CN104701352B - 一种阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置，该阵列基板包括：衬底基板，以及位于衬底基板上的外围走线和多个像素结构；由于至少一个像素结构在衬底基板的正投影与外围走线所在的外围区域具有重叠区域，即像素结构延伸至覆盖部分或全部外围走线所在的外围区域，并且，由于外围走线所在膜层位于像素结构所在膜层与衬底基板之间或位于像素结构所在膜层背向衬底基板的一侧，这样，即使像素结构在衬底基板的正投影与外围走线所在的外围区域相互重叠也不会影响像素结构的正常显示，从而使得显示区域扩大至覆盖部分或全部外围走线所在的外围区域，与现有的显示区域与外围区域互不重叠的结构相比，可以使显示面板的边框的宽度变窄，甚至为无边框。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展，发光二极管(Light Emitting Diode，LED)、有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)及等离子显示器(Plasma Display Panel,PDP)等平板显示器发展迅速。
目前，窄边框甚至无边框是现有的显示领域的发展趋势。下面以现有的OLED为例进行说明，OLED的阵列基板，如图1所示，包括：显示区域101和包围该显示区域101的外围区域102；其中，显示区域101内设置有用于显示的多个像素结构103，外围区域102内设置有用于对各像素结构103加载驱动信号的外围走线104，外围区域102的宽度为OLED的边框的宽度(如图1所示的a所示)。为了实现窄边框的设计，一般采用将栅极驱动电路整合于OLED的阵列基板上(Gate On Array，GOA)的技术，即在阵列基板的外围区域内形成栅极驱动电路。然而，整合于OLED的阵列基板上的栅极驱动电路仍然会占据一定的宽度，制约OLED的窄边框的发展。
因此，如何进一步地减小平板显示器的边框的宽度，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，用以进一步地减小平板显示器的边框的宽度。
因此，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板，以及位于所述衬底基板上的外围走线和多个像素结构；
至少一个所述像素结构在所述衬底基板的正投影与所述外围走线所在的外围区域在所述衬底基板的正投影具有重叠区域；
所述外围走线所在膜层位于所述像素结构所在膜层与所述衬底基板之间；或者，所述外围走线所在膜层位于所述像素结构所在膜层背向所述衬底基板的一侧。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：位于所述衬底基板上的交叉而置且相互绝缘的多条数据线和多条栅线；各所述数据线和各所述栅线在所述衬底基板的正投影与所述外围走线在所述衬底基板的正投影互不重叠；
位于所述重叠区域以外的像素结构和与该像素结构对应的栅线和数据线中，相邻的两条数据线和相邻的两条栅线限定一个像素结构。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述外围走线所在膜层位于所述像素结构所在膜层与所述衬底基板之间；所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板与所述像素结构所在膜层之间且在所述衬底基板上依次设置的与各所述像素结构对应的薄膜晶体管、第一钝化层、金属桥和第二钝化层；所述像素结构为有机电致发光结构；
与位于所述重叠区域内的有机电致发光结构对应的薄膜晶体管的漏极通过贯穿所述第一钝化层的第一过孔与所述金属桥电性连接，该金属桥通过贯穿所述第二钝化层的第二过孔与该有机电致发光结构中的阳极电性连接；
与位于所述重叠区域以外的有机电致发光结构对应的薄膜晶体管的漏极通过贯穿所述第一钝化层和所述第二钝化层的第三过孔与该有机电致发光结构中的阳极电性连接。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述外围走线所在膜层位于所述像素结构所在膜层背向所述衬底基板的一侧；所述阵列基板还包括：在所述像素结构所在膜层背向所述衬底基板的一侧依次设置的第二钝化层、金属桥、第一钝化层和与各所述像素结构对应的薄膜晶体管；所述像素结构为有机电致发光结构；
与位于所述重叠区域内的有机电致发光结构对应的薄膜晶体管的漏极通过贯穿所述第一钝化层的第一过孔与所述金属桥电性连接，该金属桥通过贯穿所述第二钝化层的第二过孔与该有机电致发光结构中的阳极电性连接；
与位于所述重叠区域以外的有机电致发光结构对应的薄膜晶体管的漏极通过贯穿所述第一钝化层和所述第二钝化层的第三过孔与该有机电致发光结构中的阳极电性连接。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：位于所述衬底基板上的交叉而置且相互绝缘的多条数据线和多条栅线；各所述数据线和各所述栅线在所述衬底基板的正投影与所述外围走线在所述衬底基板的正投影互不重叠；
每个所述像素结构沿所述栅线的延伸方向的宽度大于相邻的两条数据线之间的距离；和/或，每个所述像素结构沿所述数据线的延伸方向的宽度大于相邻的两条栅线之间的距离。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述外围走线所在膜层位于所述像素结构所在膜层与所述衬底基板之间；所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板与所述像素结构所在膜层之间且在所述衬底基板上依次设置的与各所述像素结构对应的薄膜晶体管和第一钝化层；所述像素结构为有机电致发光结构；
各所述有机电致发光结构中的阳极通过所述第一钝化层中的第一过孔与对应的所述薄膜晶体管中的漏极电性连接。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：在所述第一钝化层上依次设置的金属桥和第二钝化层；其中，
所述金属桥通过所述第一钝化层中的第一过孔与所述薄膜晶体管中的漏极电性连接，所述金属桥通过所述第二钝化层中的第二过孔与所述有机电致发光结构中的阳极电性连接。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述外围走线所在膜层位于所述像素结构所在膜层背向所述衬底基板的一侧；所述阵列基板还包括：在所述像素结构所在膜层背向所述衬底基板的一侧依次设置的第一钝化层和与各所述像素结构对应的薄膜晶体管；所述像素结构为有机电致发光结构；
各所述有机电致发光结构中的阳极通过所述第一钝化层中的第一过孔与对应的所述薄膜晶体管中的漏极电性连接。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：在所述第一钝化层上依次设置的金属桥和第二钝化层；其中，
所述金属桥通过所述第一钝化层中的第一过孔与所述有机电致发光结构中的阳极电性连接，所述金属桥通过所述第二钝化层中的第二过孔与所述薄膜晶体管中的漏极电性连接。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述金属桥的形状为条形；各所述金属桥位于与所述栅线相互平行的不同直线上。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：外围电路；
所述外围走线所在膜层与所述外围电路所在膜层位于所述像素结构所在膜层与所述衬底基板之间；或者，所述外围走线所在膜层与所述外围电路所在膜层位于所述像素结构所在膜层背向所述衬底基板的一侧。
本发明实施例还提供了一种显示面板，包括：本发明实施例提供的上述阵列基板。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述显示面板为有机电致发光显示面板。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括：本发明实施例提供的上述显示面板。
本发明实施例提供的上述阵列基板、显示面板及显示装置，该阵列基板包括：衬底基板，以及位于衬底基板上的外围走线和多个像素结构；由于至少一个像素结构在衬底基板的正投影与外围走线所在的外围区域具有重叠区域，即像素结构延伸至覆盖部分或全部外围走线所在的外围区域，并且，由于外围走线所在膜层位于像素结构所在膜层与衬底基板之间或位于像素结构所在膜层背向衬底基板的一侧，这样，即使像素结构在衬底基板的正投影与外围走线所在的外围区域相互重叠也不会影响像素结构的正常显示，从而使得显示区域扩大至覆盖部分或全部外围走线所在的外围区域，与现有的显示区域与外围区域互不重叠的结构相比，可以使显示面板的边框的宽度变窄，甚至为无边框。
附图说明
图1为现有的有机电致发光显示面板的阵列基板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图之一；
图3为图2沿AA方向的剖面图；
图4为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图之二；
图5为图4沿CC方向的剖面图；
图6为图2沿BB方向的剖面图；
图7和图8分别为图4沿DD方向的剖面图；
图9为图4中部分像素结构的示意图。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明实施例提供的一种阵列基板、显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。
附图中各膜层的形状和厚度不反映阵列基板的真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供的一种阵列基板，如图2-图5所示，图3是图2沿AA方向的剖面图，图5是图4沿CC方向的剖面图，包括：衬底基板1，以及位于衬底基板1上的外围走线2和多个像素结构3；
至少一个像素结构3在衬底基板1的正投影与外围走线2所在的外围区域(如图2-图5所示的网格阴影部分所示)在衬底基板1的正投影具有重叠区域；
如图3和图5所示，外围走线2所在膜层位于像素结构3所在膜层与衬底基板1之间；或者，外围走线2所在膜层位于像素结构3所在膜层背向衬底基板1的一侧。
本发明实施例提供的上述阵列基板，至少一个像素结构在衬底基板的正投影与外围走线所在的外围区域在衬底基板的正投影具有重叠区域，在本发明实施例提供的上述阵列基板应用于顶发射型的OLED(即封装基板一侧为出光侧)时，外围走线所在膜层位于像素结构所在膜层与衬底基板之间，即使像素结构在衬底基板的正投影与外围走线在衬底基板的正投影相互重叠也不会影响OLED的正常显示；同样，在本发明实施例提供的上述阵列基板应用于底发射的OLED(即阵列基板一侧为出光侧)时，外围走线所在膜层位于像素结构所在膜层背向衬底基板的一侧，即使像素结构在衬底基板的正投影与外围走线在衬底基板的正投影相互重叠也不会影响OLED的正常显示；因此，本发明实施例提供的上述阵列基板的显示区域可以扩大至覆盖部分或全部外围走线所在的外围区域，与如图1所示的现有的OLED的阵列基板中显示区域101与外围区域102互不重叠的结构相比，可以使有机电致发光显示面板的边框的宽度(如图2和图4所示的b所示)变窄，并且，在显示区域延伸至覆盖全部外围走线所在的外围区域时，有机电致发光显示面板为无边框显示。
需要说明的是，本发明实施例提供的上述阵列基板中的外围走线与阵列基板中的栅线和数据线电性连接，该外围走线的设置与现有的阵列基板中的外围走线的设置类似，该外围走线所在的外围区域与如图1所示的现有的OLED的阵列基板的外围区域102类似，在此不做赘述。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，像素结构在衬底基板的正投影与外围走线所在的外围区域在衬底基板的正投影具有重叠区域，如图2和图3所示，可以在像素结构3的尺寸不变(即相邻的两条栅线和相邻的两条数据线限定一个像素结构)的情况下，通过在外围走线2所在的外围区域增加设置像素结构3的方式来实现；或者，如图4和图5所示，也可以通过增大每个像素结构3的尺寸(即每个像素结构所占面积大于相邻的两条栅线和相邻的两条数据线限定的区域所占面积)的方式来实现，在此不做限定。
在具体实施时，通过增加像素结构的数量的方式使显示区域延伸至可以覆盖部分或全部外围走线所在的外围区域时，本发明实施例提供的上述阵列基板，如图2和图3所示，还可以包括：位于衬底基板1上的交叉而置且相互绝缘的多条数据线4和多条栅线5；各数据线4和各栅线5在衬底基板1的正投影与外围走线2在衬底基板1的正投影互不重叠，即与各像素结构3对应的栅线5和数据线4均位于外围走线2所在的外围区域(如图2和图3所示的网格阴影部分所示)所包围的区域内；其中，位于重叠区域以外的像素结构3和与该像素结构3对应的栅线5和数据线4中，相邻的两条数据线4和相邻的两条栅线5限定一个像素结构3；位于重叠区域内的像素结构3(即相对于现有的阵列基板另外增加的像素结构)所对应的栅线5和数据线4没有设置在重叠区域，而是设置在重叠区域以外的区域，这是由于外围走线2一般与栅线5或数据线4同层设置，为了防止重叠区域内的像素结构3对应的栅线5和数据线4与外围走线2之间电性连接而导致短路的问题，需要将位于重叠区域内的像素结构3对应的栅线5和数据线4设置在重叠区域以外的区域。具体地，位于重叠区域内的像素结构3可以通过过孔的方式与位于重叠区域以外的对应的栅线5和数据线4实现连接。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板应用于顶发射型OLED，即外围走线所在膜层位于像素结构所在膜层与衬底基板之间时，本发明实施例提供的上述阵列基板，如图6所示，图6是图2沿BB方向的剖面图，还可以包括：位于衬底基板1与像素结构3所在膜层之间且在衬底基板1上依次设置的与各像素结构3对应的薄膜晶体管6、第一钝化层7、金属桥8和第二钝化层9；图6以像素结构3为包括阳极31、发光层32和阴极33的有机电致发光结构30为例，由于位于重叠区域内的有机电致发光结构30所对应的栅线5和数据线4位于重叠区域以外，因此，位于重叠区域内的有机电致发光结构30所对应的薄膜晶体管6也位于重叠区域以外，该有机电致发光结构30可以通过过孔的方式与对应的薄膜晶体管6电性连接，具体地，该薄膜晶体管6的漏极通过贯穿第一钝化层7的第一过孔与金属桥8电性连接，该金属桥8通过贯穿第二钝化层9的第二过孔与该有机电致发光结构30中的阳极31电性连接；与位于重叠区域以外的有机电致发光结构30所对应的薄膜晶体管6的漏极通过贯穿第一钝化层7和第二钝化层9的第三过孔与该有机电致发光结构30中的阳极31电性连接，位于重叠区域以外的有机电致发光结构30和与该有机电致发光结构30对应的薄膜晶体管6的连接与现有的结构类似，在此不做赘述。并且，如图6所示，还可以在第二钝化层9上设置有机树脂层10，第二过孔贯穿有机树脂层10和第二钝化层9，第三过孔贯穿有机树脂层10、第二钝化层9和第一钝化层7，该有机树脂层10的作用与现有的OLED中的有机树脂层的作用相同，在此不做赘述。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板应用于底发射型OLED，即外围走线所在膜层位于像素结构所在膜层背向衬底基板的一侧时，本发明实施例提供的上述阵列基板还可以包括：在像素结构所在膜层背向衬底基板的一侧依次设置的第二钝化层、金属桥、第一钝化层和与各像素结构对应的薄膜晶体管；以像素结构为有机电致发光结构为例，由于位于重叠区域内的有机电致发光结构所对应的栅线和数据线位于重叠区域以外，因此，位于重叠区域内的有机电致发光结构所对应的薄膜晶体管也位于重叠区域以外，该有机电致发光结构可以通过过孔的方式与对应的薄膜晶体管电性连接，具体地，该薄膜晶体管的漏极通过贯穿第一钝化层的第一过孔与金属桥电性连接，该金属桥通过贯穿第二钝化层的第二过孔与该有机电致发光结构中的阳极电性连接；位于重叠区域以外的有机电致发光结构所对应的薄膜晶体管的漏极通过贯穿第一钝化层和第二钝化层的第三过孔与该有机电致发光结构中的阳极电性连接。本发明实施例提供的上述阵列基板应用于底发射型OLED的具体实施与应用于顶发射型OLED的实施例类似，重复之处不再赘述。
在具体实施时，通过增大每个像素结构的尺寸的方式使显示区域延伸至可以覆盖部分或全部外围走线所在的外围区域时，本发明实施例提供的上述阵列基板，如图4和图5所示，还可以包括：位于衬底基板1上的交叉而置且相互绝缘的多条数据线4和多条栅线5；各数据线4和各栅线5在衬底基板1的正投影与外围走线2在衬底基板1的正投影互不重叠，这样，可以防止各栅线5和各数据线4与外围走线2之间电性连接而导致短路的问题；每个像素结构3沿栅线5的延伸方向的宽度大于与该像素结构3相邻的两条数据线4之间的距离，这样，可以增大每个像素结构3沿栅线5的延伸方向的宽度，从而可以使像素结构3在栅线5的延伸方向延伸至可以覆盖部分或全部外围走线2所在的外围区域，进而可以使显示区域在栅线5的延伸方向延伸至可以覆盖部分或全部外围走线2所在的外围区域，使OLED在栅线5的延伸方向实现窄边框的设计；或者，每个像素结构3沿数据线4的延伸方向的宽度大于与该像素结构3相邻的两条栅线5之间的距离，这样，可以增大每个像素结构3沿数据线4的延伸方向的宽度，从而可以使像素结构3在数据线4的延伸方向延伸至可以覆盖部分或全部外围走线2所在的外围区域，进而可以使显示区域在数据线4的延伸方向延伸至可以覆盖部分或全部外围走线2所在的外围区域，使OLED在数据线4的延伸方向实现窄边框的设计；或者，还可以同时增大每个像素结构3沿栅线5的延伸方向和沿数据线4的延伸方向两个方向的宽度，使OLED在栅线5的延伸方向和数据线4的延伸方向都实现窄边框的设计，在此不做限定。图4和图5仅以增大每个像素结构3沿栅线5的延伸方向的宽度为例进行说明。
在具体实施时，在采用增大每个像素结构的尺寸的方式时，由于每个像素结构与栅线和/或数据线存在重叠区域，因此，为了避免影响OLED的正常显示，需要根据OLED的类型(即顶发射型或底发射型)来设置每个像素结构和与该像素结构对应的薄膜晶体管的位置关系。具体地，在本发明实施例提供的上述阵列基板应用于顶发射型OLED时，需要将每个像素结构所对应的薄膜晶体管设置在该像素结构与衬底基板之间；在本发明实施例提供的上述阵列基板应用于底发射型OLED时，需要将每个像素结构设置在该像素结构所对应的薄膜晶体管与衬底基板之间。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板应用于顶发射型OLED时，即外围走线所在膜层位于像素结构所在膜层与衬底基板之间时；本发明实施例提供的上述阵列基板，如图7所示，图7是图4沿DD方向的剖面图，还可以包括：位于衬底基板1与像素结构3所在膜层之间且在衬底基板1上依次设置的与各像素结构3对应的薄膜晶体管6和第一钝化层7；图7以像素结构3为包括阳极31、发光层32和阴极33的有机电致发光结构30为例，各有机电致发光结构30中的阳极31通过第一钝化层7中的第一过孔与对应的薄膜晶体管6中的漏极电性连接。并且，如图7所示，还可以在第一钝化层7上设置有机树脂层10，第一过孔贯穿有机树脂层10和第一钝化层7，该有机树脂层10的作用与现有的OLED中的有机树脂层的作用相同，在此不做赘述。
需要说明的是，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，尤其在增大每个有机电致发光结构沿栅线的延伸方向的宽度，且薄膜晶体管为底栅型结构时，由于有机电致发光结构与除对该有机电致发光结构加载灰阶信号的数据线以外的数据线相互重叠，且数据线与薄膜晶体管的源漏极同层设置，因此，需要设置第一钝化层以避免有机电致发光结构与除对该有机电致发光结构加载灰阶信号的数据线以外的数据线电性连接而导致短路的问题；同理，在增大每个有机电致发光结构沿数据线的延伸方向的宽度，且薄膜晶体管为顶栅型结构时，由于有机电致发光结构与除对该有机电致发光结构加载栅极扫描信号的栅线以外的栅线相互重叠，且栅线与薄膜晶体管的栅极同层设置，因此，需要设置第一钝化层以避免有机电致发光结构与除对该有机电致发光结构加载栅极扫描信号的栅线以外的栅线电性连接而导致短路的问题。
当然，在增大每个有机电致发光结构沿数据线的延伸方向的宽度，且薄膜晶体管为底栅型结构时；或者，在增大每个有机电致发光结构沿栅线的延伸方向的宽度，且薄膜晶体管为顶栅型结构时，也可以省去第一钝化层的设置，在此不做限定。
进一步地，在每个有机电致发光结构沿栅线的延伸方向的宽度明显大于与该有机电致发光结构相邻的两条数据线之间的宽度，使得每个有机电致发光结构中的阳极与对应的薄膜晶体管中的漏极相距较远，例如，每个有机电致发光结构中的阳极与对应的薄膜晶体管中的漏极之间的距离大于相邻的两条数据线之间的宽度时，相邻的两个有机电致发光结构之间可能会存在短路的问题，基于此，本发明实施例提供的上述阵列基板，如图8所示(图8为图4沿DD方向的剖面图的另一种情况)，还可以包括：在第一钝化层7上依次设置的金属桥8和第二钝化层9；其中，金属桥8通过第一钝化层7中的第一过孔与薄膜晶体管6中的漏极电性连接，金属桥8通过第二钝化层9中的第二过孔与有机电致发光结构30中的阳极31电性连接，这样，通过借助金属桥8将有机电致发光结构30中的阳极31与对应的薄膜晶体管6中的漏极电性连接，可以避免由于每个有机电致发光结构30中的阳极31与对应的薄膜晶体管6中的漏极相距较远而导致相邻的两个有机电致发光结构30之间存在短路的问题。此外，如图8所示，还可以在第二钝化层9上设置有机树脂层10，第二过孔贯穿有机树脂层10和第二钝化层9，该有机树脂层10的作用与现有的OLED中的有机树脂层的作用相同，在此不做赘述。
同理，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板应用于底发射型OLED时，即外围走线所在膜层位于像素结构所在膜层背向衬底基板的一侧时，本发明实施例提供的上述阵列基板，还可以包括：在像素结构所在膜层背向衬底基板的一侧依次设置的第一钝化层和与各像素结构对应的薄膜晶体管；以像素结构为有机电致发光结构为例，各有机电致发光结构中的阳极通过第一钝化层中的第一过孔与对应的薄膜晶体管中的漏极电性连接。
进一步地，在每个有机电致发光结构沿栅线的延伸方向的宽度明显大于与该有机电致发光结构相邻的两条数据线之间的宽度，使得每个有机电致发光结构中的阳极与对应的薄膜晶体管中的漏极相距较远，例如，每个有机电致发光结构中的阳极与对应的薄膜晶体管中的漏极之间的距离大于相邻的两条数据线之间的宽度时，相邻的两个有机电致发光结构之间可能会存在短路的问题，基于此，本发明实施例提供的上述阵列基板还可以包括：在第一钝化层上依次设置的金属桥和第二钝化层；其中，金属桥通过第一钝化层中的第一过孔与有机电致发光结构中的阳极电性连接，金属桥通过第二钝化层中的第二过孔与薄膜晶体管中的漏极电性连接，这样，通过借助金属桥将有机电致发光结构中的阳极与对应的薄膜晶体管中的漏极电性连接，可以避免由于每个有机电致发光结构中的阳极与对应的薄膜晶体管中的漏极相距较远而导致相邻的两个有机电致发光结构之间存在短路的问题。本发明实施例提供的上述阵列基板应用于底发射型OLED的具体实施与应用于顶发射型OLED的实施例类似，重复之处不再赘述。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，在每个有机电致发光结构中的阳极与对应的薄膜晶体管中的漏极相距较远，使得相邻两个金属桥之间电性连接而导致短路的问题时，如图9所示(图9为图4中部分像素结构的示意图)，可以将金属桥8的形状设置为条形，并且，将各金属桥8设置在与栅线5相互平行的不同直线上，这样，通过将相邻的金属桥8相互错开，可以防止各金属桥8之间电性连接而导致短路的问题；并且，在外围走线所在膜层位于有机电致发光结构所在膜层与衬底基板之间，即本发明实施例提供的上述阵列基板应用于顶发射型OLED时，由于金属桥位于有机电致发光结构所在膜层与衬底基板之间，因此，即使金属桥与有机电致发光结构相互重叠也不会影响OLED的正常显示；在外围走线所在膜层位于有机电致发光结构所在膜层背向衬底基板的一侧，即本发明实施例提供的上述阵列基板应用于底发射型OLED时，由于金属桥位于有机电致发光结构所在膜层背向衬底基板的一侧，因此，即使金属桥与有机电致发光结构相互重叠也不会影响OLED的正常显示。
较佳地，本发明实施例提供的阵列基板还可以为GOA结构，即本发明实施例提供的上述阵列基板还可以包括：外围电路；为了不影响OLED的正常显示，在本发明实施例提供的上述阵列基板应用于顶发射型OLED时，需要将外围走线所在膜层与外围电路所在膜层设置于像素结构所在膜层与衬底基板之间；或者，在本发明实施例提供的上述阵列基板应用于底发射型OLED时，需要将外围走线所在膜层与外围电路所在膜层设置于像素结构所在膜层背向所述衬底基板的一侧。
需要说明的是，无论是采用增加像素结构的数量的方式，还是采用增大每个像素结构的尺寸的方式，本发明实施例提供的上述阵列基板可以应用于顶发射型OLED，或者，也可以应用于底发射型OLED，在此不做限定。
下面以一个具体的实例对本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法的具体实现方式进行详细说明。以如图8所示的阵列基板为例，其制作方法具体包括以下步骤：
(1)在衬底基板1上形成薄膜晶体管6的图形；
(2)在形成有薄膜晶体管6的图形的衬底基板1上形成第一钝化层7，并在第一钝化层7中刻蚀形成第一过孔；
(3)在形成有第一钝化层7的衬底基板1上形成金属桥8的图形；其中，金属桥8通过第一钝化层7中的第一过孔与薄膜晶体管6中的漏极电性连接；
(4)在形成有金属桥8的衬底基板1上形成第二钝化层9；
(5)在第二钝化层9上形成有机树脂层10，并形成贯穿有机树脂层10和第二钝化层9的第二过孔；
(6)在形成有第二过孔的衬底基板1上形成有机电致发光结构30的图形；其中，有机电致发光结构30中的阳极31通过第二过孔与金属桥8电性连接。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括：本发明实施例提供的上述阵列基板。该显示面板的实施可以参见上述阵列基板的实施例，重复之处不再赘述。
较佳地，本发明实施例提供的上述显示面板可以为有机电致发光显示面板。当然，也可以为其他的可以实现本发明的显示面板，在此不做限定。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述显示面板，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述显示面板的实施例，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的一种阵列基板、显示面板及显示装置，该阵列基板包括：衬底基板，以及位于衬底基板上的外围走线和多个像素结构；由于至少一个像素结构在衬底基板的正投影与外围走线所在的外围区域具有重叠区域，即像素结构延伸至覆盖部分或全部外围走线所在的外围区域，并且，由于外围走线所在膜层位于像素结构所在膜层与衬底基板之间或位于像素结构所在膜层背向衬底基板的一侧，这样，即使像素结构在衬底基板的正投影与外围走线所在的外围区域相互重叠也不会影响像素结构的正常显示，从而使得显示区域扩大至覆盖部分或全部外围走线所在的外围区域，与现有的显示区域与外围区域互不重叠的结构相比，可以使显示面板的边框的宽度变窄，甚至为无边框。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (13)
1.一种阵列基板，包括：衬底基板，以及位于所述衬底基板上的外围走线和多个像素结构；其特征在于：
至少一个所述像素结构在所述衬底基板的正投影与所述外围走线所在的外围区域在所述衬底基板的正投影具有重叠区域；
所述外围走线所在膜层位于所述像素结构所在膜层与所述衬底基板之间；或者，所述外围走线所在膜层位于所述像素结构所在膜层背向所述衬底基板的一侧；
其中，所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板上的交叉而置且相互绝缘的多条数据线和多条栅线；各所述数据线和各所述栅线在所述衬底基板的正投影与所述外围走线在所述衬底基板的正投影互不重叠；
每个所述像素结构沿所述栅线的延伸方向的宽度大于相邻的两条数据线之间的距离；和/或，每个所述像素结构沿所述数据线的延伸方向的宽度大于相邻的两条栅线之间的距离。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述衬底基板上的交叉而置且相互绝缘的多条数据线和多条栅线；各所述数据线和各所述栅线在所述衬底基板的正投影与所述外围走线在所述衬底基板的正投影互不重叠；
位于所述重叠区域以外的像素结构和与该像素结构对应的栅线和数据线中，相邻的两条数据线和相邻的两条栅线限定一个像素结构。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述外围走线所在膜层位于所述像素结构所在膜层与所述衬底基板之间；所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板与所述像素结构所在膜层之间且在所述衬底基板上依次设置的与各所述像素结构对应的薄膜晶体管、第一钝化层、金属桥和第二钝化层；所述像素结构为有机电致发光结构；
与位于所述重叠区域内的有机电致发光结构对应的薄膜晶体管的漏极通过贯穿所述第一钝化层的第一过孔与所述金属桥电性连接，该金属桥通过贯穿所述第二钝化层的第二过孔与该有机电致发光结构中的阳极电性连接；
与位于所述重叠区域以外的有机电致发光结构对应的薄膜晶体管的漏极通过贯穿所述第一钝化层和所述第二钝化层的第三过孔与该有机电致发光结构中的阳极电性连接。
4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述外围走线所在膜层位于所述像素结构所在膜层背向所述衬底基板的一侧；所述阵列基板还包括：在所述像素结构所在膜层背向所述衬底基板的一侧依次设置的第二钝化层、金属桥、第一钝化层和与各所述像素结构对应的薄膜晶体管；所述像素结构为有机电致发光结构；
与位于所述重叠区域内的有机电致发光结构对应的薄膜晶体管的漏极通过贯穿所述第一钝化层的第一过孔与所述金属桥电性连接，该金属桥通过贯穿所述第二钝化层的第二过孔与该有机电致发光结构中的阳极电性连接；
与位于所述重叠区域以外的有机电致发光结构对应的薄膜晶体管的漏极通过贯穿所述第一钝化层和所述第二钝化层的第三过孔与该有机电致发光结构中的阳极电性连接。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述外围走线所在膜层位于所述像素结构所在膜层与所述衬底基板之间；所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板与所述像素结构所在膜层之间且在所述衬底基板上依次设置的与各所述像素结构对应的薄膜晶体管和第一钝化层；所述像素结构为有机电致发光结构；
各所述有机电致发光结构中的阳极通过所述第一钝化层中的第一过孔与对应的所述薄膜晶体管中的漏极电性连接。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括：在所述第一钝化层上依次设置的金属桥和第二钝化层；其中，
所述金属桥通过所述第一钝化层中的第一过孔与所述薄膜晶体管中的漏极电性连接，所述金属桥通过所述第二钝化层中的第二过孔与所述有机电致发光结构中的阳极电性连接。
7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述外围走线所在膜层位于所述像素结构所在膜层背向所述衬底基板的一侧；所述阵列基板还包括：在所述像素结构所在膜层背向所述衬底基板的一侧依次设置的第一钝化层和与各所述像素结构对应的薄膜晶体管；所述像素结构为有机电致发光结构；
各所述有机电致发光结构中的阳极通过所述第一钝化层中的第一过孔与对应的所述薄膜晶体管中的漏极电性连接。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，还包括：在所述第一钝化层上依次设置的金属桥和第二钝化层；其中，
所述金属桥通过所述第一钝化层中的第一过孔与所述有机电致发光结构中的阳极电性连接，所述金属桥通过所述第二钝化层中的第二过孔与所述薄膜晶体管中的漏极电性连接。
9.如权利要求3、4、6或8所述的阵列基板，其特征在于，所述金属桥的形状为条形；各所述金属桥位于与所述栅线相互平行的不同直线上。
10.如权利要求1-8任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括：外围电路；
所述外围走线所在膜层与所述外围电路所在膜层位于所述像素结构所在膜层与所述衬底基板之间；或者，所述外围走线所在膜层与所述外围电路所在膜层位于所述像素结构所在膜层背向所述衬底基板的一侧。
11.一种显示面板，其特征在于，包括：如权利要求1-10任一项所述的阵列基板。
12.如权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板为有机电致发光显示面板。
13.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求11或12所述的显示面板。
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