CN104685641A - 光伏装置及其制造方法 - Google Patents

光伏装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104685641A
CN104685641A CN201380051189.0A CN201380051189A CN104685641A CN 104685641 A CN104685641 A CN 104685641A CN 201380051189 A CN201380051189 A CN 201380051189A CN 104685641 A CN104685641 A CN 104685641A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
mentioned
contact layer
crystal
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201380051189.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104685641B (zh
Inventor
增田泰造
奥村健一
近藤高志
松下智纪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Tokyo NUC
Toyota Motor Corp
Original Assignee
University of Tokyo NUC
Toyota Motor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Tokyo NUC, Toyota Motor Corp filed Critical University of Tokyo NUC
Publication of CN104685641A publication Critical patent/CN104685641A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104685641B publication Critical patent/CN104685641B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0735—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising only AIIIBV compound semiconductors, e.g. GaAs/AlGaAs or InP/GaInAs solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0693—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells the devices including, apart from doping material or other impurities, only AIIIBV compounds, e.g. GaAs or InP solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
    • H01L31/1844—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP comprising ternary or quaternary compounds, e.g. Ga Al As, In Ga As P
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
    • H01L31/1852—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP comprising a growth substrate not being an AIIIBV compound
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明的主要目的在于提供一种光伏装置及其制造方法，能够降低有害性且提高效率、且使用了化合物半导体。本发明的光伏装置具有：含有化合物半导体的光电变换层、层叠在该光电变换层的表面的半导体层、配置在该半导体层的与光电变换层相反侧的接触层、层叠在该接触层的表面的电极，半导体层含有包含Al、In、P的第一晶体，接触层含有以Ge为主要成分的第二晶体，该光伏装置制造方法包括：在基板上气相生长含有化合物半导体的光电变换层的工序；在形成的光电变换层的表面气相生长具有含有Al、In、P的第一晶体的半导体层的工序；在形成的半导体层的上表面侧气相生长具有以Ge为主要成分的第二晶体的接触层的工序；在形成的接触层的表面形成电极的工序。

Description

光伏装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种光伏装置及其制造方法。
背景技术
太阳能电池由于单位发电量下的二氧化碳排放量少且不需要发电用的燃料而被期待对防止地球变暖等带来贡献。目前，在已经实用化的民用太阳能电池中，使用了单晶硅或多晶硅的具有一组pn结的单结太阳能电池成为主流，为了谋求太阳能电池的高性能化，正在进行着关于各种方式的太阳能电池的研究开发。
目前，利用了III-V族化合物半导体的宇宙用太阳能电池已经实现了民用太阳能电池的2倍以上的高性能。然而，尽管具有优异的性能，但到目前为止还没有作为民用而加以利用。作为其原因之一，可以举出太阳能电池元件内的接触层、发电层中大量含有砷。由于砷是有害物质，所以在民用太阳能电池中期望使用其它物质。
作为关于这样的太阳能电池的技术，例如在专利文献1中公开了：在AlInP窗层的表面层叠以GaP为主要成分的接触层并在该接触层的上表面层叠表面电极的太阳能电池。此外，专利文献2公开了具有形成在AlInP层(窗层)的表面的GaAs层(cap layer：保护层)的III-V族太阳能电池(宇宙用太阳能电池)。并且，GaP的晶格常数是0.5449nm。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-115916号公报
专利文献2：日本特开2003-218374号公报
发明内容
(发明要解决的问题)
根据专利文献1所公开的技术，能够提供具有不使用砷的接触层的太阳能电池。但是，由于GaP和AlInP的晶格常数大不相同，所以在接触层(GaP)与AlInP层(半导体层或者窗层)的界面产生残留应力。因此，在专利文献1所公开的技术中，存在使在例如导电层所产生的载流子向电极移动时再结合损失容易增大、难以提高性能的问题。此外，在专利文献2所公开的技术中，虽然容易提高性能，但另一方面不能降低有害性。
因此，本发明的课题是提供一种能够降低有害性且提高效率的、使用了化合物半导体的光伏装置及其制造方法。
(解决问题的方案)
本发明的发明人通过专心研究，发现了通过使用以Ge为主要成分的接触层，能够形成在界面所产生的残留应力少的接触层。此外，本发明的发明人通过分别对在接触层使用了GaAs的现有结构的太阳能电池的效率和除了使用以Ge为主要成分的接触层以外与以往同样地构成的太阳能电池的效率进行调查，结果发现了使用了以Ge为主要成分的接触层的太阳能电池能够获得与以往结构的太阳能电池同等以上的性能。而且，由于在接触层不使用砷等有害物质，所以还能够降低光伏装置的有害性。本发明是基于上述发现而完成的。
为了解决上述课题，本发明采用了以下方案。即，本发明的第一方式是一种光伏装置，具有：光电变换层，包含化合物半导体；半导体层，被层叠在光电变换层的表面；接触层，被配置在该半导体层的与光电变换层相反的一侧；以及电极，被层叠在接触层的表面，半导体层包含第一晶体，该第一晶体包含Al、In和P，接触层包含第二晶体，该第二晶体以Ge为主要成分。
在本发明的第一方式和以下所示的本发明的其它方式(以下，有时将它们统一地简称为“本发明”)中，“半导体层”在被配置在朝向光伏装置入射的光的行进方向上游侧的情况下相当于“窗层”，在被配置在朝向光伏装置入射的光的行进方向下游侧的情况下相当于所谓“BSF层”。半导体层的晶格常数可以通过改变构成半导体层的元素的组成比而变更。此外，在本发明中，“以......为主要成分”是指，在设第二晶体的全部为100质量％时，第二晶体中含有90质量％以上的Ge。此外，在本发明中，“光伏装置”是指利用了光电动势效应的装置，是包含了太阳能电池、光检测器等的概念。第二晶体的晶格常数与第一晶体的晶格常数相同程度，所以通过设为这样的方式，能够大幅地降低在接触层和与该接触层相接触的层的界面所产生的残留应力。通过降低残留应力，能够降低再结合损失，所以能够提高光伏装置的效率。而且，由于用Ge单质或者Ge化合物构成接触层，还能够降有害性。
此外，在上述本发明的第一方式中，半导体层与接触层可以接触。通过设为上述方式，容易缩短光电变换层与电极之间的距离，所以光伏装置的效率的提高变得容易。
此外，在上述本发明的第一方式中，半导体层的第一晶体的晶格常数优选为0.541nm以上0.599nm以下，特别优选0.567nm以上0.573nm以下。通过设为上述方式，容易降低半导体层的晶格常数与接触层的晶格常数的差，其结果，容易降低残留应力，所以光伏装置的效率的提高变得容易。
此外，在上述本发明的第一方式中，半导体层的第一晶体可以是AlInP晶体。即使是这样的方式，也能够降低有害性并且提高光伏装置的效率。
此外，在上述本发明的第一方式中，化合物半导体可以是III-V族化合物半导体。即使是这样的方式，也能够降低有害性并且提高光伏装置的效率。
本发明的第二方式是一种光伏装置的制造方法，具有：第一气相生长工序，在基板上气相生长包含化合物半导体的光电变换层；第二气相生长工序，在所形成的光电变换层的表面气相生长具有包含Al、In和P的第一晶体的半导体层；第三气相生长工序，在所形成的半导体层的上表面侧气相生长具有以Ge为主要成分的第二晶体的接触层；以及电极形成工序，在所形成的接触层的表面形成电极。
第二晶体的晶格常数与第一晶体的晶格常数相同程度，所以在第三气相生长工序中，能够形成减少了在界面处的残留应力的产生的接触层。通过降低残留应力，能够降低再结合损失，所以通过设为这样的方式，能够制造提高了效率的光伏装置。而且，由于用Ge单质或者Ge化合物构成接触层，所以还能够降有害性。
此外，在上述本发明的第二方式中，第三气相生长工序可以是在所形成的半导体层的表面气相生长具有以Ge为主要成分的第二晶体的接触层的工序。通过设为这样的方式，容易制造光电变换层与电极之间的距离短的光伏装置，所以光伏装置的效率的提高变得容易。
此外，在上述本发明的第二方式中，第三气相生长工序可以是在基板的温度为200℃以上的状态下，通过分子束外延法气相生长接触层的工序。在通过以分子束外延法气相生长来形成接触层的情况下，通过将基板的温度设为200℃以上，容易形成作为缺陷少的高质量晶体层的接触层。因此，通过设为这样的方式，光伏装置的效率的提高变得容易。
此外，在上述本发明的第二方式中，第三气相生长工序可以是在基板的温度为200℃以上400℃以下的状态下，通过分子束外延法气相生长接触层的工序。在通过以分子束外延法气相生长来形成接触层的情况下，通过将基板的温度设为200℃以上，容易形成作为缺陷少的高质量晶体层的接触层。而且，通过将基板的温度设为400℃以下，容易抑制接触层与半导体层的界面处的物质的扩散，所以容易确保接触层所需的性能。因此，通过设为这样的方式，光伏装置的效率的提高变得容易。
此外，在上述本发明的第二方式中，第三气相生长工序可以是在分子束密度为7.0×10-6Pa以下的状态下以分子束外延法气相生长接触层的工序。在通过以分子束外延法气相生长来形成接触层的情况下，通过将原料的分子束密度设为7.0×10-6Pa以下，容易形成作为缺陷少的高质量晶体层的接触层。因此，通过设为这样的方式，光伏装置的效率的提高变得容易。
此外，在上述本发明的第二方式中，优选在电极形成工序之后具有去除工序，该去除工序残留存在于所形成的电极与半导体层之间的接触层、并且使用碱溶液去除存在于所形成的电极的周围的多余的接触层。具有第一晶体的半导体层和具有第二晶体的接触层针对碱溶液的溶解难易度不同，前者难以溶解，后者容易溶解。因此，通过使用碱溶液，能够残留半导体层并且仅将多余的接触层选择性地容易地去除。通过设为这样的方式，起到上述效果的光伏装置的制造变得容易。
此外，在上述本发明的第二方式中，电极形成工序可以具有：对所形成的接触层的表面形成与所要形成的电极的形状对应的抗蚀剂掩模的步骤；至少对接触层的表面层叠电极的步骤；去除存在于与接触层接触的电极的周围的抗蚀剂掩模的步骤。即使这样的方式下，也能制造起到上述效果的光伏装置。
(发明效果)
根据本发明，可以提供能够降低有害性且提高效率的、使用了化合物半导体的光伏装置及其制造方法。
附图说明
图1是说明太阳能电池10的图。
图2是说明本发明的光伏装置的制造方法的流程图。
图3是说明分子束外延装置的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明进行说明。在以下的说明中，例示了光伏装置是太阳能电池、光伏装置的制造方法是太阳能电池的制造方法的情况，以下所示的方式是本发明的例示，本发明不限于以下所示的方式。
图1是说明作为本发明的光伏装置的一个实施方式的太阳能电池10的图。在图1中，光从纸面上侧(电极7侧)向纸面下侧(电极1侧)行进。
如图1所示，太阳能电池10从背面侧起依次具有：Al电极1、与该Al电极1连接的p型基板2、配置在该p型基板2的表面的光电变换层3(发电层3)、配置在该光电变换层3的表面的半导体层4(以下，有时称为“窗层4”)、配置在该窗层4的表面的接触层5和防反射膜6、配置在接触层5的表面的电极7。p型基板2是p型Ge基板，光电变换层3具有三个化合物半导体InGaP层(p层3a、p层3b以及n层3c)。p层3a接触到p型基板2和p层3b，p层3b接触到p层3a和n层3c，n层3c接触到p层3b和窗层4。窗层4是n型AlInP晶体层，与其上表面接触的接触层5是n型Ge层。窗层4的上表面在未配置接触层5的部位配置有防反射膜6，该防反射膜6是MgF2/ZnS的双层膜。与接触层5的上表面接触的电极7是双层结构，具有与接触层5接触的Ti层即电极7a和与该电极7a接触的Au层即电极7b。
入射到太阳能电池10的光通过防反射膜6和窗层4，到达光电变换层3，并被光电变换层3所吸收。另外，为了使光电变换层3所进行的光吸收不被窗层4阻碍，窗层4的带隙被调整为大于等于光电变换层3的带隙。在光电变换层3中，p层3b与n层3c形成pn结，由于光在光电变换层3被吸收而生成的电子向n层3c移动，在光电变换层3所生成的空穴向p层3b移动。向n层3c移动了的电子经由窗层4和接触层5到达电极7，向p层3b移动了的空穴向p层3a和p型基板2移动。
为了提高太阳能电池10的效率，增大到达电极7的电子的数量、降低不同层的接触界面处的电阻是有效的。为了增大到达电极7的电子的数量，减少从光电变换层3到达电极7的途中所失去的电子的数量是有效的，为了减小途中失去的电子的数量，减小在窗层4与接触层5的界面所发生的残留应力是有效的。残留应力在构成在形成晶体层时作为基底的层的晶体的晶格常数与所要形成的晶体层的晶格常数为同程度的情况下容易减小。在太阳能电池10中，n层3c的晶格常数与窗层4的晶格常数相同程度，并且，接触层5的晶格常数与窗层4的晶格常数相同程度。因此，在太阳能电池10中，在n层3c、窗层4以及接触层5可以几乎不发生残留应力，可以通过设为这样的方式来提高效率。
在太阳能电池10中，为了减小不同的层的接触界面，更具体地，n层3c与窗层4的接触界面、以及窗层4与接触层5的接触界面处的电阻，提高n层3c、窗层4以及接触层5的载流子浓度是有效的。因此，n层3c、窗层4以及接触层5通过在制作这些层时调整掺杂物的量，提高了载流子浓度。此外，对窗层4而言，构成接触层5的Ge作为n型掺杂物起作用，对于接触层5而言，构成窗层4的元素中最易扩散的P作为n型掺杂物起作用。在制造太阳能电池时，在为了形成电极而进行的热处理(为了使电极适应电极所接触的层而进行的热处理)中，原子容易从各层相互扩散，接触层5的Ge在窗层4作为n型掺杂物起作用、并且窗层4的P在接触层5作为n型掺杂物起作用，所以通过该热处理能够进一步减小窗层4与接触层5的接触界面处的电阻。
这样，利用太阳能电池10，能够通过增大到达电极7的电子的数量、以及降低接触界面处的电阻来提高效率。而且，太阳能电池10中不使用有害物质As。因此，通过设为这样的方式，根据本发明，可以提供能够降低有害性且提高效率的、使用了化合物半导体的太阳能电池10。
太阳能电池10所使用的接触层5(Ge晶体层)具有以下特征。
(1)Ge能够通过添加B(硼)、Al(铝)等周期表13族元素、或者P(磷)等15族元素而实现高的载流子浓度，由此能够作成减小了电阻的半导体层(接触层5)。
(2)通过使用碱性溶液，能够不溶解窗层4，而仅溶解接触层5。其结果，在窗层4的上表面形成了接触层5和电极7之后，能够使用碱溶液来容易地去除未被电极7和窗层4夹着的接触层(存在于电极7的周围的接触层)，能够在被去除了的接触层所存在的部位形成防反射膜6。由此，太阳能电池10的效率的提高变得容易。
(3)Ge晶体层与AlInP的晶格常数大致相同，并且能够通过作为制造化合物半导体的一般方法的分子束外延法(MBE)、有机金属气相生长法(MOCVD)来形成。即，由于能够用相同的装置制作光电变换层3、窗层4以及接触层5，所以容易制造能够提高效率的太阳能电池10。
在本发明中，各层的厚度、载流子浓度没有特别限定，但是从设为容易提高性能的方式的观点看来，构成太阳能电池10的各层的厚度以及载流子浓度例如能够设为以下的范围。
Al电极1的厚度例如能够设为100nm以上3000nm以下。此外，p型基板2的厚度例如能够设为100μm以上500μm以下，p型基板2的载流子浓度例如能够设为5×1018cm-3以上1×1020cm-3以下。
p层3a的厚度例如能够设为20nm以上，从产生充分的内部电场的观点看来，优选设为30nm以上。另外，p层3a的载流子浓度例如能够设为1×1017cm-3以上，从产生充分的内部电场的观点看来，优选设为大于等于p层3b的载流子浓度。
p层3b的厚度例如能够设为500nm以上，从设为容易充分地进行光吸收的观点看来，优选设为1500nm以上。此外，从通过太阳光发生的载流子移动的观点看来，p层3b的厚度优选设为3000nm以下。p层3b的载流子浓度例如能够设为5×1016cm-3以上，从减小内部电阻的观点看来，优选设为1×1017cm-3以上。另外，p层3b的载流子浓度例如能够设为5×1018cm-3以下，从减小再结合损失的观点看来，优选设为1×1018cm-3以下。
n层3c的厚度例如能够设为20nm以上，从产生充分的内部电场的观点看来，优选设为30nm以上。此外，n层3c的厚度例如能够设为200nm以下，从减小载流子移动距离的观点看来，优选设为100nm以下。此外，n层3c的载流子浓度例如能够设为5×1017cm-3以上，从产生充分的内部电场的观点看来，优选设为1×1018cm-3以上。此外，n层3c的载流子浓度例如能够设为1×1019cm-3以下，从减小再结合损失的观点看来，优选设为7×1018cm-3以下。
窗层4的厚度例如能够设为10nm以上，从形成稳定的半导体层的观点看来，优选设为20nm以上。此外，从确保光透射量的观点看来，窗层4优选设为50nm以下。此外，窗层4的载流子浓度例如能够设为5×1017cm-3以上，从减小内部电阻的观点看来，优选设为大于等于n层3c的载流子浓度。但是，从确保光透射量的观点看来，优选设为1×1019cm-3以下。
窗层4的晶格常数可以通过改变窗层的组成比而变更。窗层4的晶格常数优选是0.541nm以上0.599nm以下，特别优选是0.567nm以上0.573nm以下。这是因为与Ge的晶格常数的差小的缘故。
接触层5的厚度例如能够设为10nm以上，从防止由电极产生的脉冲(spike)导致的短路的观点看来，优选设为100nm以上。此外，接触层5的厚度例如能够设为300nm以下，从缩短制造时间的观点看来，优选设为150nm以下。另外，接触层5的载流子浓度例如能够设为1×1019cm-3以上，从减小与电极的接触电阻的观点看来，优选设为5×1019cm-3以上。
防反射膜6的厚度例如能够设为50nm以上200nm以下。此外，电极7a和电极7b的厚度例如能够设为20nm以上3000nm以下。
在上述说明中，例示了接触层5是Ge晶体层的方式，但是本发明不限于该方式。本发明中的接触层只要是含有以Ge为主要成分的第二晶体即可。具体地，只要是含有在设第二晶体的全部为100质量％时含有90质量％以上的Ge的第二晶体即可。在用Ge化合物构成接触层的情况下，作为能够与Ge一起包含在接触层的元素，例如能够列举Si等。
此外，在上述说明中，例示了窗层4是AlInP晶体层的方式，但是本发明不限于该方式。本发明中的窗层只要是具有含有Al、In以及P的第一晶体即可。作为这样的第一晶体，除了AlInP晶体以外，能够例示AlInGaP晶体等。AlInP晶体和AlInGaP晶体能够通过变更构成元素的组成比来容易地改变晶格常数。另外，无论是在窗层使用AlInP晶体的情况下，还是在窗层使用AlInGaP晶体的情况下，光电变换层可以设为同样的构成。此外，在本发明中，窗层使用AlInP晶体和AlInGaP晶体这两者的方式(例如，在窗层中的光电变换层侧配置AlInGaP晶体，在窗层中的接触层侧配置AlInP晶体的方式)也是允许的。
此外，在上述说明中，例示了光电变换层3使用作为III-V族化合物半导体的InGaP的方式，但是本发明不限于该方式。本发明中的光电变换层也可以使用例如InGaN等其它III-V族化合物半导体。此外，光电变换层也可以是含有多个pn结的多结型。此外，本发明中的光电变换层也可以使用III-V族化合物半导体以外的化合物半导体。其中，由于可以通过材料的组成比来改变带隙，所以优选在光电变换层中使用III-V族化合物半导体。
此外，在上述说明中，例示了接触层5与双层结构的电极7接触的方式，但是本发明不限于该方式。其中，在层叠于接触层的表面的电极中在与接触层接触的部位，优选使用与接触层的配合性好的物质(例如Ti、Ag等)。此外，在与接触层接触的部位所使用的与接触层配合性好的物质容易被氧化的情况下，优选用难以被氧化的导电性物质覆盖该物质的表面。
此外，在上述说明中，例示了防反射膜6是MgF2/ZnS的双层膜的方式，但是本发明不限于该方式。防反射膜也可以设为其它公知的方式。此外，也可以设为不具备防反射膜的方式。
此外，在上述说明中，例示了窗层4与接触层5直接接触的方式，但是本发明不限于该方式。在本发明中，例如，在效率被允许的范围内，也可以在半导体层与接触层之间隔着其它层。
此外，在上述说明中，例示了在光电变换层3的入射光的上游侧的表面配置有窗层4、且在该窗层4的入射光的上游侧的表面配置有接触层5的方式，但是本发明不限于该方式。本发明中的“层叠于光电变换层的表面的半导体层”也可以层叠于光电变换层的入射光的下游侧的表面，本发明中的“配置在半导体层的与光电变换层相反侧的接触层”也可以层叠于半导体层的入射光的下游侧的表面。此时，“层叠于光电变换层的表面的半导体层”相当于所谓的BSF层。即使是这样的方式，也能够降低有害性并且提高效率。
此外，在上述说明中，例示了从光电变换层3的上表面侧照射光的方式，但是本发明不限于该方式。本发明的光伏装置也可以是所谓双面受光型。在本发明的光伏装置为双面受光型的情况下，隔着半导体层连接到光电变换层的接触层可以仅配置在光电变换层的一个受光面侧，也可以配置在光电变换层的两个受光面侧。此处，配置在光电变换层的两个受光面侧是指，朝向层叠方向依次配置接触层、半导体层、光电变换层、半导体层、接触层的方式。
图2是说明本发明的光伏装置的制造方法(以下有时称为“本发明的制造方法”)的一个实施方式的流程图。以下，参照图1和图2说明太阳能电池10的制造方法的具体例子。
如图2所示，本发明的制造方法具有：第一气相生长工序(S1)、第二气相生长工序(S2)、第三气相生长工序(S3)、第一电极形成工序(S4)、去除工序(S5)、防反射膜形成工序(S6)、第二电极形成工序(S7)。而且，第一电极形成工序(S4)具有：抗蚀剂掩模形成工序(S41)、电极层叠工序(S42)、抗蚀剂掩模去除工序(S43)。
第一气相生长工序(以下有时称为“S1”)是通过气相生长法在p型基板2的表面形成光电变换层3的工序。图3示出在分子束外延法中使用的分子束外延装置90的概念图。
在p型基板2的表面形成p层3a时，例如能够通过将p型基板2的温度设为500℃，加热放入了原料In、Ga、P的坩埚，分别以4.0×10-5Pa、2.7×10-5Pa、1.0×10-3Pa的分子束密度照射p型基板2，从而通过分子束外延法形成p层3a。此时，使用Be作为p型掺杂物，控制放入了Be的坩埚的温度(例如控制在700℃以上950℃以下的范围)以成为期望的载流子浓度。
在p层3a的表面形成p层3b时，例如能够通过将p型基板2的温度设为500℃，加热放入了原料In、Ga、P的坩埚，分别以4.0×10-5Pa、2.7×10-5Pa、1.0×10-3Pa的分子束密度照射p层3a，从而通过分子束外延法形成p层3b。此时，使用Be作为p型掺杂物，控制放入了Be的坩埚的温度(例如控制在600℃以上850℃以下的范围)以成为期望的载流子浓度。
在p层3b的表面形成n层3c时，例如能够通过将p型基板2的温度设为500℃，加热放入了原料In、Ga、P的坩埚，分别以4.0×10-5Pa、2.7×10-5Pa、1.0×10-3Pa的分子束密度照射p层3b，从而通过分子束外延法形成n层3c。此时，使用Si作为n型掺杂物，控制放入了Si的坩埚的温度(例如控制在1000℃以上1350℃以下的范围)以成为期望的载流子浓度。在本发明的制造方法中，通过经过例如这样的过程，能够在p型基板2的表面形成光电变换层3。
第二气相生长工序(以下有时称为“S2”)是在通过S1形成的光电变换层3的表面通过气相生长法形成窗层4的工序。
在光电变换层3的表面(n层3c的表面)形成窗层4时，例如能够通过将p型基板2的温度设为500℃，加热放入了原料In、Al、P的坩埚，分别以4.0×10-5Pa、1.3×10-5Pa、1.0×10-3Pa的分子束密度照射n层3c，从而通过分子束外延法形成窗层4。此时，使用Si作为n型掺杂物，控制放入了Si的坩埚的温度(例如控制在1000℃以上1350℃以下的范围)以成为期望的载流子浓度。在本发明的制造方法中，例如像这样，能够在光电变换层3的表面(n层3c的表面)形成窗层4。
第三气相生长工序(以下有时称为“S3”)是在通过S2形成的窗层4的表面通过气相生长法形成接触层5的工序。
在窗层4的表面形成接触层5时，例如能够通过将p型基板2的温度设为200℃以上(优选200℃以上400℃以下)，加热放入了原料Ge的坩埚，以7.0×10-6Pa以下、优选1.0×10-6Pa以上7.0×10-6Pa以下的分子束密度照射窗层4，从而通过分子束外延法形成接触层5。此时，使用P作为n型掺杂物，控制放入了P的坩埚的温度(在使用GaP作为P源的情况下，例如控制在650℃以上900℃以下的范围)以成为期望的载流子浓度。在本发明的制造方法中，例如像这样，能够在窗层4的表面形成接触层5。
如果p型基板2的温度过低，则有可能Ge层无法成为结晶状态而形成大量地存在缺陷、转移的层。因此，从容易地形成作为高质量的Ge晶体层的接触层5的观点看来，在S3中将p型基板2的温度设为200℃以上。另一方面，从提高接触层5的结晶性的观点看来，形成接触层5时的p型基板2的温度的上限值没有特别限定，但是如果在形成接触层5时提高p型基板2的温度，则原子容易在窗层4与接触层5之间移动。如果是如以往那样在接触层使用GaAs的情况下，则由于GaAs是III-V族化合物半导体，所以不会发生问题，但是在接触层使用Ge时可能发生较大问题。在窗层4的构成元素中，Al和In作为接触层5的p型掺杂物起作用，P作为接触层5的n型掺杂物起作用，所以如果这些元素全部都从窗层4向接触层5移动，则接触层5的载流子浓度控制、p/n型控制容易变得困难。因此，通过减少向接触层5的原子扩散，使载流子浓度控制、p/n型控制变得容易，其结果，从能够制造容易提高性能的方式的太阳能电池10等的观点看来，形成接触层5时的p型基板2的温度优选设为400℃以下。通过在这样的温度条件下形成接触层5，能够降低加热器的驱动电力，所以还能够降低太阳能电池的制造成本。
此外，如果形成接触层5时的Ge的分子束(蒸汽)密度过大，则Ge层难以成为结晶状态。因此，从容易地形成作为高质量的Ge晶体层的接触层5的观点看来，在S3中将Ge的分子束密度设为7.0×10-6Pa以下。与此相比，S3中的Ge的分子束密度的下限值没有特别限定，但是如果分子束密度过小，则制造时间容易增长。因此，从设为容易提高生产率的方式等观点看来，形成接触层5时的Ge的分子束(蒸气)密度优选设为1.0×10-6Pa以上。
第一电极形成工序(以下有时称为“S4”)是在通过S3形成的接触层5的表面形成电极7的工序。
当在接触层5的表面形成电极7时，首先，从分子束外延装置取出在p型基板2的表面依次层叠光电变换层3、窗层4以及接触层5而成的层叠体。接着，通过光刻工序，在接触层5的表面制作与要形成的电极7的形状图案对应的抗蚀剂掩模(抗蚀剂掩模形成工序，以下有时称为“S41”)。此处，所制作的抗蚀剂掩模既可以是正型，也可以是负型的。
如果通过S41制作了抗蚀剂掩模，则接着利用蒸镀装置蒸镀Ti，接着蒸镀Au，由此在接触层5和抗蚀剂掩模的表面蒸镀Ti和Au(电极层叠工序，以下有时称为“S42”)。在这样地蒸镀了Ti和Au之后，从蒸镀装置取出，接着，在有机溶剂(例如丙酮溶液等)中浸渍，由此溶解抗蚀剂掩模(抗蚀剂掩模去除工序，以下有时称为“S43”)。在S4中，通过经过例如以上的步骤，能够在接触层5的表面形成预定形状(例如梳型形状等)的电极7。
去除工序(以下有时称为“S5”)是在通过S4形成了电极7之后，去除接触层(配置于在上表面侧不存在电极7的部位的接触层)的多余的部位的工序。去除接触层的多余的部位是为了使光不被接触层5所吸收，通过去除接触层的多余的部位，电池性能的提高变得容易。在去除接触层的多余的部位时，能够使用碱溶液，能够使用通过将例如质量比为氨水：过氧化氢水：水＝2:1:20的份量的氨水、过氧化氢水、水混合而制作成的碱溶液。此处，接触层溶解于该碱溶液，但是窗层4难以溶解于该碱溶液。因此，在S5中，将形成有电极7的层叠体浸渍在上述碱溶液中预定的时间(例如30秒左右)，由此能够选择性地仅去除多余的接触层。在选择性地仅去除了多余的接触层之后，接着用水进行清洗，然后进行干燥处理。
防反射膜形成工序(以下有时称为“S6”)是在配置通过S5去除了的多余的接触层的部位的至少一部分形成防反射膜6的工序。防反射膜6可以用公知的方法形成。
第二电极形成工序(以下有时称为“S7”)是在p型基板2的背面侧(形成有光电变换层3的面的背面侧)形成Al电极1的工序。Al电极1例如可以使用蒸镀装置来形成。在这样地形成了Al电极之后，为了使Al电极1与p型基板2的界面、以及电极7与接触层5的界面相配合，在预定的温度环境下保持预定的时间。在保持时的温度例如可以设为400℃左右，保持时间可以设为例如5分钟左右。可以通过经过以上工序来制作太阳能电池10。
例如可以通过经过S1至S7来制作太阳能电池10。因此，根据本发明，可以提供能够制造能够降低有害性且提高效率的、使用了化合物半导体的光发电装置的光伏装置制造方法。
在关于本发明的制造方法的上述说明中，例示了使用分子束外延法来制造太阳能电池10的方式，但是本发明的制造方法不限于该方式。本发明的制造方法也可以设为使用有机金属气相生长法(MOCVD)等分子束外延法以外的气相生长法的方式。
在关于本发明的上述说明中，例示了窗层4和接触层5都是n型的方式，但是本发明不限于该方式。在本发明中，窗层和接触层是p型的方式也是被容许的。
(符号的说明)
1、电极  2、p型基板(基板)  3、光电变换层  4、窗层(半导体层)  5、接触层  6、防反射层  7、电极  10、太阳能电池(光伏装置)  S1、第一气相生长工序  S2、第二气相生长工序  S3、第三气相生长工序  S4、第一电极形成工序(电极形成工序)  S41、抗蚀剂掩模形成工序  S42、电极层叠工序  S43、抗蚀剂掩模去除工序  S5、去除工序  S6、防反射膜形成工序  S7、第二电极形成工序

Claims (12)

1.一种光伏装置，具有：
光电变换层，包含化合物半导体；
半导体层，被层叠在上述光电变换层的表面；
接触层，被配置在上述半导体层的与上述光电变换层相反的一侧；以及
电极，被层叠在上述接触层的表面，
上述半导体层包含第一晶体，该第一晶体包含Al、In和P，
上述接触层包含第二晶体，该第二晶体以Ge为主要成分。
2.根据权利要求1所述的光伏装置，其特征在于，
上述半导体层与上述接触层接触。
3.根据权利要求1或2所述的光伏装置，其特征在于，
上述半导体层的上述第一晶体的晶格常数为0.567nm以上且0.573nm以下。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的光伏装置，其特征在于，
上述半导体层的上述第一晶体是AlInP晶体。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的光伏装置，其特征在于，
上述化合物半导体是III-V族化合物半导体。
6.一种光伏装置的制造方法，具有：
第一气相生长工序，在基板上气相生长包含化合物半导体的光电变换层；
第二气相生长工序，在所形成的上述光电变换层的表面气相生长具有包含Al、In和P的第一晶体的半导体层；
第三气相生长工序，在所形成的上述半导体层的上表面侧气相生长具有以Ge为主要成分的第二晶体的接触层；以及
电极形成工序，在所形成的上述接触层的表面形成电极。
7.根据权利要求6所述的光伏装置的制造方法，其特征在于，
上述第三气相生长工序是在所形成的上述半导体层的表面气相生长具有以Ge为主要成分的第二晶体的接触层的工序。
8.根据权利要求6或7所述的光伏装置的制造方法，其特征在于，
上述第三气相生长工序是在上述基板的温度为200℃以上的状态下，通过分子束外延法气相生长上述接触层的工序。
9.根据权利要求6或7所述的光伏装置的制造方法，其特征在于，
上述第三气相生长工序是在上述基板的温度为200℃以上且400℃以下的状态下，通过分子束外延法气相生长上述接触层的工序。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的光伏装置的制造方法，其特征在于，
上述第三气相生长工序是在分子束密度为7.0×10-6Pa以下的状态下通过分子束外延法气相生长上述接触层的工序。
11.根据权利要求6至10中任一项所述的光伏装置的制造方法，其特征在于，
在上述电极形成工序之后具有去除工序，该去除工序是残留存在于所形成的上述电极与上述半导体层之间的上述接触层、并且使用碱溶液去除存在于所形成的上述电极的周围的多余的上述接触层的工序。
12.根据权利要求6至11中任一项所述的光伏装置的制造方法，其特征在于，
上述电极形成工序具有：
对所形成的上述接触层的表面形成与所要形成的上述电极的形状对应的抗蚀剂掩模的步骤；
至少对上述接触层的表面层叠上述电极的步骤；以及
去除存在于与上述接触层接触的上述电极的周围的上述抗蚀剂掩模的步骤。
CN201380051189.0A 2012-10-04 2013-09-24 光伏装置及其制造方法 Expired - Fee Related CN104685641B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012-222534 2012-10-04
JP2012222534A JP5763603B2 (ja) 2012-10-04 2012-10-04 光起電装置及びその製造方法
PCT/JP2013/075701 WO2014054457A1 (ja) 2012-10-04 2013-09-24 光起電装置及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104685641A true CN104685641A (zh) 2015-06-03
CN104685641B CN104685641B (zh) 2016-09-07

Family

ID=50434786

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380051189.0A Expired - Fee Related CN104685641B (zh) 2012-10-04 2013-09-24 光伏装置及其制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20150228834A1 (zh)
EP (1) EP2905816A4 (zh)
JP (1) JP5763603B2 (zh)
CN (1) CN104685641B (zh)
WO (1) WO2014054457A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101929443B1 (ko) * 2014-04-29 2019-03-14 엘지전자 주식회사 반도체 화합물 태양 전지
US9859451B2 (en) 2015-06-26 2018-01-02 International Business Machines Corporation Thin film photovoltaic cell with back contacts
CN115548142B (zh) * 2022-11-28 2023-03-21 浙江晶科能源有限公司 一种太阳能电池及光伏组件

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007115916A (ja) * 2005-10-20 2007-05-10 Sharp Corp 化合物太陽電池及び製造方法
CN102254918A (zh) * 2011-07-22 2011-11-23 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种叠层式太阳能电池及制作方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63126272A (ja) * 1987-08-18 1988-05-30 Mitsubishi Electric Corp Ｎ型砒化ガリウムのオ−ム性電極形成方法
JPH01215019A (ja) * 1988-02-24 1989-08-29 Toshiba Corp オーミック電極の形成方法
JP2003218374A (ja) * 2002-01-23 2003-07-31 Sharp Corp Ｉｉｉ−ｖ族太陽電池
US10170652B2 (en) * 2011-03-22 2019-01-01 The Boeing Company Metamorphic solar cell having improved current generation

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007115916A (ja) * 2005-10-20 2007-05-10 Sharp Corp 化合物太陽電池及び製造方法
CN102254918A (zh) * 2011-07-22 2011-11-23 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种叠层式太阳能电池及制作方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
J.LAMMASNIEMI,ET.AL.: ""MOLECULAR BEAM EPITAXY GROWN GaInP TOP CELLS AND GaAs TUNNEL DIODES FOR TANDEM APPLICATIONS"", 《IEEE》, 17 May 1996 (1996-05-17), pages 97 - 100, XP010208101 *

Also Published As

Publication number Publication date
EP2905816A4 (en) 2015-11-18
US20150228834A1 (en) 2015-08-13
JP2014075495A (ja) 2014-04-24
JP5763603B2 (ja) 2015-08-12
CN104685641B (zh) 2016-09-07
WO2014054457A1 (ja) 2014-04-10
EP2905816A1 (en) 2015-08-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8110431B2 (en) Ion implanted selective emitter solar cells with in situ surface passivation
US8921968B2 (en) Selective emitter solar cells formed by a hybrid diffusion and ion implantation process
CN109244194B (zh) 一种低成本p型全背电极晶硅太阳电池的制备方法
KR101626248B1 (ko) 실리콘 태양전지 및 이의 제조 방법
JP2011061197A (ja) 太陽電池およびその製造方法
TW201027777A (en) Four junction inverted metamorphic multijunction solar cell with two metamorphic layers
JP2013239476A (ja) 光起電力装置およびその製造方法、光起電力モジュール
CN104269457B (zh) 一种基于离子注入工艺的n型ibc硅太阳能电池制作方法
CN102623517A (zh) 一种背接触型晶体硅太阳能电池及其制作方法
JP7502383B2 (ja) パターニングされたエミッタを有する多接合太陽電池及び該太陽電池の製造方法
CN104300032A (zh) 一种单晶硅太阳能离子注入工艺
US20130125964A1 (en) Solar cell and manufacturing method thereof
CN102881772B (zh) 一种选择性发射极太阳能电池的制备方法
CN102403402A (zh) 太阳能电池的制造方法
CN104685641A (zh) 光伏装置及其制造方法
CN109860334B (zh) 一种匹配hf/hno3体系选择性刻蚀的高质量磷扩散方法
CN111886706A (zh) 串联太阳能电池的制造方法
KR101414570B1 (ko) 선택적 에미터 구조를 가진 실리콘 태양전지 및 이의 제조방법
CN107170848B (zh) 一种双面发电的太阳能电池
CN104617167A (zh) 形成光伏器件的方法以及光伏器件
CN105355668A (zh) 一种具有非晶态缓冲层结构的In0.3Ga0.7As电池及制备方法
CN102769072A (zh) N型晶硅太阳能电池及其制备方法
CN103227244A (zh) N型太阳能电池及其选择性背场制备方法
JP4614655B2 (ja) 光起電力装置の製造方法
CN105742401A (zh) 一种铜铟镓硒(cigs)薄膜太阳能电池的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20160907

Termination date: 20190924

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee