CN104744649B - 一种CdTe量子点荧光三氟氯氰菊酯印迹传感器的制备方法 - Google Patents
一种CdTe量子点荧光三氟氯氰菊酯印迹传感器的制备方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明提供一种CdTe量子点荧光三氟氯氰菊酯印迹传感器的制备方法，属于环境功能材料制备技术领域；本发明首先制备前驱体NaHTe溶液；然后将前驱体溶液注入到通氮除氧的有巯基乙酸存在的CdCl2·2.5H2O水溶液中，在氮气保护条件下回流反应，得到不CdTe量子点；然后利用可聚合型表面活性剂OVDAC将CdTe量子点转相到氯仿相中，得到OVDAC修饰的CdTe量子点；最后，利用沉淀聚合法合成以OVDAC修饰的CdTe量子点为荧光载体的CdTe量子点荧光分子印迹聚合物，并用于光学检测三氟氯氰菊酯；本发明解决了水相CdTe量子点利用自由基聚合合成荧光分子印迹传感器的难题，利用本发明获得的CdTe量子点荧光分子印迹聚合物具有较好的光学稳定性，能实现快速识别和光学检测三氟氯氰菊酯的能力。
Description
技术领域
本发明涉及一种CdTe量子点荧光三氟氯氰菊酯印迹传感器的制备方法，属于环境功能材料制备技术领域。
背景技术
菊酯类农药是一类人工合成的广谱性杀虫剂，具有速效、无臭、低毒、触杀作用强和残效时间长等特点。结构上与天然除虫菊素类似，除对140多种害虫防治有特效外，有些菊酯类农药还对地下害虫和螨类害虫有较好的防治效果，其广泛应用于防治茶树、蔬菜、果树、棉花、花卉害虫，我国菊酯类农药施用面积已占杀虫剂总施用面积的三分之一以上。起初菊酯类农药一直被认为是毒性较低、无蓄积性的新型安全农药，但后来人们发现由于菊酯类农药在环境中大量残留，对水体生态系统有严重的危害，而且对哺乳动物的中枢神经系统、内分泌系统、生殖系统、免疫系统和心血管系统有明显的毒害作用。同时菊酯类农药的大量使用，也将使多种害虫产生抗药性，进而导致生态系统结构改变和功能破坏。目前，对环境中菊酯类农药残留的监控分析、迁移、细菌抗药性等方面的研究已成为环境化学家关注的热点，如美国环境保护局已将环境中菊酯类农药残留的最大值限定为0.05 μg/g。菊酯类农药残留的分析检测主要使用色谱法，如液相色谱法、气相色谱法和液质联用法。色谱法具有高的回收率、好的重现性和较低的检出限，但需要繁琐的样品前处理过程。常用的样品前处理的方法有溶剂萃取技术、超临界萃取技术、微波萃取技术、膜分离技术和固相萃取技术等。这些方法虽然各有独特优点，但也各有其局限性。如溶剂萃取技术大量使用有机溶剂，易产生二次污染；超临界萃取虽然具有容易实现溶剂与目标物分离、无污染的优点，但是操作复杂、成本费用高；膜分离技术存在膜的堵塞问题；固相萃取技术常用的吸附剂选择性较差。因此，针对环境中成分复杂、性质相似和含量偏低的菊酯类农药残留，建立和完善快速、灵敏和选择性的分析检测方法是做好菊酯类农药残留监控的当务之急。
近年来，基于荧光探针的荧光分析法受到了科研工作者的广泛欢迎，建立的荧光分析方法已广泛用于测定无机物、有机物及生物大分子。荧光分析法具有灵敏度高、选择性好、仪器结构相对简单、价格便宜等特点，但由于能发射出荧光的物质数量不多，那些不能发射荧光的物质常需要与一些荧光配合物或荧光探针等结合才能进行分析测定，从而限制了荧光分析法的直接使用。量子点，作为一类理想的探针，它的出现很好的解决了上述问题。量子点具有制备方法简单、光学可调、表面易于修饰和表征简单等优点，已经在分析领域得到了广泛的应用。相对于有机染料分子，量子点具有发光效率高、激发光谱宽、发射光谱狭窄而对称、单一激发波长可同时激发不同大小的量子点、光稳定性好等许多优良的光学特性。将量子点作为荧光探针用于传感分析的研究正在逐年增加，同时随着高性能量子点的制备以及表面修饰技术的逐步完善与成熟，使量子点荧光分析的检测能力有了很大的提高。然而量子点的特异选择性还有待提高，尤其对于结构和性能类似物的测定其选择性还不明显。
分子印迹技术是制备对某一特定分子具有专一识别能力聚合物的过程，制备的聚合物称为分子印迹聚合物（MIPs）。MIPs的制备过程一般先将模板分子与选定的功能单体相互作用形成超分子复合物, 再在交联剂作用下形成聚合物，最后用一定手段去除模板分子后，获得的MIPs中就留下了对模板分子具有特异性识别的结合位点。近年来，MIPs的特异识别性和广泛实用性吸引了愈来愈多的科学工作者的兴趣和青睐，有不少研究工作将荧光材料量子点引入到分子印迹技术中，制备出复合型荧光分子印迹材料。复合型荧光分子印迹材料的制备使MIPs在分析检测中的应用范围和使用方法得到进一步扩展，同时MIPs的选择性也使复合型荧光探针的灵敏度和选择性得到显著提高。
经对现有技术的文献检索发现，Zhang等分别在2011年和2012年发表在《Biosensors and Bioelectronics》上发表的“Molecularly imprinted polymeranchored on the surface of denatured bovine serum albumin modified CdTequantum dots as fluorescent artificial receptor for recognition of targetprotein”和“Molecularly imprinted polymer anchored on the surface of denaturedbovine serum albumin modified CdTe quantum dots as fluorescent artificialreceptor for recognition of target protein”；Xu等2013年发表在《Appl. Mater.Interfaces.》上发表的“Dummy Molecularly Imprinted Polymers-Capped CdTe QuantumDots for the Fluorescent Sensing of 2,4,6-Trinitrotoluene”；三篇文章都通过溶胶凝胶法，利用正硅酸乙酯的水解得到CdTe量子点荧光印迹传感器，具有良好的选择性。然而，利用自由基聚合手段合成CdTe量子点荧光印迹传感器还没有报道。因此，利用自由基聚合技术合成高性能CdTe量子点荧光印迹传感器，进行光学分析从而达到快速、方便检测残留量的研究成为必要。
发明内容
本发明的目的在于提供一种CdTe量子点荧光三氟氯氰菊酯印迹传感器的制备方法，以解决现有技术中没有利用自由基聚合手段合成CdTe量子点荧光印迹传感器的难题。
首先硼氢化钠、碲粉和水在超声环境下生成前驱体NaHTe溶液；然后将前驱体注入到通氮除氧的pH为10.5-11.5的有巯基乙酸（TGA）存在的CdCl2·2.5H2O水溶液中，在氮气保护100-110 oC条件下回流反应，根据回流时间的不同，得到了不同尺寸的CdTe量子点；然后利用一种可聚合型表面活性剂十八烷基-对乙烯苄基-二甲基氯化铵(OVDAC)将CdTe量子点转相到氯仿相中，得到OVDAC修饰的CdTe量子点；最后，利用沉淀聚合法合成了以OVDAC修饰的CdTe量子点为荧光载体，三氟氯氰菊酯为模板分子，丙烯酰胺（AM）为功能单体，乙二醇二甲基丙烯酸酯(EGDMA)为交联剂，2,2-偶氮二异丁腈(AIBN)为引发剂，乙腈为溶剂的的CdTe量子点荧光分子印迹聚合物，并用于光学检测三氟氯氰菊酯。制备的CdTe量子点荧光分子印迹聚合物具有很好的稳定性和光学性能，且具有选择性识别三氟氯氰菊酯的能力。
本发明采用的技术方案是：
一种CdTe量子点荧光三氟氯氰菊酯印迹传感器的制备方法，按照以下步骤进行：
（1）CdTe量子点按常规方法进行合成，即：将硼氢化钠（NaBH4）和碲粉加入到离心管中，然后再加入二次蒸馏水使固体完全溶解；将离心管放置于超声机中超声反应，并保持管口出气，最终的白色液体即为所需的前驱体NaHTe溶液。在通氮除氧的条件下，将前驱体NaHTe溶液注入到通氮除氧的有巯基乙酸（TGA）存在的CdCl2·2.5H2O水溶液中，混合溶液在氮气保护条件下回流反应，根据回流时间的不同，得到不同尺寸的量子点。
（2）取步骤（1）得到的量子点原液与OVDAC混合加入到烧瓶中，搅拌一段时间后，加入与量子点原液等体积氯仿进行萃取，得到OVDAC修饰的CdTe量子点。
（3）在单口圆底烧瓶中，加入OVDAC修饰的CdTe量子点和乙腈，超声分散，随后加入三氟氯氰菊酯、丙烯酰胺（AM）、乙二醇二(甲基丙烯酸)酯（EGDMA）和2,2-偶氮二已丁睛（AIBN），通足够长时间的N2确保除尽氧气，然后将烧瓶密封，放置于水域振荡器中，通过两步聚合反应，反应结束后，用水和乙醇洗涤若干次，以除去未反应完的物质，产物在真空烘箱内烘干；用甲醇和乙酸的混合液索氏提取将原始模板分子三氟氯氰菊酯从所得产物中洗脱下来，洗脱三次；除去模板分子后，即得到CdTe量子点荧光印迹聚合物（MIPs-OVDAC/CdTeQDs）。
其中，步骤（1）中所述的硼氢化钠和碲粉的摩尔比为2-4：1；所述的有巯基乙酸（TGA）存在的CdCl2·2.5H2O水溶液的pH为10.5-11.5；其中，CdCl2·2.5H2O、TGA和NaHTe的摩尔比为1：2.0-2.5：0.4-0.6，其中NaHTe的摩尔量根据碲粉的摩尔量得出；所述回流反应温度为100 oC-110 oC。
其中，步骤（2）中所述的量子点溶液和OVDAC的体积质量比为1 mL:1-2 mg。
其中，步骤（3）中所述的混合溶液中三氟氯氰菊酯、AM和EDGMA的摩尔比为1:5-7:14-18，且三者质量小于0.5 g；三氟氯氰菊酯的物质的量与乙腈溶剂体积之间的比例为：0.1 mmol：58-62mL；所述加入AIBN的质量为12-16 mg；所述加入OVDAC修饰的CdTe量子点的质量为5 mg-10 mg；所述两步聚合反应为第一步在48-52 oC条件下预聚合5-7小时，第二步在58-62 oC条件下聚合22-26小时; 所述甲醇与乙酸的体积比为9:1，索氏提取21-23 h，重复2-3次。
非分子印迹聚合物（NIPs-OVDAC/CdTe QDs）的合成除了不含模板分子外，其他过程与印迹过程相同。
本发明的技术优点：
以OVDAC修饰的CdTe量子点作为荧光功能材料，利用沉淀聚合法合成了CdTe量子点荧光分子印迹传感器；本发明将可聚合的表面活性剂应用到CdTe量子点荧光分子印迹传感器的合成中，解决了水相CdTe量子点利用自由基聚合合成荧光分子印迹传感器的难题，利用本发明获得的CdTe量子点荧光分子印迹聚合物具有较好的光学稳定性，能实现快速识别和光学检测三氟氯氰菊酯的能力。CdTe量子点荧光分子印迹传感器的制备使MIPs在分析检测中的应用范围和使用方法得到进一步扩展，同时MIPs的选择性也使复合型荧光探针的灵敏度和选择性得到显著提高。为拓展环境分析化学及环境污染化学和环境污染控制化学新的领域的研究提供科学可靠的依据。为进一步从事相关理论研究和实际应用如：现场、快速、选择性识别与荧光检测分析测定水体，食品和生物体中的痕量/超痕量有害物质奠定坚实的理论和实践基础。
附图说明
图1：CdTe量子点荧光印迹传感器的透射电镜图，图中a和b分别为不同尺度的印迹传感器。
图2：CdTe量子点荧光印迹传感器的扫描电镜图，图中a和b分别为不同尺度的印迹传感器。
图3：CdTe量子点荧光分子印迹传感器结合三氟氯氰菊酯的荧光光谱图（a）CdTe量子点荧光分子印迹传感器的荧光光谱图（b）和CdTe量子点荧光分子非印迹传感器的荧光光谱图（c）。
图4：CdTe量子点荧光分子印迹传感器荧光强度的时间稳定性。
图5：反应时间对CdTe量子点荧光分子印迹传感器检测三氟氯氰菊酯的影响。
图6：不同浓度的三氟氯氰菊酯对CdTe量子点荧光分子印迹传感器（左）和CdTe量子点荧光分子非印迹传感器（右）荧光光谱的影响。
图7：不同浓度的三氟氯氰菊酯与CdTe量子点荧光分子印迹传感器（左）和CdTe量子点荧光分子非印迹传感器（右）作用后的相对强度线性图。
图8：同一浓度下（16 μmol/L）不同菊酯类农药对CdTe量子点荧光分子印迹传感器和CdTe量子点荧光分子非印迹传感器的猝灭率。
图9：不同比例的三氟氯氰菊酯、AM和EDGMA合成产物的印迹识别效果对比。
具体实施方式
下面结合具体实施实例对本发明做进一步说明。
实施例1：
（1）将30.3 mg硼氢化钠（NaBH4）和51.04 mg碲粉加入到离心管中，然后再加入3.0mL二次蒸馏水使固体完全溶解；将离心管放置于超声机中超声反应，并保持管口出气，最终的白色液体即为所需的前驱体NaHTe溶液。将刚得到的前驱体NaHTe注入到通氮除氧的pH为10.5的有巯基乙酸（TGA）存在的CdCl2水溶液中，其中加入228.34 mg的CdCl2·2.5H2O和138.5 μL的TGA。混合溶液在氮气保护100 oC条件下回流反应20小时，得到黄色荧光量子点。
（2）取20 mL量子点原液，加入20 mg OVDAC，充分搅拌30分钟，加入20 mL氯仿进行萃取，烘干备用。在100 mL圆底烧瓶中，加入5 mg OVDAC修饰的CdTe量子点和58 mL乙腈中，超声分散，在通N2的条件下，加入0.1 mmol 三氟氯氰菊酯，0.5 mmol AM，1.4 mmol EGDMA，12 mg AIBN，48 oC预聚合5 h，58 oC聚合22 h，反应结束后，用乙醇洗涤若干次，以除去未反应完的物质，产物在真空烘箱内烘干。最终用甲醇：乙酸的混合液 (9:1; V:V) 索氏提取21h，重复2次，脱除模板分子，室温下真空干燥，得到CdTe量子点荧光印迹传感器（MIPs-OVDAC/CdTe QDs）。最后，产物在真空烘箱中干燥，并在干燥器中存储。
非分子印迹传感器（NIPs-OVDAC/CdTe QDs）的合成除了不含模板分子外，其他过程与印迹过程相同。
实施例2：
（1）60.6 mg硼氢化钠（NaBH4）和51.04 mg碲粉加入到离心管中，然后再加入3.0mL二次蒸馏水使固体完全溶解；将离心管放置于超声机中超声反应，并保持管口出气，最终的白色液体即为所需的前驱体NaHTe溶液。将刚得到的前驱体NaHTe注入到通氮除氧的pH为11.5的有巯基乙酸（TGA）存在的CdCl2水溶液中，其中加入152.23 mg的CdCl2·2.5H2O和115.44 μL的TGA。混合溶液在氮气保护110 oC条件下回流反应20小时，得到黄色荧光量子点。
（2）取20 mL量子点原液，加入40 mg OVDAC，充分搅拌30分钟，加入20 mL氯仿进行萃取，烘干备用。在100 mL圆底烧瓶中，加入62 mL溶剂乙腈，随后加入0.1 mmol三氟氯氰菊酯、0.7 mmol AM、10 mg OVDAC修饰的CdTe量子点、1.8 mmol EDGMA、16 mg AIBN超声溶解，通氮除氧后封口，将圆底烧瓶置于恒温水浴振荡器中，通过两步聚合得到聚合产物，第一步在52 oC条件下预聚合7小时，第二步在62 oC条件下聚合26小时，反应结束后，用乙醇洗涤若干次，以除去未反应完的物质，产物在真空烘箱内烘干。最终用甲醇：乙酸的混合液 (9:1;V:V) 索氏提取23 h，重复3次，脱除模板分子，室温下真空干燥，得到CdTe量子点荧光印迹传感器（MIPs-OVDAC/CdTe QDs）。最后，产物在真空烘箱中干燥，并在干燥器中存储。
非分子印迹传感器（NIPs-OVDAC/CdTe QDs）的合成除了不含模板分子外，其他过程与印迹过程相同。
实施例3：
（1）将45.4 mg硼氢化钠（NaBH4）和51.04 mg碲粉加入到离心管中，然后再加入3.0mL二次蒸馏水使固体完全溶解；将离心管放置于超声机中超声反应，并保持管口出气，最终的白色液体即为所需的前驱体NaHTe溶液。将刚得到的前驱体NaHTe注入到通氮除氧的pH为11.2的有巯基乙酸（TGA）存在的CdCl2水溶液中，其中加入182.672 mg的CdCl2·2.5H2O和133 μL的TGA。混合溶液在氮气保护105 oC条件下回流反应20小时，得到黄色荧光量子点。
（2）取20 mL量子点原液，加入30 mg OVDAC，充分搅拌30分钟，加入20 mL氯仿进行萃取，烘干备用。在100 mL圆底烧瓶中，加入60 mL溶剂乙腈，随后加入0.1 mmol三氟氯氰菊酯、0.6 mmol AM、8 mg OVDAC修饰的CdTe量子点、1.6 mmol EDGMA、15 mg AIBN超声溶解，通氮除氧后封口，将圆底烧瓶置于恒温水浴振荡器中，通过两步聚合得到聚合产物，第一步在50 oC条件下预聚合6小时，第二步在60 oC条件下聚合24小时，反应结束后，用乙醇洗涤若干次，以除去未反应完的物质，产物在真空烘箱内烘干。最终用甲醇：乙酸的混合液 (9:1;V:V) 索氏提取22 h，重复3次，脱除模板分子，室温下真空干燥，得到CdTe量子点荧光印迹传感器（MIPs-OVDAC/CdTe QDs）。最后，产物在真空烘箱中干燥，并在干燥器中存储。
图1与图2分别为CdTe量子点荧光印迹传感器的透射电镜图和扫描电镜图，从中不仅可以看出CdTe量子点荧光印迹传感器的尺寸大小、形貌和分布，而且说明了CdTe量子点荧光印迹传感器合成成功，聚合程度较好。
非分子印迹传感器（NIPs-OVDAC/CdTe QDs）的合成除了不含模板分子外，其他过程与印迹过程相同。
对比例1：
该实施例中，除三氟氯氰菊酯、AM和EDGMA的摩尔比例外，其余部分均与实施例3中步骤相同；在该步骤中，三氟氯氰菊酯、AM和EDGMA的摩尔比为1:3:10，合成产物的印迹识别效果与实施例3中的产物进行对比，其结果如图9所示，若三氟氯氰菊酯、AM和EDGMA三者的摩尔比例超出1:5-7:14-18的范围，则印迹效果将会衰弱很多。
对比例2：
该实施例中，除三氟氯氰菊酯、AM和EDGMA的摩尔比例外，其余部分均与实施例3中步骤相同；在该步骤中，三氟氯氰菊酯、AM和EDGMA的摩尔比为1:9:21，合成产物的印迹识别效果与实施例3中的产物进行对比，其结果如图9所示，若三氟氯氰菊酯、AM和EDGMA三者的摩尔比例超出1:5-7:14-18的范围，则印迹效果将会衰弱很多。
本发明具体实施方式中识别和光学检测性能评价按照下述方法进行：将适量CdTe量子点荧光印迹传感器的水溶液和一系列已知浓度的目标物溶液加入到5 mL比色管中，室温下振荡后静置20分钟（如图5所示，反应时间对CdTe量子点荧光分子印迹传感器检测三氟氯氰菊酯的影响，可以看出CdTe量子点荧光分子印迹传感器与三氟氯氰菊酯作用20分钟后基本稳定。）。用分子荧光光度计测量系统检测溶液的荧光强度。根据Stern-Volmerequation(F 0 /F=1+K sv [c])以浓度[c]为横坐标，相对荧光强度(F 0 /F)为纵坐标绘制荧光响应曲线。选择几种菊酯类农药，作为对比物质，参与MIPs-OVDAC/CdTe QDs识别性能的研究。
试验例1：
如图3所示，在三氟氯氰菊酯存在的情况下，CdTe量子点荧光印迹传感器的荧光强度降低很多，除去模板分子之后，CdTe量子点荧光印迹传感器的荧光强度恢复，并略高于CdTe量子点荧光非印迹传感器的荧光强度。如图4所示，所制备的CdTe量子点荧光印迹传感器有很好的稳定性。
将CdTe量子点荧光印迹传感器配置成360 mg/L的水溶液，菊酯类农药目标物配置成为1 mmol/L的乙醇溶液；取1 mL的传感器溶液和0-0.08 mL三氟氯氰菊酯的乙醇溶液加入到5 mL比色管中，并用水定容，把测试液室温振荡后静置20分钟，然后用荧光分光光度计检测溶液的荧光强度；根据Stern-Volmer equation(F 0 /F=1+K sv [c])以浓度[c]为横坐标，相对荧光强度（F 0 /F）为纵坐标绘制荧光响应曲线。比色管测试液中三氟氯氰菊酯浓度分别为0、0.1、0.5、1、2、3、4、6、8、10、13、16µmol/L，检测不同浓度的三氟氯氰菊酯对CdTe量子点荧光印迹传感器（左）和CdTe量子点荧光非印迹传感器（右）荧光光谱的影响。结果如图6所示，图6中曲线由上至下分别是不同浓度三氟氯氰菊酯（0、0.1、0.5、1、2、3、4、6、8、10、13、16µmol/L）存在下的荧光物质的荧光光谱，随着三氟氯氰菊酯浓度的升高，荧光强度减弱，根据Stern-Volmer equation (F 0 /F=1+K sv [c])以浓度[c]为横坐标，相对荧光强度(F 0 /F)为纵坐标绘制荧光响应曲线，分别得到相关系数为0.9989和0.9969的直线（如图7所示）。结果表明，CdTe量子点荧光印迹传感器具有很好的光学检测三氟氯氰菊酯的能力。
试验例2：
将CdTe量子点荧光印迹传感器配置成360 mg/L的水溶液，选择三氟氯氰菊酯（LC）氟氯氰菊酯（BC）、氰戊菊酯（FE）、联苯菊酯（BI）四种目标物，将以上几种菊酯类农药配置成为1 mmol/L的乙醇溶液。取1 mL的聚合物水溶液和0.08 mL的菊酯类农药的乙醇溶液加入到5 mL比色管中，用水定容，把测试液室温振荡后静置20分钟，然后用荧光分光光度计检测溶液的荧光强度。如图8所示，由图可知，三氟氯氰菊酯对CdTe量子点荧光印迹传感器的猝灭量最大，说明CdTe量子点荧光印迹传感器对模板分子三氟氯氰菊酯具有特异性识别能力。结果表明，本发明制备的CdTe量子点荧光印迹传感器对三氟氯氰菊酯有明显的专一识别性，猝灭效果高于其它菊酯类农药。
Claims (4)
1.一种CdTe量子点荧光三氟氯氰菊酯印迹传感器的制备方法，其特征在于，使用一种可聚合型表面活性剂十八烷基-对乙烯苄基-二甲基氯化铵；
具体按照以下步骤进行：
（1）CdTe量子点按常规方法进行合成，即：将硼氢化钠和碲粉加入到离心管中，然后再加入二次蒸馏水使固体完全溶解；将离心管放置于超声机中超声反应，并保持管口出气，最终的白色液体即为所需的前驱体NaHTe溶液；在通氮除氧的条件下，将前驱体NaHTe溶液注入到有巯基乙酸存在的CdCl2·2.5H2O水溶液中，混合溶液在氮气保护条件下回流反应，根据回流时间的不同，得到不同尺寸的量子点；
（2）取步骤（1）得到的量子点原液与十八烷基-对乙烯苄基-二甲基氯化铵混合加入到烧瓶中，搅拌一段时间后，加入氯仿进行萃取，得到十八烷基-对乙烯苄基-二甲基氯化铵修饰的CdTe量子点；
（3）在单口圆底烧瓶中，加入十八烷基-对乙烯苄基-二甲基氯化铵修饰的CdTe量子点和乙腈，超声分散，随后加入三氟氯氰菊酯、丙烯酰胺、乙二醇二(甲基丙烯酸)酯和2,2-偶氮二异丁腈，通N2确保除尽氧气，然后将烧瓶密封，放置于水域振荡器中，通过两步聚合反应后，用水和乙醇洗涤若干次，以除去未反应完的物质，产物在真空烘箱内烘干；用甲醇和乙酸的混合液索氏提取将原始模板分子三氟氯氰菊酯从所得产物中洗脱下来；除去模板分子后，即得到CdTe量子点荧光印迹聚合物（MIPs-OVDAC/CdTe QDs）；
步骤（3）中所述加入十八烷基-对乙烯苄基-二甲基氯化铵修饰的CdTe量子点的质量为5 -10 mg；
步骤（3）中所述的三氟氯氰菊酯、丙烯酰胺和乙二醇二(甲基丙烯酸)酯的摩尔比为1:5-7:14-18；三氟氯氰菊酯与乙腈的比例为：0.1 mmol：58-62mL；所述加入2,2-偶氮二异丁腈的质量为12-16 mg；
步骤（3）中所述两步聚合反应为第一步在48-52 ℃条件下预聚合5-7小时，第二步在58-62℃条件下聚合22-26小时；所述甲醇与乙酸的体积比为9:1，索氏提取21-23 h，重复2-3次。
2.根据权利要求1所述的一种CdTe量子点荧光三氟氯氰菊酯印迹传感器的制备方法，其特征在于，
步骤（1）中所述的硼氢化钠和碲粉的摩尔比为2-4：1；所述的有巯基乙酸存在的CdCl2·2.5H2O水溶液的pH为10.5-11.5；其中，CdCl2·2.5H2O、巯基乙酸和NaHTe的摩尔比为1：2.0-2.5：0.4-0.6；所述回流反应温度为100℃-110℃。
3.根据权利要求1所述的一种CdTe量子点荧光三氟氯氰菊酯印迹传感器的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述的量子点溶液和十八烷基-对乙烯苄基-二甲基氯化铵的体积质量比为1 mL:1-2 mg。
4.根据权利要求1所述的一种CdTe量子点荧光三氟氯氰菊酯印迹传感器的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述的氯仿与量子点原液体积比为：1:1。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510124191.7A CN104744649B (zh) | 2015-03-19 | 2015-03-19 | 一种CdTe量子点荧光三氟氯氰菊酯印迹传感器的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104744649A CN104744649A (zh) | 2015-07-01 |
| CN104744649B true CN104744649B (zh) | 2018-06-26 |
Family
ID=53584963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510124191.7A Expired - Fee Related CN104744649B (zh) | 2015-03-19 | 2015-03-19 | 一种CdTe量子点荧光三氟氯氰菊酯印迹传感器的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104744649B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105062464B (zh) * | 2015-07-29 | 2017-06-27 | 江苏大学 | 一种基于溶胀技术的量子点荧光印迹传感器的制备方法 |
| CN110218325A (zh) * | 2019-06-03 | 2019-09-10 | 西北师范大学 | 硅烷化镉碲量子点分子印迹聚合物的制备及应用 |
| CN110540622A (zh) * | 2019-08-09 | 2019-12-06 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 量子点复合物的制备方法及由其制备的量子点复合物 |
| CN112979893B (zh) * | 2021-03-10 | 2023-03-24 | 北京工商大学 | 磁性荧光材料@分子印迹颗粒的制备及利用其制备复合膜的方法 |
| CN114479863B (zh) * | 2022-01-06 | 2024-01-30 | 中国农业科学院烟草研究所(中国烟草总公司青州烟草研究所) | 多菌灵分子印迹比率型荧光传感器及其制备方法、应用 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1394882A (zh) * | 2002-08-10 | 2003-02-05 | 吉林大学 | 含有高可见发光效率的CdTe纳米晶透明聚合物体相材料的制备方法 |
| CN103739846A (zh) * | 2013-12-27 | 2014-04-23 | 江苏大学 | 一种量子点荧光印迹聚合物的制备方法 |
| CN103819608A (zh) * | 2014-02-21 | 2014-05-28 | 江苏大学 | 一种三氟氯氰菊酯荧光表面分子印迹纳米材料制备方法 |
| CN103881020A (zh) * | 2014-03-20 | 2014-06-25 | 江苏大学 | 一种荧光检测三氟氯氰菊酯的分子印迹聚合物的制备方法 |
| CN104165874A (zh) * | 2014-07-24 | 2014-11-26 | 江苏大学 | 一种量子点荧光阿司匹林印迹传感器及其制备方法和应用 |
-
2015
- 2015-03-19 CN CN201510124191.7A patent/CN104744649B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1394882A (zh) * | 2002-08-10 | 2003-02-05 | 吉林大学 | 含有高可见发光效率的CdTe纳米晶透明聚合物体相材料的制备方法 |
| CN103739846A (zh) * | 2013-12-27 | 2014-04-23 | 江苏大学 | 一种量子点荧光印迹聚合物的制备方法 |
| CN103819608A (zh) * | 2014-02-21 | 2014-05-28 | 江苏大学 | 一种三氟氯氰菊酯荧光表面分子印迹纳米材料制备方法 |
| CN103881020A (zh) * | 2014-03-20 | 2014-06-25 | 江苏大学 | 一种荧光检测三氟氯氰菊酯的分子印迹聚合物的制备方法 |
| CN104165874A (zh) * | 2014-07-24 | 2014-11-26 | 江苏大学 | 一种量子点荧光阿司匹林印迹传感器及其制备方法和应用 |
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| Title |
|---|
| Comparative syntheses of tetracyline-imprinted polymeric silicate and acrylate on CdTe quantum dots as fluorescent sensors;Mu-Rong Chao et al.;《Biosensors and Bioelectronics》;20140605;第61卷;摘要和实验部分2.2节 * |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104744649A (zh) | 2015-07-01 |
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
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