CN104734013B - 面发光激光器以及原子振荡器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种面发光激光器以及原子振荡器。面发光激光器能够提高电场分布相对于共振部的对称性。面发光激光器(100)包括：基板、被设置于上述基板上方的第一反射镜层(20)、被设置于第一反射镜层上方的活性层、被设置于上述活性层上方的第二反射镜层、电连接于第一反射镜层并被设置为相互分离的第一电极(80)及第二电极(81)、及电连接于第二反射镜层的第三电极(82)，第一反射镜层、上述活性层以及上述第二反射镜层构成层叠体(2)，层叠体(2)具有使在上述活性层产生的光共振的共振部，在俯视时，设置有包围层叠体(2)的绝缘层(70)，在俯视时，绝缘层被设置于第一电极(80)与第二电极(81)之间。

Description

面发光激光器以及原子振荡器
技术领域
本发明涉及面发光激光器以及原子振荡器。
背景技术
面发光激光器(VCSEL：Vertical Cavity Surface Emitting Laser垂直腔面发射激光器)例如使用为利用了作为量子干涉效应之一的CPT(Coherent Population Trapping相干布居俘获)的原子振荡器的光源。
例如在专利文献1中记载有具备构成为包括第一反射镜的一部分、活性层、以及第二反射镜的柱状部(垂直共振器)、被设置于第一反射镜上的电极、以及被设置于第二反射镜上的电极的面发光激光器。
专利文献1：日本特开2007-165501号公报
然而，在专利文献1所记载的面发光激光器中，存在被设置于第一反射镜上的电极仅被配置于垂直共振器的一侧，从而相对于垂直共振器的电场分布成为非对称的情况。若相对于垂直共振器的电场分布成为非对称，则例如存在从垂直共振器射出的激光的强度成为非对称的情况。
发明内容
本发明的几个方式所涉及的目的之一在于提供一种能够提高电场分布相对于共振部的对称性的面发光激光器。另外，本发明的几个方式所涉及的目的之一在于提供一种包括上述面发光激光器的原子振荡器。
本发明所涉及的面发光激光器的特征在于，包括：
基板；
第一反射镜层，其被设置于上述基板上方；
活性层，其被设置于上述第一反射镜层上方；
第二反射镜层，其被设置于上述活性层上方；
第一电极以及第二电极，它们电连接于上述第一反射镜层，并被设置为相互分离；以及
第三电极，其电连接于上述第二反射镜层，
上述第一反射镜层、上述活性层、以及上述第二反射镜层构成层叠体，
上述层叠体具有使在上述活性层中产生的光共振的共振部，
在俯视时，设置有包围上述层叠体的绝缘层，
在上述俯视时，上述绝缘层被设置于上述第一电极与上述第二电极之间。
在上述的面发光激光器中，包围层叠体的绝缘层在俯视时被配置于第一电极与第二电极之间，因此例如与仅在绝缘层的一侧形成有电极的情况相比，能够提高电场分布相对于共振部的对称性。
此外，在本发明所涉及的记载中，在将称为“上方”的词句例如使用为“在特定的部件(以下，称为“A”)的“上方”形成其他的特定的部件(以下，称为“B”)”等的情况下，包含在A上直接形成B的情况与在A上经由其他的部件形成B的情况，对此使用称为“上方”的词句。
另外，在本发明所涉及的记载中，将称为“电连接”的词句例如使用为“电连接”于“特定的部件(以下，称为“A部件”)的其他的特定的部件(以下，称为“B部件”)”等。在本发明所涉及的记载中，在该例的情况下，包括A部件与B部件直接连接而被电连接的情况以及A部件与B部件经由其他的部件而被电连接的情况，对此使用称为“电连接”的词句。
在本发明所涉及的面发光激光器中，
在上述俯视时，上述共振部也可以被设置于上述第一电极与上述第二电极之间。
在上述的面发光激光器中，能够提高电场分布相对于共振部的对称性。
在本发明所涉及的面发光激光器中，
上述第一反射镜层也可以具有被设置于上述基板上方的第一部分、以及被设置于上述第一部分上方并构成上述层叠体的一部分的第二部分，
上述第一电极以及上述第二电极被设置于上述第一部分上，
上述第三电极被设置于上述层叠体上。
在上述的面发光激光器中，能够提高电场分布相对于共振部的对称性。
本发明所涉及的原子振荡器的特征在于，
包括本发明所涉及的面发光激光器。
在上述的原子振荡器中，能够包括能够提高电场分布相对于共振部的对称性的面发光激光器。
附图说明
图1是示意性地表示本实施方式所涉及的面发光激光器的俯视图。
图2是示意性地表示本实施方式所涉及的面发光激光器的剖视图。
图3是示意性地表示本实施方式所涉及的面发光激光器的俯视图。
图4是示意性地表示本实施方式所涉及的面发光激光器的剖视图。
图5是示意性地表示本实施方式所涉及的面发光激光器的制造工序的剖视图。
图6是示意性地表示本实施方式所涉及的面发光激光器的制造工序的剖视图。
图7是示意性地表示本实施方式所涉及的面发光激光器的制造工序的剖视图。
图8是示意性地表示本实施方式所涉及的面发光激光器的制造工序的剖视图。
图9是本实施方式所涉及的原子振荡器的功能框图。
图10是表示共振光的频谱的图。
图11是表示碱金属原子的Λ型三能级模型与第一边带波以及第二边带波的关系的图。
具体实施方式
以下，使用附图对本发明的优选的实施方式详细地进行说明。此外，以下进行说明的实施方式中适当地限定技术方案所记载的本发明的内容。另外，以下所说明的结构的全部并不限定为本发明的必要构成要件。
1.面发光激光器
首先，参照附图对本实施方式所涉及的面发光激光器进行说明。图1是示意性地表示本实施方式所涉及的面发光激光器100的俯视图。图2是示意性地表示本实施方式所涉及的面发光激光器100的图1中的II-II线剖视图。图3是示意性地表示本实施方式所涉及的面发光激光器100的俯视图。图4是示意性地表示本实施方式所涉及的面发光激光器100的图3中的IV-IV线剖视图。
此外，为了方便，在图2中，以简化的方式图示层叠体2。另外，在图3中，省略了面发光激光器100的层叠体2以外的部件的图示。另外，在图1～图4中，作为相互正交的三个轴，图示了X轴、Y轴以及Z轴。
如图1～图4所示，面发光激光器100包括：基板10、第一反射镜层20、活性层30、第二反射镜层40、电流狭窄层42、接触层50、第一区域60、第二区域62、树脂层(绝缘层)70、第一电极80、第二电极81以及第三电极82。
基板10例如是第一导电型(例如n型)的GaAs基板。
第一反射镜层20被形成于基板10上。第一反射镜层20是第一导电型的半导体层。如图4所示，第一反射镜层20是交替地层叠了高折射率层24与低折射率层26的分布布拉格反射型(DBR)反射镜。高折射率层24例如是掺杂了硅的n型的Al0.12Ga0.88As层。低折射率层26例如是掺杂了硅的n型的Al0.9Ga0.1As层。高折射率层24与低折射率层26的层叠数(对数)例如为10对以上50对以下，具体而言为40.5对。
活性层30被设置于第一反射镜层20上。活性层30例如具有重叠了三层由i型的In0.06Ga0.94As层与i型的Al0.3Ga0.7As层构成的量子阱构造的多层量子阱(MQW)构造。
第二反射镜层40被形成于活性层30上。第二反射镜层40是第二导电型(例如p型)的半导体层。第二反射镜层40是交替地层叠了高折射率层44与低折射率层46的分布布拉格反射型(DBR)反射镜。高折射率层44例如是掺杂了碳的p型的Al0.12Ga0.88As层。低折射率层46例如是掺杂了碳的p型的Al0.9Ga0.1As层。高折射率层44与低折射率层46的层叠数(对数)例如为3对以上40对以下，具体而言为20对。
第二反射镜层40、活性层30、以及第一反射镜层20构成垂直共振器型的pin二极管。若对电极80、81与电极82之间施加pin二极管的顺方向的电压，则在活性层30中产生电子与空穴的再结合，从而产生发光。在活性层30中产生的光在第一反射镜层20与第二反射镜层40之间往复(多重反射)，此时产生受激辐射，而使强度增强。而且，若光增益超过光损失，则产生激光振荡，从而激光从接触层50的上表面沿垂直方向(沿第一反射镜层20与活性层30的层叠方向)射出。
电流狭窄层42被设置于第一反射镜层20与第二反射镜层40之间。电流狭窄层42也能够被设置于第一反射镜层20或者第二反射镜层40的内部。即使在该情况下，电流狭窄层42也视为被设置于第一反射镜层20与第二反射镜层40之间。在图示的例子中，电流狭窄层42被设置于活性层30上。电流狭窄层42是形成有开口部43的绝缘层。电流狭窄层42能够防止通过电极80、81、82被注入到垂直共振器的电流沿平面方向(与第一反射镜层20和活性层30的层叠方向正交的方向)延展。
接触层50被设置于第二反射镜层40上。接触层50是第二导电型的半导体层。具体而言，接触层50是掺杂了碳的p型的GaAs层。
如图4所示，第一区域60被设置于构成层叠体2的第一反射镜层20的侧面。第一区域60包括被设置为与第一反射镜层20(在图示的例子中为第一反射镜层20的一部分)连续的多个氧化层6。具体而言，第一区域60构成为交替地层叠有与构成第一反射镜层20的低折射率层(例如Al0.9Ga0.1As层)26连续的层被氧化的氧化层6、以及与构成第一反射镜层20的高折射率层(例如Al0.12Ga0.88As层)24连续的层4。
第二区域62被设置于构成层叠体2的第二反射镜层40的侧面。第二区域62包括被设置为与第二反射镜层40连续的多个氧化层16。具体而言，第二区域62构成为交替地层叠有与构成第二反射镜层40的低折射率层(例如Al0.9Ga0.1As层)46连续的层被氧化的氧化层16、以及与构成第二反射镜层40的高折射率层(例如Al0.12Ga0.88As层)44连续的层14。在俯视时(从第一反射镜层20与活性层30的层叠方向观察)，由第一区域60与第二区域62构成氧化区域8。
第一反射镜层20、活性层30、第二反射镜层40、电流狭窄层42、接触层50、第一区域60、以及第二区域62构成层叠体2。在图1以及图2所示的例子中，层叠体2被树脂层70包围。
在图3所示的例子中，在俯视时，Y轴方向的层叠体2的长度比X轴方向的层叠体2的长度长。即，层叠体2的长度方向为Y轴方向。在俯视时，层叠体2例如相对于通过层叠体2的中心且与X轴平行的假想直线对称。另外，在俯视时，层叠体2例如相对于通过层叠体2的中心且与Y轴平行的假想直线对称。
如图3所示，在俯视时，层叠体2包括第一形变施加部(第一部分)2a、第二形变施加部(第二部分)2b以及共振部(第三部分)2c。
第一形变施加部2a以及第二形变施加部2b在俯视时隔着共振部2c沿Y轴方向对置。第一形变施加部2a在俯视时从共振部2c朝+Y轴方向突出。第二形变施加部2b在俯视时从共振部2c朝－Y轴方向突出。第一形变施加部2a以及第二形变施加部2b被设置为与共振部2c一体。
第一形变施加部2a以及第二形变施加部2b对活性层30施加形变，而使在活性层30产生的光偏振。此处，所谓使光偏振是指使光的电场的振动方向形成恒定。构成第一形变施加部2a以及第二形变施加部2b的半导体层(第一反射镜层20、活性层30、第二反射镜层40、电流狭窄层42、接触层50、第一区域60以及第二区域62)成为产生施加于活性层30的形变的产生源。第一形变施加部2a以及第二形变施加部2b具备具有多个氧化层6的第一区域60以及具有多个氧化层16的第二区域62，因此能够对活性层30施加较大的形变。
共振部2c被设置于第一形变施加部2a与第二形变施加部2b之间。X轴方向的共振部2c的长度比X轴方向的第一形变施加部2a的长度或者X轴方向的第二形变施加部2b的长度长。共振部2c的平面形状(从第一反射镜层20与活性层30的层叠方向观察的形状)例如为圆形。
共振部2c使在活性层30产生的光共振。即，在共振部2c中形成有垂直共振器。
树脂层70被设置于层叠体2的至少侧面。在图1所示的例子中，树脂层70覆盖第一形变施加部2a以及第二形变施加部2b。即，树脂层70被设置于第一形变施加部2a的侧面、第一形变施加部2a的上表面、第二形变施加部2b的侧面、以及第二形变施加部2b的上表面。树脂层70可以完全覆盖第一形变施加部2a以及第二形变施加部2b，也可以覆盖第一形变施加部2a以及第二形变施加部2b的一部分。树脂层70的材质例如为聚酰亚胺。此外，在本实施方式中，为了对各形变施加部2a、2b施加形变而形成树脂层70，但只要与树脂层70对应的结构至少具有绝缘的功能即可，因此若为绝缘材料则也可以不是树脂。
在图3所示的例子中，在俯视时，Y轴方向的树脂层70的长度比X轴方向的树脂层70的长度长。即，树脂层70的长度方向为Y轴方向。树脂层70的长度方向与层叠体2的长度方向一致。
第一电极80以及第二电极81被设置于第一反射镜层20上。第一电极80以及第二电极81与第一反射镜层20欧姆接触。第一电极80以及第二电极81与第一反射镜层20电连接。作为第一电极80以及第二电极81例如使用从第一反射镜层20侧按顺序层叠Cr层、AuGe层、Ni层、Au层的电极。第一电极80以及第二电极81是用于向活性层30注入电流的一方的电极。
第三电极82被设置于接触层50上(层叠体2上)。第三电极82与接触层50欧姆接触。在图示的例子中，第三电极82进一步被形成于树脂层70上。第三电极82经由接触层50与第二反射镜层40电连接。作为第三电极82例如使用从接触层50侧按顺序层叠Cr层、Pt层、Ti层、Pt层、Au层的电极。第三电极82是用于向活性层30注入电流的另一方的电极。
第三电极82与焊盘84电连接。在图示的例子中，第三电极82经由引出配线86与焊盘84电连接。焊盘84被设置于树脂层70上。焊盘84以及引出配线86的材质例如与第三电极82的材质相同。
此处，对第一电极80以及第二电极81详细地进行说明。
第一电极80以及第二电极81被设置为相互分离。即，第一电极80以及第二电极81被设置为隔开间隔。在俯视时，在第一电极80与第二电极81之间设置有树脂层70。在图示的例子中，第一电极80在俯视时被设置于树脂层70的一侧(+X轴方向侧)，第二电极81在俯视时被设置于树脂层70的另一侧(－X轴方向侧)。如上，在面发光激光器100中，与第一反射镜层20电连接的电极被配置为在树脂层70的两侧被分割成第一电极80与第二电极81。
在俯视时，第一电极80的Y轴方向的长度(例如为最大的长度)比第一电极80的X轴方向的长度(例如最大的长度)长。即，第一电极80具有沿Y轴方向具有长度方向的形状。另外，在俯视时，第二电极81的Y轴方向的长度(例如为最大的长度)比第二电极81的X轴方向的长度(例如为最大的长度)长。即，第二电极81具有沿Y轴方向具有长度方向的形状。第一电极80的长度方向以及第二电极81的长度方向是与树脂层70的长度方向相同的方向。第一电极80的Y轴方向的最大的长度例如与第二电极81的Y轴方向的最大的长度相等。
树脂层70在俯视时被设置为包围共振部2c。共振部2c在俯视时被设置于第一电极80与第二电极81之间。例如，在俯视时，共振部2c与第一电极80之间的距离(最短距离)和共振部2c与第二电极81之间的距离(最短距离)相等。
如图2所示，第一反射镜层20具有被设置于基板10上的第一部分20a、以及被设置于第一部分20a上并构成层叠体2的一部分的第二部分20b。第一电极80以及第二电极81被设置于第一反射镜层20的第一部分20a上。如上所述，第三电极82被设置于层叠体2上。如上，电极80、81、82被设置于基板10的上表面侧(+Z轴方向侧)。
此外，上述对AlGaAs系的面发光激光器进行了说明，但本发明所涉及的面发光激光器也可以以与振荡波长对应的方式例如使用GaInP系、ZnSSe系、InGaN系、AlGaN系、InGaAs系、GaInNAs系、GaAsSb系的半导体材料。
面发光激光器100例如具有以下的特征。
在面发光激光器100中，在俯视时，设置有包围层叠体2的树脂层70，树脂层70被设置于第一电极80与第二电极81之间。因此，例如，与仅在树脂层70的一侧形成有电极的情况相比(例如与仅形成有第一电极80的情况相比)，能够提高电场分布相对于共振部2c的对称性。另外，在面发光激光器100中，第一电极80与第二电极81分离，因此例如与对第一电极80与第二电极81进行了连接的情况相比，不需要对第一电极80与第二电极81进行连接的部分，从而能够实现小型化。
在面发光激光器100中，共振部2c在俯视时被设置于第一电极80与第二电极81之间。因此，例如，与仅在树脂层70的一侧形成有电极的情况相比，能够提高电场分布相对于共振部2c的对称性。
在面发光激光器100中，第一电极80以及第二电极81被设置于第一反射镜层20的第一部分20a上，第三电极82被设置于层叠体2上。由此，例如，能够获得单面电极构造。
2.面发光激光器的制造方法
接下来，参照附图对本实施方式所涉及的面发光激光器的制造方法进行说明。图5～图8是示意性地表示本实施方式所涉及的面发光激光器100的制造工序的剖视图，与图2对应。
如图5所示，在基板10上按顺序外延生长第一反射镜层20、活性层30、被氧化而成为电流狭窄层42的被氧化层42a、第二反射镜层40、以及接触层50。作为外延生长的方法例如能够列举MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition金属有机化学气相沉积)法、MBE(Molecular Beam Epitaxy分子束外延)法。
如图6所示，对接触层50、第二反射镜层40、被氧化层42a、活性层30、以及第一反射镜层20进行图案形成，而形成层叠体2。图案形成例如通过光刻以及蚀刻而进行。
如图7所示，对被氧化层42a进行氧化，而形成电流狭窄层42。被氧化层42a例如是AlxGa1－xAs(x≥0.95)层。例如，向400℃左右的水蒸气环境中，投入形成有层叠体2的基板10，从而从侧面对AlxGa1－xAs(x≥0.95)层进行氧化，而形成电流狭窄层42。
在面发光激光器100的制造方法中，在上述的氧化工序中，从侧面对构成第一反射镜层20的层进行氧化而形成第一区域60。并且，从侧面对构成第二反射镜层40的层进行氧化而形成第二区域62。具体而言，通过400℃左右的水蒸气环境，将构成反射镜层20、40的Al0.9Ga0.1As层的砷置换成氧，从而形成区域60、62。区域60、62例如在从400℃左右的高温返回室温时收缩，从而第二区域62的上表面63向基板10侧倾斜(参照图4)。第一形变施加部2a以及第一形变施加部2b能够将由区域60、62的收缩而引起的形变(应力)施加于活性层30。
如图8所示，以包围层叠体2的方式形成树脂层70。树脂层70例如使用旋涂法等在第一反射镜层20的上表面以及层叠体2的整个面形成由聚酰亚胺树脂等构成的层，对该层进行图案形成从而被形成。图案形成例如通过光刻以及蚀刻来进行。接下来，对树脂层70进行加热处理(固化)从而使其固化。通过本加热处理，树脂层70收缩。并且，树脂层70在从加热处理返回常温时收缩。
如图2所示，在接触层50上以及树脂层70上形成第三电极82，在第一反射镜层20上形成第一电极80以及第二电极81。在俯视时，第一电极80被形成于树脂层70的一侧，第二电极81在俯视时被形成于树脂层70的另一侧。电极80、81、82例如通过真空蒸镀法以及剥离法的组合等而被形成。此外，形成电极80、81、82的顺序不被特别地限定。另外，也可以在形成第三电极82的工序中形成焊盘84以及引出配线86(参照图1)。另外，被设置于芯片编号记载区域90的芯片编号可以在形成电极80、81的工序中被形成，也可以在形成第三电极82的工序中被形成。
通过以上的工序，能够制造面发光激光器100。
3.原子振荡器
接着参照附图对本实施方式所涉及的原子振荡器进行说明。图9是表示本实施方式所涉及的原子振荡器1000的功能框图。
如图9所示，原子振荡器1000构成为包括光学模块1100、中心波长控制部1200以及高频控制部1300。
光学模块1100具有：本发明所涉及的面发光激光器(在图示的例子中为面发光激光器100)、气体电池1110以及光检测部1120。
图10是表示面发光激光器100射出的光的频谱的图。图11是表示碱金属原子的Λ型三能级模型与第一边带波W1以及第二边带波W2的关系的图。从面发光激光器100射出的光包括图10所示的、具有中心频率f0(＝c/λ0：c为光的速度，λ0为激光器光的中心波长)的基波F、相对于中心频率f0在上边带具有频率f1的第一边带波W1、以及相对于中心频率f0在下边带具有频率f2的第二边带波W2。第一边带波W1的频率f1为f1＝f0+fm，第二边带波W2的频率f2为f2＝f0－fm。
如图11所示，第一边带波W1的频率f1与第二边带波W2的频率f2的频率差和相当于碱金属原子的基态能级GL1与基态能级GL2的能量差ΔE12的频率一致。因此，碱金属原子通过具有频率f1的第一边带波W1与具有频率f2的第二边带波W2引起EIT现象。
气体电池1110在容器中被封入有气体状的碱金属原子(钠原子、铷原子、铯原子等)。若相对于该气体电池1110照射具有相当于碱金属原子的两个基态能级的能量差的频率(波长)的两个光波，则碱金属原子引起EIT现象。例如，若碱金属原子为铯原子，则D1线的相当于基态能级GL1与基态能级GL2的能量差的频率为9.19263··GHz，因此若照射频率差为9.19263··GHz的两个光波，则引起EIT现象。
光检测部1120对透过了被封入到气体电池1110的碱金属原子的光的强度进行检测。光检测部1120输出与透过了碱金属原子的光的量对应的检测信号。作为光检测部1120例如使用光电二极管。
中心波长控制部1200产生与光检测部1120输出的检测信号对应的大小的驱动电流并将该驱动电流供给至面发光激光器100，从而对面发光激光器100射出的光的中心波长λ0进行控制。凭借通过面发光激光器100、气体电池1110、光检测部1120、中心波长控制部1200的反馈环路，对面发光激光器100射出的激光器光的中心波长λ0进行微调而使其稳定。
高频控制部1300基于光检测部1120输出的检测结果，以第一边带波W1以及第二边带波W2的波长(频率)差与相当于被封入到气体电池1110的碱金属原子的两个基态能级的能量差的频率相等的方式进行控制。高频控制部1300产生具有与光检测部1120输出的检测结果对应的调制频率fm(参照图10)的调制信号。
凭借通过面发光激光器100、气体电池1110、光检测部1120、高频控制部1300的反馈环路，以第一边带波W1以及第二边带波W2的频率差与相当于碱金属原子的两个基态能级的能量差的频率极其正确一致的方式施加反馈控制。其结果，调制频率fm成为极其稳定的频率，因此能够将调制信号作为原子振荡器1000的输出信号(时钟输出)。
接下来，参照图9～图11对原子振荡器1000的动作进行说明。
从面发光激光器100射出的激光入射至气体电池1110。从面发光激光器100射出的光包括具有相当于碱金属原子的两个基态能级的能量差的频率(波长)的两个光波(第一边带波W1、第二边带波W2)，从而碱金属原子引起EIT现象。透过了气体电池1110的光的强度被光检测部1120检测。
中心波长控制部1200以及高频控制部1300以第一边带波W1以及第二边带波W2的频率差与相当于碱金属原子的两个基态能级的能量差的频率极其正确一致的方式进行反馈控制。在原子振荡器1000中，利用EIT现象，对第一边带波W1与第二边带波W2的频率差f1－f2从相当于基态能级GL1与基态能级GL2的能量差ΔE12的频率偏移时的光吸收动作的急剧的变化进行检测并对其进行控制，从而能够制作高精度的振荡器。
本发明包括与在实施方式中进行了说明的结构实际上相同的结构(例如，功能、方法以及结果相同的结构，或者目的以及效果相同的结构)。另外，本发明包括置换了在实施方式中进行了说明的结构的非本质的部分的结构。另外，本发明包括能够起到与在实施方式中进行了说明的结构相同的作用效果的结构或者实现相同的目的的结构。另外，本发明包括对在实施方式中进行了说明的结构附加公知技术的结构。
附图符号说明
2...层叠体；2a...第一形变施加部；2b...第二形变施加部；2c...共振部；4...层；6...氧化层；8...氧化区域；10...基板；14...层；16...氧化层；20...第一反射镜层；20a...第一部分；20b...第二部分；24...高折射率层；26...低折射率层；30...活性层；40...第二反射镜层；42...电流狭窄层；42a...被氧化层；43...开口部；44...高折射率层；46...低折射率层；50...接触层；60...第一区域；62...第二区域；63...上表面；70...树脂层；80...第一电极；81...第二电极；82...第三电极；84...焊盘；86...引出配线；100...面发光激光器；1000...原子振荡器；1100...光学模块；1110...气体电池；1120...光检测部；1200...中心波长控制部；1300...高频控制部。

Claims (3)

1.一种面发光激光器，其特征在于，包括：
基板；
第一反射镜层，其被设置于所述基板上方；
活性层，其被设置于所述第一反射镜层上方；
第二反射镜层，其被设置于所述活性层上方；
第一电极以及第二电极，它们电连接于所述第一反射镜层，并被设置为相互分离；以及
第三电极，其电连接于所述第二反射镜层，
所述第一反射镜层、所述活性层、以及所述第二反射镜层构成层叠体，
所述层叠体具有使在所述活性层中产生的光共振的共振部，
在俯视时，设置有包围所述层叠体的绝缘层，
在所述俯视时，所述绝缘层被设置于所述第一电极与所述第二电极之间，
所述第一反射镜层具有被设置于所述基板上方的第一部分、以及被设置于所述第一部分上方并构成所述层叠体的一部分的第二部分，
所述第一电极以及所述第二电极被设置于所述第一部分上，
所述第三电极被设置于所述层叠体上，
在所述俯视时，
所述绝缘层的外缘具有：第一直线，其沿第一方向延伸；第二直线，其与所述第一直线对置；第一曲线，其与所述第一直线及所述第二直线连续；以及第二曲线，其与所述第一曲线对置，并与所述第一直线及所述第二直线连续，
所述共振部位于所述第一直线与所述第二直线之间，
所述第一电极的外缘具有与所述第一直线对置的第三直线，
所述第二电极的外缘具有与所述第二直线对置的第四直线，
所述第三直线的长度以及所述第四直线的长度大于所述层叠体沿所述第一方向的长度。
2.根据权利要求1所述的面发光激光器，其特征在于，
在所述俯视时，所述共振部被设置于所述第一电极与所述第二电极之间。
3.一种原子振荡器，其特征在于，
包括权利要求1或2所述的面发光激光器。
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