CN105062464B - 一种基于溶胀技术的量子点荧光印迹传感器的制备方法 - Google Patents

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本发明提供一种基于溶胀技术的量子点荧光印迹传感器的制备方法,属环境功能材料制备技术领域。本发明首先按常规方法合成CdTe量子点;然后利用无皂乳液聚合方法,将苯乙烯、丙烯酸、二乙烯基苯和过硫酸钾加入到水中,加热反应过夜,得到聚苯乙烯(PS)微球;利用可聚合型表面活性剂OVDAC将CdTe量子点转相到氯仿相中,得到OVDAC修饰的CdTe量子点;再利用溶胀技术合成以OVDAC修饰的CdTe量子点为荧光载体,联苯菊酯为模板分子,聚苯乙烯微球为聚合物基质的CdTe量子点荧光分子印迹聚合物,并用于光学检测联苯菊酯。本发明制备的CdTe量子点荧光分子印迹聚合物具有很好的稳定性和光学性能,且具有选择性识别联苯菊酯的能力。

Description

一种基于溶胀技术的量子点荧光印迹传感器的制备方法
技术领域
本发明涉及一种基于溶胀技术的量子点荧光印迹传感器的制备方法,属环境功能材料制备技术领域。
背景技术
菊酯类农药是一类人工合成的广谱性杀虫剂,具有速效、无臭、低毒、触杀作用强和残效时间长等特点。起初菊酯类农药一直被认为是毒性较低、无蓄积性的新型安全农药,但后来人们发现由于菊酯类农药在环境中大量残留,对水体生态系统有严重的危害,而且对哺乳动物的中枢神经系统、内分泌系统、生殖系统、免疫系统和心血管系统有明显的毒害作用。目前,对环境中菊酯类农药残留的监控分析、迁移、细菌抗药性等方面的研究已成为环境化学家关注的热点。菊酯类农药残留的分析检测主要使用色谱法,如液相色谱法、气相色谱法和液质联用法。这些方法虽然很多优点,但也有其局限性,如成本费用高,操作复杂,有机溶剂用量大,易产生二次污染,选择性较差等。因此,针对环境中成分复杂、性质相似和含量偏低的菊酯类农药残留,建立和完善快速、灵敏和具有选择性的分析检测方法是做好菊酯类农药残留监控的当务之急。
分子印迹技术是制备对某一特定分子具有专一识别能力聚合物的过程,制备的聚合物称为分子印迹聚合物(MIPs)。MIPs的制备过程一般先将模板分子与选定的功能单体相互作用形成超分子复合物, 再在交联剂作用下形成聚合物,最后用一定手段去除模板分子后,获得的MIPs中就留下了对模板分子具有特异性识别的结合位点。半导体纳米晶体,也叫量子点,具有狭窄对称的发射峰,尺度依赖的发射波长,发光效率高和优异的耐光性等优点,基于量子点的荧光探针已广泛用于检测不同种类的分析物,如离子、小分子和生物大分子。近年来,MIPs的特异识别性和广泛实用性吸引了愈来愈多的科学工作者的兴趣和青睐,有不少研究工作将荧光材料量子点引入到分子印迹技术中,制备出复合型荧光分子印迹材料。复合型荧光分子印迹材料的制备使MIPs在分析检测中的应用范围和使用方法得到进一步扩展,同时MIPs的选择性也使复合型荧光探针的灵敏度和选择性得到显著提高。
经对现有技术的文献检索发现,Zhang等分别在2011年和2012年发表在《Biosensors and Bioelectronics》上发表的“Molecularly imprinted polymeranchored on the surface of denatured bovine serum albumin modified CdTequantum dots as fluorescent artificial receptor for recognition of targetprotein”和“Molecularly imprinted polymer anchored on the surface of denaturedbovine serum albumin modified CdTe quantum dots as fluorescent artificialreceptor for recognition of target protein”;Xu等2013年发表在《Appl. Mater.Interfaces.》上发表的“Dummy Molecularly Imprinted Polymers-Capped CdTe QuantumDots for the Fluorescent Sensing of 2,4,6-Trinitrotoluene”;三篇文章都通过溶胶凝胶法,利用正硅酸乙酯的水解得到CdTe量子点荧光印迹传感器,具有良好的选择性。据了解,常见的量子点荧光印迹传感器一般是由功能单体和交联剂共聚产生,并且在聚合过程中将量子点和模板分子封装在聚合物内。然而由于自由基的存在,量子点在聚合过程中往往会发生猝灭现象;另一方面,模板分子通过氢键作用或共价作用固定在聚合物中,在洗除模板的过程中往往需要更多的有机溶剂和时间。所以,能够解决上述两个问题的新方法急需建立,同时,新型量子点荧光传感器的研究成为必要。在这里,我们通过溶胀技术合成了一种CdTe量子点荧光印迹传感器,目前利用溶胀技术合成CdTe量子点荧光印迹传感器还没有报道。因此,利用溶胀技术合成高性能CdTe量子点荧光印迹传感器,进行光学分析从而达到快速、方便检测残留量的研究成为必要。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于溶胀技术的量子点荧光印迹传感器的制备方法,以解决现有技术中没有利用溶胀技术合成CdTe量子点荧光印迹传感器的难题。
首先硼氢化钠、碲粉和水在超声环境下生成前驱体NaHTe溶液。然后将前驱体注入到通氮除氧的pH为10.5-11.5的有巯基乙酸(TGA)存在的CdCl2·2.5H2O水溶液中,在氮气保护100-110℃条件下回流反应,根据回流时间的不同,得到了不同尺寸的CdTe量子点。然后利用一种可聚合型表面活性剂十八烷基-对乙烯苄基-二甲基氯化铵(OVDAC)将CdTe量子点转相到氯仿相中,得到OVDAC修饰的CdTe量子点。另一方面,利用无皂乳液聚合方法,将苯乙烯、丙烯酸、二乙烯基苯和过硫酸钾加入到水中,加热反应过夜,得到聚苯乙烯微球。最后,利用溶胀技术合成了以OVDAC修饰的CdTe量子点为荧光载体,联苯菊酯为模板分子,聚苯乙烯微球为聚合物基质的CdTe量子点荧光分子印迹聚合物,并用于光学检测联苯菊酯。制备的CdTe量子点荧光分子印迹聚合物具有很好的稳定性和光学性能,且具有选择性识别联苯菊酯的能力。
本发明采用的技术方案是:
一种基于溶胀技术的量子点荧光印迹传感器的制备方法,按照以下步骤进行(其中第三部分为着重保护技术):
(1)CdTe量子点按常规方法进行合成,即:将硼氢化钠(NaBH4)和碲粉加入到离心管中,然后再加入二次蒸馏水使固体完全溶解;将离心管放置于超声机中超声反应,并保持管口出气,最终的白色液体即为所需的前驱体NaHTe溶液。
在通氮除氧的条件下,将前驱体NaHTe溶液注入到通氮除氧的有巯基乙酸(TGA)存在的CdCl2·2.5H2O水溶液中,混合溶液在氮气保护条件下回流反应,根据回流时间的不同,得到不同尺寸的量子点。
(2)利用无皂乳液聚合方法,将苯乙烯、丙烯酸、二乙烯基苯和过硫酸钾加入到蒸馏水中,加热反应过夜,得到聚苯乙烯(PS)微球。
(3)取步骤(1)得到的量子点原液与十八烷基-对乙烯苄基-二甲基氯化铵(OVDAC)混合加入到烧瓶中,搅拌一段时间后,加入等体积氯仿进行萃取,得到OVDAC修饰的CdTe量子点。
(4)将OVDAC修饰的CdTe量子点、PS 微球和目标分子联苯菊酯(BI)分散到氯仿中,在超声条件下将混合溶液加入到蒸馏水中,随后在加热条件下实现溶胀过程。将产物用乙醇和乙腈的混合溶液离心清洗,除去模板分子。烘干后,即得到CdTe量子点荧光印迹聚合物(MIPs (PS)-OVDAC/CdTe QDs)。
其中,步骤(1)中所述的硼氢化钠和碲粉的摩尔比为2-4:1;所述的有巯基乙酸(TGA)存在的CdCl2·2.5H2O水溶液的pH为10.5-11.5;其中,CdCl2·2.5H2O、TGA和NaHTe的摩尔比为1:2.0-2.5:0.4-0.6,其中NaHTe的摩尔量根据碲粉的摩尔量得出;所述回流反应温度为100℃-110℃。
其中,步骤(2)中所述的丙乙烯、丙烯酸、二乙烯基苯、过硫酸钾的体积质量比为2.0 mL:0.1-0.3 mL:0.05-0.2 mL:30-60 mg;所述的蒸馏水体积为70-100 mL;所述的反应温度为70-80℃;所述的反应时间为8-12 h。
其中,步骤(3)中所述的量子点溶液和OVDAC的体积质量比为1 mL:1-2 mg;
其中,步骤(4)中所述的混合溶液中OVDAC-CdTe QDs、PS 微球和联苯菊酯的质量体积比为1 mL:15-30 mg:10-15 mg,氯仿与蒸馏水的体积比为:1 mL:10-15 mL;所述的加热反应为在60-80℃条件下溶胀2-4小时,所述乙醇与乙腈的体积比为8:2,离心次数为2-3次。
非分子印迹聚合物(NIPs-OVDAC/CdTe QDs)的合成除了不含模板分子外,其他过程与印迹过程相同。
本发明的技术优点:
1.本发明以OVDAC修饰的CdTe量子点作为荧光功能材料,PS微球为聚
合物基质,利用溶胀技术合成了CdTe量子点荧光分子印迹传感器;
2.本发明利用了范德华力和疏水作用作为模板分子与量子点及PS微球的
作用方式,并非常见的共价作用和氢键作用;同时提前合成了PS 微球,避免了传统方法中活性自由基对量子点的猝灭;另外将可聚合的表面活性剂应用到CdTe量子点荧光分子印迹传感器的合成中,解决了水相CdTe量子点同聚合物合成荧光分子印迹传感器的难题;
3.利用本发明获得的CdTe量子点荧光分子印迹聚合物具有较好的光学稳
定性,能实现快速识别和光学检测联苯菊酯的能力,与其他量子点荧光印迹传感器相比,它具有以下特点:(1)采用聚苯乙烯作为聚合物基质,并且提前单独合成;(2)与模板分子的作用方式不是氢键作用和共价作用而是范德华力和疏水作用;(3)水相量子点利用一种可聚合的表面活性剂成功参与到溶胀过程中。在整个溶胀过程中,没有用到单体和引发剂将不存在自由基的影响,所以量子点不会发生猝灭现象。采用乙醇和乙腈的混合液作为清洗溶液,模板分子可以很容易地通过数次高速离心去除掉。本发明提供了一种简便、通用的方法合成荧光传感器用于快速识别和选择性检测有机污染物。
4.CdTe量子点荧光分子印迹传感器的制备使MIPs在分析检测中的应用范
围和使用方法得到进一步扩展,同时MIPs的选择性也使复合型荧光探针的灵敏度和选择性得到显著提高。为拓展环境分析化学及环境污染化学和环境污染控制化学新的领域的研究提供科学可靠的依据。为进一步从事相关理论研究和实际应用如:现场、快速、选择性识别与荧光检测分析测定水体,食品和生物体中的痕量/超痕量有害物质奠定坚实的理论和实践基础。
附图说明
图1:PS 微球的透射电镜图(a)和CdTe量子点荧光分子印迹传感器的透射电镜图(b, c)。
图2:CdTe量子点荧光分子印迹传感器结合联苯菊酯的荧光光谱图(1)、CdTe量子点荧光分子印迹传感器的荧光光谱图(2)和CdTe量子点荧光分子非印迹传感器的荧光光谱图(3)。
图3:CdTe量子点荧光分子印迹传感器荧光强度的时间稳定性。
图4:反应时间对CdTe量子点荧光分子印迹传感器检测联苯菊酯的影响。
图5:不同浓度的联苯菊酯对CdTe量子点荧光分子印迹传感器(上)和CdTe量子点荧光分子非印迹传感器(下)荧光光谱的影响。
图6:不同浓度的联苯菊酯与CdTe量子点荧光分子印迹传感器(上)和CdTe量子点荧光分子非印迹传感器(下)作用后的相对强度线性图。
图7:同一浓度下(40 μmol/L)不同菊酯类农药对CdTe量子点荧光分子印迹传感器和CdTe量子点荧光分子非印迹传感器的猝灭率。
具体实施方式
下面结合具体实施实例对本发明做进一步说明。
实施例1:
(1)将30.3 mg硼氢化钠(NaBH4)和51.04 mg碲粉加入到离心管中,然后再加入3.0mL二次蒸馏水使固体完全溶解;将离心管放置于超声机中超声反应,并保持管口出气,最终的白色液体即为所需的前驱体NaHTe溶液。将刚得到的前驱体NaHTe注入到通氮除氧的pH为10.5的有巯基乙酸(TGA)存在的CdCl2水溶液中,其中加入228.34 mg的CdCl2·2.5H2O和138.5 μL的TGA。混合溶液在氮气保护100℃条件下回流反应20小时,得到黄色荧光量子点。
(2)2.0 mL 丙乙烯, 0.1 mL 丙烯酸, 0.05 mL 二乙烯基苯, 30 mg 过硫酸钾和70 mL 蒸馏水加入到三口烧瓶中磁力搅拌。然后加热到70℃,氮气保护反应8 h,产物进行离心、清洗、烘干后备用。
(3)取20 mL量子点原液,加入20 mg OVDAC,充分搅拌30分钟,加入20 mL氯仿进行萃取,除去水相备用。15 mg PS 微球, 10 mg 联苯菊酯和1.0 mL OVDAC-CdTe QDs在超声条件下将混合溶液加入到 10 mL 蒸馏水中, 随后在60℃ 条件下搅拌2 h实现溶胀过程。将产物用5 mL 乙醇和乙腈的混合溶液(8:2, v/v)离心清洗2次,除去模板分子,室温下真空干燥,得到CdTe量子点荧光印迹传感器(MIPs (PS)-OVDAC/CdTe QDs)。最后,产物在真空烘箱中干燥,并在干燥器中存储。
非分子印迹传感器(NIPs (PS)-OVDAC/CdTe QDs)的合成除了不含模板分子外,其他过程与印迹过程相同。
实施例2:
(1)60.6 mg硼氢化钠(NaBH4)和51.04 mg碲粉加入到离心管中,然后再加入3.0mL二次蒸馏水使固体完全溶解;将离心管放置于超声机中超声反应,并保持管口出气,最终的白色液体即为所需的前驱体NaHTe溶液。将刚得到的前驱体NaHTe注入到通氮除氧的pH为11.5的有巯基乙酸(TGA)存在的CdCl2水溶液中,其中加入152.23 mg的CdCl2·2.5H2O和115.44 μL的TGA。混合溶液在氮气保护110℃条件下回流反应20小时,得到黄色荧光量子点。
(2)2.0 mL 丙乙烯, 0.3 mL 丙烯酸, 0.2 mL 二乙烯基苯, 60 mg 过硫酸钾和100 mL 蒸馏水加入到三口烧瓶中磁力搅拌。然后加热到80℃,氮气保护反应12 h,产物进行离心、清洗、烘干后备用。
(3)取20 mL量子点原液,加入40 mg OVDAC,充分搅拌30分钟,加入20 mL氯仿进行萃取,除去水相备用。30 mg PS 微球, 15 mg 联苯菊酯和1.0 mL OVDAC-CdTe QDs在超声条件下将混合溶液加入到 15 mL 蒸馏水中, 随后在80℃ 条件下搅拌4 h实现溶胀过程。将产物用5 mL 乙醇和乙腈的混合溶液(8:2, v/v)离心清洗3次,除去模板分子,室温下真空干燥,得到CdTe量子点荧光印迹传感器(MIPs (PS)-OVDAC/CdTe QDs)。最后,产物在真空烘箱中干燥,并在干燥器中存储。
非分子印迹传感器(NIPs (PS)-OVDAC/CdTe QDs)的合成除了不含模板分子外,其他过程与印迹过程相同。
实施例3:
(1)将45.4 mg硼氢化钠(NaBH4)和51.04 mg碲粉加入到离心管中,然后再加入3.0mL二次蒸馏水使固体完全溶解;将离心管放置于超声机中超声反应,并保持管口出气,最终的白色液体即为所需的前驱体NaHTe溶液。将刚得到的前驱体NaHTe注入到通氮除氧的pH为11.2的有巯基乙酸(TGA)存在的CdCl2水溶液中,其中加入182.672 mg的CdCl2·2.5H2O和133 μL的TGA。混合溶液在氮气保护105℃条件下回流反应20小时,得到黄色荧光量子点。
(2)2.0 mL 丙乙烯, 0.2 mL 丙烯酸, 0.1 mL 二乙烯基苯, 50 mg 过硫酸钾和80 mL 蒸馏水加入到三口烧瓶中磁力搅拌。然后加热到75℃,氮气保护反应10 h,产物进行离心、清洗、烘干后备用。
(3)取20 mL量子点原液,加入30 mg OVDAC,充分搅拌30分钟,加入20 mL氯仿进行萃取,除去水相备用。20 mg PS 微球, 12 mg 联苯菊酯和1.0 mL OVDAC-CdTe QDs在超声条件下将混合溶液加入到 12 mL 蒸馏水中, 随后在70℃ 条件下搅拌3 h实现溶胀过程。将产物用5 mL 乙醇和乙腈的混合溶液(8:2, v/v)离心清洗3次,除去模板分子,室温下真空干燥,得到CdTe量子点荧光印迹传感器(MIPs (PS)-OVDAC/CdTe QDs)。最后,产物在真空烘箱中干燥,并在干燥器中存储。
非分子印迹传感器(NIPs (PS)-OVDAC/CdTe QDs)的合成除了不含模板分子外,其他过程与印迹过程相同。
对比例1:
采用实施例3中的量子点和模板分子用量,选择常见的交联剂正硅酸乙酯(TEOS)/乙二醇二甲基丙烯酸酯(EGDMA)和功能单体3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)/丙烯酰胺(AM),保证二者与模板分子符合实施例3中的比例,加入引发剂氨水/偶氮二异丁腈(AIBN),采用溶胶凝胶法/沉淀聚合法合成了两种CdTe量子点荧光印迹传感器。如表1所示,对比发现,两种常规方法得到的传感器荧光均存在不同程度的猝灭现象,比溶胀法得到的传感器荧光强度要弱;前两种需要通过多次萃取才能将模板分子去除,时间较长,而后者通过几次离心,便可将模板分子去除。溶胀法得到的传感器拥有更低的检出限和更高的印迹因子,说明其具有良好的灵敏度和选择性。
表 1 溶胀法与其他合成方法的对比
实施例4:
本发明具体实施方式中识别和光学检测性能评价按照下述方法进行:将适量CdTe量子点荧光印迹传感器的水溶液和一系列已知浓度的目标物溶液加入到5 mL比色管中,室温下振荡后静置25分钟,如图4所示,可以看出CdTe量子点荧光分子印迹传感器与联苯菊酯作用25分钟后基本稳定。用分子荧光光度计测量系统检测溶液的荧光强度。根据Stern-Volmer equation(F 0 /F=1+K sv [c])以浓度[c]为横坐标,相对荧光强度(F 0 /F)为纵坐标绘制荧光响应曲线。选择几种菊酯类农药,作为对比物质,参与MIPs (PS)-OVDAC/CdTe QDs识别性能的研究。
试验例1:由图2可知,在联苯菊酯存在的情况下,CdTe量子点荧光印迹传感器的荧光强度降低很多,除去模板分子之后,CdTe量子点荧光印迹传感器的荧光强度恢复,并略低于CdTe量子点荧光非印迹传感器的荧光强度。由图3可知,所制备的CdTe量子点荧光印迹传感器有很好的稳定性。将CdTe量子点荧光印迹传感器配置成1.0 g/L的水溶液,菊酯类农药目标物配置成为1 mmol/L的乙醇溶液。取0.08 mL的传感器溶液和0-0.2 mL联苯菊酯的乙醇溶液加入到5 mL比色管中,并用水定容,把测试液室温振荡后静置25分钟,然后用荧光分光光度计检测溶液的荧光强度。根据Stern-Volmer equation(F 0 /F=1+K sv [c])以浓度[c]为横坐标,相对荧光强度(F 0 /F)为纵坐标绘制荧光响应曲线。比色管测试液中联苯菊酯浓度分别为0、0.5、2、5、10、20、30、40 µmol/L,检测不同浓度的联苯菊酯对CdTe量子点荧光印迹传感器(上)和CdTe量子点荧光非印迹传感器(下)荧光光谱的影响,如图5所示,图5中曲线由上至下分别是不同浓度联苯菊酯(0、0.5、2、5、10、20、30、40 µmol/L)存在下的荧光物质的荧光光谱,随着联苯菊酯浓度的升高,荧光强度减弱,根据Stern-Volmer equation (F 0 / F=1+K sv [c])以浓度[c]为横坐标,相对荧光强度(F 0 /F)为纵坐标绘制荧光响应曲线,分别得到相关系数为0.9918和0.9959的直线(如图6所示)。结果表明,CdTe量子点荧光印迹传感器具有很好的光学检测联苯菊酯的能力。
试验例2:将CdTe量子点荧光印迹传感器配置成1.0 g/L的水溶液,选择三氟氯氰菊酯(LC)氟氯氰菊酯(BC)、氰戊菊酯(FE)、联苯菊酯(BI)四种目标物,将以上几种菊酯类农药配置成为1 mmol/L的乙醇溶液。取0.08 mL的聚合物水溶液和0.2 mL的菊酯类农药的乙醇溶液加入到5 mL比色管中,用水定容,把测试液室温振荡后静置25分钟,然后用荧光分光光度计检测溶液的荧光强度。如图7所示,由图可知,联苯菊酯对CdTe量子点荧光印迹传感器的猝灭量最大,说明CdTe量子点荧光印迹传感器对模板分子联苯菊酯具有特异性识别能力。结果表明,本发明制备的CdTe量子点荧光印迹传感器对联苯菊酯有明显的专一识别性,猝灭效果高于其它菊酯类农药。

Claims (8)

1.一种基于溶胀技术的量子点荧光印迹传感器的制备方法,其特征在于,按照下述步骤进行:
(1)CdTe量子点按常规方法进行合成;
(2)利用无皂乳液聚合方法,将苯乙烯、丙烯酸、二乙烯基苯和过硫酸钾加入到蒸馏水中,加热反应过夜,得到聚苯乙烯(PS)微球;
(3)取步骤(1)得到的CdTe量子点原液与OVDAC混合加入到烧瓶中,搅拌一段时间后,加入等体积氯仿进行萃取,得到OVDAC修饰的CdTe量子点;
(4)将OVDAC修饰的CdTe量子点、PS 微球和目标分子联苯菊酯分散到氯仿中,在超声条件下将混合溶液加入到蒸馏水中,随后在加热反应条件下实现溶胀过程;将产物用乙醇和乙腈的混合溶液离心清洗,除去模板分子;烘干后,即得到CdTe量子点荧光印迹聚合物,记为MIPs (PS)-OVDAC/CdTe QDs。
2.根据权利要求1所述的一种基于溶胀技术的量子点荧光印迹传感器的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述的CdTe量子点按常规方法进行合成,具体方法为:将硼氢化钠(NaBH4)和碲粉加入到离心管中,然后再加入二次蒸馏水使固体完全溶解;将离心管放置于超声机中超声反应,并保持管口出气,最终的白色液体即为所需的前驱体NaHTe溶液;在通氮除氧的条件下,将前驱体NaHTe溶液注入到通氮除氧的有巯基乙酸存在的CdCl2·2.5H2O水溶液中,混合溶液在氮气保护条件下回流反应,根据回流时间的不同,得到不同尺寸的量子点;
其中硼氢化钠和碲粉的摩尔比为2-4:1;
所述的有巯基乙酸存在的CdCl2·2.5H2O水溶液的pH为10.5-11.5;其中,CdCl2·2.5H2O、TGA和NaHTe的摩尔比为1:2.0-2.5:0.4-0.6,其中NaHTe的摩尔量根据步骤(1)中碲粉的摩尔量得出;所述回流反应温度为100 oC-110℃。
3.根据权利要求1所述的一种基于溶胀技术的量子点荧光印迹传感器的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述的苯乙烯、丙烯酸、二乙烯基苯、过硫酸钾的体积质量比为2.0mL:0.1-0.3 mL:0.05-0.2 mL:30-60 mg;所述的蒸馏水体积为70-100 mL;所述的反应温度为70-80℃;所述的反应时间为8-12 h。
4.根据权利要求1所述的一种基于溶胀技术的量子点荧光印迹传感器,其特征在于,步骤(3)中所述的CdTe量子点原液和OVDAC的体积质量比为1 mL:1-2 mg。
5.根据权利要求1所述的一种基于溶胀技术的量子点荧光印迹传感器,其特征在于,步骤(4)中所述的混合溶液中OVDAC修饰的CdTe量子点、PS 微球和联苯菊酯的质量体积比为1mL:15-30 mg:10-15 mg,氯仿与蒸馏水的体积比为:1 mL:10-15 mL。
6.根据权利要求1所述的一种基于溶胀技术的量子点荧光印迹传感器,其特征在于,步骤(4)中所述的加热反应为在60-80℃条件下溶胀2-4小时。
7.根据权利要求1所述的一种基于溶胀技术的量子点荧光印迹传感器,其特征在于,步骤(4)中所述乙醇与乙腈的体积比为8:2,离心次数为2-3次。
8.根据权利要求1所述方法制备的一种基于溶胀技术的量子点荧光印迹传感器在快速识别和光学检测联苯菊酯中的应用。
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