CN104848970A - 静电容量型压力传感器、压力检测器及输入装置 - Google Patents

静电容量型压力传感器、压力检测器及输入装置 Download PDF

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Abstract

一种静电容量型压力传感器、压力检测器及输入装置，在使用了半导体基板的静电容量型压力传感器中进一步扩大动态范围。通过电介体层(33)覆盖P型或N型的半导体基板(32)的上面。在电介体层的上面形成凹槽(34)。在电介体层的上面层叠上基板(35)。上基板(35)中与凹槽(34)相对的区域为可变形的隔膜(36)，隔膜(36)的外周部分(37)固定于电介体层的上面。在半导体基板的表层部设置有由具有与半导体基板反极性的导电型的杂质层构成的固定电极(42)。另外，在半导体基板的表层部，在上基板(35)的被固定的区域(外周部分37)的下方形成有由具有与半导体基板反极性的导电型的杂质层构成的反极性层(46)。

Description

静电容量型压力传感器、压力检测器及输入装置
技术领域
本发明涉及静电容量型压力传感器、压力检测器及输入装置。具体而言，本发明涉及通过压力挠曲的隔膜与电介体层接触而检测压力的触摸模式的静电容量型压力传感器。另外，本发明涉及利用该压力传感器的压力检测器及输入装置。
背景技术
在一般的静电容量型压力传感器中，导电性的隔膜(可动电极)和固定电极隔开间隙相对设置，根据通过压力挠曲的隔膜和固定电极之间的静电容量的变化检测压力。但是，在该压力传感器是使用玻璃基板及硅基板，通过MEMS技术制造的微器件的情况下，如果在隔膜上施加大的压力，则隔膜会产生大挠曲而破损。
因此，提案有在固定电极的表面设置电介体层，通过压力挠曲的隔膜与电介体层接触，根据其接触面积的变化，隔膜和固定电极之间的静电容量产生变化的压力传感器。这种压力传感器有时称为触摸模式静电容量型压力传感器。
作为触摸模式静电容量型压力传感器，例如具非专利文献1记载的方式。图1是表示非专利文献1记载的压力传感器11的剖面图。在该压力传感器11中，在玻璃基板12的上面形成由金属薄膜构成的固定电极13，从固定电极13之上至玻璃基板12的上面形成电介体膜14。在电介体膜14上开设有通孔15，设置于电介体膜14的上面的电极焊盘16通过通孔15与固定电极13连接。硅基板17层叠于电介体膜14的上面，在硅基板17的上面设有凹陷18，并且在下面设有凹槽19，在凹陷18和凹槽19之间形成有薄膜状的隔膜20。隔膜20设置于与固定电极13相互重叠的位置。另外，硅基板17的下面为以高浓度掺杂有B(硼)的P+层21。隔膜20通过P+层21赋予导电性，作为可动电极发挥功能。在隔膜20的下面和电介体膜14之间，因凹槽19而产生数μm的间隙22。
图2是示意地表示施加于压力传感器11的隔膜20的负荷W[gF]、和在固定电极13和隔膜20之间产生的静电容量C[pF]的关系(负荷－电容特性)的图。另外，图2表示通过负荷附加部件23按压压力传感器11的情况，各图表现表示负荷－电容特性的曲线上的各点的隔膜20的变形状况。
如果在压力传感器11的隔膜20上施加负荷W，则隔膜20与该负荷W对应地挠曲，以某负荷Wa与电介体膜14接触。图2的负荷从0至Wa的区间(未接触区域)为隔膜20未与电介体膜14接触的状态。负荷从Wa至Wb的区间(接触开始区域)表示隔膜20与电介体膜14接触之后至可靠地以某程度的面积接触的状态。负荷从Wb至Wc的区间(动作区域)随着负荷的增加，隔膜20与电介体膜14接触的部分的面积逐渐增加。负荷为Wc以上的区间(饱和区域)是隔膜20的大致全面与电介体膜14接触，即使负荷增加，接触面积也几乎不增加的区域。
根据图2的负荷－电容特性，在隔膜20未接触的未接触区域，静电容量C的变化非常小，但如果变为接触开始区域，则静电容量C的变化率(增加速度)逐渐增大。在动作区域，虽然线性变好，但静电容量C的变化率逐渐减小，如果变为饱和区域，则静电容量C几乎没有增加。特别是，负荷超过Wd时，静电容量C为饱和值Cd无变化。
这种触摸模式的压力传感器11中，如果将隔膜20和电介体膜14的接触面积设为S，将电介体膜14的厚度设为d，将电介体膜14的相对介电常数设为εr，真空中的介电常数设为εo，则隔膜20和电介体膜14之间的静电容量C用接下来的数学式1表示。
C＝Co+εo·εr·(S/d)    (数学式1)
在此，Co是未接触区域的静电容量。
电介体膜14的厚度d及相对介电常数εr无变化，因此，根据数学式1，如果负荷W增大，则隔膜20的接触面积S增大，其结果可知，压力传感器11的静电容量C增加。该结果是，图2的负荷－电容特性若除去未接触区域，表示对数的变化。
然而，对于人的感觉(五感)，公知的是韦伯－费希纳定律(Weber－Fechner law)。韦伯－费希纳定律是关于感觉的精神物理学的基本定律，人可以察觉的最小的刺激差异△R与成为基准的刺激的强度R成比例。即，该定律如接下来的数学式2表示。
△R/R＝const.    (数学式2)
韦伯－费希纳定律作为数学式2的微分方程式的解，同样用接下来的数学式3表示。
E＝K·logR    (数学式3)
在此，K为常数。数学式3解释为在刺激量的强度R变化时，与此对应的感觉量E通过刺激的强度R的对数函数表示这种意思。即，心理的感觉量E不与刺激的强度R而与该对数(logR)成比例地感觉。
图2的负荷－电容特性如上述表示对数的变化。因此，根据触摸模式静电容量型压力传感器，可以从压力传感器输出与人的感觉成比例的输出(静电电容值)。因此，根据该压力传感器，可检测按压某对象物时的人的感觉或通过某物体按压时的人的感觉，可以提供有用性高的传感器。
然而，在图2的负荷－电容特性中，在非接触区域，静电容量的值大致为一定，在此脱离对数的变化。为了提高压力传感器的分辨度，需要扩大输出的动态范围，因此，希望在表示图2的负荷－电容特性的压力传感器中减小初期电容值(非接触区域的静电电容值)Co。
在图1所示的压力传感器11中，使用在上面设置了固定电极13的玻璃基板12，因此，硅基板17和固定电极13之间的寄生电容Cs小，初期电容值Co也小。但是，在使用玻璃基板的情况下，难以使晶片的大尺寸化，因此，从一张晶片同时可以制造的压力传感器的数量少，压力传感器的制造成本也高。
因此，近年来，制造作为基板使用半导体基板例如Si基板，通过形成于半导体基板的扩散层设置固定电极和电阻配线的压力传感器。作为这种压力传感器有专利文献1所示的方式。但是，在作为压力传感器的基板部分使用半导体基板的情况下，隔膜和半导体基板之间的寄生电容增加，因寄生电容难以减小初期电容值Co。
专利文献1：日本特开2000－97793号公报
非专利文献1：山本敏、外4名、“ドタッチモード容量型圧カセンサ(触摸模式静电容量型压力传感器)”フジクラ技報、株式会社フジクラ、2001年10月、第101号、p.71－74
发明内容
本发明的目的在于，在使用了半导体基板的静电容量型压力传感器中，进一步扩大动态范围。
本发明的静电容量型压力传感器，其特征在于，具有：P型或N型的半导体基板；电介体层，其在上面或下面的一方具有凹部，并覆盖所述半导体基板的上面；上基板，其设置于所述电介体层之上；隔膜，其形成于所述上基板的与所述凹部相对的区域，并可变形；固定电极，其设置于所述半导体基板；反极性层，其在所述半导体基板的表层部，形成于所述上基板的被固定的区域的下方，由具有与所述半导体基板反极性的导电型的杂质层构成。
在本发明的静电容量型压力传感器中，在所述半导体基板的表层部，在所述上基板的被固定的区域的下方设有由具有与所述半导体基板反极性的导电型的杂质层构成的反极性层，因此，上基板和半导体基板之间的绝缘性提高，压力传感器的寄生电容减小。其结果，压力传感器的初期静电电容值减小，压力传感器的动态范围扩大。
本发明的静电容量型压力传感器的某实施方式的特征在于，所述反极性层的宽度或与所述上基板的被固定的区域的宽度相等，或比所述上基板的被固定的区域的宽度宽。特别是，从垂直于所述半导体基板的上面的方向观察时，所述反极性层的宽度方向的两侧缘部都与所述上基板的被固定的区域的缘部重叠，或位于所述上基板的被固定的区域的缘部的外侧。根据本实施方式，上基板和半导体基板之间的绝缘性提高，压力传感器的寄生电容减小的效果进一步提高。
本发明的静电容量型压力传感器的另外的实施方式的特征在于，所述固定电极由形成于所述半导体基板的表层部的具有与所述半导体基板反极性的导电型的杂质层构成，所述固定电极和所述反极性层分离而形成。固定电极和反极性层都由杂质层构成，但具有各自不同的作用。
本发明的静电容量型压力传感器又一实施方式的特征在于，所述反极性层和所述固定电极以相互相同的深度形成。根据该实施方式，可通过同一工序制作反极性层和固定电极，压力传感器的制造成本变得廉价。
本发明的静电容量型压力传感器的又一实施方式的特征在于，所述反极性层和所述固定电极相互具有相同的杂质浓度。根据该实施方式，可通过统一工序制作反极性层和固定电极，压力传感器的制造成本变得廉价。
本发明的静电容量型压力传感器的又一实施方式的特征在于，所述反极性层其一部分不连续地形成，从所述固定电极延伸的电极延伸部通过变为所述反极性层的不连续的区域。这是为了分离形成反极性层和电极延伸部。
本发明的静电容量型压力传感器的又一实施方式的特征在于，在所述反极性层和所述固定电极的中间，在所述半导体基板的上面设有分离槽。根据该实施方式，可以提高反极性层和固定电极之间的绝缘性，可以进一步减小压力传感器的寄生电容。
本发明的静电容量型压力传感器的又一实施方式的特征在于，在所述半导体基板的上面，在所述上基板的被固定的区域的下方形成凹槽，在所述凹槽的底面之下设有所述反极性层。根据该实施方式，可以进一步提高上基板和半导体基板之间的绝缘性，可以进一步减小压力传感器的寄生电容。
本发明的静电容量型压力传感器可以用于压力检测器及输入装置。
此外，用于解决本发明的所述课题的手段具有适当组合以上说明的构成要素的特征，本发明可采用该构成要素组合的大量的变形的方式。
附图说明
图1是表示现有的触摸模式静电容量型压力传感器的剖面图；
图2是表示在图1所示的压力传感器上施加的负荷的大小和在该传感器上产生静电容量的关系的图；
图3是用于说明韦伯－费希纳定律的图；
图4(A)是表示本发明的实施方式1的静电容量型压力传感器的平面图，图4(B)是用于图4(A)的静电容量型压力传感器的半导体基板的平面图，图4(C)是表示图4(A)的静电容量型压力传感器的下面图；
图5是图4(A)的X－X线剖面图；
图6(A)是比较例1的静电容量型压力传感器的平面图，图6(B)是表示图6(A)的静电容量型压力传感器的下面图，图6(C)是图6(A)的Y－Y线剖面图；
图7(A)是比较例2的静电容量型压力传感器的平面图，图7(B)是表示图7(A)的静电容量型压力传感器的下面图，图7(C)是图7(A)的Z－Z线剖面图；
图8是比较表示比较例2的压力传感器的初期电容值的大小和实施方式1的压力传感器的初期电容值的大小的图；
图9(A)是表示本发明的实施方式2的静电容量型的压力传感器的概略剖面图，图9(B)是用于图9(A)的压力传感器的半导体基板的平面图；
图10是表示本发明的实施方式3的静电容量型的压力传感器的概略剖面图；
图11(A)是表示本发明的实施方式4的压力检测器的部分分解的立体图，图11(B)是图11(A)所示的压力检测器的剖面图；
图12是本发明的实施方式5的输入装置的概略剖面图。
符号说明
31、61、71、82 压力传感器
32 半导体基板
33 电介体层
34 凹槽
35 上基板
36 隔膜
37 外周部分
38 上电极
42 固定电极
43 电极延伸部
46 反极性层
62 分离槽
72 凹槽
73 厚壁部
74 凹陷
81 压力检测器
91 输入装置
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的优选的实施方式。但是，本发明不限定于以下的实施方式，在不脱离本发明的宗旨的范围可以进行各种设计变更。
(实施方式1)
以下，参照图4及图5说明本发明实施方式1的压力传感器31的构造。图4(A)是压力传感器31的平面图，图4(C)是压力传感器31的下面图。图4(B)是从上面取下上基板35及电介体层33的状态的半导体基板32的平面图。图5是图4(A)的X－X线剖面图。
该压力传感器31通过电介体层33覆盖一方的电极型的半导体基板32的上面。作为半导体基板32通常使用Si基板，但也可以是Si基板以外的半导体基板。作为半导体基板32使用电阻率为500ohm·cm以上的P型半导体基板，但也可以使用电阻率为500ohm·cm以上的N型半导体基板。电介体层33由SiO2、SiN、TEOS等电介体材料构成。电介体层33在其上面中央部凹设有圆板状的凹槽34(凹部)。凹槽34的底面通过电介体层33覆盖。
由导电性材料例如P型低电阻Si构成的薄膜圆板状的上基板35层叠在电介体层33的上面。上基板35覆盖凹槽34的上面开口。上基板35中位于凹槽34的外侧的外周部分37固定在电介体层33的上面。上基板35中在凹槽34的上方悬空的部分为通过负荷或压力可弹性变形的感压用隔膜36。
在上基板35的上面，利用金属材料设有环状的上电极38。如果将上电极38设置于隔膜36的上面，则阻碍隔膜36的变形，或因隔膜36的变形而会在上电极38上产生龟裂。因此，上电极38设置于上基板35的外周部分37的上面。
在形成圆板状的上基板35的缘部伸出有延伸部39，在延伸部39的上面设有由金属材料构成的电极焊盘40，上电极38和电极焊盘40通过金属配线41连接。因此，该电极焊盘40与隔膜36电导通。
另外，在半导体基板32的表层部通过杂质扩散形成与半导体基板32的导电型反极性的杂质扩散层，将该杂质扩散层作为固定电极42。固定电极42从垂直于半导体基板32的上面的方向观察时，收纳于位于比凹槽34的外周更靠内侧的圆形区域。从固定电极42朝向外周方向线状延伸出杂质扩散层，通过该线状的杂质扩散层形成电极延伸部43。在电极延伸部43的上方，在电介体层33开设有通孔45，在通孔45内通过金属材料形成电极焊盘44。电极焊盘44与电极延伸部43接合，经由电极延伸部43与固定电极42导通。
固定电极42及电极延伸部43与半导体基板32的导电型为反极性，因此，若半导体基板32和上基板35是P型基板，则固定电极42及电极延伸部43为N型半导体。相反，若半导体基板32和上基板35为N型基板，则固定电极42及电极延伸部43为P型半导体。
在半导体基板32的表层部，在固定电极42及电极延伸部43的外侧通过杂质扩散形成与半导体基板32的导电型反极性的杂质扩散层，将该杂质扩散层作为反极性层46。反极性层46与固定电极42及电极延伸部43分离，反极性层46和固定电极42及电极延伸部43也可以是使不同的杂质扩散的杂质扩散层。因此，反极性层46具有与固定电极42及电极延伸部43相同的导电型，但反极性层46和固定电极42及电极延伸部43的杂质浓度或扩散深度也可以不同。并且，优选反极性层46和固定电极42及电极延伸部43的杂质浓度或扩散深度相同。这是因为如果反极性层46和固定电极42及电极延伸部43具有相同的杂质浓度和扩散深度，则可以通过相同的杂质扩散工序一次制作固定电极42、电极延伸部43及反极性层46。为了形成用于反极性层46的杂质扩散层，如果反极性层46为N型半导体，则在半导体基板32的表层部作为杂质使例如磷(P)扩散即可。另外，如果反极性层46为P型半导体，则作为杂质使例如硼(B)扩散即可。
反极性层46是减小在上基板35和半导体基板32之间产生的寄生电容的层，沿着外周部分37的下方设置。但是，在电极延伸部43通过的部位，反极性层46具有狭缝47，电极延伸部43通过狭缝47从固定电极42向外周方向延伸。在用于减小寄生电容的最佳方式中，从垂直于半导体基板32的上面的方向观察时，如果去除狭缝47的部分，则外周部分37的整体包含于反极性层46的内侧。即，反极性层46的宽度与外周部分37的宽度相等，或比其更宽。另外，如图示例，在延伸部39从上基板35延伸的情况下，在最佳方式中，从垂直于半导体基板32的上面的方向观察时，延伸部39的整体也包含于反极性层46的内侧。
即使是压力传感器31，也表示在隔膜36上慢慢施加大的负荷时，与图2所示的负荷－电容特性同样的负荷－电容特性。而且，在压力传感器31中，在固定隔膜36的部分的下方设有与半导体基板32反极性的反极性层46，因此，可以减小在压力传感器31上产生的寄生电容。以下，和比较例1、2比较并说明其理由。
图6(A)、图6(B)及图6(C)是表示比较例1的压力传感器51的平面图、下面图及剖面图。在比较例1中，在半导体基板32未设置固定电极42，也未设置反极性层46。代替固定电极42，在半导体基板32的下面设有由金属薄膜构成的固定电极52。对于其它的构造，与实施方式1的压力传感器31同样，因此，通过在相同的构成部分附加相同的符号，省略说明(以下，同样)。在比较例1的压力传感器51的构造中，将固定电极52接地，在上电极38施加正电压时，半导体基板32的整体成为电极，因此，在上基板35和半导体基板32之间产生的寄生电阻大。
图7(A)、图7(B)及图7(C)是表示比较例2的压力传感器53的平面图、下面图及剖面图。在比较例2中，在半导体基板32未设置反极性层46。在比较例2的压力传感器53的构造中，将电极焊盘44接地，在上电极38上施加正电压时，上基板35和半导体基板32之间产生寄生电容，半导体基板32和固定电极42之间也产生寄生电容，因此，作为整体，寄生电阻增大。
与之相对，在本发明的实施方式1的压力传感器31中，将电极焊盘44接地，在上电极38上施加正电压时，在上基板35和反极性层46之间产生寄生电容，在反极性层46和半导体基板32(由反极性层46和通孔45夹着的区域)之间产生寄生电容，半导体基板32(由反极性层46和通孔45夹着的区域)和固定电极42之间产生寄生电容，反极性层46和半导体基板32(位于反极性层46的下方的区域)之间产生寄生电容，但通过反极性层46，上基板35和半导体基板32之间的绝缘性提高，因此，作为整体，压力传感器31的寄生电容减小。
图8是图示比较比较例2的压力传感器53的初期电容值Co(寄生电容)的大小和实施方式1的压力传感器31的初期电容值Co(寄生电容)的大小的结果的图。图8的初期容量比将比较例2的初期电容值Co表示为1。如图8所示，根据实施方式1的压力传感器31，与比较例2相比，可以将初期电容值Co减小至约86％左右。因此，在本发明的实施方式1的压力传感器31中，可以减小负荷－电容特性的初期电容值Co，可扩大压力传感器31的动态范围。
(实施方式2)
图9(A)是表示本发明实施方式2的静电容量型的压力传感器61的概略剖面图。图9(B)是用于压力传感器61的半导体基板32的平面图。压力传感器61中，沿着固定电极42和反极性层46之间的区域设有分离槽62。分离槽62即可以是四边形槽状，也可以是V槽状，也可以是其它的剖面形状的槽。图示例中，通过电介体层33覆盖反极性层46的内部，但分离槽62也可以从电介体层33露出。另外，分离槽62也可以沿着电极延伸部43和反极性层46之间的区域延伸。
如实施方式2，沿着固定电极42和反极性层46之间的区域设有分离槽62，因此，固定电极42和反极性层46之间的绝缘性提高。其结果可以进一步减小压力传感器61的寄生电容。为了提高该效果，优选分离槽62的深度比固定电极42及反极性层46的深度更深。
(实施方式3)
图10是表示本发明实施方式3的静电容量型的压力传感器71的概略剖面图。在压力传感器71中，在半导体基板32的上面形成环状的凹槽72。凹槽72从位于上基板35的外周部分37的下方的区域扩大至其内周侧的区域。固定电极42设置于凹槽72的内侧，电极延伸部43横切凹槽72内，从固定电极42向外周侧延伸。电介体层33在位于外周部分37的下方的区域成为厚壁部73，在凹槽72内的内周侧的区域成为薄膜部74。上基板35的外周部分37由厚壁部73支承。反极性层46除电极延伸部43通过的区域外，在位于外周部分37的下方的区域，形成于凹槽72的表层部。
根据压力传感器71的这样的构造，上基板35和反极性层46的距离增大，因此，压力传感器71的寄生电容更小。另外，由于反极性层46和固定电极42配置为高度不同，从而反极性层46和固定电极42的距离增加。因此，反极性层46和固定电极42的绝缘性提高，压力传感器71的寄生电容仍然减小。
此外，在上述各实施方式中，固定电极42、电极延伸部43及反极性层46为杂质扩散层(热扩散层)，但通过打进杂质的杂质层也可以形成固定电极42、电极延伸部43及反极性层46。
(实施方式4)
图11(A)是表示本发明实施方式4的压力检测器81的局部分解的立体图。图11(B)是压力检测器81的剖面图。压力检测器81中，本发明的压力传感器82收纳于陶瓷制的为容器状的盒83内。压力传感器82通过Au等接合层84固定于盒83的底面。在盒83内设置有上下贯通的通孔电极85a，通孔电极85a的上端与接合层84连接。接合层84与压力传感器82的固定电极42导通，因此，压力传感器82的固定电极42通过通孔电极85a引出至盒83的下面。在压力传感器82的固定位置附近，在盒83的底面设置有高出一阶的台阶部86。在台阶部86设有上下贯通的通孔电极85b，压力传感器82的电极焊盘40和通孔电极85b的上面之间通过焊接线87连接。因此，上电极38通过通孔电极85b引出到盒83的下面。盒83的上面通过盖88覆盖，压力传感器82的隔膜部分从盖88的开口89露出。
这种压力检测器81可以用于检测施加在压力传感器82的隔膜上的负荷或压力的用途。例如，可以作为笔压检测用的压力检测器81使用。
(实施方式5)
图12是表示本发明实施方式5的板型的输入装置91例如触摸面板的构造的剖面图。该输入装置91是将具有与本发明的压力传感器同样的构造的多个传感器部92以列阵状(例如，矩形状及蜂窝状)排列的结构。此外，各传感器部92电气独立，可以分别独立检测施加于各传感器部92的压力。根据这种输入装置91，如触摸面板那样，可以检测用手指等按压的点，并且也可以检测各点的按压强度。

Claims (11)

1.一种静电容量型压力传感器，其特征在于，具有：
P型或N型的半导体基板；
电介体层，其在上面或下面的一方具有凹部，并覆盖所述半导体基板的上面；
上基板，其设置于所述电介体层之上；
隔膜，其形成于所述上基板的与所述凹部相对的区域，并可变形；
固定电极，其设置于所述半导体基板；
反极性层，其在所述半导体基板的表层部，形成于所述上基板的被固定的区域的下方，由具有与所述半导体基板反极性的导电型的杂质层构成。
2.如权利要求1所述的静电容量型压力传感器，其特征在于，
所述反极性层的宽度或与所述上基板的被固定的区域的宽度相等，或比所述上基板的被固定的区域的宽度宽。
3.如权利要求2所述的静电容量型压力传感器，其特征在于，
从垂直于所述半导体基板的上面的方向观察时，所述反极性层的宽度方向的两侧缘部都与所述上基板的被固定的区域的缘部重叠，或位于所述上基板的被固定的区域的缘部的外侧。
4.如权利要求1所述的静电容量型压力传感器，其特征在于，
所述固定电极由形成于所述半导体基板的表层部的、具有与所述半导体基板反极性的导电型的杂质层构成，
所述固定电极和所述反极性层分离而形成。
5.如权利要求4所述的静电容量型压力传感器，其特征在于，
所述反极性层和所述固定电极相互以相同的深度形成。
6.如权利要求4所述的静电容量型压力传感器，其特征在于，
所述反极性层和所述固定电极相互具有相同的杂质浓度。
7.如权利要求4所述的静电容量型压力传感器，其特征在于，
所述反极性层的一部分不连续地形成，
从所述固定电极延伸的电极延伸部通过变为所述反极性层的不连续的区域。
8.如权利要求4所述的静电容量型压力传感器，其特征在于，
在所述反极性层和所述固定电极的中间，在所述半导体基板的上面设有分离槽。
9.如权利要求4所述的静电容量型压力传感器，其特征在于，
在所述半导体基板的上面，在所述上基板的被固定的区域的下方形成凹槽，在所述凹槽的底面之下设有所述反极性层。
10.一种压力检测器，将权利要求1所述的静电容量型压力传感器收纳在盒内。
11.一种输入装置，搭载有权利要求1所述的静电容量型压力传感器。
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