KR20140136271A - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

유기 발광 표시 장치가 제공된다. 유기 발광 표시 장치는 캐소드 전극을 공유하는 복수의 유기 발광 다이오드, 상기 캐소드 전극에 연결된 복수의 스위칭 소자, 각각이 제1 전극 및 제2 전극을 포함하고, 상기 복수의 스위칭 소자에 상기 제1 전극이 연결된 복수의 캐패시터 및 상기 제2 전극에 연결되는 전원 버스 라인을 포함하되, 상기 복수의 스위칭 소자는 상기 캐소드 전극과 상기 제1 전극의 연결 여부를 제어한다.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 복수의 유기 발광 다이오드들이 캐소드 전극을 공유하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
TV 및 모니터와 같은 가정용 표시 장치뿐만 아니라, 노트북, 핸드폰 및 PMP 등의 휴대용 표시 장치의 경량화 및 박형화 추세에 따라 다양한 평판 표시 장치가 널리 사용된다. 평판 표시 장치는 화상을 표시하기 위한 표시 패널을 포함하며, 표시 패널의 종류에 따라 액정 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 및 전기 영동 표시 장치 등으로 구분될 수 있다.
유기 발광 표시 장치는 발광 소자로서 애노드 전극, 캐소드 전극 및 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 배치된 유기층을 포함하는 유기 발광 다이오드를 포함할 수 있다. 유기층은 애노드 전극과 캐소드 전극에 인가되는 신호에 대응하여 발광할 수 있다. 보다 상세하게는, 유기층은 애노드 전극과 캐소드 전극에 인가되는 신호에 대응하여 유기층에 흐르는 전류에 대응되는 밝기로 발광할 수 있다.
복수의 유기 발광 다이오드들은 캐소드 전극을 공유할 수 있다. 즉, 복수의 유기 발광 다이오드들은 단일의 층의 도전체를 캐소드 전극으로 공유할 수 있다. 유기 발광 표시 장치에 포함된 모든 유기 발광 다이오드들은 하나의 캐소드 전극을 공유할 수 있으며, 캐소드 전극은 상호 이격된 수 개의 패턴으로 분할될 수도 있다.
캐소드 전극은 유기 발광 표시 장치에서 화상이 표시되는 표시 영역의 외곽으로부터 전원을 제공받을 수 있다. 캐소드 전극에 전원이 제공되는 표시 영역의 외곽에 해당하는 캐소드 전극에 산화가 발생하는 경우, 캐소드 전극의 내부 저항이 상승하여 캐소드 전극에 인가되는 전원의 전압이 강하될 수 있다. 그에 따라, 유기 발광 표시장치에 표시되는 화상에 휘도 얼룩이 발생하여, 표시 품질이 저하될 수 있다.
이에 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 캐소드 전극에 인가되는 전원의 전압 강하를 줄일 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 캐소드 전극에 인가되는 전원의 전압 강하를 줄여 표시 품질을 향상시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 캐소드 전극을 공유하는 복수의 유기 발광 다이오드, 상기 캐소드 전극에 연결된 복수의 스위칭 소자, 각각이 제1 전극 및 제2 전극을 포함하고, 상기 복수의 스위칭 소자에 상기 제1 전극이 연결된 복수의 캐패시터 및 상기 제2 전극에 연결되는 전원 버스 라인을 포함하되, 상기 복수의 스위칭 소자는 상기 캐소드 전극과 상기 제1 전극의 연결 여부를 제어한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 매트릭스 형상으로 배치되고, 상기 매트릭스의 제1 행은 제1 캐소드 전극을 캐소드 전극으로 공유하고, 상기 매트릭스의 제2 행은 제2 캐소드 전극을 캐소드 전극으로 공유하는 복수의 유기 발광 다이오드, 상기 제1 캐소드 전극에 연결된 제1 스위칭 소자, 상기 제2 캐소드 전극에 연결된 제2 스위칭 소자, 상기 제1 스위칭 소자에 일 전극이 연결된 제1 캐패시터, 상기 제2 스위칭 소자에 일 전극이 연결된 제2 캐패시터 및 상기 제1 캐패시터의 타 전극 및 상기 제2 캐패시터의 타 전극에 연결되는 전원 버스 라인을 포함하되, 상기 제1 스위칭 소자는 상기 제1 캐소드 전극과 상기 제1 캐패시터의 상기 일 전극의 연결 여부를 제어하고, 상기 제2 스위칭 소자는 상기 제2 캐소드 전극과 상기 제2 캐패시터의 상기 일 전극의 연결 여부를 제어한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 복수의 애노드 전극, 상기 복수의 애노드 전극 상에 배치되는 유기층, 상기 유기층 상에 배치되는 캐소드 전극, 상기 캐소드 전극과 드레인 전극이 연결되는 복수의 박막 트랜지스터 및 상기 복수의 박막 트랜지스터 각각의 소스 전극과 상호 절연되고, 상호 중첩하여 캐패시터를 형성하는 전원 버스 라인을 포함한다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.
즉, 캐소드 전극에 인가되는 전원의 전압 강하를 줄일 수 있다.
또, 유기 발광 표시 장치의 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 구동부의 블록도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 회로도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 전원 버스 라인 및 소스 전극을 나타낸 평면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1 전원 버스 라인 및 소스 전극을 나타낸 평면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 제1 전원 버스 라인 및 소스 전극을 나타낸 평면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 11은 본 발명의 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 캐소드 전극의 배치를 나타낸 도면이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 도면이다. 도 1을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 복수의 유기 발광 다이오드(OLED), 복수의 스위칭 소자(SW1, SW2), 복수의 캐패시터(C1, C2) 및 전원 버스 라인(CB1, CB2)을 포함한다.
복수의 유기 발광 다이오드(OLED)는 캐소드 전극(CA)을 공유할 수 있다. 도 1에서는 복수의 유기 발광 다이오드(OLED)에 포함된 캐소드 전극(CA)들이 하나의 신호 라인으로 연결되어 있는 것을 도시하고 있으며, 이는 캐소드 전극(CA)이 복수의 유기 발광 다이오드(OLED)에 의하여 공유되는 것을 의미한다. 캐소드 전극(CA)은 화상이 표시되는 표시 영역(DA) 내의 전면에 배치될 수 있다.
복수의 유기 발광 다이오드(OLED)는 발광 소자로서 기능할 수 있으며, 각각의 화소(PX)는 적어도 하나의 유기 발광 다이오드(OLED)를 포함할 수 있다. 복수의 유기 발광 다이오드(OLED)는 매트릭스 형상으로 배치될 수 있으며, 그에 따라 화소(PX)도 매트릭스 형상으로 배치될 수 있다.
복수의 스위칭 소자(SW1, SW2)는 캐소드 전극(CA) 및 캐패시터(C1, C2)에 연결될 수 있다. 복수의 스위칭 소자(SW1, SW2)는 캐소드 전극(CA) 및 캐패시터(C1, C2) 사이에 연결될 수 있다. 복수의 스위칭 소자(SW1, SW2)는 캐소드 전극(CA) 및 캐패시터(C1, C2)의 연결 여부를 제어할 수 있다. 복수의 스위칭 소자(SW1, SW2)는 표시 영역(DA)을 둘러싸고 화상이 표시되지 않는 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다.
복수의 스위칭 소자(SW1, SW2)는 전원 인가 신호(TC1, TC2)에 의하여 동시에 턴온될 수 있다. 복수의 스위칭 소자(SW1, SW2)는 전원 인가 신호(TC1, TC2)에 의하여 동시에 턴온되면, 전원 버스 라인(CB1)에 인가된 전압에 의하여 캐패시터(C1, C2)에 충전된 전압이 캐소드 전극(CA)에 전달될 수 있다. 캐소드 전극(CA)은 캐패시터(C1, C2)를 통하여 전압이 인가되므로, 캐소드 전극(CA)에는 전압이 인가되지만, 직류 성분의 전류가 흐르지 못한다. 따라서, 캐소드 전극(CA)에는 캐소드 전극(CA)의 산화로 인하여 증가한 내부 저항으로 인하여 발생할 수 있는 전압의 강하가 발생하지 않는다. 그러므로, 캐소드 전극(CA)에는 균일한 전압이 인가될 수 있으며, 그에 따라 유기 발광 표시 장치(100)에 표시되는 화상에 휘도 얼룩이 발생하는 것을 방지하여, 표시 품질을 향상시킬 수 있다. 또한, 복수의 스위칭 소자(SW1, SW2)가 전원 인가 신호(TC1, TC2)에 의하여 동시에 턴온되면, 복수의 스위칭 소자(SW1, SW2)와 연결된 캐소드 전극(CA)의 모든 영역에 동시에 균일한 전압이 인가될 수 있어, 캐소드 전극(CA)의 영역 간의 전위차에 의한 전류의 발생을 억제하여, 내부 저항에 의한 전압 강하를 방지할 수 있다. 복수의 스위칭 소자(SW1, SW2)는 박막 트랜지스터일 수 있으며, 전원 인가 신호(TC1, TC2)는 박막 트랜지스터의 게이트 전극에 인가되고, 캐패시터(C1, C2) 및 캐소드 전극(CA)은 각각 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극에 연결될 수 있다.
복수의 스위칭 소자(SW1, SW2)는 제1 스위칭 소자(SW1) 및 제2 스위칭 소자(SW2)를 포함할 수 있다. 제1 스위칭 소자(SW1)는 표시 영역(DA)의 일측 외곽에 인접하여 배치되고, 제2 스위칭 소자(SW1)는 표시 영역(DA)의 타측 외곽에 인접하여 배치될 수 있다. 표시 영역(DA)의 일측과 타측은 서로 대향할 수 있다. 제1 스위칭 소자(SW1)는 표시 영역(DA)의 일측에 인접한 캐소드 전극(CA)의 영역에서 캐소드 전극(CA)과 연결될 수 있으며, 제2 스위칭 소자(SW1)는 표시 영역(DA)의 타측에 인접한 캐소드 전극(CA)의 영역에서 캐소드 전극(CA)과 연결될 수 있다. 따라서, 복수의 스위칭 소자(SW1, SW2)는 캐소드 전극(CA)의 양측에 전압을 인가할 수 있으며, 그에 따라 캐소드 전극(CA)의 전면에서 전압 레벨을 균일하게 할 수 있다.
캐패시터(C1, C2)는 제1 전극(E1, E3) 및 제2 전극(E2, E4)를 포함할 수 있다. 제1 전극(E1, E3)은 스위칭 소자(SW1, SW2)에 연결될 수 있다. 제2 전극(E2, E4)은 전원 버스 라인(CB1, CB2)에 연결될 수 있다. 캐패시터(C1, C2)는 스위칭 소자(SW1, SW2)가 턴오프된 상태에서, 전원 버스 라인(CB1, CB2)에 인가되는 전압에 의하여 충전될 수 있으며, 스위칭 소자(SW1, SW2)가 턴온되면, 충전된 전압을 캐소드 전극(CA)에 전달할 수 있다. 복수의 캐패시터(C1, C2)는 제1 캐패시터(C1) 및 제2 캐패시터(C2)를 포함할 수 있다. 제1 캐패시터(C1)는 표시 영역(DA)의 일측 외곽에 인접하여 배치되고, 제2 캐패시터(C2)는 표시 영역(DA)의 타측 외곽에 인접하여 배치될 수 있다. 제1 캐패시터(C1)는 제1 스위칭 소자(SW1)와 연결될 수 있으며, 보다 구체적으로 제1 캐패시터(C1)의 제1 전극(E1)은 제1 스위칭 소자(SW1)와 연결될 수 있다. 제2 캐패시터(C2)는 제2 스위칭 소자(SW2)와 연결될 수 있으며, 보다 구체적으로 제2 캐패시터(C1)의 제1 전극(E3)은 제2 스위칭 소자(SW1)와 연결될 수 있다.
전원 버스 라인(CB1, CB2)는 캐패시터(C1, C2)의 제2 전극(E2, E4)에 전압을 제공할 수 있다. 전원 버스 라인(CB1, CB2)에는 후술할 제1 전원 전압(ELVSS)가 인가될 수 있으며, 제1 전원 전압(ELVSS)는 캐패시터(C1, C2) 및 스위칭 소자(SW1, SW2)를 거쳐 캐소드 전극(CA)에 전달될 수 있다. 전원 버스 라인(CB1, CB2)는 후술할 구동부(10)로부터 제1 전원 전압(ELVSS)를 제공받을 수 있다. 전원 버스 라인(CB1, CB2)는 타 배선에 비하여 전압 강하를 방지하기 위해 상대적으로 넓은 폭을 가질 수 있다. 전원 버스 라인(CB1, CB2)는 제1 전원 버스 라인(CB1) 및 제2 전원 버스 라인(CB2)을 포함할 수 있다. 제1 전원 버스 라인(CB1)은 표시 영역(DA)의 일측 외곽에 인접하여 배치될 수 있으며, 제2 전원 버스 라인(CB2)은 표시 영역(DA)의 타측 외각에 인접하여 배치될 수 있다. 제1 전원 버스 라인(CB1)은 제1 캐패시터(C1)의 제2 전극(E2)과 연결되고, 제2 전원 버스 라인(CB2)은 제2 캐패시터(C2)의 제2 전극(E4)와 연결될 수 있다.
유기 발광 표시 장치(100)는 구동부(10)를 더 포함할 수 있다. 구동부(10)는 제1 전원 전압(ELVSS)을 전원 버스 라인(CB1, CB2)에 제공할 수 있다. 구동부(10)는 전원 인가 신호(TC1, TC2)를 생성하여 복수의 스위칭 소자(SW1, SW2)의 온-오프를 제어할 수 있다. 구동부(10)는 화소(PX)를 구동하기 위한 제어 신호(CS)를 후술할 화소 제어 회로(PDC)에 전달할 수 있다. 이하, 도 2를 참조하여 구동부(10)에 대하여 보다 상세히 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 구동부의 블록도이다. 도 2를 참조하면, 구동부(10)는 타이밍 제어부(11), 데이터 구동부(12), 스캔 구동부(13), 발광 구동부(14) 및 전원 생성부(15)를 포함할 수 있다.
타이밍 제어부(11)는 외부로부터 화상 데이터를 제공받아 그에 대응되는 스캔 구동부 제어 신호(SCS), 데이터 구동부 제어 신호(DCS), 발광 구동부 제어 신호(ECS) 및 전원 생성부 제어 신호(VCS)를 생성할 수 있다. 타이밍 제어부(11)는 전원 인가 신호(TC1, TC2)를 생성하여 복수의 스위칭 소자(SW1, SW2)의 온-오프를 제어할 수 있다.
데이터 구동부(12)는 데이터 구동부 제어 신호(DCS)를 수신하여 그에 대응되도록 제1 내지 제m 데이터 신호(D1, D2, ..., Dm)를 생성할 수 있다. 제1 내지 제m 데이터 신호(D1, D2, ..., Dm)는 복수의 화소(PX)에 전달될 수 있다. 복수의 화소(PX) 중 동일한 열에 포함된 화소(PX)들에는 제1 내지 제m 데이터 신호(D1, D2, ..., Dm) 중 하나의 동일한 데이터 신호가 전달될 수 있다. 제1 내지 제m 데이터 신호(D1, D2, ..., Dm)는 화소(PX)에 포함된 유기 발광 다이오드(OLED)가 발광하는 휘도에 대응되는 신호일 수 있다.
스캔 구동부(13)는 스캔 구동부 제어 신호(SCS)를 수신하여 그에 대응되도록 제1 내지 제n 스캔 신호(S1, S2, ..., Sn)를 생성할 수 있다. 스캔 구동부(13)는 제1 내지 제n 스캔 신호(S1, S2, ..., Sn) 각각은 스캔 온 전압 또는 스캔 오프 전압의 전위를 가질 수 있으며, 제1 내지 제n 스캔 신호(S1, S2, ..., Sn)는 순차적으로 스캔 온 전압의 전위를 가질 수 있다. 제1 내지 제n 스캔 신호(S1, S2, ..., Sn)가 스캔 온 전압의 전위를 가질 때, 제1 내지 제m 데이터 신호(D1, D2, ..., Dm)는 복수의 화소(PX)에 전달될 수 있다. 제1 내지 제n 스캔 신호(S1, S2, ..., Sn)는 제1 내지 제m 데이터 신호(D1, D2, ..., Dm)와 동기화도록 생성될 수 있다. 복수의 화소(PX) 중 동일한 헹에 포함된 화소(PX)들에는 제1 내지 제n 스캔 신호(S1, S2, ..., Sn) 중 하나의 동일한 스캔 신호가 전달될 수 있다.
발광 구동부(14)는 발광 구동부 제어 신호(ECS)를 수신하여 그에 대응되도록, 제1 내지 제n 발광 신호(EM1, EM2, ..., EMn)를 생성할 수 있다. 제1 내지 제n 발광 신호(EM1, EM2, ..., EMn) 각각은 발광 온 전압 또는 발광 오프 전압의 전위를 가질 수 있다. 발광 온 전압의 전위를 갖는 제1 내지 제n 발광 신호(EM1, EM2, ..., EMn)를 수신하는 화소(PX)에 포함된 유기 발광 다이오드(OLED)는 발광할 수 있다. 제i 스캔 신호(Si)의 전위가 스캔 온 전압에서 스캔 오프 전압으로 전환된 후, 제i 발광 신호(EMi)의 전위는 발광 오프 전압에서 발광 온 전압으로 전환될 수 있다. 단, i는 1 이상 n 이하의 자연수이다.
전원 생성부(15)는 제1 전원 전압(ELVSS) 및 제2 전원 전압(ELVDD)을 생성할 수 있으며, 전원 생성부(15)는 전원 생성부(15) 제어 신호(VCS)에 의하여 제어될 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 복수의 화소 구동 회로(PDC)를 더 포함할 수 있다. 복수의 화소 구동 회로(PDC)각각은 화소(PX)에 포함될 수 있으며, 유기 발광 다이오드(OLED)의 발광을 제어할 수 있다. 이하 도 3을 참조하여 화소 구동 회로(PDC)의 동작에 대하여 보다 상세히 설명하도록 한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 회로도이다. 도 3을 참조하면, 화소(PX)는 화소 구동부(PDC) 및 유기 발광 다이오드(OLED)를 포함할 수 있다. 화소 구동부(PDC)는 데이터 제어 트랜지스터(T1), 초기화 트랜지스터(T2), 문턱전압 보상 트랜지스터(T3), 제1 발광 제어 트랜지스터(T4), 제2 발광 제어 트랜지스터(T5), 구동 트랜지스터(Td), 유기 발광 다이오드(OLED) 및 구동 캐패시터(Cd)를 포함할 수 있다.
유기 발광 다이오드(OLED)는 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드에서 캐소드 방향으로 흐르는 전류의 크기에 대응되는 휘도로 발광할 수 있다. 유기 발광 다이오드(OLED)의 캐소드에는 제1 전원 전압(ELVSS)이 인가될 수 있다. 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드는 제3 노드(N3)와 연결될 수 있으며, 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드가 제3 노드(N3)와 연결되는지 여부는 제2 발광 제어 트랜지스터(T5)에 의해 제어될 수 있다.
구동 트랜지스터(Td)는 제2 전원 전압(ELVDD)이 인가되는 제2 노드(N2)에 연결되는 소스(S), 제3 노드(N3)에 연결되는 드레인(D) 및 제1 노드(N1)에 연결되는 게이트(G)를 포함할 수 있다. 구동 트랜지스터(Td) 제2 노드(N2)에 연결된 데이터 제어 트랜지스터(T1)을 통하여 제j 데이터 신호(Dj)를 전달받을 수 있다. 단, j는 1 이상 m 이하의 자연수이다. 구동 트랜지스터(Td)는 유기 발광 다이오드(OLED)에 흐르는 전류를 제어할 수 있다. 유기 발광 다이오드(OLED)에 흐르는 전류의 크기는 구동 트랜지스터(Td)의 소스(S)와 게이트(G) 간의 전위차에 대응될 수 있다.
데이터 제어 트랜지스터(T1)는 제j 데이터 신호(Dj)를 제공받는 소스, 제2 노드(N)에 연결되는 드레인 및 제i 스캔 신호(Si)를 제공받는 게이트를 포함할 수 있다. 제i 스캔 신호(Si)가 스캔 온 전압의 전위를 가지면, 데이터 제어 트랜지스터(T1)는 턴온되어, 제j 데이터 신호(Dj)가 제2 노드(N)에 전달될 수 있다.
구동 캐패시터(Cd)의 일단은 구동 트랜지스터(Td)의 게이트(G)가 연결된 제1 노드(N1)에 연결되고, 구동 캐패시터(Cd)의 타단에는 제2 전원 전압(ELVDD)이 인가될 수 있다. 따라서, 구동 캐패시터(Cd)는 구동 트랜지스터(Td)의 게이트(G)의 전압을 저장할 수 있다.
문턱전압 보상 트랜지스터(T3)의 게이트에는 제i 스캔 신호(Si)가 전달될 수 있다. 제i 스캔 신호(Si)가 스캔 온 전압의 전위를 가지면, 문턱전압 보상 트랜지스터(T3)는 턴온되며, 문턱전압 보상 트랜지스터(T3)는 구동 트랜지스터(T3)의 게이트(G)와 드레인(D)을 연결하여, 구동 트랜지스터(Td)를 다이오드 연결시킬 수 있다. 구동 트랜지스터(Td)가 다이오드 연결되면, 구동 트랜지스터(Td)의 소스(S)에 인가된 제j 데이터 신호(Dj)의 전압에서 구동 트랜지스터(Td)의 문턱전압만큼 강하된 전압이 구동 트랜지스터(Td)의 게이트에 인가된다. 구동 트랜지스터(Td)의 게이트(G)는 구동 캐패시터(Cd)의 일단에 연결되어 있어, 구동 트랜지스터(Td)의 게이트(G)에 인가된 전압은 유지될 수 있다. 구동 트랜지스터(Td)의 문턱전압이 반영된 전압이 게이트(G)에 인가되어 유지되므로, 구동 트랜지스터(Td)에 소스(S)와 드레인(D) 사이에 흐르는 전류는 구동 트랜지스터(Td)의 문턱전압에 따른 영향을 받지 않을 수 있다
초기화 트랜지스터(T2)의 게이트에는 제i-1 스캔 신호(Si-1)가 인가될 수 있다. 제i-1 스캔 신호(Si-1)가 스캔 온 전압의 전위를 갖는 경우, 초기화 트랜지스터(T2)는 턴온되어 구동 트랜지스터(Td)의 게이트(G)에 초기화 전압(VINT)을 인가하여, 구동 트랜지스터(Td)의 게이트(G)의 전위를 초기화할 수 있다.
제1 발광 제어 트랜지스터(T4)의 게이트 전극에는 제i 발광 제어 신호(EMi)가 전달될 수 있다. 제i 발광 제어 신호(EMi)가 발광 온 전압의 전위를 갖는 경우, 제1 발광 제어 트랜지스터(T4)는 턴온되어, 제2 노드(N2)에 제2 전원 전압(ELVDD)를 제공할 수 있다. 제2 발광 제어 트랜지스터(T5)의 게이트 전극에는 제i 발광 제어 신호(EMi)가 전달될 수 있다. 제i 발광 제어 신호(EMi)가 발광 온 전압의 전위를 갖는 경우, 제2 발광 제어 트랜지스터(T5)는 턴온되어, 제3 노드(N3)와 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드를 연결시킬 수 있다. 제i 발광 제어 신호(EMi)가 발광 온 전압의 전위를 갖는 경우, 제1 발광 제어 트랜지스터(T4) 및 제2 발광 제어 트랜지스터(T5)가 턴온되면 제i 스캔 신호(Si)가 스캔 온 전압의 전위를 갖는 기간동안 구동 캐패시터(Cd)에 저장된 제j 데이터 신호(Dj)에 대응되는 전압에 대응되도록 구동 트랜지스터(Td)의 소스(S)와 드레인(D) 사이에 전류가 생성되며, 상기 전류는 유기 발광 다이오드(OLED)에 흘러, 유기 발광 다이오드(OLED)를 발광시킬 수 있다.
이하, 도 4를 참조하여 유기 발광 표시 장치(100)에 대하여 보다 상세히 설명하도록 한다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 도 4를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 기재(20), 버퍼층(30), 게이트 절연막(40), 층간 절연막(50), 평탄화막(60), 반도체층(SM), 게이트 전극(GS), 소스 전극(SS), 드레인 전극(DS), 화소 정의막(70), 복수의 애노드 전극(AN), 유기층(80), 더미 유기층(80a), 캐소드 전극(CA), 제1 전원 버스 라인(CB1)을 포함할 수 있다.
기재(20)는 판상의 형상을 가질 수 있으며, 기재(20) 상에 형성되는 타 구조물들을 지지할 수 있다. 기재(20)는 절연 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 기재(20)은 유리, PET(polyethyeleneterepthalate), PC(polycarbonate), PES(polyethersulfone), PI(polyimide) 또는 PMMA(polymethylmetharcylate) 등으로 형성될 수 있으며, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 몇몇 실시예에 의하면, 기재(20)은 가요성을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
버퍼층(30)은 기재(20)의 상부면 상에 형성될 수 있다. 버퍼층(30)은 하부로부터의 불순 원소의 침투를 방지하며 기재(20)의 상부면을 평탄화할 수 있다. 버퍼층(30)은 이와 같은 기능을 수행할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(30)으로서 질화 규소(SiNx)막, 산화 규소(SiO2)막, 산질화 규소(SiOxNy)막 중 어느 하나가 사용될 수 있다. 몇몇 실시예에 의하면, 버퍼층(30)은 생략될 수도 있다.
반도체층(SM)은 버퍼층(30)의 상부에 배치될 수 있다. 반도체층(SM)은 비정질 규소막 또는 다결정 규소막으로 형성될 수 있다. 반도체층(SM)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역, 채널 영역의 양 측에 배치되고 p+ 도핑되어 소스 전극(SS) 및 드레인 전극(DS) 과 각각 접촉하는 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 반도체층(SM)에 도핑되는 불순물은 붕소(B)를 포함하는 P형 불순물일 수 있으며, 예를 들어, B2H6 등이 불순물로서 사용될 수 있다. 반도체층(SM)에 도핑되는 불순물의 종류는 실시예에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 몇몇 실시예에 의하면, 반도체층(SM)은 산화 반도체층으로 대체될 수도 있다.
게이트 절연막(40)은 반도체층(SM) 상부에 배치될 수 있다. 게이트 절연막(40)은 게이트 전극(GS)과 반도체층(SM)을 상호 절연시킬 수 있다. 게이트 절연막(30)은 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2)로 형성될 수 있다.
게이트 전극(GS)은 게이트 절연막(40)의 상부에 배치될 수 있다. 게이트 전극(GS)은 반도체층(SM)의 적어도 일부 영역과 중첩되도록 배치될 수 있다. 게이트 전극(GS)에 인가되는 전압에 의하여, 반도체층(SM)이 도전성 또는 비도전성을 갖는지 여부가 제어될 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(GS)에 상대적으로 높은 전압이 인가되는 경우, 반도체층(SM)이 도전성을 가져, 드레인 전극(DS) 및 소스 전극(SS)이 상호 전기적으로 연결되도록 할 수 있으며, 게이트 전극(GS)에 상대적으로 낮은 전압이 인가되는 경우, 반도체층(SM)이 비도전성을 가져, 드레인 전극(DS) 및 소스 전극(SS)이 상호 절연되도록 할 수 있다.
층간 절연막(50)은 게이트 전극(GS)의 상부에 배치될 수 있다. 층간 절연막(50)은 게이트 전극(G)을 커버하여, 게이트 전극(GS)을 소스 전극(SS) 및 드레인 전극(DS)과 절연시킬 수 있다. 층간 절연막(50)은 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2) 등으로 형성될 수 있다.
소스 전극(SS) 및 드레인 전극(DS)은 층간 절연막(50)의 상부에 배치될 수 있다. 소스 전극(SS) 및 드레인 전극(DS)은 층간 절연막(50)과 게이트 절연막(40)을 관통하여 형성된 컨택홀을 통하여 각각 반도체층(SM)과 연결될 수 있다. 소스 전극(SS), 드레인 전극(DS) 게이트 전극(GS) 및 반도체층(SM)은 박막 트랜지스터(T)를 형성할 수 있다. 박막 트랜지스터(T)는 스위칭 소자(SW1, SW2)로 기능할 수 있다.
이하 도 5를 참조하여 소스 전극(SS)에 대하여 보다 상세히 설명하도록 한다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 전원 버스 라인 및 소스 전극 확장부를 나타낸 평면도이다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 소스 전극(SS)은 제1 전원 버스 라인(CB1) 방향으로 연장된 소스 전극 확장부(SE)를 포함할 수 있다. 소스 전극 확장부(SE)는 제1 전원 버스 라인(CB1)과 중첩할 수 있다. 소스 전극 확장부(SE)와 제1 전원 버스 라인(CB1)는 서로 중첩하여 제1 캐패시터(C1)를 형성할 수 있다. 소스 전극 확장부(SE)는 평탄화막(60) 상부에 배치되고, 제1 전원 버스 라인(CB1)의 상부에 배치될 수 있다.
다시 도 4를 참조하면, 평탄화막(60)은 박막 트랜지스터(T) 및 층간 절연막(50)의 상부에 배치될 수 있다. 평탄화막(60)의 상부에 배치되는 유기층(80)의 발광 효율을 높이기 위하여, 평탄화막(60)의 상부면은 단차가 없이 평탄하도록 형성될 수 있다. 평탄화막(60)은 절연 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 평탄화막(60)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolicresin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly phenylenesulfides resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 하나 이상의 물질로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
복수의 애노드 전극(AN)은 평탄화막(60) 상에 배치될 수 있다. 복수의 애노드 전극(AN)은 복수의 화소(PX)에 각각 배치될 수 있다. 복수의 애노드 전극(AN)의 배치는 복수의 화소(PX)의 배치와 실질적으로 동일할 수 있다. 복수의 화소(PX)가 매트릭스 형상으로 배치될 수 있으므로, 복수의 애노드 전극(AN)도 매트릭스 형상으로 배치될 수 있다. 복수의 애노드 전극(AN)은 복수의 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극으로 기능할 수 있다. 애노드 전극(AN)은 반사형 도전성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 애노드 전극(AN)은 Ag/ITO(Indium Tin Oxide), ITO/Ag/ITO, Mo/ITO, Al/ITO 또는 Ti/ITO의 구조로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 반사형 도전성 물질로 형성된 애노드 전극(AN)은 유기층(80)에서 생성된 빛을 반사시킬 수 있다.
유기층(80)은 애노드 전극(AN) 상에 배치될 수 있다. 유기층(80)은 흐르는 전류에 대응되는 밝기로 발광할 수 있다. 복수의 애노드 전극(AN) 상에 배치된 유기층(80) 각각은 적색, 녹색 또는 청색으로 발광할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 복수의 애노드 전극(AN) 상에 배치된 유기층(80)은 모두 백색으로 발광할 수도 있다.
캐소드 전극(CA)은 유기층(80) 상에 배치될 수 있다. 캐소드 전극(CA)은 복수의 화소(PX)에 공통층으로 형성될 수 있다. 복수의 애노드 전극(AN), 유기층(80) 및 캐소드 전극(CA)은 복수의 유기 발광 다이오드(OLED)를 형성할 수 있으며, 복수의 유기 발광 다이오드(OLED)는 공통층으로 형성된 캐소드 전극을 공유할 수 있다 캐소드 전극(CA)은 광학적으로 투명 또는 반투명한 도전성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 캐소드 전극(CA)은 ITO, IZO(Indium Zinc Oxide), 마그네슘(Mg)와 은(Ag)의 화합물, 칼슘(Ca)과 은(Ag)의 화합물 또는 리튬(Li)과 알루미늄(Al)의 화합물로 형성될 수 있으며, 이에 반드시 한정되는 것은 아니다. 유기층(80)에서 생성된 빛은 캐소드 전극(CA)을 통과하여 외부로 방출될 수 있다.
캐소드 전극(CA)은 비표시 영역(NDA)까지 연장될 수 있다. 캐소드 전극(CA)은 드레인 전극(DS)과 연결될 수 있다. 캐소드 전극(CA)은 평탄화막(60)에 형성된 컨택홀을 통하여 드레인 전극(DS)과 연결될 수 있다. 캐패시터(C1)에 충전된 전압은 박막 트랜지스터(T)가 턴온되면 드레인 전극(DS)을 통하여 캐소드 전극(CA)에 전달될 수 있다. 캐소드 전극(CA)에는 캐패시터(C1)을 거쳐 전압이 인가되므로, 직접 캐소드 전극(CA)에 전압이 인가되는 것과 비교하여 캐소드 전극(CA)에 흐르는 전류의 직류성분을 차단할 수 있어, 캐소드 전극(CA)의 산화에 의하여 내부저항이 증가하더라도 그로 인한 전압 강하를 줄일 수 있다.
화소 정의막(70)은 평탄화막(60) 상에 배치될 수 있다. 화소 정의막(70)은 화소(PX)의 영역을 정의할 수 있다. 화소 정의막(70)에는 애노드 전극(AN)을 상부로 노출시키는 복수의 개구부가 형성될 수 있으며, 상기 개구부 내의 영역은 각각의 화소(PX)로 정의될 수 있다.
제1 전원 버스 라인(CB1)은 소스 전극(SS)의 하부에 배치될 수 있으며, 보다 상세하게는 소스 전극 확장부(SE)의 하부에 배치될 수 있다. 제1 전원 버스 라인(CB1)은 평탄화막(60)과 층간 절연막(50)의 사이에 배치될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
더미 유기층(80a)는 비표시 영역(NDA)에 캐소드 전극(CA)의 하부면과 접촉하도록 배치될 수 있다. 더미 유기층(80a)는 마스크를 이용하여 유기층(80)을 형성할 때, 유기층(80)을 형성하기 위한 마스크에 형성된 개구부 패턴의 변형을 방지하기 위하여, 그 주변에 형성된 더미 개구부 패턴을 통하여 유기물이 증착됨으로서 형성될 수 있다. 더미 유기층(80a)은 캐소드 전극(CA)의 산화를 촉진시켜, 캐소드 전극(CA)의 내부 저항을 증가시킬 수 있다. 더미 유기층(80a)에 의하여 캐소드 전극(CA)이 산화가 촉진되어, 캐소드 전극(CA)의 내부 저항이 증가하더라도 캐소드 전극(CA)에는 캐패시터(C1, C2)를 통하여 전압이 인가되므로, 캐소드 전극(CA)의 내부 저항에 의한 전압 강하가 방지될 수 있어, 유기 발광 표시 장치(100)의 휘도 얼룩이 감소되고, 표시 품질이 향상될 수 있다.
도시되지는 않았으나, 제2 전원 버스 라인(CB2) 및 제2 캐패시터(C2)에 대한 설명은 제1 전원 버스 라인(CB2) 및 제1 캐패시터(C1)에 대한 설명과 실질적으로 동일하다.
이하 도 6 및 도 7을 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 대하여 설명하도록 한다. 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1 전원 버스 라인 및 소스 전극을 나타낸 평면도이다. 도 6 및 도 7을 참조하면, 제1 전원 버스 라인(CB1)은 소스 전극(SS) 방향으로 연장되어, 소스 전극(SS)과 중첩될 수 있다. 제1 전원 버스 라인(CB1)은 소스 전극(SS)과 중첩되어 제1 캐패시터(C1)를 형성할 수 있다. 제1 전원 버스 라인(CB1)은 소스 전극(SS)의 상부에 배치될 수 있으며, 보다 상세하게는 평탄화막(60) 상에 배치될 수 있다. 제1 전원 버스 라인(CB1)은 메인 영역(MR) 및 서브 영역(BR)을 포함할 수 있다. 메인 영역(MR)은 표시 영역(DA)의 일측 변을 따라 연장된 형상일 수 있다. 서브 영역(BR)은 메인 영역(MR)으로부터 표시 영역(DA) 방향으로 돌출된 형상일 수 있다. 서브 영역(BR)은 소스 전극(SS)의 상부까지 연장되어, 소스 전극(SS)과 중첩할 수 있다.
도시되지는 않았으나, 본 발명의 다른 실시예에서, 제2 전원 버스 라인(CB2) 및 제2 캐패시터(C2)에 대한 설명은 제1 전원 버스 라인(CB2) 및 제1 캐패시터(C1)에 대한 설명과 실질적으로 동일하다.
이하 도 8 및 도 9를 참조하여 본 발명의 또 다른 실시예에 대하여 설명하도록 한다. 도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 제1 전원 버스 라인 및 소스 전극을 나타낸 평면도이다. 도 8 및 도 9를 참조하면, 제1 전원 버스 라인(CB1)은 소스 전극(SS)의 하부에 배치될 수 있다. 보다 상세하게는 제1 전원 버스 라인(CB1)은 층간 절연막(50)과 게이트 절연막(40)의 사이에 배치될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 전원 버스 라인(CB1)은 소스 전극(SS)은 서로 중첩하여 제1 캐패시터(C1)를 형성할 수 있다. 소스 전극(SS)은 제1 전원 버스 라인(CB1) 측으로 연장된 형상일 수 있다. 제1 전원 버스 라인(CB1)은 소스 전극(SS) 방향으로 연장된 형상을 포함할 수 있다. 제1 전원 버스 라인(CB1)은 메인 영역(MR) 및 메인 영역으로부터 소스 전극(SS) 방향으로 돌출된 형상의 서브 영역(BR)을 포함할 수 있다. 소스 전극(SS)과 제1 전원 버스 라인(CB1)은 서로를 향하여 연장된 형상을 포함하여 상호 중첩하는 영역의 면적이 증가될 수 있으며, 그에 따라 제1 캐패시터(C1)의 용량이 증가될 수 있다.
도시되지는 않았으나, 본 발명의 또 다른 실시예에서, 제2 전원 버스 라인(CB2) 및 제2 캐패시터(C2)에 대한 설명은 제1 전원 버스 라인(CB2) 및 제1 캐패시터(C1)에 대한 설명과 실질적으로 동일하다.
이하 도 10 및 도 11을 참조하여 본 발명의 또 다른 실시예에 대하여 설명하도록 한다. 도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 도면이다. 도 11은 본 발명의 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 캐소드 전극의 배치를 나타낸 도면이다. 도 10 및 도 11을 참조하면, 도 1의 캐소드 전극(CA)은 제1 내지 제n 캐소드 전극(CA1, CA2, ..., CAn)으로 분할될 수 있다. 제1 내지 제n 캐소드 전극(CA1, CA2, ..., CAn) 각각은 행 방향으로 연장된 형상일 수 있으며, 일단이 표시 영역(DA)의 일측 외곽으로 연장되어 있으며, 타단이 표시 영역(DA)의 타측 외곽으로 연장된 형상일 수 있다. 제1 내지 제n 캐소드 전극(CA1, CA2, ..., CAn)은 매트릭스 형상으로 배치된 복수의 화소(PX)의 제1 내지 제n 행(R1, R2, ..., Rn) 각각에 공통층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 캐소드 전극(CA1)은 화소(PX)의 제1 행(R1)에 공통층으로 형성되고, 제2 캐소드 전극(CA2)은 화소(PX)의 제2 행(R2)에 공통층으로 형성될 수 있다. 매트릭스 형상으로 배치된 복수의 유기 발광 다이오드(OLED)의 각 행은 캐소드 전극으로서, 제1 내지 제n 캐소드 전극(CA1, CA2, ..., CAn) 중 하나를 공유할 수 있다.
제1 내지 제n 캐소드 전극(CA1, CA2, ..., CAn)에는 하나 이상의 스위칭 소자가 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 캐소드 전극(CA1)에는 제3 스위칭 소자(SW3)가 연결되고, 제2 캐소드 전극(CA2)에는 제4 스위칭 소자(SW4)가 연결될 수 있다. 제3 스위칭 소자(SW3) 및 제4 스위칭 소자(SW4)는 표시 영역(DA)의 일측 외곽에 배치될 수 있다. 제3 스위칭 소자(SW3) 에는 제3 캐패시터(C3)가 연결되고, 제4 스위칭 소자(SW4) 에는 제4 캐패시터(C4)가 연결될 수 있다. 제3 스위칭 소자(SW3)는 제3 캐패시터(C3)와 제1 캐소드 전극(CA1)의 연결 여부를 제어할 수 있다. 제4 스위칭 소자(SW4)는 제4 캐패시터(C3)와 제2 캐소드 전극(CA2)의 연결 여부를 제어할 수 있다.
제3 캐패시터(C3) 및 제4 캐패시터(C4)는 각각이 제3 스위칭 소자(SW3) 및 제4 스위칭 소자(SW4)와 제1 캐소드 버스(CB1) 사이에 연결될 수 있다. 제3 스위칭 소자(SW3)가 턴온될 때, 제3 캐패시터(C3)에 충전된 전하에 의하여 제1 캐소드 전극(CA1)에 전압이 인가될 수 있다. 제4 스위칭 소자(SW4)가 턴온될 때, 제4 캐패시터(C4)에 충전된 전하에 의하여 제2 캐소드 전극(CA2)에 전압이 인가될 수 있다.
제1 내지 제n 캐소드 전극(CA1, CA2, ..., CAn) 각각은 표시 영역(DA)의 타측에 인접한 영역에서도 스위칭 소자 및 캐패시터에 의항여 전압을 제공받을 수 있다. 예를 들어, 제1 캐소드 전극(CA1)에는 제5 스위칭 소자(SW5)가 연결되고, 제2 캐소드 전극(CA2)에는 제6 스위칭 소자(SW6)가 연결될 수 있다. 제5 스위칭 소자(SW5) 및 제6 스위칭 소자(SW6)는 표시 영역(DA)의 타측 외곽에 배치될 수 있다. 제5 스위칭 소자(SW5)에는 제5 캐패시터(C5)가 연결되고, 제6 스위칭 소자(SW6)에는 제6 캐패시터(C6)가 연결될 수 있다. 제5 스위칭 소자(SW5)는 제5 캐패시터(C5)와 제1 캐소드 전극(CA1)의 연결 여부를 제어할 수 있다. 제6 스위칭 소자(SW6)는 제6 캐패시터(C6)와 제2 캐소드 전극(CA2)의 연결 여부를 제어할 수 있다.
제5 캐패시터(C5) 및 제6 캐패시터(C6)는 각각이 제5 스위칭 소자(SW5) 및 제6 스위칭 소자(SW6)와 제2 캐소드 버스(CB2) 사이에 연결될 수 있다. 제5 스위칭 소자(SW5) 및 제6 스위칭 소자(SW6)는 제3 스위칭 소자(S34) 및 제4 스위칭 소자(SW4)와 동시에 턴온되어, 제5 캐패시터(C5) 및 제6 캐패시터(C6)에 충전된 전하에 의하여 형성된 전압을 제1 캐소드 전극(CA1) 및 제2 캐소드 전극(CA2)에 전달할 수 있다.
제3 내지 제n 캐소드 전극(CA3, CA4, ..., CAn)에 대한 설명도, 제1 캐소드 전극(CA1) 및 제2 캐소드 전극(CA2)에 대한 설명과 실질적으로 동일하다.
유기 발광 표시 장치(103)의 단면도는 도 4, 도 6 또는 도 8에서 개시된 단면도와 실질적으로 동일할 수 있다.
그 밖의 구성에 유기 발광 표시 장치(103)의 구성에 대한 설명은 동일한 식별부호를 갖는 도 1의 유기 발광 표시 장치(100)의 구성에 대한 설명과 실질적으로 동일하므로 생략하도록 한다.
이하 도 12 및 도 13을 참조하여 본 발명의 또 다른 실시예에 대하여 설명하도록 한다. 도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 도면이다. 도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 12를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(104)의 캐소드 전극(CA)에 캐패시터(C7, C8)이 직접 연결되고, 스위칭 소자(SW7, SW8)가 캐패시터(C7, C8)와 전원 버스 라인(CB1, CB2) 사이에 연결될 수 있다. 캐소드 전극(CA)에 캐패시터(C7, C8)이 직접 연결되고, 스위칭 소자(SW7, SW8)가 캐패시터(C7, C8)와 전원 버스 라인(CB1, CB2) 사이에 연결되더라도, 캐소드 전극(CA)에 캐패시터(C7, C8)를 통하여 전압이 인가되므로, 캐소드 전극(CA)에 직류성분의 전류의 흐름을 방지하여, 캐소드 전극(CA)의 저항에 의한 전압 강하를 방지할 수 있다.
도 13을 참조하면, 캐소드 전극(CA)과 드레인 전극(DS)은 이격되어 있을 수 있다. 캐소드 전극(CA)과 드레인 전극(DS)은 평탄화막(60)에 의하여 상호 절연될 수 있다. 캐소드 전극(CA)과 드레인 전극(DS)은 중첩하도록 배치될 수 있으며, 캐소드 전극(CA)과 드레인 전극은 제7 캐패시터(C7)를 형성할 수 있다.
소스 전극(SS)은 제1 전원 버스 라인(CB1)과 직접 연결될 수 있다. 몇몇 실시에에 의하면, 소스 전극(SS)은 제1 전원 버스 라인(CB1)과 일체로 형성될 수도 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 구동부 20: 기재
30: 버퍼층 40: 게이트 절연막
50: 층간 절연막 60: 평탄화막
70: 평탄화막 80: 화소 정의막
CA: 캐소드 전극 AN: 애노드 전극
CA1, CA2, ..., CAn: 제1 내지 제n 캐소드 전극
SM: 반도체층 GS: 게이트 전극
SS: 소스 전극 DS: 드레인 전극
SW1, SW2, SW3, SW4, SW5, SW5, SW6, SW7, SW8: 스위칭 소자
C1, C2, C3, C4, C5, C6, C7, C8: 캐패시터
CB1, CB2: 전원 버스 라인

Claims (19)

  1. 캐소드 전극을 공유하는 복수의 유기 발광 다이오드;
    상기 캐소드 전극에 연결된 복수의 스위칭 소자;
    각각이 제1 전극 및 제2 전극을 포함하고, 상기 복수의 스위칭 소자에 상기 제1 전극이 연결된 복수의 캐패시터; 및
    상기 제2 전극에 연결되는 전원 버스 라인을 포함하되,
    상기 복수의 스위칭 소자는 상기 캐소드 전극과 상기 제1 전극의 연결 여부를 제어하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 유기 발광 다이오드가 내측에 배치되는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역으로 구분되고,
    상기 전원 버스 라인은 상기 표시 영역의 일측의 외곽에 배치되는 제1 버스 라인 및 상기 일측에 대항하는 상기 표시 영역의 타측의 외곽에 배치되는 제2 버스 라인을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 복수의 캐패시터는,
    상기 제2 전극이 상기 제1 버스 라인에 연결되는 복수의 제1 캐패시터; 및
    상기 제2 전극이 상기 제2 버스 라인에 연결되는 복수의 제2 캐패시터를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 복수의 스위칭 소자는,
    상기 복수의 제1 캐패시터 각각의 상기 제1 전극에 연결되는 복수의 제1 스위칭 소자; 및
    상기 복수의 제2 캐패시터 각각의 상기 제1 전극에 연결되는 제2 스위칭 소자를 포함하는 유기 발광 표시 장치
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 스위칭 소자는 박막 트랜지스터인 유기 발광 표시 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 스위칭 소자는 동시에 턴온되는 유기 발광 표시 장치.
  7. 매트릭스 형상으로 배치되고, 상기 매트릭스의 제1 행은 제1 캐소드 전극을 캐소드 전극으로 공유하고, 상기 매트릭스의 제2 행은 제2 캐소드 전극을 캐소드 전극으로 공유하는 복수의 유기 발광 다이오드;
    상기 제1 캐소드 전극에 연결된 제1 스위칭 소자;
    상기 제2 캐소드 전극에 연결된 제2 스위칭 소자;
    상기 제1 스위칭 소자에 일 전극이 연결된 제1 캐패시터;
    상기 제2 스위칭 소자에 일 전극이 연결된 제2 캐패시터; 및
    상기 제1 캐패시터의 타 전극 및 상기 제2 캐패시터의 타 전극에 연결되는 전원 버스 라인을 포함하되,
    상기 제1 스위칭 소자는 상기 제1 캐소드 전극과 상기 제1 캐패시터의 상기 일 전극의 연결 여부를 제어하고,
    상기 제2 스위칭 소자는 상기 제2 캐소드 전극과 상기 제2 캐패시터의 상기 일 전극의 연결 여부를 제어하는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 유기 발광 다이오드가 내측에 배치되는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역으로 구분되고,
    상기 전원 버스 라인은 상기 표시 영역의 일측의 외곽에 배치되는 제1 버스 라인 및 상기 일측에 대항하는 상기 표시 영역의 타측의 외곽에 배치되는 제2 버스 라인을 포함하고,
    상기 제1 스위칭 소자는 상기 표시 영역의 상기 일측에 인접한 영역에서 상기 제1 캐소드 전극과 연결되고,
    상기 제2 스위칭 소자는 상기 표시 영역의 상기 일측에 인접한 영역에서 상기 제2 캐소드 전극과 연결되고,
    상기 제1 캐패시터는 및 상기 제2 캐패시터는 상기 제1 버스 라인과 연결되는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 스위칭 소자는 상기 표시 영역의 상기 일측에 인접한 영역에서 상기 제1 캐소드 전극과 연결되고,
    상기 제2 스위칭 소자는 상기 표시 영역의 상기 일측에 인접한 영역에서 상기 제2 캐소드 전극과 연결되고,
    상기 표시 영역의 상기 타측에 인접한 영역에서 상기 제1 캐소드 전극과 연결되는 제3 스위칭 소자;
    상기 표시 영역의 상기 타측에 인접한 영역에서 상기 제2 캐소드 전극과 연결되는 제4 스위칭 소자;
    상기 제3 스위칭 소자에 일 전극이 연결되고, 타 전극이 상기 제2 버스 라인에 연결되는 제3 캐패시터; 및
    상기 제4 스위칭 소자에 일 전극이 연결되고, 타 전극이 상기 제2 버스 라인에 연결되는 제4 캐패시터를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  10. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 스위칭 소자는 박막 트랜지스터인 유기 발광 표시 장치.
  11. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 스위칭 소자는 동시에 턴온되는 유기 발광 표시 장치.
  12. 복수의 애노드 전극;
    상기 복수의 애노드 전극 상에 배치되는 유기층;
    상기 유기층 상에 배치되는 캐소드 전극;
    상기 캐소드 전극과 드레인 전극이 연결되는 복수의 박막 트랜지스터; 및
    상기 복수의 박막 트랜지스터 각각의 소스 전극과 상호 절연되고, 상호 중첩하여 캐패시터를 형성하는 전원 버스 라인을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 전원 버스 라인은,
    일 방향으로 연장된 형상의 메인 영역; 및
    상기 메인 영역으로부터 돌출되어 상기 복수의 박막 트랜지스터 각각의 상기 소스 전극과 중첩하는 복수의 서브 영역을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 복수의 박막 트랜지스터 각각의 소스 전극은 연장되어 상기 전원 버스 라인과 중첩하는 유기 발광 표시 장치.
  15. 제12 항에 있어서,
    상기 캐소드 전극의 하부에 배치되고, 상기 캐소드 전극과 접촉하는 더미 유기층을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 복수의 애노드 전극이 내측에 배치되는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역으로 구분되되,
    상기 더미 유기층은 상기 비표시 영역에 배치되는 유기 발광 표시 장치.
  17. 제12 항에 있어서,
    상기 전원 버스 라인은 상기 복수의 박막 트랜지스터 각각의 상기 소스 전극의 하부에 배치되는 유기 발광 표시 장치.
  18. 제12 항에 있어서,
    상기 전원 버스 라인은 상기 복수의 박막 트랜지스터 각각의 상기 소스 전극의 상부에 배치되는 유기 발광 표시 장치.
  19. 제12 항에 있어서,
    상기 복수의 박막 트랜지스터는 동시에 턴온되는 유기 발광 표시 장치.
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