压的温度特性设定为第二温度特性。
7.如权利要求2至4中任一项所述的电路装置，其特征在于，
包括存储部，所述存储部存储用于将所述基准电压的温度特性设定为所述第二温度特性的补正数据。
8.如权利要求2至4中任一项所述的电路装置，其特征在于，
所述第一温度特性以及所述第二温度特性为正的温度特性。
9.如权利要求1至4中任一项所述的电路装置，其特征在于，
所述检测电路通过对作为所述检测电压的所述低电位侧晶体管的漏极电压、和所述基准电压进行比较，从而输出所述检测结果。
10.如权利要求1至4中任一项所述的电路装置，其特征在于，
所述检测电路通过对作为所述检测电压的所述高电位侧的晶体管的漏极电压、和所述基准电压进行比较，从而输出所述检测结果。
11.如权利要求1至4中任一项所述的电路装置，其特征在于，
所述控制电路以在所述检测电压超过了所述基准电压的情况下实施从所述充电期间向所述衰减期间的切换的方式，实施所述高电位侧的晶体管以及所述低电位侧的晶体管的导通/断开控制。
12.一种电子设备，其特征在于，
包括权利要求1至4中任一项所述的电路装置。
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